JP3333135B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents

熱処理装置及び熱処理方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて液晶表示装置（以下、液晶表示装置を「ＬＣ
Ｄ」と記す。）を製造するＬＣＤ製造システム内に組み
込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置や熱処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、
ＬＣＤ用ガラス基板のことを単に「ガラス基板」とい
う。）に熱処理を施す熱処理装置としては、ヒータや冷
却体などを内蔵した熱処理盤の上面に真空引きなどでガ
ラス基板を吸着し、ガラス基板の下面と熱処理盤の上面
とを接触させ、この状態で熱処理盤からガラス基板へ直
接熱量のやりとりを行う直接接触型の熱処理装置が用い
られていた。
【０００３】この直接接触型熱処理装置では、被処理体
であるガラス基板に熱処理盤が接触した状態で直接熱量
の移動が行われるため、熱量のやりとりの効率が高く、
短時間でしかも均一にガラス基板を熱処理できるという
長所を備えている。
【０００４】しかし、この直接接触型熱処理装置では、
ガラス基板と熱処理盤との間に摩擦が起きやすい。摩擦
が起きるとガラス基板に静電気が蓄積され、この静電気
が所定量を越えると静電破壊が起きる。この静電破壊が
起きるときの電圧は数十キロボルトと極めて高く、ガラ
ス基板に著しいダメージを与える。そのため、この静電
破壊はＬＣＤの歩留まりを低下させる主要因のひとつで
あり、この静電破壊をいかに防止するかが重要な課題と
なっている。
【０００５】この静電破壊を防止する一つの方法として
非接触型の熱処理方法が挙げられる。この非接触型の熱
処理方法は、熱処理盤の上面に微小な突起を多数設けて
おき、ガラス基板を熱処理盤上にセットしたとき、ガラ
ス基板の下面はこの突起の先端のみと接触し、他の大部
分は熱処理盤の上面と離間した状態で支持される。そし
て熱処理盤からの熱量は熱処理盤の上面とガラス基板の
下面との間に形成される僅かな間隙中に存在する空気を
介して伝達されるようになっている。
【０００６】この非接触型の熱処理装置では、確かに摩
擦による静電気の発生は抑制されるため、静電破壊によ
るガラス基板の損失は小さいという利点がある。
【０００７】しかるに、この非接触型の熱処理装置で
は、ガラス基板への熱量の伝達を空気層を介して間接的
に行うため、ガラス基板への熱量の伝達に時間がかかり
過ぎるといった問題や、或いは、ガラス基板に均一に熱
量が伝わり難いため、均一な熱処理を行うのが困難であ
るという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたものである。
【０００９】すなわち、本発明は静電破壊を起こすこと
のない熱処理装置や熱処理方法を提供することを目的と
する。
【００１０】また、本発明はガラス基板全体にわたって
均一な熱処理を施すことのできる熱処理装置や熱処理方
法を提供することを目的とする。
【００１１】更に、本発明は迅速に熱処理を行うことの
できる熱処理装置や熱処理方法を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の熱処理装置は、被処理基板を載置す
る熱処理盤と、前記熱処理盤上面上に配設された吸着口
と、前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、前記真
空供給系の真空度を制御する手段と、前記熱処理盤上面
上に配設された微小突起であって、前記真空度を上昇さ
せたときに前記被処理基板が前記熱処理盤と接触し、前
記真空度を低下させたときに前記被処理基板と前記熱処
理盤とが離間するような位置及び高さに形成され、か
つ、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の各辺の中
点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されている微小突起
と、を具備する。
【００１３】請求項２記載の熱処理装置は、被処理基板
を載置する熱処理盤と、前記熱処理盤上面上に配設され
た吸着口と、前記吸着口に真空を供給する真空供給系
と、前記真空供給系の真空度を制御する手段と、前記熱
処理盤上面上に配設された微小突起であって、前記真空
度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処理盤と
接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処理基板
と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さに形成
され、かつ、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の
四隅と各辺の中点の位置に配設されている微小突起と、
を具備する。
【００１４】請求項３記載の熱処理装置は、請求項１又
は２記載の熱処理装置であって、前記微小突起の高さが
前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍであること
