JPH08316190A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH08316190A
JPH08316190A JP7119953A JP11995395A JPH08316190A JP H08316190 A JPH08316190 A JP H08316190A JP 7119953 A JP7119953 A JP 7119953A JP 11995395 A JP11995395 A JP 11995395A JP H08316190 A JPH08316190 A JP H08316190A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing apparatus
shield plate
inert gas
shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7119953A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Niihara
薫 新原
Atsuo Naganori
篤郎 永徳
Katsuyuki Miyake
克之 三宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7119953A priority Critical patent/JPH08316190A/ja
Priority to US08/645,648 priority patent/US6273104B1/en
Publication of JPH08316190A publication Critical patent/JPH08316190A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板表面で巻き上がる乱流の発生を防止し、
基板周囲の汚染物質が基板に付着することを防止するこ
と。 【構成】 基板保持部１１に保持された基板Ｗに対向し
て遮蔽板２２が配置されている。基板Ｗと遮蔽板２２と
の間の空間に不活性ガスを供給しながら基板Ｗ表面に処
理液を供給する。不活性ガスは基板Ｗと遮蔽板２２との
間の空間において基板Ｗ表面に沿って流れるので、基板
Ｗ表面で巻き上がる乱流が発生しない。このため、基板
Ｗに汚染物質が付着することを防止でき、基板の品質を
向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板や液晶用ガラ
ス基板（以下、単に基板という）に対して処理を施す基
板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程や、液晶表示板の製造
工程においては基板に各種処理が施される。このような
処理には例えば基板へのフォトレジストの塗布、フォト
レジストの剥離、フォトレジスト剥離後の洗浄などがあ
る。以下、基板に洗浄処理を施す基板処理装置につい
て、その要部断面図である図１０を用いて説明する。こ
の基板処理装置は実開平３−１０４２４２号で提案され
ているものである。
【０００３】基板処理装置１は処理液として、洗浄液で
あるフッ酸などの薬液や純水を用いて基板に対して洗浄
処理を施す。
【０００４】基板処理装置１は箱体８内部にチャンバ９
を有する。チャンバ９下部には洗浄液の排液口１０があ
る。また、チャンバ９内部には基板Ｗを吸着して保持す
る基板保持手段１１がある。基板保持手段１１は回転手
段（図示せず）によって回転する。またさらにチャンバ
９には基板Ｗに対して洗浄液を供給する洗浄液噴射ノズ
ル１２およびチャンバ９内に不活性ガスを供給するガス
供給ノズル１３が設けられている。
【０００５】この基板処理装置１における基板Ｗへの処
理について説明する。まず、基板Ｗが基板保持手段１１
上に載置され、基板保持手段１１は基板Ｗを吸着して保
持する。次に基板保持手段１１が回転手段によって回さ
れる。一方ガス供給ノズル１３からは基板Ｗに向かって
不活性ガスが噴射され、基板Ｗの表面付近は不活性ガス
雰囲気で満たされる。これは空気を遮断した不活性ガス
の雰囲気内で基板Ｗを処理することによって基板Ｗ上に
不所望な酸化膜ができることを防止するためである。ま
た、洗浄液噴射ノズル１２からは回転する基板Ｗに対し
て洗浄液が噴射される。従って基板Ｗは不活性ガスの雰
囲気内で洗浄液によって洗浄される。なお、基板Ｗから
落下した余分な洗浄液はチャンバ９下部の排液口１０を
通じて排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の基板処理装置１
では図１１に示すように基板Ｗの回転によって基板Ｗ表
面に気流の巻き上がりが生じ、乱流Ｔが発生する。この
ような乱流Ｔが発生すると、乱流Ｔがチャンバ９内の汚
染物質を拾って基板Ｗに付着させてしまい、その結果、
基板の品質が低下するという不都合が生じる。
【０００７】また、基板Ｗには酸化膜形成防止のためガ
ス供給ノズル１３から不活性ガスが吹き付けられている
が基板Ｗ上方には多くの空間があり、不活性ガスが基板
Ｗに到達するまでに不活性ガスに大量の空気が混ざる。
従って基板Ｗ表面付近の空気を限りなく少なくするため
には大量の不活性ガスを供給しなければならず、装置の
ランニングコストが高くなるという不都合が生じる。
【０００８】本発明の目的は基板Ｗ表面での気流の巻き
上がりが生じることを防止することで、基板Ｗ周辺の汚
染物質が基板Ｗに付着してしまうことを防止し、基板の
品質を向上させることである。また、本発明の他の目的
は基板Ｗ表面付近に存在する空気を減少させるために必
要な不活性ガスの量を減少させ、装置のランニングコス
