JP3963732B2 - 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板にフォトレジスト液などの塗布液を供給して基板上に塗布液の薄膜を形成する塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置に係り、特にこの種の装置のスループットを向上させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上に例えばフォトレジストの薄膜を生成する一連の塗布処理工程は、大まかには次のような処理に区分することができる。第1の処理は、基板上にフォトレジスト液を供給して基板表面全体をフォトレジスト液で覆う「カバレッジ処理」である。第2の処理は、基板上のフォトレジスト液を薄膜化する「レベリング処理」である。第3の処理は、基板上に形成されたフォトレジスト液の薄膜を乾燥させる「乾燥処理」である。さらに必要に応じて、第4の処理として、フォトレジストの薄膜が生成された基板表面の周縁や、基板裏面などの不要領域に付着したフォトレジストを除去する「除去処理」が行われる。
【0003】
従来の塗布処理装置は、上述した第1〜第3の各処理、あるいは第1〜第4の各処理を単一の処理ユニットで連続的に行っている。例えば、基板を回転させて塗布処理を行う回転塗布処理装置の場合、この処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持して縦軸心周りで回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板にフォトレジスト液を供給する塗布液供給ノズルと、基板の裏面や基板表面周縁に溶剤を供給する溶剤供給ノズルとを備えている。このような単一の処理ユニットを備えた塗布処理装置が1枚の基板の塗布処理に要する時間は、概ね60秒である。
【0004】
ところで、近年主流となりつつある化学増幅型フォトレジストは、大気中のアンモニアなどによる化学汚染の影響を受けやすいという性質がある。そこで、基板が大気中に暴露される時間をできるだけ短くするために、上述した塗布処理装置と、フォトレジスト膜が形成された基板にパターンを焼きつける露光装置(ステッパー)とを連結して、塗布処理から露光までを連続的に行う「インライン方式」が広く採用されている。
【0005】
塗布処理装置に連結される露光装置が1枚の基板の露光処理に要する時間は、概ね30秒である。そのため、塗布処理装置のスループットを露光装置のそれに合わせるために、従来の塗布処理装置は、塗布処理ユニットを複数台(例えば、2台)設置し、各処理ユニットで上述した第1〜第3の各処理(あるいは、第1〜第4の各処理)を同時並行して行っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の塗布処理装置に備えられた各塗布処理ユニットは、フォトレジスト膜の基板内平均膜厚や膜厚分布が規定範囲内になるように、レジスト吐出状態、レジスト温度、処理ユニット内の温湿度など塗布処理条件が各処理ユニットごとに調節されている。
【0007】
しかしながら、各処理ユニットでフォトレジスト膜が形成された基板に回路パターンを焼きつけし、現像処理を行ってみると、現像処理後のパターン精度などの品質が基板間で大きくばらつくという問題が発生している。
【0008】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理のスループットの向上を図るとともに、基板間の品質のばらつきを抑えることができる塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
一方の塗布処理ユニットで処理された基板に合わせて露光・現像処理の各条件を設定すると、それらの基板の品質は満足できるものであるが、他方の塗布処理ユニットで処理された基板については前者の基板の品質よりも劣ることが分かった。つまり、基板間の品質のばらつきを抑えるためには、各塗布処理ユニットの種々の塗布処理条件を一致させる必要がある。しかし、実際問題として、各塗布処理ユニットの各構成部品には特性のばらつきがあるので、各塗布処理ユニットの塗布処理条件を厳密に一致させることは困難である。してみれば、複数個の塗布処理ユニットを使って並行処理を行うのではなく、一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けし、これらの区分けされた各処理を複数個の個別の処理ユニットを使って順に行わせるようにすればよい。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。
【0010】
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含む。
【0011】
また、請求項2に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
【0012】
また、請求項3に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
【0013】
また、請求項4に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【0014】
