JP3594820B2 - 基板熱処理装置 - Google Patents
基板熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3594820B2 JP3594820B2 JP31347598A JP31347598A JP3594820B2 JP 3594820 B2 JP3594820 B2 JP 3594820B2 JP 31347598 A JP31347598 A JP 31347598A JP 31347598 A JP31347598 A JP 31347598A JP 3594820 B2 JP3594820 B2 JP 3594820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- exhaust
- heat treatment
- substrate
- exhaust port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、密閉空間内にて半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に熱処理を行う基板熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、上記のような基板に対しては、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理を順次行わせることにより一連の基板処理を達成している。熱処理の中でも密着強化処理は、基板にヘキサメチルジシラザン(Hexa Methyl Di Silazan;以下、「HMDS」と称する)のガスを供給しつつ、当該基板を温調することによって、レジストと基板との密着性を高める目的で行う熱処理である。
【0003】
従来より、密着強化処理は、加熱あるいは冷却を行う熱処理プレートを備えた処理室内において行われている。処理室には、基板の搬入・搬出を行うための搬入口が設けられており、処理中にHMDSガスが搬入口から外部に漏れ出さないように、処理室内を排気しつつ、熱処理が行われていた。
【0004】
しかしながら、搬入口が閉鎖されているわけではないため、処理室内は半密閉の状態であり、搬入口からのHMDSガスの漏洩を完全に防ぐことはできなかった。
【0005】
HMDSガスは人体に有害であるばかりでなく、大気中の水分と結合することによって化学増幅型レジストを使用したエキシマプロセスに悪影響を及ぼすため、その漏洩は極力低減する必要がある。
【0006】
このため、上方が開放された処理室に昇降自在な上蓋を設け、その上蓋を当接させることによって、処理室内を密閉空間にできるようにし、当該密閉空間内にてHMDSガスを供給して密着強化処理を行う技術が採用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような密閉式の処理室を採用した場合であっても、基板を搬入・搬出するために、上蓋を開閉する必要がある。このため、上蓋が開放されている間も、僅かに残留しているHMDSガスの外部への漏洩を防止すべく、処理室に設けられた排気ポートから処理室内雰囲気の排気を行っている。
【0008】
熱処理プレートの上方の雰囲気を排気するための排気ポートは、処理室の側壁であって熱処理プレートの側方に設けられている。そして、熱処理プレートの上方の雰囲気は、熱処理プレートと処理室の側壁と間に形成された環状の排気スリットから排気ポートへと排気されるのである。
【0009】
このときに、排気スリットのうち排気ポートの近傍と排気ポートから大きく離れた部分とでは排気バランスが異なるため、上蓋と処理室との間にて形成された通気部分から排気によって空気とともに流入したパーティクルが排気ポートの近傍に位置する基板の部分に付着するという問題が生じていた。
【0010】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、パーティクルの付着を抑制することができる基板熱処置装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、密閉空間内にて基板に熱処理を行う基板熱処理装置であって、(a) 上方が開放された処理室と、(b) 前記処理室の上方に前記処理室に対して相対的に昇降可能に設けられ、前記処理室に当接して前記処理室内を密閉空間にすることと、前記処理室から離間して前記処理室内を開放することとが可能な蓋と、(c) 前記処理室内に配置され、基板を載置して前記熱処理を行うプレートと、(d) 前記処理室の側壁に設けられ、前記プレートと前記側壁との間に形成された環状の排気スリットから前記プレート上方の気体を排気する排気ポートと、(e) 前記排気ポートから前記排気を行うときに、前記排気スリットにおける単位面積当たりの前記気体の流量が一定となるように流量制御を行う流量制御手段と、を備えている。
【0012】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板熱処理装置において、前記流量制御手段に、前記排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように前記排気スリットに配置され、それぞれが前記排気スリットの一部を遮蔽する複数の遮蔽部材を含ませている。
【0013】
また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係る基板熱処理装置において、前記流量制御手段に、前記排気スリットに設けられ、前記排気スリットに沿って等間隔に複数の穴を設けた板状部材と、前記排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように前記複数の穴のいずれかに嵌合されて、前記板状部材に配置される複数の嵌合部材と、を含ませている。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0015】