トを低くすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の基板処理装置は基板を保持して回転する
基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対向して
配置された遮蔽板と、基板保持部に保持された基板と遮
蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段
と、基板保持部に保持された基板表面に処理液を供給す
る処理液供給手段とを備えたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項２の基板処理装置は基板保持
部に保持された基板と遮蔽板との間の空間に不活性ガス
を供給するガス供給手段が基板表面の中心部に対して不
活性ガスを供給し、基板保持部に保持された基板表面に
処理液を供給する処理液供給手段が基板表面の中心部に
対して処理液を供給することを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１の基板処理装置では基板保持部に保持
されて回転する基板に対向して遮蔽板が設けられてい
る。そして、ガス供給手段が基板と遮蔽板との間の空間
に不活性ガスを供給する。このため、不活性ガスは基板
と遮蔽板との間の空間において基板表面に沿って流れる
ので、基板表面での気流の巻き上がりを防止することが
できる。
【００１２】また、基板と遮蔽板との間の空間に不活性
ガスを供給するので基板表面付近に存在する空気を少な
くするために必要な不活性ガスの量を減少させることが
できる。
【００１３】請求項２の基板処理装置ではガス供給手段
が基板の中心部に対して不活性ガスを供給し、処理液供
給手段が同じく基板の中心部に処理液を供給する。この
ため、基板中心部から周辺部に向かって不活性ガスおよ
び処理液が均一に行き渡るので均一な洗浄処理をするこ
とができる。
【００１４】
【実施例】
＜第１実施例＞以下、図面に従って本発明に係る基板処
理装置について説明する。ここで説明する基板処理装置
は基板に対して処理液として洗浄液である純水を供給し
て洗浄処理をし、さらに、基板を乾燥させる乾燥処理を
行う。
【００１５】図１は本発明の第１実施例に係る基板処理
装置の縦断面図である。また、図２はその上面図であ
る。以下、図１、図２を参照しながら説明する。基板処
理装置１は箱体８内にカップ１４を備える。カップ１４
は上面視円形の椀型部材で、その底部には周方向に連続
した谷部３０が形成されている。谷部３０には２つの排
液口１０が開けられ、カップ１４内に落下した洗浄液は
排液口１０から排出される。そして、基板保持手段１１
がカップ１４中央を貫いて設けられている。該基板保持
手段１１は回転手段（図示せず）によって回される。基
板保持手段１１には複数の爪３１があり、爪３１が基板
Ｗの周部を保持する。そして、基板Ｗに対向して遮蔽手
段１５が設けられている。遮蔽手段１５は駆動手段（図
示せず）によって昇降する。
【００１６】次に遮蔽手段１５ついて説明する。
【００１７】図３は図１、図２に示す遮蔽手段１５の斜
視図である。また、図４は遮蔽手段１５要部の斜視図で
ある。図３において、固定ブロック１６は装置本体に固
定されている。そして、２本の摺動軸１８、１８が固定
ブロック１６を垂直方向に貫通している。この摺動軸１
８、１８は固定ブロック１６に対して摺動可能である。
摺動軸１８、１８の下端は移動ブロック１７に固定され
ている。移動ブロック１７は駆動手段によって上下に昇
降する。また、摺動軸１８、１８の上端にはアームベー
ス２１が固定されている。アームベース２１には水平方
向に長尺なアーム１９の一端が固定されている。アーム
１９の他端には同軸ノズル２０が設けられ端部には遮蔽
板２２が固定されている。
【００１８】遮蔽手段１５は以上のような構成なので、
移動ブロック１７が駆動手段によって上昇すると摺動軸
１８、１８も上昇し、アームベース２１も上昇する。従
ってアーム１９及び遮蔽板も上昇する。このようにし
て、遮蔽板２２と基板との距離を変えることができる。
【００１９】さらに、同軸ノズル２０について説明す
る。図５はアーム１９端部から遮蔽板２２を外した状態
の同軸ノズル２０の斜視図である。アーム１９の端部は
Ｌ字状になっており、基板Ｗに対向する部分には不活性
ガスを噴射する円形のガス噴射口２３が開けられてい
る。該ガス噴射口２３にはアーム１９を貫いて設けられ
ているブラケット２４から不活性ガスである窒素が供給
される。ガス噴射口２３内にはガス噴射口２３と同軸に
純水噴射ノズル２５が設けられている。純水噴射ノズル
２５にはブラケット２６を通じて純水が供給される。
【００２０】同軸ノズル２０は以上のような構造なので
基板Ｗの略同一部分に対して窒素および、純水を噴射す
ることができる。
【００２１】続いて図４を参照しながら遮蔽板２２につ
いて説明する。
【００２２】遮蔽板２２は中央に円形の開口２７を有す
る塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）製の円盤状部材である。こ
の遮蔽板２２の直径は基板Ｗの直径とほぼ同径かまたは
それ以上のものであればよいが、本実施例では遮蔽板２
２の直径を基板Ｗの直径よりやや小さくしてある。（基
板直径１５．２４センチメートルに対して遮蔽板２２の
直径は１４．６センチメートル）こうすることによって
遮蔽板２２と基板Ｗとの距離を狭めたときに遮蔽板２２
と基板保持手段１１の爪３１との干渉を防止することが
できる。遮蔽板２２の形状は円盤状に限らず多角形の板
材でもよい。