(作用・効果)請求項1から請求項4に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして各処理ユニットが行うので、基板の品質が安定するとともに、装置のスループットを向上させることができる。
【0015】
除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合においても、一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。例えば、請求項1に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含む。
また、請求項2に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
さらに、請求項3に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
さらに、請求項4に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【0016】
また、請求項5に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【0017】
また、請求項6に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【0018】
(作用・効果)請求項5と請求項6に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして各処理ユニットが行うので、基板の品質が安定するとともに、装置のスループットを向上させることができる。
さらに、カバレッジ処理とレべリング処理と乾燥処理とを、基板を回転させて行う。
【0019】
除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合においても、一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。請求項5に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
また、請求項6に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【0020】
また、請求項7に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを、基板を回転させて行うレベリング・乾燥ユニットとを含む。
【0021】
また、請求項8に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットとを含む。
【0022】
また、請求項9に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、基板を回転させて行うレベリングユニットと、このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットとを含む。
【0023】
(作用・効果)請求項7から請求項9に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
さらに、カバレッジ処理とレべリング処理と乾燥処理とを、基板を回転させて行う。
【0024】
一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。例えば、請求項7に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを基板を、回転させて行うレベリング・乾燥ユニットとを含む。
また、請求項8に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、回転させて行う行う乾燥ユニットとを含む。
さらに、請求項9に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、回転させて行うレベリングユニットと、このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を行う乾燥ユニットとを含む。
【0025】
上記の除去処理としては、例えば、基板の周縁に付着した塗布液の膜を除去するエッジリンス(請求項10に記載の発明)、あるいは、基板の裏面に付着した塗布液を除去するバックリンス(請求項11に記載の発明)がある。
【0026】
また、請求項12に記載の発明は、請求項1から請求項11のいずれかに記載の塗布処理装置を塗布処理部として備えるとともに、塗布処理および露光処理された基板を現像処理する現像処理部と、前記塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装置である。
【0027】
(作用・効果)請求項12に記載の発明によれば、塗布処理部において、一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、基板の品質が安定するとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、基板の品質が安定するとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【0028】