を特徴とする。
【００１５】請求項４記載の熱処理装置は、被処理基板
を加熱する熱処理盤と、前記被処理基板を複数点で支持
して前記熱処理盤と前記被処理基板とを近接及び／又は
離間させる移載手段と、この移載手段により支持された
状態で前記被処理基板を前記熱処理盤側に吸引により接
触自在に構成された吸引手段と、を具備する。
【００１６】請求項５記載の熱処理装置は、請求項４記
載の熱処理装置であって、前記吸引手段の吸引量を調節
する吸引量調節手段を具備し、この吸引量調節手段によ
り前記被処理基板を前記熱処理盤に接触させる又は所定
の間隔に維持して前記被処理基板を処理するように構成
されたことを特徴とする。
【００１７】請求項６記載の熱処理装置は、請求項４又
は５に記載の熱処理装置であって、前記移載手段は、前
記熱処理盤上に配設された貫通孔を介して前記熱処理盤
上面上から出没可能に配設されたピンと、このピンを駆
動する駆動手段と、を具備することを特徴とする。
【００１８】請求項７記載の熱処理装置は、請求項４又
は５に記載の熱処理装置であって、前記移載手段は、前
記熱処理盤上面上から出没可能に配設されたピンと、こ
のピンを駆動する圧電素子と、この圧電素子へ駆動電圧
を供給する電圧供給系と、を具備することを特徴とす
る。
【００１９】請求項８記載の熱処理装置は、被処理基板
を加熱又は冷却する熱処理盤と、前記熱処理盤上面上に
配設された吸着口と、前記吸着口に真空を供給する真空
供給系と、前記真空供給系の真空度を制御する手段と、
前記熱処理盤上面上に配設された微小突起であって、前
記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
理基板と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さ
に形成されている微小突起と、を具備し、前記真空度を
制御する手段は、真空を作用させて前記被処理基板と前
記熱処理盤との間の空気を前記吸着口から抜いて前記被
処理基板を湾曲させ、湾曲した底の部分を前記熱処理盤
の上面に直接接触させて前記被処理基板と前記熱処理盤
との間で熱量を移動させ、その後、真空引きを停止させ
て前記被処理基板の剛性による湾曲の解消と、前記被処
理基板と前記熱処理盤との間の空気の流れ込みとにより
前記被処理基板と前記熱処理盤とを徐々に離間させ、前
記被処理基板と前記熱処理盤の間の空気層を介して前記
被処理基板と前記熱処理盤との間で熱量を移動させるよ
うに前記真空系の真空度を制御することを特徴とする。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】請求項９記載の熱処理方法は、被処理基板
を加熱又は冷却する熱処理方法であって、前記被処理基
板と所定位置に微小突起を備えた熱処理盤との間に負圧
を作用させて前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触さ
せて前記被処理基板と前記熱処理盤との間で熱量を移動
させる工程と、その後、前記負圧を低下させて前記被処
理基板と前記熱処理盤とを微小距離離間させて前記被処
理基板と前記熱処理盤との間の空気を介して前記被処理
基板と前記熱処理盤との間で熱量を移動させる工程と、
を具備する。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】本発明の熱処理装置では、前記真空の強さ
を制御することにより所定のタイミングで前記被処理基
板と前記熱処理盤とを接離させることができる。
【００２９】即ち、熱処理開始直後の移動する熱量が大
きい時期は真空の強さを大きくして前記被処理基板と前
記熱処理盤とを接触させる。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空の強さを小さくす
る。すると被処理基板は自らの剛性で真っ直ぐに戻ろう
とするため、前記被処理基板と前記熱処理盤とが離間す
る。そのため、短時間で均一に加熱できるとともに、静
電破壊を防止することができる。
【００３０】本発明の熱処理装置では、前記微小突起が
適当な位置と高さに形成されている。そのため、前記真
空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処理盤
と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処理基
板と前記熱処理盤とが離間する。
【００３１】従って、熱処理開始直後の移動する熱量が
大きい時期は真空度を高くして熱処理盤から被処理基板
への熱量の移動を促進する。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空度を低くして静電
気の発生を防止する。
【００３２】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【００３３】請求項１記載の熱処理装置では、前記微小
突起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の各辺
の中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されている。
