JPS5918642A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS5918642A JPS5918642A JP12725182A JP12725182A JPS5918642A JP S5918642 A JPS5918642 A JP S5918642A JP 12725182 A JP12725182 A JP 12725182A JP 12725182 A JP12725182 A JP 12725182A JP S5918642 A JPS5918642 A JP S5918642A
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- Japan
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- etching
- nozzle
- semiconductor substrate
- etchant
- pure water
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置製造に係シ、特にフォトレジス
ト膜を保護膜としてアルミニウム薄膜をエツチング処理
する装置に関するものである。
ト膜を保護膜としてアルミニウム薄膜をエツチング処理
する装置に関するものである。
従来、半導体基板上に付着したアルミニウム薄膜をフォ
トレジスト膜を保護膜としてエツチング処理する装置は
、アルミニウム薄膜上にフォトレジスト膜パターンを形
した半導体基板を収納しているキャリアから搬送ベルト
に乗せられエツチング室へと運ばれて、エツチング室上
部に設けられた数個のノズルから射出されるエツチング
液よシエッチング処理し搬送ベルトにより火室の水洗室
へと運ばれ、半導体基板上のエツチング液を除去しアル
ミニウム配線を形成しているが、エツチング室からのエ
ツチング液のはねかえシが半導体基板上に付着しアルミ
ニウム配線を生じたシ、ノズルがつまりエツチング液が
噴出せずアルミニウム配線が再現性良くパターンニング
されなかったシ、半導体基板上のエツチング液が流れ落
ちないだめエツチングが進行し、アルミニウム配線 が
生じたりして、半導体装置の歩留・品質低下をもたらし
ていた。
トレジスト膜を保護膜としてエツチング処理する装置は
、アルミニウム薄膜上にフォトレジスト膜パターンを形
した半導体基板を収納しているキャリアから搬送ベルト
に乗せられエツチング室へと運ばれて、エツチング室上
部に設けられた数個のノズルから射出されるエツチング
液よシエッチング処理し搬送ベルトにより火室の水洗室
へと運ばれ、半導体基板上のエツチング液を除去しアル
ミニウム配線を形成しているが、エツチング室からのエ
ツチング液のはねかえシが半導体基板上に付着しアルミ
ニウム配線を生じたシ、ノズルがつまりエツチング液が
噴出せずアルミニウム配線が再現性良くパターンニング
されなかったシ、半導体基板上のエツチング液が流れ落
ちないだめエツチングが進行し、アルミニウム配線 が
生じたりして、半導体装置の歩留・品質低下をもたらし
ていた。
この発明の目的は、アルミニウム配線形成時に、半導体
基板表面は悪影響を与えず、歩留・品質低下の無い再現
性の良いアルミニウム配線を得る事のできる半導体製造
装置を提供する事にある。
基板表面は悪影響を与えず、歩留・品質低下の無い再現
性の良いアルミニウム配線を得る事のできる半導体製造
装置を提供する事にある。
この発明の半導体製造装置は、半導体製造に係シ、特に
アルミニウム薄膜をエツチング加工しアルミニウム配線
を形成する装置におけるものの、例えば半導体基板上に
付着したアルミニウム薄膜表面にフォトレジスト膜パタ
ーンの形成が完了した半導体基板を真空吸着し、回転運
動させる基体と、該半導体基板上にフォトレジスト膜を
保諜膜として選択的にエツチングするためのエツチング
液を射出あるいは噴霧するノズルと、エツチング完了後
の半導体基板上に０着したエツチング液を水洗するため
に純水を射出めるいは噴霧するノズルとを有する事であ
る。
アルミニウム薄膜をエツチング加工しアルミニウム配線
を形成する装置におけるものの、例えば半導体基板上に
付着したアルミニウム薄膜表面にフォトレジスト膜パタ
ーンの形成が完了した半導体基板を真空吸着し、回転運
動させる基体と、該半導体基板上にフォトレジスト膜を
保諜膜として選択的にエツチングするためのエツチング
液を射出あるいは噴霧するノズルと、エツチング完了後
の半導体基板上に０着したエツチング液を水洗するため
に純水を射出めるいは噴霧するノズルとを有する事であ
る。
次にこの発明の実施例につ＠１金用いて説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するだめの半導体
製造装置の断面図である。この実施例の半導体製造装置
は、アルミニウム薄膜上に保繰膜となるべきフォトレジ
スト膜のパターンニングが完了した半導体基板上を真空
吸着しパルスモータ−２を介して回転運動する基体３と
蓋９に設けられた所定のエツチング液を配管４を通じて
半導体基板１０表面へ射出あるいは１１９１霧するノズ
ル５とエツチング完了後の半導体基板１の表面への水洗
を行うため配管もを通じて純水を射出あるいけ噴霧する
ノズル７を有している。即ち、所定のフォトレジスト工
程を経た半導体基板１の裏面中央部を真空吸着し基体３
に固定した後、基体３に連結されたパルスモータ−２よ
シ半導体基板１を回転運動させる。同時に所定のエツチ
ング液を配管４を通してノズル５よシ半導体基板１の表
面へ噴霧する。エツチング完了後、半導体基板１０表面
を水洗するため純水を配管６を通じてノズル７より噴霧
し水洗１−７、その後半導体基板１を高速回転し乾燥さ
せる。エツチング液・純水は受皿８に設けられた排液排
管１０を通じて排液する。
製造装置の断面図である。この実施例の半導体製造装置
は、アルミニウム薄膜上に保繰膜となるべきフォトレジ
スト膜のパターンニングが完了した半導体基板上を真空
吸着しパルスモータ−２を介して回転運動する基体３と
蓋９に設けられた所定のエツチング液を配管４を通じて
半導体基板１０表面へ射出あるいは１１９１霧するノズ
ル５とエツチング完了後の半導体基板１の表面への水洗
を行うため配管もを通じて純水を射出あるいけ噴霧する