また、請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の基板処理装置において、前記塗布処理部は、前記複数個の個別の処理ユニット間で基板を搬送する専用搬送機構を備えている。
【0029】
(作用・効果)請求項13に記載の発明によれば、塗布処理部、現像処理部、および熱処理部の相互間では、この基板処理装置の主たる搬送機構が基板の搬送を行う一方、塗布処理部内の複数個の処理ユニット間では専用搬送機構を使って基板の搬送を行う。つまり、塗布処理部内の基板搬送を専用搬送機構に負担させているので、主たる搬送機構の負担が過渡になって基板処理装置のスループットが低下するという事態を回避することができる。
【0031】
本明細書は次のような課題解決手段も開示している。
【0032】
(1)基板に対して所要の処理を行う複数個の処理部と、前記各処理部間の基板搬送に共通使用される主搬送機構とを備えた基板処理装置において、前記主搬送機構に代わって特定の処理部間で基板搬送を行う専用搬送機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【0033】
例えば、基板にフォトレジスト膜を塗布形成する塗布処理部、基板に現像処理を行う現像処理部、および基板に熱処理を行う熱処理部などの複数個の処理部と、これら各処理部間の基板搬送に共通使用される主搬送機構とを備えた基板処理装置の場合、各処理部の処理効率を上げても主搬送機構の搬送速度や基板の受け渡しの速度に上限があるので、これが制約となって基板処理装置のスループットをあるレベル以上に上げられないことがある。前記(1)の発明は、特定の処理部間の基板搬送の役目を専用搬送機構に担わせているので、主搬送機構の負担が軽減され、結果として基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【0034】
(2)前記(1)に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は上下に多段配置されており、前記主搬送機構は昇降移動することにより少なくとも上下の処理部間の基板搬送に共通使用され、かつ、前記専用搬送機構は、同じ高さ位置に設けられた特定の処理部間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【0035】
前記(2)の発明によれば、専用搬送機構は、同じ高さ位置に設けられた特定の処理部間の基板搬送に使用されるので、特定の処理部間で基板を速やかに搬送することができるとともに、上下に移動する主搬送機構との干渉を容易に避けることができる。
【0036】
(3)前記(2)に記載の基板処理装置において、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットであり、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【0037】
(4)前記(2)に記載の基板処理装置において、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理と、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットであり、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【0038】
前記(3)または(4)に記載の発明によれば、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送を専用搬送機構で行うので、主搬送機構の負担が軽減するとともに、薄膜形成途中の基板を搬送することによって主搬送装置に塗布液が付着して、他の基板を汚染するという不都合も回避することができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
<第1実施例>
図1は、本発明に係る塗布処理装置の一実施例を用いた基板処理装置の要部の平面図、図2は、同じく要部の正面図である。
【0040】
この基板処理装置は、半導体ウエハなどの基板W上にフォトレジスト液などの塗布液の薄膜を形成する塗布処理部1と、塗布処理および図示しない露光装置で露光処理された基板Wを現像処理する現像処理部2と、塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部3と、各処理部1,2,3に基板Wを搬送する搬送機構4などを備えている。各処理部1,2,3は搬送機構4の周囲に上下多段に配設されており、下段に塗布処理部1と現像処理部2が配置され、上段に熱処理部3が配置されている。以下、各部の構成を具体的に説明する。
【0041】
塗布処理部1は、本発明の塗布処理装置に相当するもので、基板W上にフォトレジスト液を供給して基板Wの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理と、基板W上のフォトレジスト液を薄膜化するレベリング処理と、基板W上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理と、基板Wの不要領域に付着したフォトレジスト液を除去する除去処理とを含む一連の薄膜形成処理を、時系列に2つに区分けして、2個の個別の第1、第2処理ユニット5、6で順に行うように構成されている。本実施例では、図3の(a)に示すように、第1処理ユニット5が主としてカバレッジ処理を行い、第2処理ユニット6がレベリング、乾燥、および除去(エッジリンスとバックリンス)の各処理を行うようになっている。