【００３４】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３５】請求項２記載の熱処理装置では、前記微小
突起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の四隅
と各辺の中点の位置に配設されている。
【００３６】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３７】請求項３記載の熱処理装置では、請求項１
又は２記載の熱処理装置において、前記微小突起とし
て、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍ
の微小突起を採用している。
【００３８】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】請求項６記載の熱処理装置では、前記貫通
孔を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設され
たピンと、このピンを駆動する駆動手段とを備えてお
り、このピンを所定のタイミングで作動させることによ
り前記被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【００４３】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【００４４】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【００４５】請求項７記載の熱処理装置では、前記貫通
孔を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設され
たピンと、このピンを駆動する圧電素子と、この圧電素
子へ駆動電圧を供給する電圧供給系とを備えており、こ
のピンを所定のタイミングで作動させることにより前記
被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【００４６】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【００４７】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】請求項９記載の熱処理方法では、被処理基
板と熱処理盤との間に負圧を作用させて被処理基板と熱
処理盤とを接触させ、熱処理盤から被処理基板へ熱量を
移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度にす
る。しかる後、前記被処理基板と熱処理盤とを微小距離
だけ離間させて、静電気の発生を防止する。
【００５３】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に従って説明する。
【００６０】（第１の実施形態）図１は本発明の一実施
形態に係る塗布・現像装置の斜視図であり、図２はその
平面図である。
【００６１】塗布・現像装置１は、その一端側にカセッ
トステーションＣ／Ｓを備えている。
【００６２】また、塗布・現像装置１の他端側には、露
光装置（図示せず）との間でＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以
下、ＬＣＤ用ガラス基板を「基板」と略記する。）の受
け渡しを行うためのインターフェースユニットＩ／Ｆが
配置されている。
【００６３】このカセットステーションＣ／ＳにはＬＣ
Ｄ用基板等の基板Ｇを収容した複数、例えば４組のカセ
ット２が載置されている。カセットステーションＣ／Ｓ
のカセット２の正面側には、被処理基板である基板Ｇの
搬送及び位置決めを行うとともに、基板Ｇを保持してメ
インアーム３との間で受け渡しを行うための補助アーム
４が設けられている。
【００６４】インターフェースユニットＩ／Ｆには、露
光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行う補
助アーム５が設けられている。また、インターフェース
ユニットＩ／Ｆには、メインアーム３との間で基板Ｇの
受け渡しを行うためのエクステンション部６及び基板Ｇ
を一旦待機させるバッファユニット７が配置されてい
る。
【００６５】メインアーム３は、塗布・現像装置１の中
央部を長手方向に移動可能に、二基直列に配置されてお
り、各メインアーム３の搬送路の両側にはそれぞれ第１
の処理ユニット群Ａ、第２の処理ユニット群Ｂが配置さ
れている。第１の処理ユニット群Ａと第２の処理ユニッ
ト群Ｂとの間には、基板Ｇを一旦保持するとともに冷却
する中継部８が配置されている。
【００６６】第１の処理ユニット群Ａでは、カセットス
テーションＣ／Ｓの側方に基板Ｇを洗浄する洗浄処理ユ
ニットＳＣＲと現像処理を行う現像処理ユニットＤＥＶ
とが並設されている。また、メインアーム３の搬送路を
挟んで洗浄処理ユニットＳＣＲ及び現像処理ユニットＤ
ＥＶの反対側には、上下に２段配置された２組の熱処理
ユニットＨＰと、上下に２段配置されたＵＶ処理ユニッ
トＵＶ及び冷却ユニットＣＯＬとが隣り合うように配置
されている。
【００６７】第２の処理ユニット群Ｂでは、レジスト塗
布処理及びエッジリムーブ処理を行う塗布処理ユニット
ＣＯＴが配置されている。また、メインアーム３の搬送
