JP2009543338A - 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 - Google Patents
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Abstract
Description
この非仮出願の特許出願は、2006年7月7日に出願され、発明の名称が、「1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置」である米国仮出願第60/819,133の優先権を米国特許法第119条(e)に基づいて主張し、上記仮出願の全体は参照により本願に盛り込まれる。
本発明は、液体や気体を含む1つ以上の処理流体を用いてマイクロエレクトロニクス基板を処理するために用いられる道具のための隔壁板および分配アセンブリに関する。より特定的には、本発明は、改善された流体の流れ、流体の封じ込め、熱的適応、および/または乾燥能力を有する隔壁板および分配アセンブリを含むような道具に関する。
マイクロエレクトロニクス産業は、マイクロエレクトロニクス装置を製造するために様々な工程に頼る。多くの工程は、所望の製法にしたがって、様々な種類の処理流体が半製品に接触する一連の処理を含む。これらの流体は、液体、気体、またはそれの混合物であり得る。いくつかの処理においては、固体は、液体の中に漂いまたは溶解され、または気体中に引っ張られ得る。適切な廃棄処理、再生利用、気体の封じ込め、工程監視、工程制御、または他の操作を含む様々な理由のために、これらの処理流体を捕獲したり回収したりすることが非常に望ましい。
本発明は、液体、気体、流動化した固体、分散、これらの混合物などを含む1つ以上の処理材料によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するための道具を提供する。本発明は、迅速で効果的な濡れた表面の洗浄および/または乾燥のための方法を提供し、そして、半製品の上側に先細りの流路を画定するような形態で、処理される半製品の上に配置される隔壁板の様な移動可能の隔壁構造の下側表面を乾燥するために用いられるときに特に有利である。典型的な実施形態においては、隔壁構造の下側表面は、下側表面の液体を捕集および/または収容する機構(溝または他の表面の窪みまたはリム、タブまたは表面からの他の突起を含む)の機構が提供される。吸引および/または吸上げ技術は、そのときに、たとえば表面を乾燥するために、集められまたは収容された液体を除去するために用いられる。この技術は、同じ表面に接触させる乾燥気体または同種のものを組み合わせて用いられるときに、特に早く効果的である。吸引された流体は、様々な方法で抜き取られる。例えば、吸引の入口は、隔壁構造の下側表面に、外側端に、または隔壁構造に流体的に連通して配置されている分離された構成部品に配置され得る。
以下に記述される本発明の実施形態は、完全であること又は次の詳細な記述に開示されている明確な構造の発明に限定されることは意図されていない。むしろ、実施形態は、他の当業者が本発明の原理および実施を認識および理解するように、選ばれて記述されている。本発明は、マイクロエレクトロニクス基板の洗浄システムに基づいて特定の流体に関連して記述されているが、発明の原理は、他のマイクロエレクトロニクス処理システムにも適用可能である。
Claims (32)
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造と、
c)前記下側表面上の液体を効果的に隔壁板の下側表面から吸引しながら抜き取ることができる態様により、前記隔壁構造に流れが連通している吸引通路とを備える装置。 - 前記吸引通路は、吸引流路を含み、それぞれの吸引流路は、前記隔壁構造の前記下側表面に配置されている入口ポートと、前記隔壁構造の上側表面に配置されている出口ポートとの間に延びている、請求項1に記載の装置。
- 前記入口ポートは、前記隔壁構造の前記下側表面の外周の周りに分配されている、請求項2に記載の装置。
- 前記隔壁構造の前記上側表面は、前記隔壁構造の前記上側表面の外周の周りに延びる環状の谷部を更に備え、
前記出口ポートは、前記吸引流路を通じて前記隔壁構造の前記下側表面から引き抜かれる液体が、前記出口ポートを出て前記環状の谷部に流れるような態様で配置されている、請求項3に記載の装置。 - 前記隔壁構造の前記下側表面は、前記隔壁構造の前記下側表面から延びる環状リムを更に備え、
前記環状リムは、前記液体が前記吸引流路を介して吸引されて引き抜かれる様に、下側表面上の液体を回収する態様で、前記隔壁構造の前記下側表面に配置されている、請求項2に記載の装置。 - 前記隔壁構造の前記下側表面と前記半製品との間の距離は、前記隔壁構造の前記外周に向かう方向において先細りになっている、請求項2に記載の装置。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも部分的に前記半製品を覆い、外周を有する下側表面を含む隔壁構造と、
c)前記隔壁構造の前記下側表面上の液体を効果的に引きつけ、または収容する態様で装置の中に配置されている機構と、
d)引き付けられ、または収容された液体が隔壁板の前記下側表面から効果的に抜き取れる態様で、前記機構に近接した流体の入口を有する吸引通路とを備える装置。 - 前記機構は、前記隔壁構造の前記下側表面に配置され、
前記機構は、窪み、突起、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項7に記載の装置。 - 前記隔壁板の前記下側表面および前記機構は、親水性を有する、請求項7に記載の装置。
- 前記隔壁板の前記下側表面は、石英を含む材料から形成されている、請求項9に記載の装置。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)装置の処理室の中に前記半製品を配置する工程と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の少なくとも一部分の上に配置される下側表面を含み、半製品の上に配置される隔壁構造を提供する工程と、
c)前記処理室の中に液体を導く工程を含み、覆われた前記半製品が処理を受ける工程と、
d)前記隔壁構造の前記下側表面に集まる前記液体の一部分を吸引または吸い上げて除去する工程とを含む方法。 - a)本体の軸に垂直でない下側表面を有する環状の本体と、
b)前記下側表面の液体が抜き取られる前記下側表面に流れが連通する吸引または吸い上げ通路とを含む隔壁構造。 - 前記下側表面は、円錐形の表面、放物線状の表面、および多項式の表面からなる群から選ばれた形状の表面を有する、請求項12に記載の隔壁構造。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)少なくとも1つの処理材料の噴出しが前記処理室に導入される少なくとも1つのノズルと、
c)少なくとも1つの気体が前記処理室に導かれるベンチュリ形状の通路とを含む、装置。 - 処理の期間中に、前記半製品の上に配置されて、少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造を更に備え、
前記隔壁構造は、前記半製品の中央部の上に配置される開口した貫通穴を有しており、
前記ベンチュリ形状の通路は、前記貫通穴に流体的に接続されている、請求項14に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)装置の処理室の中に半製品を配置する工程と、
b)前記半製品の中央部の上に配置される開口した貫通穴を含み、前記半製品の上に配置される隔壁構造を提供する工程と、
c)前記半製品の上に処理材料を、霧を生成しながら噴出す工程と、
d)前記貫通穴に流体的に接続されているベンチュリ形状の通路を提供する工程と、
e)少なくとも前記噴出す工程の一部の期間中に、少なくとも1つの気体が前記処理室の中に効果的に前記霧を収容しておく方法で、前記ベンチュリ形状の通路を通じて流れる工程とを含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)噴出しを行なっている期間に開口した穴を有する室に前記半製品が配置されている間に、少なくとも1つの液体を前記半製品の上に噴出す工程と、
b)前記開口した穴に流体的に接続されている通路を提供する工程と、
c)前記室の中に噴出された液体を収容しておくことに役立つ前記通路を通じるガス流れを用いる工程と含む方法。 - 前記通路は、ベンチュリ形状の通路であり、
前記ガス流れは、噴出された液体を前記室の中に収容しておくことに役立つ前記ベンチュリ形状の通路を通じて加速される、請求項17に記載の方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)気体が分配される少なくとも第1のノズル開口の配列および液体が分配される少なくとも第2のノズル開口の配列と含む噴出し機構とを備え、
前記第1のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供するために、第1および第2のノズル開口の配列の外側の空いた空間において分配された気体および液体が効果的に霧化しながら衝突させる態様で、前記第2のノズル開口の配列に相対して配置されており、