【0042】
本発明のカバレッジユニットに相当する第1処理ユニット5は、基板Wを水平姿勢で吸着保持し、モータ7aで回転駆動されるスピンチャック7を備えている。このスピンチャック7の周囲に、基板Wから飛散したフォトレジスト液を受け止めて排出する飛散防止カップ8が配設されている。この飛散防止カップ8の傍らに、フォトレジスト液の種類に応じた複数本のレジスト供給ノズル9と、エッジリンス用の溶剤供給ノズル10とがそれぞれ配設されている。
【0043】
本発明のレベリング・乾燥・除去ユニットに相当する第2処理ユニット6は、第1処理ユニット1と同様に、モータ11aで回転駆動されるスピンチャック11と、飛散防止カップ12とを備えている。飛散防止カップ12の傍らにはエッジリンス用の溶剤供給ノズル13が配設されている。また、スピンチャック7に保持された基板Wの裏面に対向してバックリンス用の溶剤供給ノズル14が配設されている。
【0044】
現像処理部2は、同様の構成のものが2台備えられている。各現像処理部2は、塗布処理部1と同様にスピンチャック15と飛散防止カップ16とを備えている。また、飛散防止カップ16の傍らに現像液供給ノズル17と洗浄液供給ノズル18とが配設されている。
【0045】
熱処理部3は、塗布処理および現像処理の前後に基板Wを加熱処理する複数個の加熱ユニット19と、加熱処理された基板Wを冷却して常温に戻す冷却ユニット20を備えている。各ユニット19および20は、図示しない熱処理プレートに基板Wを載置して熱処理を行うように構成されている。なお、図2中の符号21は、各ユニット19,20に設けられた基板Wの搬入・搬出用の開口である。
【0046】
搬送機構4は、昇降および旋回移動可能な可動ベース22に、それぞれ独立して駆動される2つの多関節アーム23が備えられている。各多関節アーム23の先端部には、基板Wを水平姿勢で支持する支持具24がそれぞれ取り付けられている。各多関節アーム23は伸縮移動可能に構成されている。
【0047】
次に、上述した構成を備えた基板処理装置の動作を説明する。
A:熱処理(1)
まず、搬送機構4の2つの多関節アーム23が、図示しないインデクサユニットから未処理の基板W(以下、一方の基板を符号W1で、他方の基板を符号W2で表す)をそれぞれを受け取り、一方の基板W1を所定の加熱ユニット19に搬入する。この加熱ユニット19は基板W1にアドヒージョン処理(レジストの密着強化処理)を施す。一方の多関節アーム23が、アドヒージョン処理を受けた基板W1を加熱ユニット19から搬出すると、他方の多関節アームを使って基板W2を加熱ユニット19に搬入する。加熱ユニット19から取り出した基板W1を搬送機構4が冷却ユニット20に搬送する。冷却ユニット20はその基板W1を常温にまで冷却する。
【0048】
B:カバレッジ処理
熱処理が終わると、搬送機構4は、その基板W1を塗布処理部1の第1処理ユニット5に搬送する。この基板W1をスピンチャック7が吸着保持する。所定のレジスト供給ノズル9が移動して基板W1の中央部にフォトレジスト液を供給する。スピンチャック7が第1の回転速度で回転してフォトレジスト液を回転半径方向外側に向けて広げる。これにより基板W1の表面がフォトレジスト液で覆われる。このときに溶剤供給ノズル10が、回転している基板W1の周縁に溶剤を供給して、基板W1の周縁部のフォトレジスト液を洗浄除去する。なお、基板W1にカバレッジ処理を施している間に、搬送機構4は、加熱処理ユニット19内の基板W2を冷却ユニット20に移すとともに、次の基板W3を加熱処理ユニット19に搬入する。
【0049】
C:レベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理
カバレッジ処理が終わると、搬送機構4は、その基板W1を塗布処理部1の第2処理ユニット6に搬送する。なお、第1処理ユニット5で基板W1の周縁部のフォトレジスト液を除去しているので、搬送機構4の支持具24がフォトレジスト液で汚れることがない。第2処理ユニット6に搬送された基板W1をスピンチャック11が吸着保持する。スピンチャック11が第2の回転速度で回転することにより、基板W1のフォトレジスト液を薄膜化する(レベリング処理)。スピンチャック11が続けて回転することにより、基板W1上のフォトレジスト膜中の溶剤が飛散し、フォトレジスト膜が乾燥する(乾燥処理)。次に溶剤供給ノズル13が、回転している基板Wの周縁に溶剤を供給して、基板Wの周縁部のフォトレジスト膜を洗浄除去する(エッジリンス)。また、溶剤供給ノズル14が、回転している基板W1の裏面に溶剤を供給して、基板W1の裏面に回り込んで付着したフォトレジストを洗浄除去する(バックリンス)。
【0050】
第2処理ユニット6で基板W1に一連の処理を施している間に、搬送機構4は、冷却処理された基板W2を第1処理ユニット5に搬入する。そして、第2処理ユニット6での基板W1の処理と並行して、第1処理ユニット5で基板W2にカバレッジ処理を行う。以下同様に、第1処理ユニット5の処理と第2処理ユニット6の処理とを並行して進める。なお、以下では基板W1の処理に着目して説明するが、各処理部1,2,3で並行処理が行われるのは同様である。
【0051】
D:熱処理(2)
第2処理ユニット6での処理が終わると、搬送機構4は、その基板W1を熱処理部3に搬送する。熱処理部3は、適当な加熱ユニット19および冷却ユニット20を使って、基板W1に加熱・冷却処理を施す。