路を挟んで塗布処理ユニットＣＯＴの反対側には、上下
に２段配置された基板Ｇを疎水処埋するアドヒージョン
ユニットＡＤ及び冷却ユニットＣＯＬと、上下に２段配
置された熱処理ユニットＨＰ及び冷却ユニットＣＯＬ
と、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰと
が隣り合うように配置されている。熱処理ユニットＨＰ
と冷却ユニットＣＯＬとを上下に２段配置する場合、熱
処理ユニットＨＰを上に冷却ユニットＣＯＬを下に配置
することによって、相互の熱的干渉を避けている。これ
により、より正確な温度制御が可能となる。
【００６８】メインアーム３は、Ｘ軸駆動機構，Ｙ軸駆
動機構およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を
中心に回転する回転駆動機構をそれぞれ備えている。こ
のメインアーム３が塗布・現像装置１の中央通路に沿っ
て適宜走行して、各処理ユニット間で基坂Ｇを搬送す
る。そして、メインアーム３は、各処理ユニット内に処
理前の基板Ｇを搬入し、また、各処理ユニット内から処
理済の基板Ｇを搬出する。
【００６９】本実施形態の塗布・現像装置１では、この
ように各処理ユニットを集約して一体化することによ
り、省スペース化およぴ処理の効率化を図ることができ
る。
【００７０】このように構成される塗布・現像装置１に
おいては、まずカセット２内の基板Ｇが、補助アーム４
及びメインアーム３を介して洗浄処理ユニットＳＣＲへ
搬送されて洗浄処理される。
【００７１】次に、メインアーム３、中継部８及びメイ
ンアーム３を介してアドヒージョンユニットＡＤへ搬送
されて疎水化処理される。これにより、レジストの定着
性が高められる。
【００７２】次に、メインアーム３を介して冷却ユニッ
トＣＯＬへ搬送されて冷却される。その後、メインアー
ム３を介して塗布処理ユニットＣＯＴへ搬送されてレジ
ストが塗布される。
【００７３】次に、基板Ｇは、メインアーム３を介して
加熱処理ユニットＨＰへ搬送されてプリベーク処理され
る。そして、メインアーム３を介して冷却ユニットＣＯ
Ｌへ搬送されて冷却された後、メインアーム３及びイン
ターフェース部Ｉ／Ｆを介して露光装置に搬送されてそ
こで所定のパターンが露光される。
【００７４】そして、再び露光された基板Ｇは、インタ
ーフェース部Ｉ／Ｆを介して装置１内へ搬入され、メイ
ンアーム３を介して加熱処理ユニットＨＰへ搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００７５】その後、基板Ｇは、メインアーム３、中継
部８及びメインアーム３を介して冷却ユニットＣＯＬへ
搬入されて冷却される。そして、基板Ｇは、メインアー
ム３を介して現像処理ユニットＤＥＶへ搬入されて現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理
された基板Ｇは、メインアーム３を介してポストベーク
処理ユニットＨＰへ搬入されてポストベーク処理され
る。
【００７６】そして、ポストベーク処理された基板Ｇ
は、メインアーム３及び補助アーム４を介してカセット
ステーションＣ／Ｓ上の所定のカセット２に収容され
る。
【００７７】次に、図３及び図４につき、ベーキングユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、（ＰＥＢ）、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）のような熱処理ユ
ニットの構成および作用を説明する。
【００７８】図３および図４は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および断面図である。な
お、図４では、図解のために水平遮蔽板５５を省略して
ある。
【００７９】この熱処理ユニットの処理室５０は両側壁
５３と水平遮蔽板５５とで形成され、処理室５０の正面
側（主ウエハ搬送機構２４側）および背面側はそれぞれ
開口部５０Ａ，５０Ｂとなっている。遮蔽板５５の中心
部には方形の開口５６が形成され、この開口５６内には
同じく方形状の熱処理盤５８が載置台として設けられ
る。 熱処理盤５８には例えば４つの孔６０が設けら
れ、各孔６０内にはリフトピン６２が遊嵌状態で挿通さ
れており、基板Ｇのローディング・アンローディング時
には各リフトピン６２が熱処理盤５８の表面より上に突
出または上昇して主搬送機構２２の保持部材４８との間
で基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００８０】熱処理盤５８の外周囲には、円周方向にた
とえば２゜間隔で多数の通気孔６４を形成した方形枠状
の帯板からなるシャッタ６６が設けられている。このシ
ャッタ６６は、通常は熱処理盤５８より下の位置に退避
しているが、加熱処理時には熱処理盤５８の上面よりも
高い位置まで上昇して、熱処理盤５８とカバー体６８と
の間に方形枠状の側壁を形成し、図示しない気体供給系
より送り込まれるダウンフローの空気や窒素ガス等の不
活性ガスを通気孔６４より周方向で均等に流入させるよ
うになっている。
【００８１】カバー体６８の中心部には加熱処理時に基
板Ｇ表面から発生するガスを排出するための排気口６８
ａが設けられ、この排気口６８ａに排気管７０が接続さ