第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、概して前記半製品の中心から少なくとも部分的に前記半製品の外周まで及ぶ半製品の上の足跡を有して効果的に噴出す態様で、前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有し、
前記半製品の上の噴出しの足跡は、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つのノズルの足跡の区間よりも小さな区間を有する装置。 - 前記半製品は、半径を有し、
前記噴出しは、前記半径に及ぶ半製品の上の足跡を有する、請求項19に記載の装置。 - 前記第1および第2のノズル開口の配列は、前記半製品の前記外周から前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有する、請求項19に記載の装置。
- 液体が分配される第3のノズル開口の配列を更に備え、
第1、第2および第3のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供する第1、第2、および第3のノズル開口の配列の外側の空いた空間において、分配された気体および液体が効果的に霧化しながら衝突させる態様で、互いに相対的に配置されている、請求項21に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)第1のノズル開口の配列から分配されるガス流れを生じる工程と、
b)第2のノズル開口の配列から分配される液体の流れを生じる工程と、
c)気体および液体の流れが前記半製品に接触する噴出しを効果的に生成する条件下で、霧化されながら衝突する工程と含み、前記半製品は、中心および半径を有し、
前記半製品の上の前記噴出しの足跡は、概して前記半製品の半径に対応し、そして、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、前記半製品の上の噴出しの足跡よりも大きな分配の足跡を有し、前記分配の足跡が前記半製品の中心を通り過ぎて延びている方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)前記半製品の上に噴出しを分配する相対的に小さな熱容量の噴出し機構と、
b)前記半製品の上に配置され、相対的に高い熱容量の隔壁板とを備え、前記隔壁板は、前記噴出しが前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの穴を含む装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
半製品の上側に材料を分配するために請求項24に従った装置を用いる工程を含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)流体の材料が半製品に向かって分配される少なくとも1つのノズル開口の配列を有する噴出し機構と、
b)前記流体の材料が前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの穴を有する隔壁板と、
c)前記噴出し機構と前記隔壁板との間に配置されている弾性要素とを備える装置。 - 前記噴出し機構は、第1の熱膨張率を有し、前記隔壁板は、前記第1の熱膨張率と異なる第2の熱膨張率を有し、
前記弾性要素は、前記噴出し機構と前記隔壁板との間の熱膨張率の差に効果的に適応する態様で、前記噴出し機構と前記隔壁板との間に介在する、請求項26に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
半製品の上に材料を分配する請求項26に従った装置を用いる工程を含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に、半製品が配置される処理室と、
b)前記半製品の中央部の上に配置される開口および貫通した第1の穴を有し、前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、少なくとも部分的に覆う下側表面を含む隔壁構造と、
c)気体が分配される少なくとも第1のノズル開口の配列と、液体が分配される少なくとも第2のノズル開口の配列と含む噴出し機構であって、前記第1のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供するために、分配された気体および液体が、第1および第2のノズル開口の配列の外側の空いた空間において効果的に霧化しながら衝突させる態様により、前記第2のノズル開口の配列に相対して配置されており、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、概して前記半製品の中心から少なくとも部分的に前記半製品の外周まで及ぶ半製品の上の足跡を有して効果的に噴出す態様で、前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有し、前記半製品の上の噴出しの足跡は、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つのノズルの足跡の区間よりも小さな区間を有する噴出し機構と、
d)前記隔壁構造の前記下側表面に存在する液体を効果的に引きつけ、または収容する態様で装置に配置されている機構と、
e)前記下側表面に存在する液体が効果的に前記隔壁構造の前記下側表面から抜き取られる態様により、前記隔壁構造に流体的に連通する吸引または吸い上げの通路と、
f)前記隔壁構造の第1の穴と流体的に接続され、少なくとも1つの気体が通って処理室に導かれるベンチュリ形状の通路とを備える装置。 - 前記隔壁構造は、前記噴出しが前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの第2の穴を更に備え、
前記噴出し機構は、第1の熱膨張率を有し、前記隔壁構造は、前記第1の熱膨張率と異なる第2の熱膨張率を有し、
前記噴出し機構と前記隔壁構造との間の熱膨張率の差に効果的に適用する態様で、前記噴出し機構と前記隔壁構造との間に介在する弾性要素を更に備える、請求項29に記載装置。 - 前記隔壁板の前記下側表面および前記機構は親水性である、請求項29に記載の装置。
- 前記隔壁板の前記下側表面は、石英を含む材料から形成されている、請求項31に記載の装置。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2013153200A (ja) * | 2008-05-09 | 2013-08-08 | Tell Fsi Inc | 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法 |
JP2016507157A (ja) * | 2013-01-22 | 2016-03-07 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 基板からカーボン材料を除去する方法 |
JP2017504182A (ja) * | 2013-11-13 | 2017-02-02 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | マイクロ電子デバイス及びその前駆体を製作するために酸性化学物質を使用した場合の改善されたチャンバの洗浄 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8544483B2 (en) * | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP2009543338A (ja) | 2006-07-07 | 2009-12-03 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
US7819984B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-10-26 | Fsi International, Inc. | Process for treatment of substrates with water vapor or steam |
JP4938892B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2012-05-23 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 一種類以上の処理流体により超小型電子半製品をプロセス処理すべく使用されるツールにおける隔壁板およびベンチュリ状封じ込めシステムのための洗浄方法および関連装置 |
US20100124410A1 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-20 | Fsi International, Inc. | System for supplying water vapor in semiconductor wafer treatment |