【0052】
上記の熱処理の後、搬送機構4は、基板W1を本基板処理装置に連結された図示しない露光装置に受け渡す。露光装置で回路パターンが焼き付けられた基板W1は再び搬送機構4に受け渡される。
【0053】
E:熱処理(3)
基板W1を受け取った搬送機構4は、その基板W1を熱処理部3に搬送する。熱処理部3は、適当な加熱ユニット19および冷却ユニット20を使って、基板W1に加熱・冷却処理を施す。
【0054】
F:現像処理
上記の熱処理の後、搬送機構4は、その基板W1を現像処理部2に搬送する。この基板W1をスピンチャック15が吸着保持する。現像液供給ノズル17が移動して基板W1の中央部に現像液を供給して、現像液を基板W1上に液盛りする。基板W1を静止させた状態で、フォトレジスト膜の現像処理を行う。現像処理が終わると基板W1を高速回転させて基板W1上の現像液を振り切るとともに、洗浄液供給ノズル18から基板W1へ洗浄液を供給して、基板W1を洗浄する。
【0055】
洗浄処理が終わると、洗浄液の供給を止めるとともに、基板W1を継続して回転させて基板W1を乾燥処理する。必要に応じて基板W1に加熱・冷却処理を施した後、搬送機構4は基板W1をインデクサユニットに戻す。
【0056】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置によれば、第1処理ユニット5でカバレッジ処理を行う一方、第2処理ユニット6でレベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理を行っているので、全ての基板Wは同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって現像処理後のパターン精度など、基板Wの品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、第1処理ユニット5および第2処理ユニット6は並行して各処理を行うので、基板処理のスループットを向上させることができる。
【0057】
なお、上述した実施例装置では、第1処理ユニット5でカバレッジ処理を、第2処理ユニット6でレベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理を、それぞれ行うようにしたが、図3の(b)に示すように、第1処理ユニット5でカバレッジ処理とレベリング処理とを行い、第2処理ユニット6で乾燥・除去(エッジリンス・バックリンス)の各処理を行うようにしてもよい。この場合、第1処理ユニット5が本発明におけるカバレッジ・レベリングユニットに相当し、第2処理ユニット6が本発明の乾燥・除去ユニットに相当する。
【0058】
また、現実にはレベリング処理と乾燥処理との境目は必ずしも明確ではないので、第1処理ユニット5でレベリング処理または乾燥処理を途中まで行い、それ以降の処理を第2処理ユニット6で行ってもよい。
【0059】
<第2実施例>
図4は、第2実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
第1実施例では、第1処理ユニット5から第2処理ユニット6へ基板Wを搬送する際に、各処理部1,2,3間の基板搬送に用いられる主たる搬送機構4を用いたので、それだけ搬送機構4の負担が増す。搬送機構4には移動速度や基板受け渡し速度に上限があるので、搬送機構4の負担が過度になると、各処理部1,2,3の処理速度を速めても、搬送機構4の制約のために基板処理装置のスループットの向上が望めなくなる。そこで、本実施例では、第1処理ユニット5から第2処理ユニット6へ基板Wを搬送するための専用搬送機構25を備えている。専用搬送機構25は、搬送機構4と同様に伸縮および旋回移動可能な多関節アーム23を備え、この多関節アーム23の先端部に基板Wを支持する支持具24が取り付けられている。なお、他の構成は第1実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、本実施例も第1実施例と同様に変形実施できることはもちろんである。
【0060】
専用搬送機構25は、同じ高さ位置にある第1、第2処理ユニット5,6間の基板搬送に使用されるので、第1、第2処理ユニット5,6間で基板Wを速やかに搬送することができる。また、上下に移動する搬送機構4との干渉も容易に避けることができる。さらに、本実施例装置によれば、第1、第2処理ユニット5,6間の基板搬送に専用搬送機構25を用いているので、仮に基板Wの搬送中に専用搬送機構25の支持具24がフォトレジスト液で汚れたとしても、第2処理ユニット6で基板Wが除去処理されるので、主たる搬送機構4がフォトレジスト液で汚れることがない。つまり搬送機構4を介して基板Wが汚染されるという不都合を回避することができる。したがって、本実施例によれば、第1実施例の第1処理ユニット5に備えられているようなエッジリンス用の溶剤供給ノズル10を備える必要がない。
【0061】
<第3実施例>
図5は、第3実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