れている。この排気管７０は、装置正面側（主ウエハ搬
送機構２２側）のダクト５３（もしくは５４）または図
示しないダクトに通じている。
【００８２】遮蔽板５５の下には、遮蔽板５５、両側壁
５３および底板７２によって機械室７４が形成されてお
り、室内には熱処理盤支持板７６、シャッタアーム７
８、支持ピンアーム８０、シャッタアーム昇降駆動用シ
リンダ８２、リフトピンアーム昇降駆動用シリンダ８４
が設けられている。
【００８３】図４に示すように、基板Ｇの外周縁部が載
るべき熱処理盤５８の表面位置に複数個たとえば４個の
基板Ｇ案内支持突起部８６が設けられている。
【００８４】図３に示したように、カバー体６８の下面
側には円錐形の凹部６８ｂが形成されており、この円錐
の頂点にあたる部分には排気口６８ａが設けられ、この
排気口６８ａに排気管７０の下端が接続されている。排
気管７０の他端側は図示しない排気系に接続されてお
り、熱処理盤５８で加熱されて上昇した加熱気体が円錐
形の凹部６８ｂで集められ、前記排気口６８ａと排気管
７０とを介して排気されるようになっている。
【００８５】図５は本実施形態に係る熱処理盤５８とそ
の周辺の構造を模式的に示した垂直断面図である。
【００８６】この図５に示すように、熱処理盤５８の内
部には、例えばニクロム線などの発熱体で構成されたヒ
ータＨが配設されており、このヒータＨに電力を供給す
ることにより発熱させ、熱処理盤５８を加熱する。
【００８７】図５に示すように、このヒータＨは制御部
１００に接続されている。また熱処理盤５８には、熱処
理盤５８の温度を検出するセンサ（図示省略）が配設さ
れており、このセンサで検出した温度を制御部１００に
送るようになっている。制御部１００はセンサで検出し
た熱処理盤５８の温度に基づいて、ヒータＨへの供給電
力量を加減することによりヒータＨの発熱量を制御し、
熱処理盤５８の温度を制御するようになっている。
【００８８】図５に示すように、熱処理盤５８の上下方
向には貫通孔９０が配設されている。この貫通孔９０は
熱処理盤５８上に基板Ｇが載置されたときにこのガラス
基板を吸着するためのものである。この貫通孔９０の図
中下端側には配管９１が接続されており、この配管の先
には真空ポンプ９２が接続されている。この真空ポンプ
９２は上記の制御部１００と接続されており、制御部１
００により制御されている。従って、この真空ポンプ９
２を作動させることにより配管９１内に負圧が生じ、ひ
いては熱処理盤５８の上面と基板Ｇの下面との間に形成
される空間に負圧が生じるようになっている。
【００８９】更に、この熱処理盤５８の上面には「プロ
キシミティピン」（proximity-pin）と呼ばれる突起状
のピン９３，９３，…が複数個配設されている。
【００９０】このプロキシミティピン（以下、この「プ
ロキシミティピン」を単に「ピン」という。）９３，９
３，…は熱処理盤５８上面とこの熱処理盤５８上に載置
される基板Ｇの下面との間に僅かな間隙を形成し、基板
Ｇと熱処理盤５８との間に摩擦が生じて基板Ｇ上に静電
破壊が起こるのを防止するためのものである。
【００９１】このピンの高さは、上記真空ポンプ９２を
作動させない状態では基板Ｇはピン９３，９３…の頂点
で支持されてほぼ水平に維持され、基板Ｇの下面と熱処
理盤５８の上面との間に間隙が形成されるような高さで
ある。そして、上記真空ポンプ９２を作動させて熱処理
盤５８上面と基板Ｇ下面との間に負圧を作用させたとき
に基板Ｇが湾曲して隣接するピン９３とピン９３との間
の部分が熱処理盤５８の上面と直接接触するような高さ
である。
【００９２】この高さはピン９３，９３…の配置の仕方
や、隣接する二つのピン９３の間隔、或いは基板Ｇの剛
性や厚さなどにより適宜定められるのであるが、一般的
には０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲とするのが好まし
い。
【００９３】ここで、ピンの高さを０．２ｍｍ〜０．３
ｍｍの範囲としたのは、このピンの高さが０．２ｍｍ未
満であると、基板及び熱処理盤に接触する面積が増大
し、摩擦による帯電を抑えることができない、という問
題が生じるためである。
【００９４】また、このピンの高さが０．３ｍｍを越え
ると、基板が低いバキューム圧で熱処理盤に吸着できな
くなるため、基板と熱処理盤との間の熱交換が素早く行
えなくなるという問題が生じ、特に周辺部でのバキュー
ム吸着ができなくなる、という問題が生じるためであ
る。
【００９５】なお、本実施形態ではピン９３の高さは
０．２ｍｍとした。
【００９６】また、このピン９３，９３…の配置は、上
記真空ポンプ９２を作動させない状態では基板Ｇはピン
９３，９３…の頂点で支持されてほぼ水平に維持され、
基板Ｇの下面と熱処理盤５８の上面との間に間隙が形成
されるような配置である。そして、上記真空ポンプ９２
を作動させて熱処理盤５８上面と基板Ｇ下面との間に負
圧を作用させたときに基板Ｇが湾曲して隣接するピン９
３とピン９３との間の部分が熱処理盤５８の上面と直接
接触するような配置である。
【００９７】なお、本実施形態ではピン９３，９３…の
配置は図６に示すように熱処理盤５８のうち、載置する
基板Ｇの縦横各辺の中点を頂点とする菱形を形成するよ
うな配置であり、この菱形の中心と各辺の中点の合計９
箇所に配設した。
【００９８】次に、本実施形態に係る熱処理ユニット