図1は、本発明に係る基板熱処理装置の全体構成を示す図である。また、図2は、基板熱処理装置の要部を示す平面図である。この基板熱処理装置は、基板にHMDSガスを供給して加熱処理を行う密着強化処理部であり、処理室10、上蓋20、基板昇降機構30、蓋昇降機構40、第1排気ポート50、第2排気ポート60、ガス導入ポート70およびホットプレート80を備えている。
【0016】
処理室10は、上部が開放された円筒状の筐体である。また、上蓋20は処理室10の上方に設けられた処理室10の蓋である。上蓋20は蓋昇降機構40によって昇降可能に設けられている。すなわち、上蓋20は保持棒41を介してエアシリンダ42と接続されており、エアシリンダ42が保持棒41を昇降させるのに連動して、上蓋20も昇降動作を行う。
【0017】
上蓋20がエアシリンダ42によって下降されると、処理室10の側壁10aの上端に設けられたOリング12と当接し、処理室10内は密閉空間となる。また、上蓋20がエアシリンダ42によって上昇されると、処理室10から上蓋20が離間して処理室10内が開放される。つまり、上蓋20は、処理室10に当接して処理室10内を密閉空間にすることと、処理室10から離間して処理室10内を開放することとが可能な蓋である。
【0018】
また、上蓋20の上部にはガス導入ポート70が貫通して固設されている。ガス導入ポート70は、図外のガス供給源と接続されており、上蓋20が下降した状態において処理室10内にHMDSガスまたは窒素ガスを供給することができる。
【0019】
処理室10内には、ホットプレート80が設けられている。ホットプレート80は、基板Wを載置して加熱を行う放熱板である。ホットプレート80への基板Wの載置は基板昇降機構30によって行われる。
【0020】
基板昇降機構30は、基板支持棒33と保持プレート34と連結棒31とエアシリンダ32とを備えている。基板支持棒33は円板状の保持プレート34上に鉛直方向に沿って立設された棒状部材である。保持プレート34は、連結棒31を介してエアシリンダ32に接続されており、エアシリンダ32が連結棒31、保持プレート34を昇降させるのに連動して、基板支持棒33も昇降動作を行う。また、基板支持棒33は、ホットプレート80内を挿通可能とされており、その上端が基板Wの端縁部を3ヶ所にて支持する(図2参照)。
【0021】
従って、基板支持棒33がエアシリンダ32によって上昇されると、それに支持された基板Wも上昇する。また、基板支持棒33がエアシリンダ32によって下降されると、それに支持された基板Wも下降し、ホットプレート80に載置されるのである。
【0022】
なお、基板支持棒33が下降された状態においては、処理室10の底壁10bに設けられたOリング14と保持プレート34とが当接し、処理室10内の密閉状態を維持する。
【0023】
また、ホットプレート80の側方であって処理室10の側壁10aには第1排気ポート50が貫通して設けられ、同様に処理室10の底壁10bには第2排気ポート60が貫通して設けられている。第1排気ポート50および第2排気ポート60はともに図外の排気手段に連通されており、処理室10内の気体を排気する機能を有する。処理室10に2つの排気ポートを設けているのは、以下のような理由による。
【0024】
すなわち、上蓋20が下降してOリング12と当接した状態において、処理室10内は大別して2つの空間に分離される。1つはホットプレート80よりも上方の空間であり、他方はホットプレート80よりも下方の空間である。これら2つの空間は厳密に分離されているわけではなく、ホットプレート80に設けられた基板支持棒33が挿通される穴によって連通されている。但し、その穴に基板支持棒33が挿通された状態においては、通気性が低いため1つの排気ポートのみでは排気効率が著しく低下する。このため、第1排気ポート50からはホットプレート80よりも上方の空間の気体を排気させるとともに、第2排気ポート60からはホットプレート80よりも下方の空間の気体を排気させているのである。
【0025】
ホットプレート80の側方に設けられた第1排気ポート50から排気を行うときには、ホットプレート80と処理室10の側壁10aとの間に形成された環状の排気スリット90からホットプレート80よりも上方の気体を排気している。
【0026】
ここで、図2に示すように、本発明に係る基板熱処理装置においては、それぞれが排気スリット90の一部を遮蔽する複数の遮蔽部材91を排気スリット90に配置している。図3は、遮蔽部材91が排気スリット90に置かれた状態を示す図である。遮蔽部材91は、遮蔽板91aとバランス板91bとを接合させた断面T字形状の部材である。遮蔽部材91は、ホットプレート80の端部と処理室10の側壁10aとの間に遮蔽板91aを載架させることによって排気スリット90に置かれている。バランス板91bは、排気スリット90を通過する気流によって遮蔽部材91がその位置を移動させないようにするためのものである。
【0027】
また、図2に示すように、遮蔽部材91は、排気ポート50からの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように排気スリット90に配置されている。遮蔽部材91をこのように配置することによって、排気スリット90における排気バランスを調整しているのであるが、これについてはさらに後述する。
【0028】
次に、上記構成を有する基板熱処理装置において密着強化処理を行うときの手順について簡単に説明する。
【0029】
まず、上蓋20が上昇して処理室10内が開放されるとともに、基板支持棒33も上昇した状態において、装置外部の搬送ロボットによって基板Wが搬入され、基板支持棒33の上端に置かれる。基板Wが基板支持棒33の上端に支持された後、基板支持棒33が下降してその基板Wをホットプレート80に載置する。
【0030】
なお、基板支持棒33の下降にともなって、保持プレート34とOリング14とが当接する。
【0031】