第1および第2実施例では、一連の薄膜形成処理を時系列に2つに区分けして、2個の個別の第1、第2処理ユニット5、6で順に行うように構成したが、本実施例では、一連の薄膜形成処理を時系列に3つに区分けして、3個の個別の第1、第2、第3処理ユニット26,27,28で順に行うように構成してある。なお、他の構成は第1実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【0062】
各処理ユニット26,27,28には、それぞれスピンチャック29および飛散防止カップ30が設けられている。第1処理ユニット26は、フォトレジスト液の種類に応じた複数本のレジスト供給ノズル9を備えている。図3の(c)に示すように、本発明のカバレッジユニットに相当する第1処理ユニット26は、スピンチャック29に保持された基板W上に所定のレジスト供給ノズル9からフォトレジスト液を供給して、基板Wの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理を行う。本発明のレベリングユニットに相当する第2処理ユニット27は、カバレッジ処理された基板Wを所定の回転速度で回転させてフォトレジスト液を薄膜化するレベリング処理を行う。本発明の乾燥・除去ユニットに相当する第3処理ユニットは、レベリング処理された基板Wを所定の回転速度で回転させてフォトレジスト膜の乾燥処理を行うとともに、基板Wのエッジリンスとバックリンスとを行う。
【0063】
本実施例装置の場合も全ての基板Wの塗布処理条件は同じになる。しかも、一連の薄膜化処理を区分けして、3個の第1、第2、第3処理ユニット26,27,28で並行して行うので、基板処理装置のスループットを一層向上することができる。
【0064】
なお、本実施例では、各処理ユニット26,27、28間の基板搬送に主たる搬送機構4を用いているので、搬送機構4の支持具24にフォトレジスト液が付着するのを防止するために、第1処理ユニット26と第2処理ユニット27に、第1実施例の第1処理ユニット5に備えたようなエッジリンス用の溶剤供給ノズル10を設けてもよい。あるいは、第1、第2処理ユニット26,27間および第2、第3処理ユニット27,28間を、それぞれ第2実施例のように専用搬送機構25を用いて基板Wを搬送してもよい。
【0065】
<第4実施例>
図6は、第4実施例に係る塗布処理装置の要部の平面図である。
本実施例装置は、略120度ごとに間欠回転移動する回転テーブル31上に3つの基板保持部32,33,34が等間隔に設定されている。各基板保持部32、33,34には、スピンチャック35と飛散防止カップ36とがそれぞれ設けられている。回転テーブル31の周囲であって、各基板保持部32、33、34が停止する位置に処理ステーションS1、S2、S3が設定されている。処理ステーションS1には、第1実施例で説明したと同様の搬送機構4が配設されている。第2処理ステーションS2には、フォトレジスト液を供給するレジスト供給ノズル9が配設されている。第3処理ステーションS3には、エッジリンス用の溶剤供給ノズル13が配設されている。本実施例における処理ステーションと基板保持部との組合せは、本発明における処理ユニットに相当する。
【0066】
本実施例によれば、まず第1処理ステーションS1において、搬送機構4が未処理の基板Wを基板保持部32のスピンチャック35上に移載する。このスピンチャック35が基板Wを吸着保持した後、回転テーブル31が間欠回転移動して基板保持部32が第2処理ステーションS2に進む。
【0067】
第2処理ステーションS2では、レジスト供給ノズル9が揺動移動して基板保持部32の基板W上にフォトレジスト液を供給する。続いて基板保持部32のスピンチャック35が第1の回転速度で回転することにより、基板Wの表面をフォトレジスト液で覆う(カバレッジ処理)。カバレッジ処理が終わるとさらに回転テーブル31が間欠回転移動することにより、基板処理部32が第3処理ステーションS3に進む。
【0068】
第3処理ステーションS3では、基板保持部32のスピンチャック35が高速回転することにより、基板W上のフォトレジスト液を薄膜化する(レベリング処理)。さらにスピンチャック35が第2の回転速度で回転することにより、基板W上のフォトレジスト膜を乾燥する(乾燥処理)。続いて、基板Wを回転させながら溶剤供給ノズル13が基板Wの周縁に溶剤を供給することにより、基板Wの周縁に付着したフォトレジスト膜を洗浄除去する(エッジリンス)。
【0069】
エッジリンスが終わると、回転テーブル31が間欠回転移動することにより、基板処理部32が第1処理ステーションS1に戻る。搬送機構4は、処理済の基板Wを基板処理部32のスピンチャック35から受け取るとともに、新たな未処理の基板Wをスピンチャック35上に載せる。
【0070】
以後同様の処理が繰り返し行われることにより、第1処理ステーションS1における基板Wの搬入・搬出処理と、第2処理ステーションS2におけるカバレッジ処理と、第3処理ステーションS3におけるレベリング・乾燥・エッジリンスの各処理が同時並行して行われる。
【0071】
レジスト供給ノズル9が共通使用されるので、本実施例装置の場合も全ての基板Wの塗布処理条件は概ね同じになる。しかも、基板Wの搬入・搬出処理と、カバレッジ処理と、レベリング・乾燥・エッジリンスの各処理とを同時並行して行うので、塗布処理装置のスループットを向上することができる。
【0072】
なお、上述した第1および第4実施例におけるカバレッジ、レベリング、乾燥等の各処理時のスピンチャック7の第1の回転速度および第2の回転速度は、各々を低速回転、高速回転となるよう異なる回転速度としてもよく、また、いずれも同程度の回転速度としてもよい。