CN102834182B (zh) * | 2010-04-27 | 2016-11-02 | 泰尔Fsi公司 | 在邻近基板表面处的受控流体混合情况下的微电子基板的湿处理 |
TWI579889B (zh) * | 2010-06-11 | 2017-04-21 | 東京電子Fsi股份有限公司 | 用於處理至少一微電子工作件之裝置及清洗一裝置之方法 |
US9059104B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-06-16 | Tel Fsi, Inc. | Process for selectively removing nitride from substrates |
US9573297B2 (en) * | 2011-11-21 | 2017-02-21 | Reza Reza Youssefi | Method and system for enhancing polymerization and nanoparticle production |
US9038262B2 (en) * | 2012-02-23 | 2015-05-26 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Device for holding disk-shaped articles and method thereof |
TWI576938B (zh) * | 2012-08-17 | 2017-04-01 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US9691641B2 (en) * | 2012-12-13 | 2017-06-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method of cleaning wafers |
US9017568B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-04-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for increasing the hydrophilicity of silicon surfaces following HF treatment |
US10262880B2 (en) | 2013-02-19 | 2019-04-16 | Tokyo Electron Limited | Cover plate for wind mark control in spin coating process |
JP6448064B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | スピンコーティングにおける欠陥制御のためのカバープレート |
CN104384040A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-04 | 江苏利诺科技发展有限公司 | 一种雾化镀膜装置 |
CN104338656A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-11 | 江苏利诺科技发展有限公司 | 一种防水镀膜装置 |
CN104438010B (zh) * | 2014-11-27 | 2016-09-07 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于非气密性倒装焊器件真空涂覆工艺的装置 |
CN104572198B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-04-10 | 华为技术有限公司 | 一种业务恢复方法及装置 |
US10167552B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-01-01 | Lam Research Ag | Spin chuck with rotating gas showerhead |
EP3280539B1 (en) * | 2015-04-09 | 2019-02-13 | Husqvarna AB | Spray head and spraying apparatus |
US10139104B2 (en) * | 2016-06-02 | 2018-11-27 | Steris Instrument Management Services, Inc. | Hand held flow-through steam system |
JP6762824B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2020-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US20190070639A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Applied Materials, Inc. | Automatic cleaning machine for cleaning process kits |
TWI664023B (zh) * | 2018-02-06 | 2019-07-01 | 漢民科技股份有限公司 | 漿料噴塗遮罩及漿料噴塗治具 |
CN110620031B (zh) * | 2018-06-20 | 2022-02-11 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种晶圆表面颗粒清洗装置 |
CN108906462B (zh) * | 2018-07-23 | 2020-04-14 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种用于半导体湿法工艺设备的液体雾化装置 |
CN111940159B (zh) * | 2019-05-14 | 2023-05-26 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种晶圆表面颗粒清洗双旋喷嘴 |
CN113134434B (zh) * | 2020-01-17 | 2024-03-29 | 上海芯源微企业发展有限公司 | 晶圆表面颗粒清洗喷嘴 |
WO2022155044A1 (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Elemental Scientific, Inc. | Shaped-channel scanning nozzle for scanning of a material surface |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09314019A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Toshiba Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
JP2005039205A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (170)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3836329A (en) * | 1971-10-22 | 1974-09-17 | Damon Corp | Method and apparatus for removing liquid from containers |
US3990462A (en) | 1975-05-19 | 1976-11-09 | Fluoroware Systems Corporation | Substrate stripping and cleaning apparatus |
JPS605530Y2 (ja) | 1979-09-05 | 1985-02-21 | 東光電気株式会社 | 樹脂モ−ルドコイル |
JPS611699Y2 (ja) | 1980-03-27 | 1986-01-21 | ||
JPS605530B2 (ja) | 1980-07-30 | 1985-02-12 | 博 石塚 | 特にZrCI↓4とHfCI↓4の分離に適する蒸溜装置 |
JPS5922792A (ja) | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 感熱記録体用塗液の調成法 |
JPS6055530A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPS605530A (ja) | 1984-04-25 | 1985-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ洗浄装置 |
