JP2013102184A - 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品との間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。
【選択図】図2
Description
この非仮出願の特許出願は、2006年7月7日に出願され、発明の名称が、「1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置」である米国仮出願第60/819,133の優先権を米国特許法第119条(e)に基づいて主張し、上記仮出願の全体は参照により本願に盛り込まれる。
Claims (32)
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に前期半製品が配置される処理室と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造と、
c)前記下側表面上の液体を効果的に隔壁板の下側表面から吸引しながら抜き取ることができる態様により、前記隔壁構造に流れが連通している吸引通路とを備える装置。 - 前記吸引通路は、吸引流路を含み、それぞれの吸引流路は、前記隔壁構造の前記下側表面に配置されている入口ポートと、前記隔壁構造の上側表面に配置されている出口ポートとの間に延びている、請求項1に記載の装置。
- 前記入口ポートは、前記隔壁構造の前記下側表面の外周の周りに分配されている、請求項2に記載の装置。
- 前記隔壁構造の前記上側表面は、前記隔壁構造の前記上側表面の外周の周りに延びる環状の谷部を更に備え、
前記出口ポートは、前記吸引流路を通じて前記隔壁構造の前記下側表面から引き抜かれる液体が、前記出口ポートを出て前記環状の谷部に流れるような態様で配置されている、請求項3に記載の装置。 - 前記隔壁構造の前記下側表面は、前記隔壁構造の前記下側表面から延びる環状リムを更に備え、
前記環状リムは、前記液体が前記吸引流路を介して吸引されて引き抜かれる様に、下側表面上の液体を回収する態様で、前記隔壁構造の前記下側表面に配置されている、請求項2に記載の装置。 - 前記隔壁構造の前記下側表面と前記半製品との間の距離は、前記隔壁構造の前記外周に向かう方向において先細りになっている、請求項2に記載の装置。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも部分的に前記半製品を覆い、外周を有する下側表面を含む隔壁構造と、
c)前記隔壁構造の前記下側表面上の液体を効果的に引きつけ、または収容する態様で装置の中に配置されている機構と、
d)引き付けられ、または収容された液体が隔壁板の前記下側表面から効果的に抜き取れる態様で、前記機構に近接した流体の入口を有する吸引通路とを備える装置。 - 前記機構は、前記隔壁構造の前記下側表面に配置され、
前記機構は、窪み、突起、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項7に記載の装置。 - 前記隔壁板の前記下側表面および前記機構は、親水性を有する、請求項7に記載の装置。
- 前記隔壁板の前記下側表面は、石英を含む材料から形成されている、請求項9に記載の装置。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)装置の処理室の中に前記半製品を配置する工程と、
b)前記処理の期間中に前記半製品の少なくとも一部分の上に配置される下側表面を含み、前記半製品の上に配置される隔壁構造を提供する工程と、
c)前記処理室の中に液体を導く工程を含み、覆われた前記半製品が処理を受ける工程と、
d)前記隔壁構造の前記下側表面に集まる前記液体の一部分を吸引して除去しまたは毛細管現象によって除去する工程とを含む方法。 - a)本体の軸に垂直でない下側表面を有する環状の本体と、
b)前記下側表面の液体が抜き取られる前記下側表面に流れが連通する吸引通路または毛細管現象通路とを含む隔壁構造。 - 前記下側表面は、円錐形の表面、放物線状の表面、および多項式の表面からなる群から選ばれた形状の表面を有する、請求項12に記載の隔壁構造。
- マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
b)少なくとも1つの処理材料の噴出しが前記処理室に導入される少なくとも1つのノズルと、
c)少なくとも1つの気体が前記処理室に導かれるベンチュリ形状の通路とを含む、装置。 - 処理の期間中に、前記半製品の上に配置されて、少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造を更に備え、
前記隔壁構造は、前記半製品の中央部の上に配置される開口した貫通穴を有しており、
前記ベンチュリ形状の通路は、前記貫通穴に流体的に接続されている、請求項14に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)装置の処理室の中に半製品を配置する工程と、
b)前記半製品の中央部の上に配置される開口した貫通穴を含み、前記半製品の上に配置される隔壁構造を提供する工程と、
c)前記半製品の上に処理材料を、霧を生成しながら噴出す工程と、
d)前記貫通穴に流体的に接続されているベンチュリ形状の通路を提供する工程と、
e)少なくとも前記噴出す工程の一部の期間中に、少なくとも1つの気体が前記処理室の中に効果的に前記霧を収容しておく方法で、前記ベンチュリ形状の通路を通じて流れる工程とを含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)噴出しを行なっている期間に開口した穴を有する室に前記半製品が配置されている間に、少なくとも1つの液体を前記半製品の上に噴出す工程と、
b)前記開口した穴に流体的に接続されている通路を提供する工程と、
c)前記室の中に噴出された液体を収容しておくことに役立つ前記通路を通じる気体の流れを用いる工程と含む方法。 - 前記通路は、ベンチュリ形状の通路であり、
前記気体の流れは、噴出された液体を前記室の中に収容しておくことに役立つ前記ベンチュリ形状の通路を通じて加速される、請求項17に記載の方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に前記半製品が配置される処理室と、
b)気体が分配される少なくとも第1のノズル開口の配列と、液体が分配される少なくとも第2のノズル開口の配列とを含む噴出し機構であって、