（ＨＰ）の動作について説明する。
【００９９】塗布処理ユニット（ＣＯＴ）や現像処理ユ
ニットＤＥＶなどで前処理が完了すると、各処理ユニッ
ト内にメインアーム３がアクセスして中に収容されてい
る基板Ｇを取り出す。この基板Ｇを保持した状態でメイ
ンアーム３は中央の通路を移動して熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）の前で停止する。ここでメインアーム３は展開して
熱処理ユニット（ＨＰ）の正面を向く。ついでメインア
ーム３は基板保持部材を伸長させて熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）内の熱処理盤５８の真上の位置まで基板Ｇを搬送す
る。一方、熱処理ユニット（ＨＰ）内では、リフトピン
６２，６２…を上方に移動させて熱処理盤５８の上面よ
り高い部分にまで突出させる。このとき、リフトピン６
２，６２…の先端はメインアーム３の先に載置された基
板Ｇより高い位置まで上方に移動する。そのため基板Ｇ
はこのリフトピン６２，６２…により持ち上げられ、メ
インアーム３からリフトピン６２，６２…へと基板Ｇが
受け渡される。
【０１００】この状態でメインアーム３は引き込み、熱
処理ユニット（ＨＰ）の外へ移動する。次いで、リフト
ピン６２，６２…が下降するのにつれて基板Ｇも下降
し、熱処理盤５８の上面に接近する。更にリフトピン６
２，６２…は下降して熱処理盤５８上面より低い位置ま
で下降すると、基板Ｇは熱処理盤５８上に載置される。
図７は基板Ｇが熱処理盤５８に載置された状態を示した
垂直断面図である。
【０１０１】この図７に示したように、リフトピン６
２，６２…を熱処理盤５８上面より低い位置まで下降す
ると、基板Ｇの下面は熱処理盤５８上面上に設けられた
ピン９３，９３…の頂部に当接し、このピン９３，９３
…の頂部で支持されるので、これより低い位置までは下
降しない。そのため、基板Ｇの下面と熱処理盤５８上面
との間には僅かな隙間が形成され、基板Ｇの下面の大部
分は熱処理盤５８の上面と非接触の状態に保たれる。
【０１０２】次にこの基板Ｇが熱処理盤５８の熱により
熱処理が施されるときの状態について説明する。
【０１０３】図１０は基板Ｇが熱処理盤５８上で熱処理
されるときのタイミングチャートを示した図であり、図
８，図９は熱処理される際の基板Ｇの状態を示した垂直
断面図である。
【０１０４】図１０に示したように、時間ｔ1 でメイン
アーム３からリフトピン６２，６２…へと基板Ｇが引き
渡される。メインアーム３が後退した後、リフトピン６
２，６２…は下降して基板Ｇと熱処理盤５８との間を４
ｍｍに維持し、時間ｔ2 になるまでの５０秒間この状態
を維持する。このｔ1 〜ｔ2 の時間で基板Ｇを予備的に
加熱する。
【０１０５】次いで時間ｔ2 になるとリフトピン６２，
６２…を更に下降させて熱処理盤５８内に収容して基板
Ｇを熱処理盤５８のピン９２，９２…上に載置する。そ
れと同時に、真空配管９１に真空を作用させて基板Ｇと
熱処理盤５８との間の空間の空気を抜く。このときの状
態を示したのが図８である。
【０１０６】図８に示したように、基板Ｇと熱処理盤５
８との間の空間に真空が作用すると、基板Ｇの上方から
下方に向けて大気圧がかかる。そのため基板Ｇは隣接す
る二つのピン９２，９２に挟まれた部分が下方に湾曲
し、湾曲した底の部分が熱処理盤５８の上面と直接接触
する。この直接接触することにより熱処理盤５８から基
板Ｇへ直接熱量が移動するので、短時間でしかも大量の
熱量が移動する。
【０１０７】この真空引きの状態はｔ2 〜ｔ3 の１０秒
間継続される。従って、このｔ2 〜ｔ3 の間は基板Ｇと
熱処理盤５８とが直接接触した状態が維持される。
【０１０８】時間ｔ3 になると真空引きは停止される
が、リフトピン６２，６２…は熱処理盤５８より低い位
置に維持される。この状態が時間ｔ4 まで維持される。
【０１０９】従って、時間ｔ3 以降は真空により基板Ｇ
を湾曲させて熱処理盤５８と接触させる力が弱くなる。
基板Ｇは自己の剛性により湾曲を解消し水平状態に戻ろ
うとする。また、基板Ｇと熱処理盤５８との間に少しず
つ空気が流れ込む。
【０１１０】そのため、基板Ｇと熱処理盤５８とは時間
ｔ3 から時間ｔ4 にかけて除序に離間する。一方、熱処
理盤５８からは間の空気層を介して基板Ｇへ熱量が供給
されるので、この時間ｔ3 〜ｔ4 の間も熱処理は継続し
て行われる。
【０１１１】時間ｔ4 になるとリフトピン６２，６２…
が上方に突出して基板Ｇを持ち上げる。こうして基板Ｇ
は熱処理盤５８から引き離され、基板Ｇの熱処理が完了
する。
【０１１２】この持ち上げられた基板Ｇは上記熱処理ユ
ニットへの搬入と逆の工程を経てメインアーム３に引き
渡され、後続の処理を行うユニットへ向けて搬送され
る。
【０１１３】このように、本実施形態に係る熱処理ユニ
ットでは、熱処理工程の初期には基板Ｇと熱処理盤５８
とを直接接触させるので、基板Ｇを短時間で均一に加熱
することができる。
【０１１４】一方、熱処理工程の後半では基板Ｇと熱処
理盤５８とを離間させたのち、極めて近い位置に維持し
て熱処理を行うので、静電気の発生による基板Ｇの静電
破壊が防止される。特に、真空引きしたあと、基板Ｇの
剛性を利用して除序に基板Ｇと熱処理盤５８とが離間す
るようにしているので、基板Ｇが熱処理盤５８に対して