JPS611699A (ja) | 1984-06-11 | 1986-01-07 | ジ アツプジヨン カンパニー | 16α‐メチル化法 |
US4801335A (en) | 1984-07-02 | 1989-01-31 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
US4609575A (en) | 1984-07-02 | 1986-09-02 | Fsi Corporation | Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system |
US4682615A (en) | 1984-07-02 | 1987-07-28 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
JP2555034B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
JPH0537217Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1993-09-21 | ||
AT389959B (de) | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
CH675762A5 (ja) | 1988-10-03 | 1990-10-31 | Peter Huerlimann | |
US5246526A (en) * | 1989-06-29 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment apparatus |
US5271774A (en) | 1990-03-01 | 1993-12-21 | U.S. Philips Corporation | Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate |
JP2555034Y2 (ja) | 1991-02-12 | 1997-11-19 | 三菱自動車エンジニアリング株式会社 | 遊星歯車機構 |
US5395649A (en) | 1992-02-04 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Spin coating apparatus for film formation over substrate |
DE59407361D1 (de) | 1993-02-08 | 1999-01-14 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Träger für scheibenförmige Gegenstände |
CA2099711A1 (en) * | 1993-06-29 | 1994-12-30 | Kevin Peter Kowalchuk | Method and apparatus for cleaning optical surfaces |
US5472502A (en) * | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
US5571560A (en) | 1994-01-12 | 1996-11-05 | Lin; Burn J. | Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device |
JP3415670B2 (ja) | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
US5783025A (en) | 1994-06-07 | 1998-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Optical diebonding for semiconductor devices |
KR0125238Y1 (ko) * | 1994-11-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 웨이퍼 세척장치 |
US5853961A (en) * | 1995-04-19 | 1998-12-29 | Tokyo Electron Limited | Method of processing substrate and apparatus for processing substrate |
JP3337870B2 (ja) | 1995-05-11 | 2002-10-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板洗浄装置 |
JPH08316190A (ja) | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
TW406216B (en) | 1995-05-24 | 2000-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for coating resist on substrate |
JP3504023B2 (ja) | 1995-05-26 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP3983831B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
US6239038B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
US6065424A (en) | 1995-12-19 | 2000-05-23 | Cornell Research Foundation, Inc. | Electroless deposition of metal films with spray processor |
JP3377909B2 (ja) | 1996-02-28 | 2003-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
DE29606472U1 (de) * | 1996-04-09 | 1996-07-11 | Cyanamid Agrar Gmbh & Co Kg | Großgebinde-Mehrwegsystem für Flüssigprodukte, insbesondere für Pflanzenschutzmittel |
US5900059A (en) | 1996-05-29 | 1999-05-04 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal |
TW346649B (en) | 1996-09-24 | 1998-12-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Method for wet etching a film |
KR100277522B1 (ko) | 1996-10-08 | 2001-01-15 | 이시다 아키라 | 기판처리장치 |
JP3245813B2 (ja) * | 1996-11-27 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
JPH1133506A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Tadahiro Omi | 流体処理装置及び洗浄処理システム |
JPH10163154A (ja) | 1996-12-25 | 1998-06-19 | Sugai:Kk | 基板洗浄方法および装置 |
JPH10199852A (ja) | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JPH10209102A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6207920B1 (en) * | 1997-02-21 | 2001-03-27 | Lincoln Global, Inc. | Method and system for welding railroad rails |
US6069333A (en) * | 1997-02-21 | 2000-05-30 | Lincoln Global, Inc. | Method and system for welding railroad rails |
AT405655B (de) | 1997-03-26 | 1999-10-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände |
AT407586B (de) | 1997-05-23 | 2001-04-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
TW402737B (en) | 1997-05-27 | 2000-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning/drying device and method |