次に、上蓋20を下降させつつ、第1排気ポート50および第2排気ポート60から排気を行う。やがて、上蓋20がOリング12に当接する直前の位置にまで下降すると、この時点で一旦第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を停止する。排気を停止するのは、処理室10内部が負圧となって上蓋20が急激に下降して処理室10に衝突するのを防ぐためである。
【0032】
上蓋20がエアシリンダ42によってさらに下降され、Oリング12に当接すると、第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を再び開始する。この段階においては、上蓋20とOリング12との当接および保持プレート34とOリング14との当接によって処理室10内が密閉空間にされているため、第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気にともなって処理室10内は減圧状態となる。やがて、処理室10内の圧力が予め定められた第1の圧力にまで減圧されると、第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を停止し、ガス導入ポート70から予め定められた第2の圧力に到達するまでHMDSガスを処理室10内に導入することによって、基板Wに対する密着強化処理が進行される。なお、処理室10内は密閉空間であるため、密着強化処理中にHMDSガスが外部に漏洩するおそれはない。
【0033】
その後、所定時間が経過して密着強化処理が終了すると、再び第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を開始して処理室10内の圧力を上記第1の圧力にまで減圧する。そして、処理室10内の圧力が第1の圧力に到達すると、第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を停止し、ガス導入ポート70から窒素ガスを処理室10内に導入する。
【0034】
その後、エアシリンダ42によって上蓋20が上昇され、処理室10から離間されて処理室10内が開放される。このときに、処理室10内のHMDSガスの濃度は上述した排気および窒素ガスの導入によって相当低減しているものの、HMDSガスは完全には除去されておらず依然としてその一部が処理室10内に残留している。
【0035】
そこで、上蓋20が上昇されて処理室10から離間した直後から、再び第1排気ポート50および第2排気ポート60による排気を開始し、処理室10内に残留していたHMDSガスを排除している。これによって、一連の処理を通じてHMDSガスが外部に漏洩する可能性が著しく低減される。なお、上蓋20が処理室10から離間した直後から排気を再開するのは、上蓋20が処理室10に当接したまま排気を行うと処理室10内が負圧となって、上蓋20の上昇に支障をきたすからである。
【0036】
以上のように、密着強化処理前後における上蓋20の下降段階および上昇段階のときも第1排気ポート50および第2排気ポート60からの排気を行っているのである。これらのときには、上蓋20が処理室10から離間されて処理室10内が開放されているため、排気にともなって装置外部から空気が流入し、その流入した空気は排気スリット90を経由して第1排気ポート50から排気される。
【0037】
ここで、環状の排気スリット90のうち第1排気ポート50の近傍と第1排気ポート50から大きく離れた部分とでは気体の吸引力が異なるため、単位面積当たりの空気の流量が均一ではなく、排気バランスが異なる。
【0038】
このため、従来において、装置外部からの空気とともに流入したパーティクルが排気ポート50の近傍に位置する基板Wの部分に付着し易いことは既述した通りである。
【0039】
そこで、本実施形態においては、図2に示した如く、排気スリット90に遮蔽部材91を排気ポート50からの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように配置しているのである。これにより、環状の排気スリット90のうち第1排気ポート50近傍の気体の吸引力が大きい領域の面積は小さくなり、逆に第1排気ポート50から大きく離れた気体の吸引力が小さい領域の面積は大きくなる。
【0040】
そして、その結果、排気スリット90における単位面積当たりの空気の流量が一定となり、排気バランスが均一化されるのである。
【0041】
換言すれば、排気スリット90に配置された複数の遮蔽部材91が排気スリット90における単位面積当たりの気体の流量が一定となるように流量制御を行う流量制御手段としての役割を果たしているのである。
【0042】
以上のようにすれば、環状の排気スリット90から均一に排気が行われるため、排気ポート50の近傍に位置する基板Wの部分へのパーティクルの付着を抑制することができる。
【0043】
また、環状の排気スリット90から均一に排気が行われると、基板Wの上面における気流の流れも均一になるため、基板の加熱処理も均一に行われる。
【0044】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、流量制御手段として複数の遮蔽部材91を使用していたが、これに限定されるものではなく、図4に示すような形態であってもよい。
【0045】
図4に示す形態では、排気スリット90に板状部材95が設けられており、板状部材95によって排気スリット90の全体が覆われている。そして、板状部材95は、環状の排気スリット90に沿って等間隔に複数の穴96を設けている。
【0046】
また、板状部材95においては、排気ポート50からの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように複数の嵌合部材97のそれぞれが複数の穴96のいずれかに嵌合されている。
【0047】