【0073】
また、上述した第4実施例では、第1処理ステーションS1で基板Wの搬入・搬出処理を、第2処理ステーションS2でカバレッジ処理を、第3処理ステーションS3でレベリング・乾燥・エッジリンスの各処理を、それぞれ行ったが、各処理ステーションS1〜S3で行う処理は任意に設定可能であり、例えば第2処理ステーションS2でカバレッジとレベリングの各処理を行い、第3処理ステーションS3で乾燥とエッジリンスの各処理を行うようにしても良い。また、処理ステーションの個数は任意であり、2個、あるいは4個以上の処理ステーションを設け、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして、各処理ステーションで行うようにしても良い。
【0074】
上述した第1〜第4実施例では、乾燥・エッジリンスの各処理を1つのユニットで行っていたが、下記の第5〜第8実施例のように、乾燥・エッジリンスの各処理をそれぞれ2つのユニットで時系列に区分けてしてもよい。
【0075】
<第5実施例>
例えば、図1,2に示すような第1実施例装置において、第1処理ユニット5を、カバレッジ処理、レべリング処理、および乾燥処理を行うように構成するとともに、第2処理ユニット6を、除去処理を行うように構成する。この場合、第1処理ユニット5が本発明におけるカバレッジ・レべリング・乾燥ユニットに相当し、第2処理ユニット6が本発明における除去ユニットに相当する。
【0076】
なお、第1実施例装置のみならず、第2,第3実施例装置の処理ユニット5,6(,または26,27,28)、または第4実施例装置の第1,第2,第3処理ステーションS1,S2,S3を、本発明のカバレッジ・レべリング・乾燥ユニット、除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできる。また、第1実施例装置の各処理ユニット5,6を本実施例に適用する場合には、搬送機構4の支持具24にフォトレジスト液が付着するのを防止するために、第1処理ユニット5で基板Wの周縁部のフォトレジスト液を除去して(エッジリンス)、基板Wの裏面に回り込んで付着したフォトレジスト液を洗浄除去するバックリンスのみを第2処理ユニット6で行ってもよい。第3実施例装置の各処理ステーションS1,S2,S3を本実施例に適用する場合も同様である。
【0077】
<第6実施例>
第5実施例では、例えば、図1,2に示すような第1実施例装置において、第1処理ユニット5を、本発明のカバレッジ・レべリング・乾燥ユニット、第2処理ユニット6を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用したが、本実施例では、図5に示すような第3実施例装置において、第1処理ユニット26を、本発明のカバレッジユニット、第2処理ユニット27を、本発明のレベリング・乾燥ユニット、第3処理ユニット28を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【0078】
なお、第5実施例と同様に、第1,第2,第4実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジユニット、本発明のレベリング・乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジユニットまたはレベリング・乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【0079】
<第7実施例>
第5,6実施例では、レべリング処理、および乾燥処理を1つの処理ユニットで行ったが、本実施例では、例えば、図5に示すような第3実施例装置において、第1処理ユニット26を、本発明のカバレッジ・レベリングユニット、第2処理ユニット27を、本発明の乾燥ユニット、第3処理ユニット28を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【0080】
なお、第5,第6実施例と同様に、第1,第2,第4実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジ・レベリングユニット、本発明の乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジ・レベリングユニットまたは乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【0081】
<第8実施例>
第5〜第7実施例では、2つまたは3つの処理ユニット(,または処理ステーション)を備えて、これらの処理ユニットを各々の処理にそれぞれ割り当てたが、本実施例では、例えば、図5に示すような第3実施例装置において、第1,第2,第3処理ユニット26,27,28の他に、図示を省略する第4処理ユニットを備え、第1処理ユニット26を、本発明のカバレッジユニット、第2処理ユニット27を、本発明のレベリングユニット、第3処理ユニット28を、本発明の乾燥ユニット、第4処理ユニットを、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【0082】