水平方向に移動する移動速度が遅く、摩擦による静電気
の発生が起きにくい。そのため、より一層静電破壊を確
実に防止することができるようになっている。なお、本
発明は上記実施形態に限定されない。
【０１１５】例えば、上記実施形態では、基板Ｇを加熱
処理するための熱処理盤５８を例にして説明したが、本
発明は冷却装置にも適用できる。
【０１１６】また、上記実施形態ではニクロム線などの
発熱体を用いて直接熱処理盤５８を加熱する構造の熱処
理ユニットについて説明したが、密閉した空洞内に熱媒
蒸気が循環するようになっており、この空洞の底に液化
した熱媒をヒータで加熱し、この熱媒蒸気を介して熱処
理盤全体を均一に加熱できるようにした、いわゆる熱定
盤と呼ばれる熱処理盤を用いることも可能である。
【０１１７】更に、上記実施形態ではピン９２，９２…
は熱処理盤５８上面に菱形を描くような位置に配設した
ものを用いたが、ピン９２，９２…の配設位置は、基板
Ｇと熱処理盤５８との間の空間に作用させる真空の真空
度を上昇させたときに基板Ｇが熱処理盤５８と接触し、
真空度を低下させたときに基板Ｇと前記熱処理盤５８と
が離間するような位置であれば良い。従って、例えば図
１１に示したように、熱処理盤５８上面に、載置される
基板Ｇの四隅と各辺の中点に対応する位置に配設するこ
とも可能である。
【０１１８】また、上記実施形態ではＬＣＤ用基板Ｇを
熱処理するための熱処理ユニットについて説明したが、
シリコンウエハ用の熱処理ユニットについても適用でき
ることはいうまでもない。
【０１１９】次に、本実施形態に係る熱処理ユニットの
効果を確認するために行った測定について説明する。
【０１２０】基板Ｇに熱処理する際の静電気の発生状況
と基板温度の均一性を調査するために下記の測定を行っ
た。
【０１２１】まず、基板温度の均一性を測定する条件と
して、温度２３．５°Ｃ、湿度５９％の環境で行った。
熱処理（postbake）の条件としては、熱処理盤の設定温
度を１３９°Ｃとし、リフトピンの突出高さを４ｍｍで
５０秒間維持し、その後リフトピンの突出高さを０ｍｍ
まで降下させ、この状態で１１０秒間維持した。なお、
この測定のタイミングチャートは図１０と同じである。
【０１２２】また、熱処理盤の上面に配設したピンのギ
ャップ、即ち熱処理盤の上面からピンの頂点までの高さ
は０．２ｍｍとし、ピンの配置位置は図６に示したよう
な菱形を形成する９箇所とした。熱処理盤上に基板Ｇを
吸着させる際の真空ポンプの真空度は真空ポンプの元圧
で５ｋＰａであり、センサーで検出した真空度は３．２
〜４．８ｋＰａであった。
【０１２３】測定試料としては、Ｃｒ膜を形成したも
の、素ガラス、及びＳｉＮｘ膜を形成したものの３種類
の基板を用いた。これらの基板にＫ型熱電対を使用し、
ポリイミドテープにより付着させ、ADVANTEST 社製の型
式R7430 DATA LOGER測定装置にて測定を行った。測定箇
所としては図１２に示したような基板面内の９点につい
て測定した。結果を図１３〜図１８に示した。
【０１２４】図１３はＣｒ膜を形成した基板にピンを介
して加熱処理した際の昇温状態を示した図であり、図１
４は同基板を加熱初期の１０秒間真空吸着して加熱処理
した際の昇温状態を示した図である。
【０１２５】以下同様に、図１５は素ガラスの基板を非
接触のまま加熱処理した際の昇温状態を示した図であ
り、図１６は同基板を加熱初期真空吸着して加熱処理し
た際の昇温状態を示した図である。
【０１２６】図１７はＳｉＮｘ膜を形成した基板を非接
触のまま加熱処理した際の昇温状態を示した図であり、
図１８は同基板を加熱初期真空吸着して加熱処理した際
の昇温状態を示した図である。
【０１２７】図１３と図１４とを比較すると、図１３で
は時間８０秒から１４０秒にかけて除序に昇温している
のに対し、図１４では時間９０秒の時点で各測定点の温
度が１３０°Ｃ以上に達し、その後は１８０秒まで高温
域で安定している。このことから初期の時点で真空吸着
した方が、昇温速度、温度均一性共に高いことが分か
る。
【０１２８】図１５と図１６とを比較すると、実質的な
差異は殆ど見られない。このことから、初期の真空吸着
の有無は素ガラス自体に対しては殆ど影響がないことが
分かる。
【０１２９】図１７と図１８とを比較すると、図１７で
は時間９０秒付近で各測定点の温度上昇がおさまり、時
間１２０秒にかけて除序に温度安定域に入っている。こ
れに対し、図１８では時間８０秒付近で各測定点の温度
上昇がおさまり、時間９０秒の時点で既に温度安定域に
入っている。このことから初期の時点で真空吸着した方
が、昇温速度、温度均一性共に高いことが分かる。
【０１３０】次に、基板に発生する静電気について測定
した。
【０１３１】静電気測定については、試料としてＣｒ膜
を形成した基板を使用し、温度２３．５°Ｃ、湿度５９
％の環境で測定した。測定装置としてはHugle 社製の型
式ＭＯＤＥＬ７２０表面電位計を使用し、基板の中心の
１点について測定した。
【０１３２】測定条件としては、９個のピンを配設した
熱処理盤上に基板を載置した状態で、熱処理の初期１
５秒間、−９．２ｋｐａで真空吸着した後、除電処理を
施したもの、熱処理の初期１５秒間、−９．２ｋｐａ
で真空吸着したもの、及び熱処理工程する全期間、−
６２．４ｋｐａで真空吸着したもの、の３つについて測
定した。