このようにしても、環状の排気スリット90のうち第1排気ポート50近傍の気体の吸引力が大きい領域の面積は小さくなり、逆に第1排気ポート50から大きく離れた気体の吸引力が小さい領域の面積は大きくなる。そして、その結果、排気スリット90における単位面積当たりの空気の流量が一定となり、排気バランスが均一化され、上記実施形態と同様の効果を得ることができるのである。すなわち、図4の形態では、複数の穴96を設けた板状部材95および複数の嵌合部材97によって流量制御手段を実現しているのである。
【0048】
なお、図4のようにすれば、穴96の個数を数えるだけで簡単に嵌合部材97を配置できるため、作業者による配置作業の効率は高いものとなる。一方、図2に示した形態では、遮蔽部材91を僅かに移動させるだけで微妙な流量の調整を行うことができる。
【0049】
また、図2、図4に示した形態以外であっても、排気スリット90における単位面積当たりの気体の流量が一定となるように流量制御を行う形態であればよく、例えば、ホットプレート80を移動させて排気ポート50に近づけ、環状の排気スリット90のうち第1排気ポート50近傍の領域の面積を小さくし、第1排気ポート50から大きく離れた領域の面積を大きくするようにしてもよい。
【0050】
また、上記実施形態においては、本発明に係る基板熱処理装置を密着強化処理を行う装置に適用していたが、その他の熱処理装置(例えば、露光後のベークを行う露光後ベーク装置)に適用することも可能である。
【0051】
また上記実施形態においてはホットプレート80を設け基板Wを加熱する構成としているが、これに代えて、基板Wを冷却するクールプレートを設けた構成とすることもできる。
【0052】
また上記実施形態においては、処理室10を固定して上蓋20を昇降させることで処理室10内を密閉空間にすることと処理室10から離間して処理室10内を開放することとを行うようにしていたが、これに限られるものではなく、逆に、上蓋20を固定して処理室10を昇降させるようにしてもよい。つまり装置外部の搬送ロボットとの間で基板の受け渡しができるようにさえ設定しておけば処理室10に対して上蓋20が相対的に昇降する構成として処理室10と、上蓋20のいずれを昇降させてもよい。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明によれば、排気スリットにおける単位面積当たりの気体の流量が一定となるように流量制御を行っているため、排気スリットからの排気が均一となり、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。また、排気スリットから均一に排気が行われると、基板の上面における気流の流れも均一になるため、基板の熱処理も均一に行われる。
【0054】
また、請求項2の発明によれば、それぞれが排気スリットの一部を遮蔽する複数の遮蔽部材を排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように排気スリットに配置しているため、排気スリットのうち排気ポート近傍の気体の吸引力が大きい領域の面積は小さくなり、逆に排気ポートから大きく離れた気体の吸引力が小さい領域の面積は大きくなり、その結果、請求項1の発明と同様の効果を得ることができる。
【0055】
また、請求項3の発明によれば、排気スリットに設けられ、排気スリットに沿って等間隔に複数の穴を設けた板状部材と、排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように上記複数の穴のいずれかに嵌合されて、上記板状部材に配置される複数の嵌合部材と、を有しているため、排気スリットのうち排気ポート近傍の気体の吸引力が大きい領域の面積は小さくなり、逆に排気ポートから大きく離れた気体の吸引力が小さい領域の面積は大きくなり、その結果、請求項1の発明と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板熱処理装置の全体構成を示す図である。
【図2】図1の基板熱処理装置の要部を示す平面図である。
【図3】遮蔽部材が排気スリットに置かれた状態を示す図である。
【図4】図1の基板熱処理装置の要部の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
10 処理室
10a 側壁
20 上蓋
50 第1排気ポート
80 ホットプレート
90 排気スリット
91 遮蔽部材
95 板状部材
96 穴
97 嵌合部材
W 基板
Claims (3)
- 密閉空間内にて基板に熱処理を行う基板熱処理装置であって、
(a) 上方が開放された処理室と、
(b) 前記処理室の上方に前記処理室に対して相対的に昇降可能に設けられ、前記処理室に当接して前記処理室内を密閉空間にすることと、前記処理室から離間して前記処理室内を開放することとが可能な蓋と、
(c) 前記処理室内に配置され、基板を載置して前記熱処理を行うプレートと、
(d) 前記処理室の側壁に設けられ、前記プレートと前記側壁との間に形成された環状の排気スリットから前記プレート上方の気体を排気する排気ポートと、
(e) 前記排気ポートから前記排気を行うときに、前記排気スリットにおける単位面積当たりの前記気体の流量が一定となるように流量制御を行う流量制御手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。 - 請求項1記載の基板熱処理装置において、
前記流量制御手段は、
前記排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように前記排気スリットに配置され、それぞれが前記排気スリットの一部を遮蔽する複数の遮蔽部材を含むことを特徴とする基板熱処理装置。 - 請求項1記載の基板熱処理装置において、
前記流量制御手段は、
前記排気スリットに設けられ、前記排気スリットに沿って等間隔に複数の穴を設けた板状部材と、
前記排気ポートからの距離が長くなるに従って配置間隔が長くなるように前記複数の穴のいずれかに嵌合されて、前記板状部材に配置される複数の嵌合部材と、
