JPH03261142A - 半導体基板洗浄方法 - Google Patents
半導体基板洗浄方法Info
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- JPH03261142A JPH03261142A JP5788090A JP5788090A JPH03261142A JP H03261142 A JPH03261142 A JP H03261142A JP 5788090 A JP5788090 A JP 5788090A JP 5788090 A JP5788090 A JP 5788090A JP H03261142 A JPH03261142 A JP H03261142A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体技術で使用される基板の洗浄方法に関し、液体に
よる洗浄では除去できない微細なダストをパターン面か
ら剥離することを目的とし、パターン面に氷を付着させ
て、ダストを氷に食い込ませてパターン面から剥離した
後、氷を溶解してダストを除去するように構成する。
よる洗浄では除去できない微細なダストをパターン面か
ら剥離することを目的とし、パターン面に氷を付着させ
て、ダストを氷に食い込ませてパターン面から剥離した
後、氷を溶解してダストを除去するように構成する。
本発明は、半導体技術で使用される基板の洗浄方法に関
する。半導体技術においては、デバイスが高密度化して
パターンがサブミクロンと微細化したのにともなって、
パターン面の0.1−程度のダストの除去が極めて重要
な課題となった。
する。半導体技術においては、デバイスが高密度化して
パターンがサブミクロンと微細化したのにともなって、
パターン面の0.1−程度のダストの除去が極めて重要
な課題となった。
従来、パターンを形成したレチクル、マスク、ウェハな
どの基板は、H2SO4,8202の酸性洗浄、純水バ
ラリング、超音波洗浄などによって、洗浄した後に使用
していた。しかし、0.1−程度の微細なダストは完全
には除去されていなかった。
どの基板は、H2SO4,8202の酸性洗浄、純水バ
ラリング、超音波洗浄などによって、洗浄した後に使用
していた。しかし、0.1−程度の微細なダストは完全
には除去されていなかった。
本発明は、液体による洗浄では除去できない微細なダス
トをパターン面から剥離することを目的とする。
トをパターン面から剥離することを目的とする。
上記課題は、パターン面に氷を付着させて、ダストを氷
に食い込ませてパターン面から剥離した後、氷を溶解し
てパターン面からダストを除去することを特徴とするク
リーニング方法によって解決することができる。
に食い込ませてパターン面から剥離した後、氷を溶解し
てパターン面からダストを除去することを特徴とするク
リーニング方法によって解決することができる。
半導体技術で使用されるレチクル、マスク、ウェハなど
の基板に形成したパターン面を、洗浄水で湿っている間
に冷却して、パターン面を凍結させると、洗浄水で除去
されなかったパターン面に付着していた微細なダストは
、氷のなかに取り込まれる。その後、温風ヒーターで氷
を溶解するか、または直接温水を注いで氷を溶解させダ
ストを含んだまま流下させた後、基板を乾燥させると、
基板に損傷を与えることなく、サブミクロンの微細パタ
ーンに付着した0、1−程度のダストを容易に除去する
ことができる。
の基板に形成したパターン面を、洗浄水で湿っている間
に冷却して、パターン面を凍結させると、洗浄水で除去
されなかったパターン面に付着していた微細なダストは
、氷のなかに取り込まれる。その後、温風ヒーターで氷
を溶解するか、または直接温水を注いで氷を溶解させダ
ストを含んだまま流下させた後、基板を乾燥させると、
基板に損傷を与えることなく、サブミクロンの微細パタ
ーンに付着した0、1−程度のダストを容易に除去する
ことができる。
例 1
第1図に示すように、パターンを形成した基板を、洗浄
室内に、好ましくは垂直に固定し、基板の少なくともパ
ターン面の全面に脱イオン水をかけ、液体窒素から発生
する低温の窒素ガスで洗浄室内を置換えると、パターン
面の水は直ちに凍結した。これを溶解するために、温め
た脱イオン水を注いで、パターン面を洗い流した後に、
洗浄室内に除塵した温風を送って、基板を乾燥させた。
室内に、好ましくは垂直に固定し、基板の少なくともパ
ターン面の全面に脱イオン水をかけ、液体窒素から発生
する低温の窒素ガスで洗浄室内を置換えると、パターン
面の水は直ちに凍結した。これを溶解するために、温め
た脱イオン水を注いで、パターン面を洗い流した後に、
洗浄室内に除塵した温風を送って、基板を乾燥させた。
例2
パターン面の氷を溶解するのに、除塵した温風の送風の
みとしたことの他は、例1と同様に行った。
みとしたことの他は、例1と同様に行った。
第1図は、本発明の方法の1つの態様を示す説明図であ
る。 1・・・基板、 2・・・洗浄室、3・・・
パターン、 4・・・ダスト。
る。 1・・・基板、 2・・・洗浄室、3・・・
パターン、 4・・・ダスト。
Claims (1)
- 1、パターンを形成した基板面のクリーニング方法であ
って、パターン面に氷を付着させて、ダストを氷に食い
込ませてパターン面から剥離した後、氷を溶解してパタ
ーン面からダストを除去することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5788090A JPH03261142A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5788090A JPH03261142A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体基板洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03261142A true JPH03261142A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13068303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5788090A Pending JPH03261142A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体基板洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03261142A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
EP0966024A2 (en) * | 1998-06-17 | 1999-12-22 | Ebara Corporation | Method and apparatus for protection of substrate surface |
US6776171B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-08-17 | International Business Machines Corporation | Cleaning of semiconductor wafers by contaminate encapsulation |
US7410545B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-08-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method of and substrate processing apparatus for freezing and cleaning substrate |
US7823597B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7867337B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-01-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US7942976B2 (en) | 2006-11-24 | 2011-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8029622B2 (en) | 2006-09-13 | 2011-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method |
US8623146B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-01-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US9214331B2 (en) | 2011-01-06 | 2015-12-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP5788090A patent/JPH03261142A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0966024A3 (en) * | 1998-06-17 | 2005-01-05 | Ebara Corporation | Method and apparatus for protection of substrate surface |
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US8029622B2 (en) | 2006-09-13 | 2011-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method |
US7942976B2 (en) | 2006-11-24 | 2011-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7823597B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9214331B2 (en) | 2011-01-06 | 2015-12-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US8623146B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-01-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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