【００２３】遮蔽板２２はアーム１９に固定されてお
り、開口２７は同軸ノズル２０のガス噴射口２３に対応
している。
【００２４】なお、遮蔽板２２はアーム１９に固定され
ているので遮蔽板２２とアーム１９とが擦れて発塵する
ことがない。
【００２５】以上のような構成の基板処理装置１の動作
について説明する。
【００２６】まず、初期状態においては遮蔽手段１５は
最も高い待避位置にまで上昇している。そして、搬送手
段（図示せず）が水平状態で基板Ｗを基板保持手段１１
に渡し、基板保持手段１１は基板を保持する。
【００２７】次に駆動手段によって遮蔽手段１５が降下
する。このとき基板Ｗと遮蔽板２２との間隔は１０ミリ
メートルである。遮蔽手段１５の降下が完了すると洗浄
処理が開始される。
【００２８】洗浄処理は以下のようにして行われる。
【００２９】ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向か
って不活性ガスである窒素が噴射され、基板Ｗと遮蔽板
２２との間の空間が窒素で満たされる。このときの窒素
の流量は毎分５０ＮＬである。そして、回転手段によっ
て基板保持手段１１が回転する。このときの回転数は毎
分２００回転である。次に、純水噴射ノズル２５から同
じく基板Ｗの中心部に向かって純水が噴射され、基板Ｗ
表面の汚染物質が除去される。
【００３０】このとき、図１のように、気流Ｆが生じ
る。気流Ｆは基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間において
基板Ｗの表面に沿って流れるので基板Ｗ表面で巻き上が
らない。このため、基板Ｗ周辺の汚染物質が基板Ｗに付
着することが防止できる。
【００３１】また、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間の
みを窒素で満たせばよいので基板Ｗ周辺を満たすのに必
要な窒素の量が少なくて済む。
【００３２】また、気流Ｆは基板Ｗ表面付近を窒素で満
たし、基板Ｗ表面付近の空気を少なくする。このため、
基板Ｗ表面に酸化膜が生じにくくなる。
【００３３】また、基板Ｗの中心に向かって窒素および
純水が噴射されるので基板Ｗの中心から周辺に向かって
純水が均一に行き渡り、均一な洗浄処理が行える。
【００３４】なお、基板Ｗ表面を洗浄した純水はカップ
１４に落下し、谷部３０および、排液口１０を経て排出
される。
【００３５】洗浄が完了すると乾燥処理が行われる。
【００３６】乾燥処理は以下のように行われる。
【００３７】まず、ガス噴射口２３からの窒素の噴射を
続行したまま純水噴射ノズル２５からの純水の供給を停
止する。その後、駆動手段によって遮蔽手段１５がさら
に降下し、基板Ｗと遮蔽板２２との間隔を狭める。本実
施例では間隔を４ミリメートルにしている。そして、回
転手段による基板保持手段１１の回転数が上げられる。
本実施例では回転数は毎分３３００回転にした。このよ
うに基板Ｗが回転させられることによって基板Ｗ表面の
純水は振り切られ、また、基板Ｗ中心に窒素が噴射され
るので基板Ｗは乾燥する。
【００３８】このとき、基板Ｗの中心から周辺に向かっ
て常に乾燥した新鮮な窒素が供給されるので、乾燥が促
進される。
【００３９】乾燥処理の終わった基板Ｗは搬送手段によ
って基板処理装置１外に搬送される。
【００４０】＜第２実施例＞図６は本発明に係る第２実
施例における遮蔽手段１５の要部斜視図である。また、
図７は図８におけるＡ−Ａ断面図である。
【００４１】図においてアーム１９端部の同軸ノズル２
０先端に遮蔽板２２が設けられている。遮蔽板２２は図
７に示すように、内部に中空室２８を有する円盤状部材
であり、基板Ｗと対向する面に複数のガス噴射孔２９が
開けられている。
【００４２】同軸ノズル２０の純水噴射ノズル２５は遮
蔽板２２の中央において貫通しており、基板Ｗに純水を
噴射する。また、同軸ノズル２０のガス噴射口２３は中
空室２８に連通しており、ガス噴射口２３から出る窒素
は中空室２８に入りガス噴射孔２９を通じて基板Ｗ表面
に噴射される。
【００４３】＜第３実施例＞図８は本発明に係る第３実
施例における遮蔽手段１５の要部斜視図である。図９は
図８におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００４４】図においてアーム１９先端には円盤状の遮
蔽板２２が固定されている。そして、アーム１９および
遮蔽板２２の中心を貫通して純水噴射ノズル２５が設け
られている。さらに、遮蔽板２２の純水噴射ノズル２５
の横には同じくアーム１９および遮蔽板２２を貫通して
ガス噴射口２３が設けられている。
【００４５】この第３実施例では純水供給ノズル２５お
よびガス噴射口２３を同軸状に設けず、それぞれ並べて
設けているので構造が簡単であり、装置の製造コストが
安くてすむ。
【００４６】＜第４実施例＞図１０は本発明の第４実施
例に係る基板処理装置の縦断面図である。箱体８上部が
基板Ｗと対向する遮蔽板２２である。また、箱体８上部
には純水噴射ノズル２５および、ガス噴射口２３が設け
られている。箱体８内部の基板保持手段１１は基板Ｗを
吸着して保持し、回転する。また、該基板保持手段１１
は昇降手段（図示せず）によって昇降し、基板Ｗと遮蔽
板２２との間隔を変えることができる。
【００４７】この第４実施例に係る基板処理装置１の動
作について説明する。
【００４８】まず、初期状態においては基板保持手段１
１は最も低い待避位置にまで降下している。そして、搬
送手段（図示せず）が水平状態で基板Ｗを基板保持手段
１１に渡し、基板保持手段１１は基板を保持する。
【００４９】次に基板保持手段１１が上昇し、基板Ｗと
