JPH03261142A - 半導体基板洗浄方法 - Google Patents

半導体基板洗浄方法

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JPH03261142A
JPH03261142A JP5788090A JP5788090A JPH03261142A JP H03261142 A JPH03261142 A JP H03261142A JP 5788090 A JP5788090 A JP 5788090A JP 5788090 A JP5788090 A JP 5788090A JP H03261142 A JPH03261142 A JP H03261142A
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JP
Japan
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dust
ice
substrate
cleaning
pattern surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP5788090A
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English (en)
Inventor
Daisuke Matsubara
大介 松原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体技術で使用される基板の洗浄方法に関し、液体に
よる洗浄では除去できない微細なダストをパターン面か
ら剥離することを目的とし、パターン面に氷を付着させ
て、ダストを氷に食い込ませてパターン面から剥離した
後、氷を溶解してダストを除去するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体技術で使用される基板の洗浄方法に関
する。半導体技術においては、デバイスが高密度化して
パターンがサブミクロンと微細化したのにともなって、
パターン面の0.1−程度のダストの除去が極めて重要
な課題となった。
〔従来の技術〕
従来、パターンを形成したレチクル、マスク、ウェハな
どの基板は、H2SO4,8202の酸性洗浄、純水バ
ラリング、超音波洗浄などによって、洗浄した後に使用
していた。しかし、0.1−程度の微細なダストは完全
には除去されていなかった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、液体による洗浄では除去できない微細なダス
トをパターン面から剥離することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題は、パターン面に氷を付着させて、ダストを氷
に食い込ませてパターン面から剥離した後、氷を溶解し
てパターン面からダストを除去することを特徴とするク
リーニング方法によって解決することができる。
〔作 用〕
半導体技術で使用されるレチクル、マスク、ウェハなど
の基板に形成したパターン面を、洗浄水で湿っている間
に冷却して、パターン面を凍結させると、洗浄水で除去
されなかったパターン面に付着していた微細なダストは
、氷のなかに取り込まれる。その後、温風ヒーターで氷
を溶解するか、または直接温水を注いで氷を溶解させダ
ストを含んだまま流下させた後、基板を乾燥させると、
基板に損傷を与えることなく、サブミクロンの微細パタ
ーンに付着した0、1−程度のダストを容易に除去する
ことができる。
〔実施例〕
例  1 第1図に示すように、パターンを形成した基板を、洗浄
室内に、好ましくは垂直に固定し、基板の少なくともパ
ターン面の全面に脱イオン水をかけ、液体窒素から発生
する低温の窒素ガスで洗浄室内を置換えると、パターン
面の水は直ちに凍結した。これを溶解するために、温め
た脱イオン水を注いで、パターン面を洗い流した後に、
洗浄室内に除塵した温風を送って、基板を乾燥させた。
例2 パターン面の氷を溶解するのに、除塵した温風の送風の
みとしたことの他は、例1と同様に行った。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法の1つの態様を示す説明図であ
る。 1・・・基板、      2・・・洗浄室、3・・・
パターン、     4・・・ダスト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、パターンを形成した基板面のクリーニング方法であ
    って、パターン面に氷を付着させて、ダストを氷に食い
    込ませてパターン面から剥離した後、氷を溶解してパタ
    ーン面からダストを除去することを特徴とする方法。
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