なお、第5〜第7実施例と同様に、第1,第2,第4実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジユニット、本発明のレベリングユニット、本発明の乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジユニット、レベリングユニット、または乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【0083】
本発明は、上述した各実施例のものに限らず、次のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、塗布液としてフォトレジスト液を例に採ったが、本発明はポリイミド樹脂やSOG(spin on glass)などの塗布にも適用することができる。
【0084】
(2)実施例では基板を回転させることによってカバレッジ・レベリング・乾燥の各処理を行ったが、本発明は基板を回転させないでこれらの各処理を行うものにも適用することができる。例えば、静止させた基板上にスリットノズルなどを走査させることにより、基板表面を塗布液で覆うものや、基板を振動させて塗布液のレベリングを行うものや、基板を減圧雰囲気に置くか、あるいはブロワーなどによって塗布膜を乾燥させるようにしてもよい。
【0085】
(3)上述した第1〜第8実施例では、基板Wの不要領域に付着したフォトレジスト液を除去する除去処理(エッジリンスとバックリンス)を、一連の薄膜形成処理過程の中に含んだ基板処理装置を例に採って説明したが、除去処理を一連の薄膜形成処理過程の中に含まずに、カバレッジ処理、レベリング処理、および乾燥処理からなる一連の薄膜形成処理を行う基板処理装置においても、第1〜第8実施例のように適宜選択することができる。
【0086】
(4)上述した第1〜第8実施例では、基板を保持するのに、吸着保持するスピンチャックを用いたが、全部あるいは一部のユニット(例えばリンス(除去)ユニットのみ)に、基板を機械的に保持する(例えば基板の端縁を支持することで保持する)メカチャックを用いてもよい。
【0087】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、全ての基板が同じ塗布処理条件で処理されることになり、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。また、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うので、処理装置のスループットを向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布処理装置の一実施例を用いた基板処理装置の要部の平面図である。
【図2】第1実施例装置の要部の正面図である。
【図3】(a)〜(c)は、各処理ユニットが行う処理内容を示したブロック図である。
【図4】第2実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
【図5】第3実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
【図6】第4実施例に係る塗布処理装置の要部の平面図である。
【符号の説明】
W … 基板
1 … 塗布処理部
2 … 現像処理部
3 … 熱処理部
4 … 搬送機構
5 … 第1処理ユニット
6 … 第2処理ユニット
Claims (13)
- 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、
前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、
前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、
前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、
前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを、基板を回転させて行うレベリング・乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、
このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、基板を回転させて行うレベリングユニットと、
このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の塗布処理装置において、
前記除去処理は、基板の周縁に付着した塗布液の膜を除去するエッジリンスである塗布処理装置。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の塗布処理装置において、
前記除去処理は、基板の裏面に付着した塗布液を除去するバックリンスである塗布処理装置。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載の塗布処理装置を塗布処理部として備えるとともに、
塗布処理および露光処理された基板を現像処理する現像処理部と、前記塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置において、
前記塗布処理部は、前記複数個の個別の処理ユニット間で基板を搬送する専用搬送機構を備えている基板処理装置。
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