遮蔽板２２との間隔を所定間隔にし、洗浄処理を行う。
洗浄処理が完了すると基板Ｗと遮蔽板２２との間隔を狭
め、乾燥処理を行う。乾燥処理の終わった基板Ｗは搬送
手段によって基板処理装置１外に搬送される。洗浄処理
および乾燥処理時の基板Ｗと遮蔽板２２との間隔、およ
び、基板Ｗの回転数は第１実施例と同じである。
【００５０】この第４実施例によれば、箱体８と遮蔽板
２２とを共用しているので、遮蔽板２２を支持するため
の手段が不要となり、装置の生産コストが安くて済む。
【００５１】
【発明の効果】請求項１の基板処理装置によれば、基板
表面での気流の巻き上がりを防止することができるの
で、基板Ｗ周辺の汚染物質が基板Ｗに付着してしまうこ
とが防止でき、従って、基板の品質を向上させることが
できる。
【００５２】また、基板と遮蔽板との間の空間に不活性
ガスを供給するので、基板表面付近に存在する空気を少
なくするために必要な不活性ガスの量を減少させること
ができ、従って、装置のランニングコストを低くするこ
とができる。
【００５３】請求項２の基板処理装置によれば、基板中
心部から周辺部に向かって不活性ガスおよび処理液が均
一に行き渡ることで均一な洗浄処理をすることができる
ので基板の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の縦
断面図である。
【図２】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の上
面図である。
【図３】 本発明の第１実施例に係る遮蔽手段の斜視図
である。
【図４】 本発明の第１実施例に係る遮蔽手段の要部斜
視図である。
【図５】 本発明の第１実施例に係る同軸ノズルの要部
斜視図である。
【図６】 本発明の第２実施例に係る遮蔽手段の要部斜
視図である。
【図７】 本発明の第２実施例に係る遮蔽手段の縦断面
図である。
【図８】 本発明の第３実施例に係る遮蔽手段の要部斜
視図である。
【図９】 本発明の第３実施例に係る遮蔽手段の縦断面
図である。
【図１０】 本発明の第４実施例に係る基板処理装置の
縦断面図である。
【図１１】 従来の基板処理装置の要部破断断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 基板処理装置 Ｗ 基板 １１ 基板保持手段 ２２ 遮蔽板 ２３ ガス噴射口 ２５ 純水噴射ノズル
フロントページの続き (72)発明者 三宅 克之 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１ 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を保持して回転する基板保持部と、 基板保持部に保持された基板に対向して配置された遮蔽
    板と、 基板保持部に保持された基板と遮蔽板との間の空間に不
    活性ガスを供給するガス供給手段と、 基板保持部に保持された基板表面に処理液を供給する処
    理液供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装
    置。
  2. 【請求項２】 前記ガス供給手段は基板表面の中心部に
    対して不活性ガスを供給し、 前記処理液供給手段は基板表面の中心部に対して処理液
    を供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装
    置。
JP7119953A 1995-05-18 1995-05-18 基板処理装置 Pending JPH08316190A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7119953A JPH08316190A (ja) 1995-05-18 1995-05-18 基板処理装置
US08/645,648 US6273104B1 (en) 1995-05-18 1996-05-16 Method of and apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7119953A JPH08316190A (ja) 1995-05-18 1995-05-18 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08316190A true JPH08316190A (ja) 1996-11-29

Family

ID=14774291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7119953A Pending JPH08316190A (ja) 1995-05-18 1995-05-18 基板処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6273104B1 (ja)
JP (1) JPH08316190A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315836B1 (en) 1998-07-13 2001-11-13 Kokusai Electric Co., Ltd. Clean, recirculating processing method which prevents surface contamination of an object
JP2002273360A (ja) * 2001-03-22 2002-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003142450A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
JP2003151947A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
JP2008311603A (ja) * 2006-11-28 2008-12-25 Ebara Corp 基板の表面処理装置及び方法、並びに基板処理装置及び方法
JP2009218563A (ja) * 2008-02-15 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US7811412B2 (en) 2002-08-29 2010-10-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method drying substrate
KR20130126626A (ko) * 2010-11-30 2013-11-20 램 리서치 아게 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011218B2 (ja) * 1999-01-04 2007-11-21 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
US6516816B1 (en) * 1999-04-08 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer
JP3798589B2 (ja) * 1999-10-13 2006-07-19 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理装置
US6588437B1 (en) * 1999-11-15 2003-07-08 Agere Systems Inc. System and method for removal of material
US6505417B2 (en) 1999-12-23 2003-01-14 Lam Research Corporation Method for controlling airflow on a backside of a semiconductor wafer during spin processing
US6497241B1 (en) 1999-12-23 2002-12-24 Lam Research Corporation Hollow core spindle and spin, rinse, and dry module including the same
US6415804B1 (en) * 1999-12-23 2002-07-09 Lam Research Corporation Bowl for processing semiconductor wafers
US6536454B2 (en) * 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
KR100416592B1 (ko) * 2001-02-10 2004-02-05 삼성전자주식회사 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
TW587290B (en) * 2001-03-21 2004-05-11 Macronix Int Co Ltd Wafer cleaning device
US6528427B2 (en) * 2001-03-30 2003-03-04 Lam Research Corporation Methods for reducing contamination of semiconductor substrates
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US6708701B2 (en) * 2001-10-16 2004-03-23 Applied Materials Inc. Capillary ring
US6786996B2 (en) 2001-10-16 2004-09-07 Applied Materials Inc. Apparatus and method for edge bead removal
US6742279B2 (en) 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
JP2004055722A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Renesas Technology Corp 洗浄装置、基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
CN1301804C (zh) * 2003-09-19 2007-02-28 旺宏电子股份有限公司 清洗保养旋转蚀刻机的方法
JP4446875B2 (ja) * 2004-06-14 2010-04-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI286796B (en) * 2004-12-14 2007-09-11 Sez Ag Apparatus and method for drying disk-shaped substrates
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
JP5333732B2 (ja) * 2005-04-01 2013-11-06 テル エフエスアイ インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置
JP4953472B2 (ja) * 2006-02-28 2012-06-13 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト ディスク状物品を液体処理する装置及び方法
WO2007101764A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Sez Ag Device for fluid treating plate-like articles
JP2009543338A (ja) 2006-07-07 2009-12-03 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド １つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置
JP2008027931A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4863897B2 (ja) * 2007-01-31 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム
CN101802975B (zh) * 2007-08-07 2012-10-03 Fsi国际公司 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置
JP5705723B2 (ja) 2008-05-09 2015-04-22 テル エフエスアイ インコーポレイテッド 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法
KR101065557B1 (ko) 2008-10-29 2011-09-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP5698487B2 (ja) * 2010-09-29 2015-04-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US8926788B2 (en) 2010-10-27 2015-01-06 Lam Research Ag Closed chamber for wafer wet processing
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8967935B2 (en) 2011-07-06 2015-03-03 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader
US9573297B2 (en) * 2011-11-21 2017-02-21 Reza Reza Youssefi Method and system for enhancing polymerization and nanoparticle production
US20140053982A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
WO2018200398A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Veeco Precision Surface Processing Llc Semiconductor wafer processing chamber

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3953265A (en) * 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4021278A (en) * 1975-12-12 1977-05-03 International Business Machines Corporation Reduced meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
DE3027934A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben
US4339297A (en) * 1981-04-14 1982-07-13 Seiichiro Aigo Apparatus for etching of oxide film on semiconductor wafer
US4485758A (en) * 1981-11-02 1984-12-04 International Business Machines Corporation Coating thickness and wedge geometry control for magnetic disks
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US4544439A (en) * 1984-07-26 1985-10-01 International Business Machines Corporation System for repairing electrical short circuits between parallel printed circuits
DE3676769D1 (de) 1985-07-31 1991-02-14 Kawasumi Lab Inc Kupplung fuer plasmapheresebeutel.