前記第1のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供するために、前記第1および第2のノズル開口の配列の外側の空いた空間において、分配された気体および液体を効果的に霧化させて衝突させる態様で、前記第2のノズル開口の配列に対して配置されており、
前記第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、概して前記半製品の中心から少なくとも部分的に前記半製品の外周まで及ぶ半製品の上の足跡を有する噴出しを効果的に提供する態様で、前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有し、
前記半製品の上の噴出しの足跡は前記第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つのノズルの足跡の区間よりも小さな区間を有する、噴出し機構と
を備える、装置。 - 前記半製品は、半径を有し、
前記噴出しは、前記半径に及ぶ半製品の上の足跡を有する、請求項19に記載の装置。 - 前記第1および第2のノズル開口の配列は、前記半製品の前記外周から前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有する、請求項19に記載の装置。
- 液体が分配される第3のノズル開口の配列を更に備え、
前記第1、第2および第3のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供するために、前記第1、第2、および第3のノズル開口の配列の外側の空いた空間において、分配された気体および液体を効果的に霧化させて衝突させる態様で、互いに対して配置されている、請求項21に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
a)第1のノズル開口の配列から気体の流れを分配する工程と、
b)第2のノズル開口の配列から液体の流れを分配する工程と、
c)前記半製品に接触する噴出しを生成するのに効果的な条件下で、前記気体および液体の流れを霧化させて衝突させる工程とを含み、前記半製品は、中心および半径を有し、
前記半製品の上の噴出しの足跡は概して前記半製品の半径に相当し、前記第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、前記半製品の上の噴出しの足跡よりも大きな分配の足跡を有し、該分配の足跡が前記半製品の中心を通り過ぎて延びている、方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)前記半製品の上に噴出しを分配する相対的に小さな熱容量の噴出し機構と、
b)前記半製品の上に配置され、相対的に高い熱容量の隔壁板とを備え、前記隔壁板は、前記噴出しが前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの穴を含む装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
半製品の上側に材料を分配するために請求項24に従った装置を用いる工程を含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)流体の材料が半製品に向かって分配される少なくとも1つのノズル開口の配列を有する噴出し機構と、
b)前記流体の材料が前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの穴を有する隔壁板と、
c)前記噴出し機構と前記隔壁板との間に配置されている弾性要素とを備える装置。 - 前記噴出し機構は、第1の熱膨張率を有し、前記隔壁板は、前記第1の熱膨張率と異なる第2の熱膨張率を有し、
前記弾性要素は、前記噴出し機構と前記隔壁板との間の熱膨張率の差に効果的に適応する態様で、前記噴出し機構と前記隔壁板との間に介在する、請求項26に記載の装置。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
半製品の上に材料を分配する請求項26に従った装置を用いる工程を含む方法。 - マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
a)処理の期間中に、半製品が配置される処理室と、
b)前記半製品の中央部の上に配置される開口および貫通した第1の穴を有し、前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、少なくとも部分的に覆う下側表面を含む隔壁構造と、
c)気体が分配される少なくとも第1のノズル開口の配列と、液体が分配される少なくとも第2のノズル開口の配列と含む噴出し機構であって、前記第1のノズル開口の配列は、前記半製品に接触する噴出しを提供するために、第1および第2のノズル開口の配列の外側の空いた空間において、分配された気体および液体を効果的に霧化させながら衝突させる態様で、前記第2のノズル開口の配列に対して配置されており、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つは、概して前記半製品の中心から少なくとも部分的に前記半製品の外周まで及ぶ半製品の上の足跡を有する噴出しを効果的に提供する態様で、前記半製品の中心を通り過ぎて延びるノズルの足跡を有し、前記半製品の上の噴出しの足跡は、第1および第2のノズル開口の配列の少なくとも1つのノズルの足跡の区間よりも小さな区間を有する、噴出し機構と、
d)前記隔壁構造の前記下側表面に存在する液体を効果的に引きつけ、または収容する態様で装置に配置されている機構と、
e)前記下側表面に存在する液体が効果的に前記隔壁構造の前記下側表面から抜き取られる態様により、前記隔壁構造に流体的に連通する吸引通路または毛細管現象通路と、
f)前記隔壁構造の第1の穴と流体的に接続され、少なくとも1つの気体が通って処理室に導かれるベンチュリ形状の通路とを備える装置。 - 前記隔壁構造は、前記噴出しが前記半製品に向かって分配される少なくとも1つの第2の穴を更に備え、
前記噴出し機構は、第1の熱膨張率を有し、前記隔壁構造は、前記第1の熱膨張率と異なる第2の熱膨張率を有し、
前記噴出し機構と前記隔壁構造との間の熱膨張率の差に効果的に適用する態様で、前記噴出し機構と前記隔壁構造との間に介在する弾性要素を更に備える、請求項29に記載装置。 - 前記隔壁板の前記下側表面および前記機構は親水性である、請求項29に記載の装置。
- 前記隔壁板の前記下側表面は、石英を含む材料から形成されている、請求項31に記載の装置。
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