ノズル７を有している。即ち、所定のフォトレジスト工
程を経た半導体基板１の裏面中央部を真空吸着し基体３
に固定した後、基体３に連結されたパルスモータ−２よ
シ半導体基板１を回転運動させる。同時に所定のエツチ
ング液を配管４を通してノズル５よシ半導体基板１の表
面へ噴霧する。エツチング完了後、半導体基板１０表面
を水洗するため純水を配管６を通じてノズル７より噴霧
し水洗１−７、その後半導体基板１を高速回転し乾燥さ
せる。エツチング液・純水は受皿８に設けられた排液排
管１０を通じて排液する。
この実施例によれば、従来のアルミエツチング装置とは
全く構造が異なるため、従来装置を使用していた時に見
られたエツチング装置らのエツチング液のはねかえりに
よるアルミニウム配線の断線が全く無くなシ、更にエツ
チング液が常に新鮮であシ（従来装置は循環している）
かつ一定の温度は保たれてノズルよシ噴霧されるため、
エツチング速度のばらつきが小さく、かつ半導体基板を
常に一定速度で回転させている為半導体基板上にエツチ
ング液が溜らずアルミニウム配線小を誘発する事もない
、又、半導体基板内のアルミニウム配線の寸法ばらつき
も小さくできるため、結果的に半導装置の歩留・品質向
上に貢献できる。更に、本発明の半導体製造装置は従来
装置に比して１７３程度の大きさであシ、非常にコンパ
クトである事も見逃せない利点である。
全く構造が異なるため、従来装置を使用していた時に見
られたエツチング装置らのエツチング液のはねかえりに
よるアルミニウム配線の断線が全く無くなシ、更にエツ
チング液が常に新鮮であシ（従来装置は循環している）
かつ一定の温度は保たれてノズルよシ噴霧されるため、
エツチング速度のばらつきが小さく、かつ半導体基板を
常に一定速度で回転させている為半導体基板上にエツチ
ング液が溜らずアルミニウム配線小を誘発する事もない
、又、半導体基板内のアルミニウム配線の寸法ばらつき
も小さくできるため、結果的に半導装置の歩留・品質向
上に貢献できる。更に、本発明の半導体製造装置は従来
装置に比して１７３程度の大きさであシ、非常にコンパ
クトである事も見逃せない利点である。
上述の実施例において、エツチング処理するものは、ア
ルミニウム薄膜のみとは限らないし、又、エツチング液
を噴霧するノズルが２／２ズル以上変更できる事は言う
までもない。
ルミニウム薄膜のみとは限らないし、又、エツチング液
を噴霧するノズルが２／２ズル以上変更できる事は言う
までもない。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための半導体製
造装置の断面図である。 伺、図において、 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ−１３・・・・・・基体、４°°゛・”・エツチング
液排管、訃・・・・・エツチング液ノズル、６・・・・
・・純水排管、７・・・・・・純水ノズル８・・・・・
・受皿、９・・・・・・蓋、１０・・・・・・排水配管
である。
造装置の断面図である。 伺、図において、 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ−１３・・・・・・基体、４°°゛・”・エツチング
液排管、訃・・・・・エツチング液ノズル、６・・・・
・・純水排管、７・・・・・・純水ノズル８・・・・・
・受皿、９・・・・・・蓋、１０・・・・・・排水配管
である。
Claims (1)
- フォトレジストパターンを付着した半導体基板を真空吸
着し回転運動させる基体と該半導体基板上に形成された
フォトレジスト膜を保護膜として選択エツチングするた
めに付着したエツチング液を射出あるいは噴霧するノズ
ルとエツチング完了後の半導体基板に付着したエツチン
グ液を水洗するための純水を射出あるいは噴霧する。ノ
ズルとを廟する事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12725182A JPS5918642A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12725182A JPS5918642A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918642A true JPS5918642A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14955424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12725182A Pending JPS5918642A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918642A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63148640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
| JPH02194527A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Dan Sangyo Kk | 被膜除去方法 |
| US5279704A (en) * | 1991-04-23 | 1994-01-18 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12725182A patent/JPS5918642A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63148640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
| JPH02194527A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Dan Sangyo Kk | 被膜除去方法 |
| US5279704A (en) * | 1991-04-23 | 1994-01-18 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
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