JPH10335286A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Sony Corp | 半導体基板洗浄装置 |
JPH118213A (ja) | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Komatsu Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
JPH1154466A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Tamotsu Mesaki | 半導体ウエハー等の表面処理方法 |
JPH1154471A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JPH11129184A (ja) | 1997-09-01 | 1999-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬入搬出装置 |
JP3555724B2 (ja) | 1997-09-04 | 2004-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6398975B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
US6491764B2 (en) | 1997-09-24 | 2002-12-10 | Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
US6260562B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
US6332470B1 (en) | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
JP3333135B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2002-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2000124181A (ja) | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6139636A (en) | 1998-11-12 | 2000-10-31 | United Microelectronics Corp. | Spray coating device |
DE19854743A1 (de) | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
JP2000286267A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
EP1052682B1 (de) | 1999-04-28 | 2002-01-09 | SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
US6221781B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-04-24 | Fsi International, Inc. | Combined process chamber with multi-positionable pedestal |
JP2000340540A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hitachi Koki Co Ltd | 超臨界乾燥装置 |
AT407680B (de) | 1999-06-04 | 2001-05-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen |
JP2001015481A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング装置 |
CH693822A5 (fr) * | 1999-07-07 | 2004-02-27 | Marcel Leisi | Tête de pulvérisation. |
TW504776B (en) | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
JP4257816B2 (ja) | 2000-03-16 | 2009-04-22 | 三益半導体工業株式会社 | 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置 |
US6299804B1 (en) | 1999-09-16 | 2001-10-09 | Husky Injection Molding Systems Ltd. | Air cooling system for preform molding |
JP4426036B2 (ja) | 1999-12-02 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US6243966B1 (en) | 1999-12-10 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Air amplifier with uniform output flow pattern |
JP2001189260A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
US6533954B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-03-18 | Parker-Hannifin Corporation | Integrated fluid injection air mixing system |
US6594847B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-07-22 | Lam Research Corporation | Single wafer residue, thin film removal and clean |
EP1204139A4 (en) | 2000-04-27 | 2010-04-28 | Ebara Corp | SUPPORT AND ROTATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING DEVICE |
US7364625B2 (en) | 2000-05-30 | 2008-04-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing processes and equipment |
EP1290720A1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-03-12 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
US7451774B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
US6927176B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
US20020063169A1 (en) | 2000-06-26 | 2002-05-30 | Applied Materials, Inc. | Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus |
US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
US6536454B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-03-25 | Sez Ag | Device for treating a disc-shaped object |
WO2002004134A1 (en) | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Fsi International, Inc. | Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices |
US6393656B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-05-28 | Oreck Holdings, Llc | Belt-mounted vacuum apparatus and methods |
US6688784B1 (en) * | 2000-10-25 | 2004-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure |
US6705331B2 (en) | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
JP2002246358A (ja) | 2001-02-05 | 2002-08-30 | Applied Materials Inc | ウェハ検出装置、洗浄乾燥装置およびメッキ装置 |
US20020125188A1 (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | Hacker John R. | Liquid filter having interchangeable spin-on canister filter and cartridge filter, and methods |
JP4037624B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP3511514B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-03-29 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 |
JP2002359220A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
EP1406751A2 (en) | 2001-07-13 | 2004-04-14 | FSI International | Robotic system control |
US7171973B2 (en) | 2001-07-16 | 2007-02-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP3958539B2 (ja) | 2001-08-02 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003073847A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-12 | Araco Corp | 耐食性複層構造材の製造方法 |
JP2003086564A (ja) | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置 |
JP3749848B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-03-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置 |
AU2002334796A1 (en) | 2001-10-03 | 2003-04-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
US20030070695A1 (en) | 2001-10-16 | 2003-04-17 | Applied Materials, Inc. | N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate |
JP3892792B2 (ja) | 2001-11-02 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
US6776359B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-08-17 | Kolene Corporation | Spray nozzle configuration |
US20040062874A1 (en) | 2002-08-14 | 2004-04-01 | Kim Yong Bae | Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer |
US6826910B1 (en) | 2002-01-28 | 2004-12-07 | Mark Richard Easton | Extreme charger with air amplifier |
TWI261875B (en) | 2002-01-30 | 2006-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and substrate processing method |
JP4074814B2 (ja) | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3979113B2 (ja) | 2002-02-12 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置 |
US6913651B2 (en) | 2002-03-22 | 2005-07-05 | Blue29, Llc | Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates |
JP4570008B2 (ja) | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2004031400A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
US6861861B2 (en) * | 2002-07-24 | 2005-03-01 | Lg Electronics Inc. | Device for compensating for a test temperature deviation in a semiconductor device handler |
JP4005879B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
US7584760B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP4146709B2 (ja) | 2002-10-31 | 2008-09-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7531039B2 (en) | 2002-09-25 | 2009-05-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
US7389783B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
KR100493849B1 (ko) | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조 장치 |
US7293571B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
KR100466297B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
JP4133209B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2008-08-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 高圧処理装置 |
US7022193B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-04-04 | In Kwon Jeong | Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone |
US7051743B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-05-30 | Yong Bae Kim | Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone |
JP3759492B2 (ja) | 2002-12-03 | 2006-03-22 | 近藤工業株式会社 | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
CN100446179C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-12-24 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
US7306002B2 (en) | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
KR20040067330A (ko) * | 2003-01-22 | 2004-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 모드 스위치 장치 |
JP2004265912A (ja) | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理装置 |
WO2004070807A1 (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Personal Creation Ltd. | 基板の処理装置及び基板の処理方法 |
JP2004265911A (ja) | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理装置 |
JP4105574B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-06-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4560040B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-10-13 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ処理のためのチャンバおよび方法 |
US7357115B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-15 | Lam Research Corporation | Wafer clamping apparatus and method for operating the same |
WO2004094702A2 (en) | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-chemistry plating system |
US7520939B2 (en) | 2003-04-18 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Integrated bevel clean chamber |
US7089076B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-08-08 | Fsi International, Inc. | Scheduling multi-robot processing systems |
US20050029788A1 (en) * | 2003-05-28 | 2005-02-10 | Nobuyuki Katsuda | Inflator |
US7827930B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
JP2005167089A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
JP4409312B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
US7323080B2 (en) * | 2004-05-04 | 2008-01-29 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP4288207B2 (ja) | 2004-05-25 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
JP2005353739A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2006005315A (ja) | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4347766B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006060161A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4271109B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2006086474A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Sharp Corp | 基板洗浄用ノズルおよび基板洗浄装置 |
JP2006093497A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
US7476616B2 (en) | 2004-12-13 | 2009-01-13 | Fsi International, Inc. | Reagent activator for electroless plating |
JP4410119B2 (ja) | 2005-02-03 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法 |
US8544483B2 (en) | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8070884B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-12-06 | Fsi International, Inc. | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance |
US7309847B2 (en) | 2006-01-12 | 2007-12-18 | Carleton Life Support Systems, Inc. | Ceramic oxygen generating oven |
JP4641964B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009543338A (ja) | 2006-07-07 | 2009-12-03 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
CN101495248A (zh) | 2006-07-07 | 2009-07-29 | Fsi国际公司 | 液体气溶胶颗粒去除方法 |
JP4644170B2 (ja) | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20080213076A1 (en) | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Stephen Hanson | Edge grip end effector |
US7819984B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-10-26 | Fsi International, Inc. | Process for treatment of substrates with water vapor or steam |
JP4938892B2 (ja) | 2007-08-07 | 2012-05-23 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 一種類以上の処理流体により超小型電子半製品をプロセス処理すべく使用されるツールにおける隔壁板およびベンチュリ状封じ込めシステムのための洗浄方法および関連装置 |
KR20130083940A (ko) | 2008-05-09 | 2013-07-23 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
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2015
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09314019A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Toshiba Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
JP2005039205A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153200A (ja) * | 2008-05-09 | 2013-08-08 | Tell Fsi Inc | 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法 |
JP2016507157A (ja) * | 2013-01-22 | 2016-03-07 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 基板からカーボン材料を除去する方法 |
JP2017504182A (ja) * | 2013-11-13 | 2017-02-02 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | マイクロ電子デバイス及びその前駆体を製作するために酸性化学物質を使用した場合の改善されたチャンバの洗浄 |
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