を含むことを特徴とする基板熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31347598A JP3594820B2 (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 基板熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31347598A JP3594820B2 (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 基板熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150332A JP2000150332A (ja) | 2000-05-30 |
JP3594820B2 true JP3594820B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=18041761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31347598A Expired - Fee Related JP3594820B2 (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 基板熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3594820B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6487747B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-03-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置と処理ガス供給ノズル |
CN116779481A (zh) * | 2023-06-20 | 2023-09-19 | 拓荆科技(上海)有限公司 | 一种盖板及半导体设备 |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP31347598A patent/JP3594820B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000150332A (ja) | 2000-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6402508B2 (en) | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system | |
KR20170048787A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP4043831B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3774277B2 (ja) | 被処理基板の搬送方法及び処理システム | |
JP3983481B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法 | |
JP4069035B2 (ja) | 基板の処理システム及び基板の熱処理方法 | |
KR102099116B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP3594820B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP3874960B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3803487B2 (ja) | 基板冷却装置および基板冷却方法 | |
JP4662479B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2003007594A (ja) | 基板熱処理装置 | |
KR102378336B1 (ko) | 베이크 장치 및 베이크 방법 | |
JP3670837B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3559219B2 (ja) | 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法 | |
KR100378049B1 (ko) | 기판 열처리 장치 | |
JP3609266B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002270484A (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
JP3555743B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
KR102403200B1 (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 | |
JP4015015B2 (ja) | 熱処理装置 | |
KR102037915B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP4066255B2 (ja) | 基板の処理装置及び基板の処理方法 | |
JP4485646B2 (ja) | 基板載置台 | |
JP2000150368A (ja) | ガス処理方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120910 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120910 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |