JP2002057088A - 基板処理装置および現像処理装置 - Google Patents
基板処理装置および現像処理装置Info
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- JP2002057088A JP2002057088A JP2000241595A JP2000241595A JP2002057088A JP 2002057088 A JP2002057088 A JP 2002057088A JP 2000241595 A JP2000241595 A JP 2000241595A JP 2000241595 A JP2000241595 A JP 2000241595A JP 2002057088 A JP2002057088 A JP 2002057088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板現像後のリンス液のスピン乾燥時に水染み
（残渣）の発生を防止できる基板処理装置および現像処
理装置の提供を目的としている。 【解決手段】この基板処理装置の現像部３８は、基板Ｇ
が載置される載置面を有するステージ５１と、ステージ
を回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に
供給する現像液供給手段５６と、現像液を洗浄するため
のリンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給
手段６３と、ステージ上の基板にガスを吹き付けること
によって基板上に残存するリンス液を乾燥除去するブロ
ーガス供給手段６２とを備え、前記ブローガス供給手段
は、基板の中心部から周辺部に向かって移動しながらガ
スを基板に噴射し、前記リンス液供給手段は、基板の中
心部にリンス液を供給した後、ブローガス供給手段から
のガス噴射に先行して、基板の中心部から周辺部に向か
って移動しながらリンス液を基板に供給する。
（残渣）の発生を防止できる基板処理装置および現像処
理装置の提供を目的としている。 【解決手段】この基板処理装置の現像部３８は、基板Ｇ
が載置される載置面を有するステージ５１と、ステージ
を回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に
供給する現像液供給手段５６と、現像液を洗浄するため
のリンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給
手段６３と、ステージ上の基板にガスを吹き付けること
によって基板上に残存するリンス液を乾燥除去するブロ
ーガス供給手段６２とを備え、前記ブローガス供給手段
は、基板の中心部から周辺部に向かって移動しながらガ
スを基板に噴射し、前記リンス液供給手段は、基板の中
心部にリンス液を供給した後、ブローガス供給手段から
のガス噴射に先行して、基板の中心部から周辺部に向か
って移動しながらリンス液を基板に供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）基板等に薄膜や回路パターンを形成するため
の基板処理装置及びこの基板処理装置に設けられ前記回
路パターンを現像するための現像処理装置に関する。
（ＬＣＤ）基板等に薄膜や回路パターンを形成するため
の基板処理装置及びこの基板処理装置に設けられ前記回
路パターンを現像するための現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置の製造工程では、
ガラス基板の表面に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
の薄膜や回路パターンを形成するため、半導体製造工程
の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。
この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス
基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によって
ガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、
現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターン
が現像される。
ガラス基板の表面に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
の薄膜や回路パターンを形成するため、半導体製造工程
の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。
この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス
基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によって
ガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、
現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターン
が現像される。
【０００３】前記現像処理では、例えば、基板が回転さ
れた状態で、基板上に現像液が供給されて現像が行なわ
れる。その後、現像液を洗い流すためのリンス液が、回
転する基板の中心部に供給される。基板の中心部に供給
されたリンスは、その後、基板の回転による遠心力によ
って基板の周辺部に向かって流れ、基板上の現像液を洗
い流すとともに、それ自身も基板の回転遠心力（風切り
現象）によって振り切られるように乾燥・除去される。
また、これと同時に、Ｎ２ガスを基板の中心部に吹き付
けるＮ２ブローによって、基板の中心部の乾燥も行なわ
れる。
れた状態で、基板上に現像液が供給されて現像が行なわ
れる。その後、現像液を洗い流すためのリンス液が、回
転する基板の中心部に供給される。基板の中心部に供給
されたリンスは、その後、基板の回転による遠心力によ
って基板の周辺部に向かって流れ、基板上の現像液を洗
い流すとともに、それ自身も基板の回転遠心力（風切り
現象）によって振り切られるように乾燥・除去される。
また、これと同時に、Ｎ２ガスを基板の中心部に吹き付
けるＮ２ブローによって、基板の中心部の乾燥も行なわ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板の回転
遠心力（風切り現象）によるリンス液の乾燥・除去（ス
ピン乾燥）にあっては、基板の回転速度が周辺部ほど速
いことから、基板周辺部の乾燥が先行する。つまり、基
板は周辺部から中心部に向かって乾燥していく。また、
このような中心部へ向かう乾燥と平行して、基板の中心
部に吹き付けられるＮ２ガスにより、基板の中心部のリ
ンス液が基板の周辺部へと流れていく。このように、Ｎ
２ブローによるリンス液の流れ方向と乾燥方向とが実質
的に逆向きであると、基板周辺部に向かうリンス液と、
基板周辺部から基板中心部へと広がる乾燥領域とが基板
上でぶつかり、それ以降、基板周辺部に向かうリンス液
が、既に乾燥した基板上を流れることになる。そのた
め、基板上には、乾燥した基板上をリンス液が辿ること
によって水染み（残渣）が発生する。この水染みは、特
に、基板を１０００〜１２００ｒｐｍで回転させた時に
生じ易く、その後のエッチング工程でエッチング不良を
引き起こす。
遠心力（風切り現象）によるリンス液の乾燥・除去（ス
ピン乾燥）にあっては、基板の回転速度が周辺部ほど速
いことから、基板周辺部の乾燥が先行する。つまり、基
板は周辺部から中心部に向かって乾燥していく。また、
このような中心部へ向かう乾燥と平行して、基板の中心
部に吹き付けられるＮ２ガスにより、基板の中心部のリ
ンス液が基板の周辺部へと流れていく。このように、Ｎ
２ブローによるリンス液の流れ方向と乾燥方向とが実質
的に逆向きであると、基板周辺部に向かうリンス液と、
基板周辺部から基板中心部へと広がる乾燥領域とが基板
上でぶつかり、それ以降、基板周辺部に向かうリンス液
が、既に乾燥した基板上を流れることになる。そのた
め、基板上には、乾燥した基板上をリンス液が辿ること
によって水染み（残渣）が発生する。この水染みは、特
に、基板を１０００〜１２００ｒｐｍで回転させた時に
生じ易く、その後のエッチング工程でエッチング不良を
引き起こす。
【０００５】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、基板現像後のリンス
液のスピン乾燥時に水染み（残渣）の発生を防止できる
基板処理装置および現像処理装置を提供することにあ
る。
であり、その目的とするところは、基板現像後のリンス
液のスピン乾燥時に水染み（残渣）の発生を防止できる
基板処理装置および現像処理装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明の主要な第１の観点によれば、基板が載置さ
れる載置面を有するステージと、ステージを回転させる
回転手段と、現像液をステージ上の基板に供給する現像
液供給手段と、現像液を洗浄するためのリンス液をステ
ージ上の基板に供給するリンス液供給手段と、ステージ
上の基板にガスを吹き付けることによって基板上に残存
するリンス液を乾燥除去するブローガス供給手段とを備
え、前記ブローガス供給手段は、基板の中心部から周辺
部に向かって移動しながらガスを基板に噴射することを
特徴とする基板処理装置および現像処理装置が提供され
る。
に、本発明の主要な第１の観点によれば、基板が載置さ
れる載置面を有するステージと、ステージを回転させる
回転手段と、現像液をステージ上の基板に供給する現像
液供給手段と、現像液を洗浄するためのリンス液をステ
ージ上の基板に供給するリンス液供給手段と、ステージ
上の基板にガスを吹き付けることによって基板上に残存
するリンス液を乾燥除去するブローガス供給手段とを備
え、前記ブローガス供給手段は、基板の中心部から周辺
部に向かって移動しながらガスを基板に噴射することを
特徴とする基板処理装置および現像処理装置が提供され
る。
【０００７】また、本発明の主要な第２の観点によれ
ば、基板が載置される載置面を有するステージと、ステ
ージを回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基
板に供給する現像液供給手段と、現像液を洗浄するため
のリンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給
手段とを備え、前記リンス液供給手段は、基板の中心部
から周辺部に向かって移動しながらリンス液を基板に供
給することを特徴とする基板処理装置および現像処理装
置が提供される。
ば、基板が載置される載置面を有するステージと、ステ
ージを回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基
板に供給する現像液供給手段と、現像液を洗浄するため
のリンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給
手段とを備え、前記リンス液供給手段は、基板の中心部
から周辺部に向かって移動しながらリンス液を基板に供
給することを特徴とする基板処理装置および現像処理装
置が提供される。
【０００８】本発明の主要な第３の観点によれば、基板
が載置される載置面を有するステージと、ステージを回
転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に供給
する現像液供給手段と、現像液を洗浄するためのリンス
液をステージ上の基板に供給するリンス液供給手段と、
ステージ上の基板にガスを吹き付けることによって基板
上に残存するリンス液を乾燥除去するブローガス供給手
段とを備え、前記ブローガス供給手段は、基板の中心部
から周辺部に向かって移動しながらガスを基板に噴射
し、前記リンス液供給手段は、基板の中心部にリンス液
を供給した後、ブローガス供給手段からのガス噴射に先
行して、基板の中心部から周辺部に向かって移動しなが
らリンス液を基板に供給することを特徴とする基板処理
装置および現像処理装置が提供される。この場合、前記
リンス液供給手段と前記ブローガス供給手段とが一体で
或いは同期して移動されることが好ましい。
が載置される載置面を有するステージと、ステージを回
転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に供給
する現像液供給手段と、現像液を洗浄するためのリンス
液をステージ上の基板に供給するリンス液供給手段と、
ステージ上の基板にガスを吹き付けることによって基板
上に残存するリンス液を乾燥除去するブローガス供給手
段とを備え、前記ブローガス供給手段は、基板の中心部
から周辺部に向かって移動しながらガスを基板に噴射
し、前記リンス液供給手段は、基板の中心部にリンス液
を供給した後、ブローガス供給手段からのガス噴射に先
行して、基板の中心部から周辺部に向かって移動しなが
らリンス液を基板に供給することを特徴とする基板処理
装置および現像処理装置が提供される。この場合、前記
リンス液供給手段と前記ブローガス供給手段とが一体で
或いは同期して移動されることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。
の実施形態について詳細に説明する。
【００１０】図１〜図５は本発明をＬＣＤ基板の塗布現
像処理システム（基板処理装置）１に適用した第１の実
施形態を示している。この塗布現像処理システム１は、
ＬＣＤ基板に対してレジスト液を塗布した後、図に２で
示す露光システム（ＥＸＰ）に一旦受け渡し、この露光
システム２によって露光処理された後の基板を再度受け
取って現像処理を行なう。
像処理システム（基板処理装置）１に適用した第１の実
施形態を示している。この塗布現像処理システム１は、
ＬＣＤ基板に対してレジスト液を塗布した後、図に２で
示す露光システム（ＥＸＰ）に一旦受け渡し、この露光
システム２によって露光処理された後の基板を再度受け
取って現像処理を行なう。
【００１１】このような一連の処理を行なうため、この
塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ／アンロ
ーダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行なうための
第１プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティン
グ）および周縁レジスト除去処理等を行なうための第２
プロセス部（薄膜形成部）５と、現像処理を行なうため
の第３プロセス部（現像部）６と、露光システム２との
間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェース部
（Ｉ／Ｆ）７とを備えている。
塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ／アンロ
ーダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行なうための
第１プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティン
グ）および周縁レジスト除去処理等を行なうための第２
プロセス部（薄膜形成部）５と、現像処理を行なうため
の第３プロセス部（現像部）６と、露光システム２との
間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェース部
（Ｉ／Ｆ）７とを備えている。
【００１２】ローダ／アンローダ部３は、カセット載置
台１０と搬送部（Ｃ／Ｓ）１１とを備えている。カセッ
ト載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置
されている。例えば、第１のカセットＣ１には処理前の
ＬＣＤ基板が収納され、第２のカセットＣ２には処理後
のＬＣＤ基板が収納される。
台１０と搬送部（Ｃ／Ｓ）１１とを備えている。カセッ
ト載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置
されている。例えば、第１のカセットＣ１には処理前の
ＬＣＤ基板が収納され、第２のカセットＣ２には処理後
のＬＣＤ基板が収納される。
【００１３】また、搬送部１１には、第１のサブアーム
機構１３が設けられている。この第１のサブアーム機構
１３は、基板を保持できる例えばアーム１４を有し、こ
のアーム１４を旋回させ進退させ上下させることによ
り、第１のカセットＣ１に収納された基板を取り出して
第１のプロセス部４側に受け渡せるようになっている。
なお、全ての処理が終了した基板は、この第１のサブア
ーム機構１３によって、例えば第１のプロセス部４側か
ら第２のカセットＣ２へと収納される。
機構１３が設けられている。この第１のサブアーム機構
１３は、基板を保持できる例えばアーム１４を有し、こ
のアーム１４を旋回させ進退させ上下させることによ
り、第１のカセットＣ１に収納された基板を取り出して
第１のプロセス部４側に受け渡せるようになっている。
なお、全ての処理が終了した基板は、この第１のサブア
ーム機構１３によって、例えば第１のプロセス部４側か
ら第２のカセットＣ２へと収納される。
【００１４】第１のプロセス部４は、第１のサブアーム
機構１３から基板を受け取る第１のメインアーム機構１
５を有している。このメインアーム機構１５は、Ｙ方向
に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行する
ベース１７と、このベース１７上で旋回、進退、上下駆
動される例えばアーム１８とを備えている。
機構１３から基板を受け取る第１のメインアーム機構１
５を有している。このメインアーム機構１５は、Ｙ方向
に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行する
ベース１７と、このベース１７上で旋回、進退、上下駆
動される例えばアーム１８とを備えている。
【００１５】第１のメインアーム機構１５の一方側に
は、中央搬送路１６に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）１９が設けられて
いる。また、第１のメインアーム機構１５の他方側に
は、中央搬送路１６に沿って、例えばホットプレートを
備える加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）２０と、エキ
シマＵＶ光によって有機物洗浄を行なう乾式洗浄部とし
てのエキシマユニット（Excimer Unit）２１と、例えば
クーリングプレートを備える冷却ユニット（ＣＯＬ）２
２とがそれぞれ設けられている。
は、中央搬送路１６に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）１９が設けられて
いる。また、第１のメインアーム機構１５の他方側に
は、中央搬送路１６に沿って、例えばホットプレートを
備える加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）２０と、エキ
シマＵＶ光によって有機物洗浄を行なう乾式洗浄部とし
てのエキシマユニット（Excimer Unit）２１と、例えば
クーリングプレートを備える冷却ユニット（ＣＯＬ）２
２とがそれぞれ設けられている。
【００１６】ここで、明細書中、「加熱／加熱ユニット
（ＨＰ／ＨＰ）」の表記は、ホットプレートを有する加
熱ユニットが例えば上下２段に積み上げて設置されてい
ることを示している（図中には、上下２段で表記されて
いる。以下同じ）。また、図中、加熱ユニットを表すＨ
Ｐおよび冷却ユニットを表すＣＯＬの後に付された数字
（「ＨＰ１」や「ＣＯＬ１」等）は、加熱処理若しくは
冷却処理の種類若しくは順序を示している。
（ＨＰ／ＨＰ）」の表記は、ホットプレートを有する加
熱ユニットが例えば上下２段に積み上げて設置されてい
ることを示している（図中には、上下２段で表記されて
いる。以下同じ）。また、図中、加熱ユニットを表すＨ
Ｐおよび冷却ユニットを表すＣＯＬの後に付された数字
（「ＨＰ１」や「ＣＯＬ１」等）は、加熱処理若しくは
冷却処理の種類若しくは順序を示している。
【００１７】第１のメインアーム機構１５は、ローダ／
アンローダ部３から受け取った基板を各処理ユニット１
９〜２２に搬入するとともに、必要な処理が施された基
板を各処理ユニット１９〜２２から取り出して順次別の
処理ユニット１９〜２２若しくは第２のプロセス部５に
搬送するようになっている。
アンローダ部３から受け取った基板を各処理ユニット１
９〜２２に搬入するとともに、必要な処理が施された基
板を各処理ユニット１９〜２２から取り出して順次別の
処理ユニット１９〜２２若しくは第２のプロセス部５に
搬送するようになっている。
【００１８】一方、第２のプロセス部５は、Ｙ方向に沿
って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２
のメインアーム機構２４を備えている。この第２のメイ
ンアーム機構２４は、第１のメインアーム機構１５と同
様に構成されたベース２５およびアーム２６を有してい
る。
って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２
のメインアーム機構２４を備えている。この第２のメイ
ンアーム機構２４は、第１のメインアーム機構１５と同
様に構成されたベース２５およびアーム２６を有してい
る。
【００１９】また、この第２のメインアーム機構２４の
一方側には、塗布系ユニット群１００が設けられてい
る。この塗布系ユニット群１００は、基板にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２２
と、レジスト液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾
燥処理ユニット（ＶＤ）１４０と、乾燥後の基板の周縁
部の不要レジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）１
２３とから成り、これらは互いに一体となって第２の中
央搬送路２３に沿って配列されている。また、第２のメ
インアーム機構２４の他方側には、第２の中央搬送路２
３に沿って、基板表面の疎水化処理を行なうためのアド
ヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加
熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）３０と、加熱／冷却ユ
ニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３１とが配置されている。
一方側には、塗布系ユニット群１００が設けられてい
る。この塗布系ユニット群１００は、基板にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２２
と、レジスト液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾
燥処理ユニット（ＶＤ）１４０と、乾燥後の基板の周縁
部の不要レジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）１
２３とから成り、これらは互いに一体となって第２の中
央搬送路２３に沿って配列されている。また、第２のメ
インアーム機構２４の他方側には、第２の中央搬送路２
３に沿って、基板表面の疎水化処理を行なうためのアド
ヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加
熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）３０と、加熱／冷却ユ
ニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３１とが配置されている。
【００２０】第２のメインアーム機構２４は、第１のプ
ロセス部４から受け取った基板を各処理ユニット２８〜
３１に搬入し、必要な処理が施された基板を各処理ユニ
ット２８〜３１から取り出して順次別の処理ユニット２
８〜３１若しくは第３のプロセス部６側に搬送するよう
になっている。
ロセス部４から受け取った基板を各処理ユニット２８〜
３１に搬入し、必要な処理が施された基板を各処理ユニ
ット２８〜３１から取り出して順次別の処理ユニット２
８〜３１若しくは第３のプロセス部６側に搬送するよう
になっている。
【００２１】第３のプロセス部６は、Ｙ方向に沿って延
設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメイ
ンアーム機構３４を備えている。この第３のメインアー
ム機構３４は、第１および第２のメインアーム機構１
５，２４と同様に構成されたベース３５およびアーム３
６を有している。
設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメイ
ンアーム機構３４を備えている。この第３のメインアー
ム機構３４は、第１および第２のメインアーム機構１
５，２４と同様に構成されたベース３５およびアーム３
６を有している。
【００２２】この第３のメインアーム機構３４の一方側
には、露光処理後のＬＣＤ基板を現像処理するための３
つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）３８が第３の中央搬送
路３３に沿って設けられている。また、第３のメインア
ーム機構３４の他方側には、第３の中央搬送路３３に沿
って、タイトリングを行なうタイトラー（ＴＩＴＬＥ
Ｒ）３９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）４０
と、２つの加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４１と
が配設されている。
には、露光処理後のＬＣＤ基板を現像処理するための３
つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）３８が第３の中央搬送
路３３に沿って設けられている。また、第３のメインア
ーム機構３４の他方側には、第３の中央搬送路３３に沿
って、タイトリングを行なうタイトラー（ＴＩＴＬＥ
Ｒ）３９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）４０
と、２つの加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４１と
が配設されている。
【００２３】第３のメインアーム機構３４は、第２のプ
ロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を
露光システム２側（インターフェース部７）に移送する
とともに、露光済みの基板を露光システム２側から受け
取る。また、第３のメインアーム機構３４は、露光済み
の基板を各処理ユニット３８〜４１に搬入するととも
に、必要な処理が施された基板を各処理ユニット３８〜
４１から取り出して順次別の処理ユニット３８〜４１若
しくは第２のプロセス部５側に搬送するようになってい
る。
ロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を
露光システム２側（インターフェース部７）に移送する
とともに、露光済みの基板を露光システム２側から受け
取る。また、第３のメインアーム機構３４は、露光済み
の基板を各処理ユニット３８〜４１に搬入するととも
に、必要な処理が施された基板を各処理ユニット３８〜
４１から取り出して順次別の処理ユニット３８〜４１若
しくは第２のプロセス部５側に搬送するようになってい
る。
【００２４】なお、図１に示されるように、第１のプロ
セス部４と第２のプロセス部５との間および第２のプロ
セス部５と第３のプロセス部６との間にはそれぞれ冷却
ユニット（ＣＯＬ）４２，４３が設けられている。これ
らの冷却ユニット４２，４３は処理中の基板を一時的に
待機させておくために用いられる。
セス部４と第２のプロセス部５との間および第２のプロ
セス部５と第３のプロセス部６との間にはそれぞれ冷却
ユニット（ＣＯＬ）４２，４３が設けられている。これ
らの冷却ユニット４２，４３は処理中の基板を一時的に
待機させておくために用いられる。
【００２５】また、インターフェース部７は、バッファ
ーカセット（ＢＣ）および第２のサブアーム機構４６を
有する搬送・待機部４７と、第２のサブアーム機構４６
と露光システム２との間で基板の受け渡しを行なわせる
ための受け渡し台（図示せず）を有する受け渡し部４９
とからなる。
ーカセット（ＢＣ）および第２のサブアーム機構４６を
有する搬送・待機部４７と、第２のサブアーム機構４６
と露光システム２との間で基板の受け渡しを行なわせる
ための受け渡し台（図示せず）を有する受け渡し部４９
とからなる。
【００２６】このインターフェース部７は、第２のプロ
セス部５から第３メインアーム機構３４を介して受け取
ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム２側に移
送させるとともに、露光済みの基板を露光システム２か
ら受け取って第３のプロセス部６に受け渡す機能を有す
る。
セス部５から第３メインアーム機構３４を介して受け取
ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム２側に移
送させるとともに、露光済みの基板を露光システム２か
ら受け取って第３のプロセス部６に受け渡す機能を有す
る。
【００２７】次に、前記構成の塗布現像処理システム１
における処理手順を図２のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、フローチャート内の英字記号は、図
１の同符号が付されたユニットで処理が行なわれること
を意味している。
における処理手順を図２のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、フローチャート内の英字記号は、図
１の同符号が付されたユニットで処理が行なわれること
を意味している。
【００２８】まず、載置台１０上の第１のカセットＣ１
内に収納された未処理の基板が、ローダ／アンローダ部
３から搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１のプロセス部
４の第１のメインアーム機構１５に受け渡される（ステ
ップＳ１，Ｓ２）。次いで、この基板は、エキシマユニ
ット（Excimer Unit）２１でエキシマＵＶ光により有機
物洗浄され（ステップＳ３）、その後、冷却ユニット２
２による第１の冷却処理（ＣＯＬ１）によって冷却され
る（ステップＳ４）。
内に収納された未処理の基板が、ローダ／アンローダ部
３から搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１のプロセス部
４の第１のメインアーム機構１５に受け渡される（ステ
ップＳ１，Ｓ２）。次いで、この基板は、エキシマユニ
ット（Excimer Unit）２１でエキシマＵＶ光により有機
物洗浄され（ステップＳ３）、その後、冷却ユニット２
２による第１の冷却処理（ＣＯＬ１）によって冷却され
る（ステップＳ４）。
【００２９】次に、第１の冷却処理が施された基板は、
湿式洗浄装置１９によってブラシ洗浄（ＳＣＲ）され
（ステップＳ５）、加熱ユニット２０による第１の加熱
処理（ＨＰ１）によって乾燥された後（ステップＳ
６）、冷却ユニット４２による第２の冷却処理によって
冷却される（ステップＳ７）。そして、この基板は、そ
の後、第１のメインアーム機構１５から第２のプロセス
部５の第２のメインアーム機構２４へと受け渡される。
湿式洗浄装置１９によってブラシ洗浄（ＳＣＲ）され
（ステップＳ５）、加熱ユニット２０による第１の加熱
処理（ＨＰ１）によって乾燥された後（ステップＳ
６）、冷却ユニット４２による第２の冷却処理によって
冷却される（ステップＳ７）。そして、この基板は、そ
の後、第１のメインアーム機構１５から第２のプロセス
部５の第２のメインアーム機構２４へと受け渡される。
【００３０】第２のプロセス部５に受け渡された基板
は、アドヒージョン処理ユニット２９によって、表面の
疎水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第
３の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ
９）。次いで、疎水化処理後の基板は、塗布系ユニット
群１００に導入され，レジスト液塗布（ＣＴ）、減圧乾
燥処理（ＶＤ）および基板周縁の不要なレジスト液の除
去（ＥＲ）が行われる（ステップＳ１０）。
は、アドヒージョン処理ユニット２９によって、表面の
疎水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第
３の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ
９）。次いで、疎水化処理後の基板は、塗布系ユニット
群１００に導入され，レジスト液塗布（ＣＴ）、減圧乾
燥処理（ＶＤ）および基板周縁の不要なレジスト液の除
去（ＥＲ）が行われる（ステップＳ１０）。
【００３１】このように処理された基板は、加熱ユニッ
ト３０，３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ２）が
施される(ステップＳ１１)。これにより、基板に塗布さ
れたレジスト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、
この基板が冷却ユニットに搬入されて略室温まで冷却
（ＣＯＬ４）される（ステップＳ１２）。その後、この
基板は、第２のメインアーム機構２４から第３のメイン
アーム機構３４を介してインターフェース部７に搬送さ
れ、露光システム２に受け渡される（ステップＳ１
３）。そして、この露光システム２において露光処理
（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１４）。
ト３０，３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ２）が
施される(ステップＳ１１)。これにより、基板に塗布さ
れたレジスト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、
この基板が冷却ユニットに搬入されて略室温まで冷却
（ＣＯＬ４）される（ステップＳ１２）。その後、この
基板は、第２のメインアーム機構２４から第３のメイン
アーム機構３４を介してインターフェース部７に搬送さ
れ、露光システム２に受け渡される（ステップＳ１
３）。そして、この露光システム２において露光処理
（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１４）。
【００３２】露光処理が行なわれた基板は、インターフ
ェース部７と第３のメインアーム機構３４とを介してタ
イトラー３９に挿入されタイトリング処理が行なわれる
（ステップＳ１５）。
ェース部７と第３のメインアーム機構３４とを介してタ
イトラー３９に挿入されタイトリング処理が行なわれる
（ステップＳ１５）。
【００３３】その後、基板は、現像処理装置３８に導入
されて現像処理（ＤＥＶ）が行なわれる（ステップＳ１
６）。この現像処理ユニット３８では、例えば基板が回
転された状態で基板上に現像液が供給されて現像が行な
われる。また、リンス液で現像液が洗い流された後、振
り切り乾燥が行なわれる。
されて現像処理（ＤＥＶ）が行なわれる（ステップＳ１
６）。この現像処理ユニット３８では、例えば基板が回
転された状態で基板上に現像液が供給されて現像が行な
われる。また、リンス液で現像液が洗い流された後、振
り切り乾燥が行なわれる。
【００３４】最後に、基板は、この基板に対向する加熱
／加熱ユニット４０もしくは加熱／冷却ユニット４１に
挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱乾燥
された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（ＣＯＬ
５）により冷却される（ステップＳ１８）。
／加熱ユニット４０もしくは加熱／冷却ユニット４１に
挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱乾燥
された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（ＣＯＬ
５）により冷却される（ステップＳ１８）。
【００３５】以上の処理が全て施された基板は、第３の
メインアーム機構３４から、第２および第１のメインア
ーム機構２４，１５を介して搬送部１１（Ｃ／Ｓ）に設
けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡される（ス
テップＳ１９）。そして、この第１のサブアーム機構１
３によってローダ／アンローダ部３に載置された第２の
カセットＣ２内に収容される（ステップＳ２０）。
メインアーム機構３４から、第２および第１のメインア
ーム機構２４，１５を介して搬送部１１（Ｃ／Ｓ）に設
けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡される（ス
テップＳ１９）。そして、この第１のサブアーム機構１
３によってローダ／アンローダ部３に載置された第２の
カセットＣ２内に収容される（ステップＳ２０）。
【００３６】次に、図３および図４を参照しながら現像
処理ユニット（ＤＥＶ）３８について説明する。
処理ユニット（ＤＥＶ）３８について説明する。
【００３７】本実施形態の現像処理ユニット３８は、１
つのチャンバ内で現像液の供給とリンス液による現像液
の洗浄とを行なえるように構成されている。具体的に
は、現像処理ユニット３８は、基板Ｇを吸着保持する水
平回転可能なスピンチャック（ステージ）５１と、この
スピンチャック５１の上端部を囲み且つスピンチャック
５１に吸着保持された基板Ｇを包囲して上端部が開口す
る有底円筒状の回転カップ５２（図３には図示せず）
と、この回転カップ５２の上端開口に被せられる蓋体
（図示せず）とを備えている。なお、スピンチャック５
１は、その回転軸５１ａが第１のモータ（回転手段）Ｍ
１によって回転されることにより、載置面５１ｂに載置
された基板Ｇを水平回転させることができるとともに、
回転軸５１ａが第２のモータＭ２によって昇降されるこ
とにより、第３の中央搬送路３３に沿って移動する第３
のメインアーム機構３４との間で基板Ｇを受け渡すこと
ができる。各モータＭ１，Ｍ２の駆動は駆動制御部９５
によって制御される。また、図示しないが、例えば、回
転カップ５２の外周には、回転カップ５２を取り囲むよ
うにドレンカップが固定配置され、また、ドレンカップ
の外周にはアウターカバーが設けられている。
つのチャンバ内で現像液の供給とリンス液による現像液
の洗浄とを行なえるように構成されている。具体的に
は、現像処理ユニット３８は、基板Ｇを吸着保持する水
平回転可能なスピンチャック（ステージ）５１と、この
スピンチャック５１の上端部を囲み且つスピンチャック
５１に吸着保持された基板Ｇを包囲して上端部が開口す
る有底円筒状の回転カップ５２（図３には図示せず）
と、この回転カップ５２の上端開口に被せられる蓋体
（図示せず）とを備えている。なお、スピンチャック５
１は、その回転軸５１ａが第１のモータ（回転手段）Ｍ
１によって回転されることにより、載置面５１ｂに載置
された基板Ｇを水平回転させることができるとともに、
回転軸５１ａが第２のモータＭ２によって昇降されるこ
とにより、第３の中央搬送路３３に沿って移動する第３
のメインアーム機構３４との間で基板Ｇを受け渡すこと
ができる。各モータＭ１，Ｍ２の駆動は駆動制御部９５
によって制御される。また、図示しないが、例えば、回
転カップ５２の外周には、回転カップ５２を取り囲むよ
うにドレンカップが固定配置され、また、ドレンカップ
の外周にはアウターカバーが設けられている。
【００３８】スピンチャック５１の両側には、第３の中
央搬送路３３（Ｙ方向）に沿って延びる平行な一対のガ
イドレール６０，６０が設けられている。この場合、ガ
イドレール６０，６０は、スピンチャック５１の中心Ｏ
から略等しい距離で対称に配置されている。また、これ
らのガイドレール６０，６０には、現像液供給手段とし
ての現像アーム５６とリンスアーム５８とが移動可能に
連結されている。各アーム５６，５８は、ガイドレール
６０，６０を跨ぐようにガイドレール６０，６０と略直
交する方向（Ｘ方向）に延びており、ガイドレール６
０，６０に沿ってＹ方向に移動することができる。な
お、各アーム５６，５８の移動は駆動制御部９５によっ
て制御される。
央搬送路３３（Ｙ方向）に沿って延びる平行な一対のガ
イドレール６０，６０が設けられている。この場合、ガ
イドレール６０，６０は、スピンチャック５１の中心Ｏ
から略等しい距離で対称に配置されている。また、これ
らのガイドレール６０，６０には、現像液供給手段とし
ての現像アーム５６とリンスアーム５８とが移動可能に
連結されている。各アーム５６，５８は、ガイドレール
６０，６０を跨ぐようにガイドレール６０，６０と略直
交する方向（Ｘ方向）に延びており、ガイドレール６
０，６０に沿ってＹ方向に移動することができる。な
お、各アーム５６，５８の移動は駆動制御部９５によっ
て制御される。
【００３９】現像アーム５６には、その長手方向（Ｘ方
向）に沿って複数の現像液吐出ノズル（孔）５６ａが設
けられている。これらの現像液吐出ノズル５６ａには、
現像液供給源９０から現像液供給管７０を介して現像液
が供給されるようになっている。また、リンスアーム５
８の長手方向の略中央部には、ガイドレール６０の延在
方向に突出する支持アーム５９が設けられている。した
がって、支持アーム５９は、リンスアーム５８がＹ方向
移動されると、スピンチャック５１に吸着保持される基
板Ｇの略中心部を通ることができる。
向）に沿って複数の現像液吐出ノズル（孔）５６ａが設
けられている。これらの現像液吐出ノズル５６ａには、
現像液供給源９０から現像液供給管７０を介して現像液
が供給されるようになっている。また、リンスアーム５
８の長手方向の略中央部には、ガイドレール６０の延在
方向に突出する支持アーム５９が設けられている。した
がって、支持アーム５９は、リンスアーム５８がＹ方向
移動されると、スピンチャック５１に吸着保持される基
板Ｇの略中心部を通ることができる。
【００４０】また、支持アーム５９の先端部にはブロー
ガス供給手段としてのエアーブロー装置６２が支持され
ている。このエアーブロー装置６２は、例えば支持アー
ム５９に対して所定の角度を成して延びており、好まし
くは支軸６１を中心に旋回可能（水平面内で回動可能）
に設けられている。また、エアーブロー装置６２には、
その長手方向に沿って複数のエアー噴出ノズル（孔）６
２ａが設けられている。これらのエアー噴出ノズル６２
ａには、例えばＮ２ガス供給源９２からエアー供給管７
２を介してＮ２ガスが供給されるようになっている。
ガス供給手段としてのエアーブロー装置６２が支持され
ている。このエアーブロー装置６２は、例えば支持アー
ム５９に対して所定の角度を成して延びており、好まし
くは支軸６１を中心に旋回可能（水平面内で回動可能）
に設けられている。また、エアーブロー装置６２には、
その長手方向に沿って複数のエアー噴出ノズル（孔）６
２ａが設けられている。これらのエアー噴出ノズル６２
ａには、例えばＮ２ガス供給源９２からエアー供給管７
２を介してＮ２ガスが供給されるようになっている。
【００４１】また、リンスアーム５８にはリンス液供給
手段としての先行リンス液供給部６３が固設されてい
る。この先行リンス液供給部６３にはリンス液吐出ノズ
ル（孔）６３ａが設けられており、リンス液吐出ノズル
６３ａにはリンス液供給源９４からリンス液供給管７４
を介して例えば純水が供給されるようになっている。な
お、この先行リンス液供給部６３は、ここから吐出され
るリンス液がエアーブロー装置６２から噴出されるＮ２
ガスによって乱されないように、エアーブロー装置６２
から所定距離だけ離間して位置されている。また、現像
処理ユニット３８は、リンス液を基板の中心部に滴下可
能なリンス液供給装置８０を備えている。このリンス液
供給装置８０は、支軸８３を中心に回動可能なアーム８
０ａと、アーム８０ａの先端に設けられたリンス液吐出
ノズル８０ｂとを有している。この場合、アーム８０ａ
は、現像アーム５６およびリンスアーム５８の移動の邪
魔にならない退避位置（図３に実線で示される位置）
と、スピンチャック５１に吸着保持される基板Ｇの中心
部にリンス液吐出ノズル８０ｂが対向されるリンス液供
給位置（図３に一点鎖線で示される位置）との間で、支
軸８３を中心に回動される。なお、アーム８０ａの回動
動作は駆動制御部９５によって制御され、リンス液吐出
ノズル８０ｂにはリンス液供給源９４または別個に設け
られたリンス液供給源からリンス液が供給されるように
なっている。また、前述した現像液、リンス液、Ｎ２ガ
スの各供給も駆動制御部９５によって制御されるように
なっている。
手段としての先行リンス液供給部６３が固設されてい
る。この先行リンス液供給部６３にはリンス液吐出ノズ
ル（孔）６３ａが設けられており、リンス液吐出ノズル
６３ａにはリンス液供給源９４からリンス液供給管７４
を介して例えば純水が供給されるようになっている。な
お、この先行リンス液供給部６３は、ここから吐出され
るリンス液がエアーブロー装置６２から噴出されるＮ２
ガスによって乱されないように、エアーブロー装置６２
から所定距離だけ離間して位置されている。また、現像
処理ユニット３８は、リンス液を基板の中心部に滴下可
能なリンス液供給装置８０を備えている。このリンス液
供給装置８０は、支軸８３を中心に回動可能なアーム８
０ａと、アーム８０ａの先端に設けられたリンス液吐出
ノズル８０ｂとを有している。この場合、アーム８０ａ
は、現像アーム５６およびリンスアーム５８の移動の邪
魔にならない退避位置（図３に実線で示される位置）
と、スピンチャック５１に吸着保持される基板Ｇの中心
部にリンス液吐出ノズル８０ｂが対向されるリンス液供
給位置（図３に一点鎖線で示される位置）との間で、支
軸８３を中心に回動される。なお、アーム８０ａの回動
動作は駆動制御部９５によって制御され、リンス液吐出
ノズル８０ｂにはリンス液供給源９４または別個に設け
られたリンス液供給源からリンス液が供給されるように
なっている。また、前述した現像液、リンス液、Ｎ２ガ
スの各供給も駆動制御部９５によって制御されるように
なっている。
【００４２】次に、上記構成の現像処理ユニット３８に
よって基板Ｇを処理する場合について説明する。
よって基板Ｇを処理する場合について説明する。
【００４３】まず、前述したように、第３の中央搬送路
３３を移動する第３のメインアーム機構３４のアーム３
６から基板Ｇがスピンチャック５１の載置面５１ｂ上に
吸着保持される。この時、現像アーム５６とリンスアー
ム５８は、図３に示されるように、ガイドレール６０，
６０の左右両端部の対応するホームポジションに分かれ
て待機されている。
３３を移動する第３のメインアーム機構３４のアーム３
６から基板Ｇがスピンチャック５１の載置面５１ｂ上に
吸着保持される。この時、現像アーム５６とリンスアー
ム５８は、図３に示されるように、ガイドレール６０，
６０の左右両端部の対応するホームポジションに分かれ
て待機されている。
【００４４】続いて、図５に示されるように、現像アー
ム５６が基板Ｇの中心付近へと移動され、スピンチャッ
ク５１によって基板Ｇが回転（基板Ｇの回転は、スピン
チャック５１をカップ５２ごと高速回転させることによ
り行なっても良い）された状態で、現像液吐出ノズル５
６ａから現像液が基板Ｇ上に供給されて現像が行なわれ
る。
ム５６が基板Ｇの中心付近へと移動され、スピンチャッ
ク５１によって基板Ｇが回転（基板Ｇの回転は、スピン
チャック５１をカップ５２ごと高速回転させることによ
り行なっても良い）された状態で、現像液吐出ノズル５
６ａから現像液が基板Ｇ上に供給されて現像が行なわれ
る。
【００４５】現像が完了したら、現像液を洗い流すため
のリンス液が、回転する基板Ｇの中心部に供給される。
具体的には、図６に示されるように、リンス液供給装置
８０のアーム８０ａが支軸８３を中心にリンス液供給位
置へと回動され、基板Ｇの中心部にリンス液吐出ノズル
８０ｂが対向される。その状態で、リンス液吐出ノズル
８０ｂから基板Ｇの中心部にリンス液が滴下される。
のリンス液が、回転する基板Ｇの中心部に供給される。
具体的には、図６に示されるように、リンス液供給装置
８０のアーム８０ａが支軸８３を中心にリンス液供給位
置へと回動され、基板Ｇの中心部にリンス液吐出ノズル
８０ｂが対向される。その状態で、リンス液吐出ノズル
８０ｂから基板Ｇの中心部にリンス液が滴下される。
【００４６】基板Ｇの中心部に供給されたリンス液は、
その後、基板Ｇの回転による遠心力によって基板の周辺
部に向かって流れ、基板Ｇ上の現像液を洗い流すととも
に、それ自身も基板Ｇの回転遠心力（風切り現象）によ
って振り切られるように乾燥・除去されていく。
その後、基板Ｇの回転による遠心力によって基板の周辺
部に向かって流れ、基板Ｇ上の現像液を洗い流すととも
に、それ自身も基板Ｇの回転遠心力（風切り現象）によ
って振り切られるように乾燥・除去されていく。
【００４７】また、このようなリンス液の供給後直ち
に、先行リンスおよびＮ２ガスを基板Ｇに吹き付けるＮ
２ブローが行なわれる。すなわち、まず、図７に示され
るように、リンスアーム５８が基板Ｇの中心付近へと移
動され、先行リンス液供給部６３が基板Ｇの中心部に対
向される。続いて、エアーブロー装置６２によるＮ２ブ
ローに先行して、先行リンス液供給部６３からリンス液
（例えば純水を０．５リットル／分〜１リットル／分）
が基板Ｇの中心に滴下される。その後直ちに、先行リン
ス液供給部６３からのリンス液の供給を続けながら、リ
ンスアーム５８がそのホームポジションに向けて所定の
速度Ｖ（例えば１０ｍｍ／ｓ）で移動され、同時にエア
ーブロー装置６２からのＮ２ガスの噴射が開始される。
すなわち、図８に示されるように、先行リンスの供給点
とＮ２ガスの噴射点が基板Ｇの中心部から周辺部に向か
って一体で移動する。ただし、水跳ねを防止するため、
先行リンスの供給は、例えば先行リンス液供給部が基板
Ｇの内接円Ｃに達した際に停止される。
に、先行リンスおよびＮ２ガスを基板Ｇに吹き付けるＮ
２ブローが行なわれる。すなわち、まず、図７に示され
るように、リンスアーム５８が基板Ｇの中心付近へと移
動され、先行リンス液供給部６３が基板Ｇの中心部に対
向される。続いて、エアーブロー装置６２によるＮ２ブ
ローに先行して、先行リンス液供給部６３からリンス液
（例えば純水を０．５リットル／分〜１リットル／分）
が基板Ｇの中心に滴下される。その後直ちに、先行リン
ス液供給部６３からのリンス液の供給を続けながら、リ
ンスアーム５８がそのホームポジションに向けて所定の
速度Ｖ（例えば１０ｍｍ／ｓ）で移動され、同時にエア
ーブロー装置６２からのＮ２ガスの噴射が開始される。
すなわち、図８に示されるように、先行リンスの供給点
とＮ２ガスの噴射点が基板Ｇの中心部から周辺部に向か
って一体で移動する。ただし、水跳ねを防止するため、
先行リンスの供給は、例えば先行リンス液供給部が基板
Ｇの内接円Ｃに達した際に停止される。
【００４８】従来のように、回転する基板Ｇの中心部の
みにリンス液を供給してＮ２ガスを吹き付けるだけで
は、基板Ｇの周辺部で乾燥が先行し、Ｎ２ブローによる
リンス液の流れ方向と乾燥方向とが実質的に逆向きとな
ることによって基板上に水染み（残渣）が発生し、その
後のエッチング工程でエッチング不良を引き起こす。そ
のため、本実施形態では、このような不具合を回避すべ
く、前述したように、基板Ｇを回転させながらエアーブ
ロー装置６２（エアー噴出ノズル６２ａ）を基板Ｇの中
央部から基板Ｇの周辺部に向かってスキャンするととも
に、基板Ｇの周辺部の乾燥を抑制して乾燥方向が基板Ｇ
の中央から周辺部へと向かうように（基板Ｇの中心部か
ら乾いていくように）、スキャンするエアーブロー装置
６２に先行して先行リンス液供給部６３からリンス液を
吐出するようにしている。すなわち、基板Ｇを回転させ
ながらエアーブロー装置６２を基板Ｇの中央から周辺に
向かってスキャンすれば、基板Ｇの回転で発生する周辺
部の早期乾燥に遅れをとることなく基板Ｇの中央部の乾
燥を促進させることができ、したがって、水染み（残
渣）の発生を防止できるが、それでもなお、基板Ｇの周
辺部の乾燥が先行してしまう場合もあるため、スキャン
するエアーブロー装置６２に先行して先行リンス液供給
部６３からリンス液を吐出して、基板Ｇの周辺部の乾燥
を抑制するようにしている。なお、先行リンス液供給部
６３はエアーブロー装置６２から所定距離だけ離間して
位置されているため、先行リンス液供給部６３から吐出
されるリンス液がエアーブロー装置６２から噴出される
Ｎ２ガスによって乱されることはない。
みにリンス液を供給してＮ２ガスを吹き付けるだけで
は、基板Ｇの周辺部で乾燥が先行し、Ｎ２ブローによる
リンス液の流れ方向と乾燥方向とが実質的に逆向きとな
ることによって基板上に水染み（残渣）が発生し、その
後のエッチング工程でエッチング不良を引き起こす。そ
のため、本実施形態では、このような不具合を回避すべ
く、前述したように、基板Ｇを回転させながらエアーブ
ロー装置６２（エアー噴出ノズル６２ａ）を基板Ｇの中
央部から基板Ｇの周辺部に向かってスキャンするととも
に、基板Ｇの周辺部の乾燥を抑制して乾燥方向が基板Ｇ
の中央から周辺部へと向かうように（基板Ｇの中心部か
ら乾いていくように）、スキャンするエアーブロー装置
６２に先行して先行リンス液供給部６３からリンス液を
吐出するようにしている。すなわち、基板Ｇを回転させ
ながらエアーブロー装置６２を基板Ｇの中央から周辺に
向かってスキャンすれば、基板Ｇの回転で発生する周辺
部の早期乾燥に遅れをとることなく基板Ｇの中央部の乾
燥を促進させることができ、したがって、水染み（残
渣）の発生を防止できるが、それでもなお、基板Ｇの周
辺部の乾燥が先行してしまう場合もあるため、スキャン
するエアーブロー装置６２に先行して先行リンス液供給
部６３からリンス液を吐出して、基板Ｇの周辺部の乾燥
を抑制するようにしている。なお、先行リンス液供給部
６３はエアーブロー装置６２から所定距離だけ離間して
位置されているため、先行リンス液供給部６３から吐出
されるリンス液がエアーブロー装置６２から噴出される
Ｎ２ガスによって乱されることはない。
【００４９】本実施形態においては、基板Ｇの裏面の乾
燥を行なうことが好ましい。具体的には、例えば、３０
０ｒｐｍ以上で基板を回転させながら、基板Ｇの裏面に
Ｎ２ガスを吹き付けるようにする。また、リンス液の乾
燥速度を向上させるため、ブローに使う流体（本実施形
態ではＮ２ガス）を温風（６０℃〜１００℃）にしても
良い。また、先行リンス液を温水化（５０℃程度）して
も良い。なお、図９には処理条件の一例が示されてい
る。水染みの発生と基板の回転数およびブロー流量との
関係は重要である。基板Ｇの回転速度が１０００〜１２
００ｒｐｍでは水染みが生じ易いが、基板Ｇの回転速度
を２００ｒｐｍ前後にすると、水染みの発生を抑制でき
る。
燥を行なうことが好ましい。具体的には、例えば、３０
０ｒｐｍ以上で基板を回転させながら、基板Ｇの裏面に
Ｎ２ガスを吹き付けるようにする。また、リンス液の乾
燥速度を向上させるため、ブローに使う流体（本実施形
態ではＮ２ガス）を温風（６０℃〜１００℃）にしても
良い。また、先行リンス液を温水化（５０℃程度）して
も良い。なお、図９には処理条件の一例が示されてい
る。水染みの発生と基板の回転数およびブロー流量との
関係は重要である。基板Ｇの回転速度が１０００〜１２
００ｒｐｍでは水染みが生じ易いが、基板Ｇの回転速度
を２００ｒｐｍ前後にすると、水染みの発生を抑制でき
る。
【００５０】以上説明したように、本実施形態の現像処
理ユニット３８は、基板Ｇが載置される載置面５１ｂを
有するスピンチャック５１と、スピンチャック５１を回
転させる回転手段（第１のモータＭ１）と、現像液を基
板Ｇ上に供給する現像アーム５６と、現像液を洗浄する
ためのリンス液を基板Ｇ上に供給する先行リンス液供給
部６３と、基板Ｇ上にガスを吹き付けることによって基
板Ｇ上に残存するリンス液を乾燥除去するエアーブロー
装置６２とを備え、エアーブロー装置６２は、基板Ｇの
中心部から周辺部に向かって移動しながらガスを基板Ｇ
に噴射し、先行リンス液供給部６３は、基板Ｇの中心部
にリンス液を供給した後、エアーブロー装置６２からの
ガス噴射に先行して、基板Ｇの中心部から周辺部に向か
って移動しながらリンス液を基板Ｇに供給する。したが
って、基板Ｇの周辺部の乾燥を抑制して水染み（残渣）
の発生を防止できる。そのため、現像処理後のエッチン
グ工程で良好な成績を上げることができる。
理ユニット３８は、基板Ｇが載置される載置面５１ｂを
有するスピンチャック５１と、スピンチャック５１を回
転させる回転手段（第１のモータＭ１）と、現像液を基
板Ｇ上に供給する現像アーム５６と、現像液を洗浄する
ためのリンス液を基板Ｇ上に供給する先行リンス液供給
部６３と、基板Ｇ上にガスを吹き付けることによって基
板Ｇ上に残存するリンス液を乾燥除去するエアーブロー
装置６２とを備え、エアーブロー装置６２は、基板Ｇの
中心部から周辺部に向かって移動しながらガスを基板Ｇ
に噴射し、先行リンス液供給部６３は、基板Ｇの中心部
にリンス液を供給した後、エアーブロー装置６２からの
ガス噴射に先行して、基板Ｇの中心部から周辺部に向か
って移動しながらリンス液を基板Ｇに供給する。したが
って、基板Ｇの周辺部の乾燥を抑制して水染み（残渣）
の発生を防止できる。そのため、現像処理後のエッチン
グ工程で良好な成績を上げることができる。
【００５１】なお、本発明は、前述した各実施形態に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変形実施できることは言うまでもない。例えば、前述
した実施形態では、エアーブロー装置６２と先行リンス
液供給部６３とがリンスアーム５８に一体で設けられて
一体で移動されたが、エアーブロー装置６２と先行リン
ス液供給部６３とを別体で設け、エアーブロー装置６２
と先行リンス液供給部６３の移動を同期させるようにし
ても良い。また、本実施形態では、先行リンスとエアー
ブローとが組み合わされた構成が示されているが、エア
ーブローを省略して先行リンスだけ行なっても、基板Ｇ
の周辺部の乾燥を抑制でき、前述した実施形態と略同様
の効果を得ることができる。また、同様の理由から、先
行リンスを省略してエアーブローだけ行なっても良い。
また、前述した実施形態では、リンス液供給装置８０と
先行リンス液供給部６３とが別々に設けられているが、
先行リンス液供給部６３がリンス液供給装置８０を兼ね
ても良い。また、前記実施形態では、本発明をＬＣＤ基
板の塗布現像処理システムに適用した例が示されている
が、これに限らず、カラーフィルタ等、他の基板の塗布
・現像処理システムに本発明を適用できることは言うま
でもない。
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変形実施できることは言うまでもない。例えば、前述
した実施形態では、エアーブロー装置６２と先行リンス
液供給部６３とがリンスアーム５８に一体で設けられて
一体で移動されたが、エアーブロー装置６２と先行リン
ス液供給部６３とを別体で設け、エアーブロー装置６２
と先行リンス液供給部６３の移動を同期させるようにし
ても良い。また、本実施形態では、先行リンスとエアー
ブローとが組み合わされた構成が示されているが、エア
ーブローを省略して先行リンスだけ行なっても、基板Ｇ
の周辺部の乾燥を抑制でき、前述した実施形態と略同様
の効果を得ることができる。また、同様の理由から、先
行リンスを省略してエアーブローだけ行なっても良い。
また、前述した実施形態では、リンス液供給装置８０と
先行リンス液供給部６３とが別々に設けられているが、
先行リンス液供給部６３がリンス液供給装置８０を兼ね
ても良い。また、前記実施形態では、本発明をＬＣＤ基
板の塗布現像処理システムに適用した例が示されている
が、これに限らず、カラーフィルタ等、他の基板の塗布
・現像処理システムに本発明を適用できることは言うま
でもない。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板現像後のリンス液のスピン乾燥時に水染み（残渣）
の発生を防止できる基板処理装置および現像処理装置を
提供できる。
基板現像後のリンス液のスピン乾燥時に水染み（残渣）
の発生を防止できる基板処理装置および現像処理装置を
提供できる。
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ製造装置の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＬＣＤ製造装置を用いた製造工程のフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットの
概略平面図である。
概略平面図である。
【図４】図３の現像処理ユニットの一部断面を有する概
略側面図である。
略側面図である。
【図５】図３の現像処理ユニットの動作の第１段階を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】図３の現像処理ユニットの動作の第１段階を示
す平面図である。
す平面図である。
【図７】図３の現像処理ユニットの動作の第１段階を示
す平面図である。
す平面図である。
【図８】図３の現像処理ユニットの動作の第１段階を示
す平面図である。
す平面図である。
【図９】図３の現像処理ユニットの処理条件の一例を示
す図である。
す図である。
１…塗布現像処理システム（基板処理装置） ３８…現像処理ユニット（現像部、現像処理装置） ５１…スピンチャック（ステージ） ５１ｂ…載置面 ５６…現像アーム（現像液供給手段） ６２…エアーブロー装置（ブローガス供給手段） ６３…先行リンス液供給部（リンス液供給手段） Ｇ…基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ｈ ６４８ ６５１Ｂ ６５１ ６５１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ 21/306 21/306 Ｊ Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA21 FA24 HA01 HA06 HA08 MA18 MA20 2H090 JC07 JC19 LA04 2H096 AA25 AA30 GA29 HA30 5F043 AA37 BB25 CC12 DD12 DD13 DD30 EE08 GG10 5F046 LA03 LA14 LA18
Claims (8)
- 【請求項１】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
薄膜形成部と、前記薄膜に露光された回路パターンを現
像する現像部とを備えた基板処理装置において、 前記現像部は、基板が載置される載置面を有するステー
ジと、ステージを回転させる回転手段と、現像液をステ
ージ上の基板に供給する現像液供給手段と、現像液を洗
浄するためのリンス液をステージ上の基板に供給するリ
ンス液供給手段と、ステージ上の基板にガスを吹き付け
ることによって基板上に残存するリンス液を乾燥除去す
るブローガス供給手段とを備え、前記ブローガス供給手
段は、基板の中心部から周辺部に向かって移動しながら
ガスを基板に噴射することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
薄膜形成部と、前記薄膜に露光された回路パターンを現
像する現像部とを備えた基板処理装置において、 前記現像部は、基板が載置される載置面を有するステー
ジと、ステージを回転させる回転手段と、現像液をステ
ージ上の基板に供給する現像液供給手段と、現像液を洗
浄するためのリンス液をステージ上の基板に供給するリ
ンス液供給手段とを備え、前記リンス液供給手段は、基
板の中心部から周辺部に向かって移動しながらリンス液
を基板に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
薄膜形成部と、前記薄膜に露光された回路パターンを現
像する現像部とを備えた基板処理装置において、 前記現像部は、基板が載置される載置面を有するステー
ジと、ステージを回転させる回転手段と、現像液をステ
ージ上の基板に供給する現像液供給手段と、現像液を洗
浄するためのリンス液をステージ上の基板に供給するリ
ンス液供給手段と、ステージ上の基板にガスを吹き付け
ることによって基板上に残存するリンス液を乾燥除去す
るブローガス供給手段とを備え、 前記ブローガス供給手段は、基板の中心部から周辺部に
向かって移動しながらガスを基板に噴射し、 前記リンス液供給手段は、基板の中心部にリンス液を供
給した後、ブローガス供給手段からのガス噴射に先行し
て、基板の中心部から周辺部に向かって移動しながらリ
ンス液を基板に供給することを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項４】 前記リンス液供給手段と前記ブローガス
供給手段とが一体で或いは同期して移動されることを特
徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 基板上の薄膜に露光された回路パターン
を現像する現像処理装置において、 基板が載置される載置面を有するステージと、ステージ
を回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に
供給する現像液供給手段と、現像液を洗浄するためのリ
ンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給手段
と、ステージ上の基板にガスを吹き付けることによって
基板上に残存するリンス液を乾燥除去するブローガス供
給手段とを備え、前記ブローガス供給手段は、基板の中
心部から周辺部に向かって移動しながらガスを基板に噴
射することを特徴とする現像処理装置。 - 【請求項６】 基板上の薄膜に露光された回路パターン
を現像する現像処理装置において、 基板が載置される載置面を有するステージと、ステージ
を回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に
供給する現像液供給手段と、現像液を洗浄するためのリ
ンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給手段
とを備え、前記リンス液供給手段は、基板の中心部から
周辺部に向かって移動しながらリンス液を基板に供給す
ることを特徴とする現像処理装置。 - 【請求項７】 基板上の薄膜に露光された回路パターン
を現像する現像処理装置において、 基板が載置される載置面を有するステージと、ステージ
を回転させる回転手段と、現像液をステージ上の基板に
供給する現像液供給手段と、現像液を洗浄するためのリ
ンス液をステージ上の基板に供給するリンス液供給手段
と、ステージ上の基板にガスを吹き付けることによって
基板上に残存するリンス液を乾燥除去するブローガス供
給手段とを備え、 前記ブローガス供給手段は、基板の中心部から周辺部に
向かって移動しながらガスを基板に噴射し、 前記リンス液供給手段は、基板の中心部にリンス液を供
給した後、ブローガス供給手段からのガス噴射に先行し
て、基板の中心部から周辺部に向かって移動しながらリ
ンス液を基板に供給することを特徴とする現像処理装
置。 - 【請求項８】 前記リンス液供給手段と前記ブローガス
供給手段とが一体で或いは同期して移動されることを特
徴とする請求項７に記載の現像処理装置。
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