JPH0444216Y2 (ja) * 1985-10-07 1992-10-19
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
US4718975A (en) * 1986-10-06 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Particle shield
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
CA2043266A1 (en) 1990-09-24 1992-03-25 Gary Hillman Wafer transfer device
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
JPH0520321A (ja) 1991-07-10 1993-01-29 Sharp Corp カード印刷機能を有する文書処理装置
US5395649A (en) * 1992-02-04 1995-03-07 Sony Corporation Spin coating apparatus for film formation over substrate
KR100230694B1 (ko) * 1992-05-18 1999-11-15 다카시마 히로시 기판세정처리장치
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5979475A (en) * 1994-04-28 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Specimen holding method and fluid treatment method of specimen surface and systems therefor
TW285779B (ja) * 1994-08-08 1996-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3099054B2 (ja) * 1994-09-09 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びその方法
JPH08257469A (ja) * 1995-01-24 1996-10-08 Canon Inc 基板回転装置および基板処理装置
JPH08293452A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布装置
JPH10209102A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315836B1 (en) 1998-07-13 2001-11-13 Kokusai Electric Co., Ltd. Clean, recirculating processing method which prevents surface contamination of an object
US6431190B1 (en) 1998-07-13 2002-08-13 Kokusai Electric Co., Ltd. Fluid processing apparatus
JP2002273360A (ja) * 2001-03-22 2002-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003142450A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
JP2003151947A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
US7811412B2 (en) 2002-08-29 2010-10-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method drying substrate
JP2008311603A (ja) * 2006-11-28 2008-12-25 Ebara Corp 基板の表面処理装置及び方法、並びに基板処理装置及び方法
JP2009218563A (ja) * 2008-02-15 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US8651121B2 (en) 2008-02-15 2014-02-18 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
KR20130126626A (ko) * 2010-11-30 2013-11-20 램 리서치 아게 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6273104B1 (en) 2001-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08316190A (ja) 基板処理装置
JP3322853B2 (ja) 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
JP3388628B2 (ja) 回転式薬液処理装置
KR100284559B1 (ko) 처리방법 및 처리장치
JPH03136232A (ja) 基板の表面処理装置
JPH02130922A (ja) 半導体基板エッチング装置
KR102217053B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP2002057088A (ja) 基板処理装置および現像処理装置
JP2944598B2 (ja) 洗浄装置および精密基板を洗浄する方法
JP3441304B2 (ja) 基板処理装置および方法
JPH088222A (ja) スピンプロセッサ
JPH0714811A (ja) 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JP2003045838A (ja) 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法
JP2971681B2 (ja) 処理装置
JP2003109935A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2009267145A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3035450B2 (ja) 基板の洗浄処理方法
JP2002177854A (ja) 基板処理装置
JP2002124508A (ja) 基板用スピン処理装置
JPH08279484A (ja) 半導体ウェハのエッチング方法及び装置
JP2001334219A (ja) スピン処理装置及びスピン処理方法
JPH10242114A (ja) ウエットエッチング処理方法およびその処理装置
JP3145177B2 (ja) スピン洗浄乾燥装置
JP3532837B2 (ja) 回転式基板処理装置
JP3884700B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050223

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050719