【０１３３】図１９は上記〜の処理後に測定した基
板電位を示したグラフである。
【０１３４】この図１９に示すように、基板と熱処理盤
とを終始接触させた状態で熱処理したの基板電位が−
８〜−１４ｋＶと高電位に摩擦帯電しているのに対し、
初期だけ真空吸着させたとでは０〜−２ｋＶと摩擦
帯電量が極めて低いことが分かる。
【０１３５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態
と重複する部分については説明を省略する。
【０１３６】図２０及び図２１は本実施形態に係る熱処
理ユニットの熱処理盤５８に基板Ｇを載置した状態を部
分的に拡大した垂直断面図である。
【０１３７】本実施形態の熱処理ユニットでは、熱処理
盤５８を貫通する貫通孔を介して垂直方向に移動するリ
フターＬを配設し、このリフターＬを上下動させること
により基板Ｇと熱処理盤５８とを接離するようにした。
【０１３８】即ち、熱処理工程開始直後の基板Ｇの温度
と処理温度との差が大きい間は図２０のようにリフター
Ｌは熱処理盤５８の上面より低いに位置に待機させてお
く。基板Ｇの温度がほぼ処理温度に到達した後は図２１
のようにリフターＬを上方に移動させ、熱処理盤５８の
上面から適当な距離、例えば０．２〜０．３ｍｍ突出さ
せる。このようにすることにより、基板Ｇの迅速で均一
な熱処理を可能にすると同時に、基板Ｇの静電破壊を未
然に防止することができる。
【０１３９】本実施形態の熱処理ユニットでは、リフタ
ーＬを用いて基板Ｇと熱処理盤５８とを接離させるの
で、この接離させる動作を確実に行うことができる。特
に接触させる時間、離間させる時間を正確に制御できる
ので、高精度の管理が可能である。更に、基板Ｇを撓ま
せることがないので、余計なストレスを与えることがな
く、基板Ｇの品質を損なう恐れがないという利点があ
る。
【０１４０】なお、本実施形態で使用するリフターＬと
して、リフトピン６２，６２…を利用してこれを微小距
離だけ移動させることにより基板Ｇと熱処理盤５８とを
接離させることも可能である。
【０１４１】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について説明する。なお、上記第１、第２の実
施形態と重複する部分については説明を省略する。
【０１４２】図２２は本実施形態に係る熱処理盤５８の
平面図であり、図２３及び図２４は本実施形態に係る熱
処理ユニットの熱処理盤５８に基板Ｇを載置した状態を
部分的に拡大した垂直断面図である。
【０１４３】本実施形態の熱処理ユニットでは、熱処理
盤５８の上面上の適当な位置、例えば熱処理盤５８上に
載置した基板Ｇの四隅と各辺の中点と対角線の交点の９
箇所に円柱型の凹部を設けた。そして、この凹部にちょ
うど嵌まり込む形の円柱型の圧電素子を利用した変形ピ
ン９３´を配設し、外部からこの変形ピン９３´に駆動
電圧を供給できるように配線した。
【０１４４】本実施形態の熱処理ユニットでは、上記第
２の実施形態のリフターＬの代わりにこの変形ピン９３
´を用い、この変形ピン９３´，９３´…に電圧を印加
させて上下動させることにより基板Ｇと熱処理盤５８と
を接離するようにした。
【０１４５】即ち、熱処理工程開始直後の基板Ｇの温度
と処理温度との差が大きい間は図２３のように変形ピン
９３´，９３´…へは電圧を印加せず、変形ピン９３
´，９３´…を変形させることなく熱処理盤５８の上面
より低いに位置に待機させておく。
【０１４６】基板Ｇの温度がほぼ処理温度に到達した後
は図２４のように電圧を印加して変形ピンを変形させて
上方に伸長させ、熱処理盤５８の上面から適当な距離、
例えば０．２〜０．３ｍｍ突出させる。このようにする
ことにより、基板Ｇの迅速で均一な熱処理を可能にする
と同時に、基板Ｇの静電破壊を未然に防止することがで
きる。
【０１４７】本実施形態の熱処理ユニットでは、圧電素
子を利用した変形ピン９３´，９３´…を用いて基板Ｇ
と熱処理盤５８とを接離させるので、この接離させる動
作を確実に行うことができる。特に接触させる時間、離
間させる時間を正確に制御できるので、高精度の管理が
可能である。更に、基板Ｇを撓ませることがないので、
余計なストレスを与えることがなく、基板Ｇの品質を損
なう恐れがないという利点がある。
【０１４８】また、構造が簡単で製造コストを大幅に増
大させることもないという利点もある。
【０１４９】
【０１５０】
【０１５１】
【発明の効果】本発明によれば、前記真空の強さを制御
することにより所定のタイミングで前記被処理基板と前
記熱処理盤とを接離させることができる。
【０１５２】即ち、熱処理開始直後の移動する熱量が大
きい時期は真空の強さを大きくして前記被処理基板と前
記熱処理盤とを接触させる。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空の強さを小さくす
る。すると被処理基板は自らの剛性で真っ直ぐに戻ろう
とするため、前記被処理基板と前記熱処理盤とが離間す
る。そのため、短時間で均一に加熱できるとともに、静
電破壊を防止することができる。
【０１５３】本発明によれば、前記微小突起が適当な位
置と高さに形成されている。そのため、前記真空度を上
昇させたときに前記被処理基板が前記熱処理盤と接触
し、前記真空度を低下させたときに前記被処理基板と前
記熱処理盤とが離間する。
【０１５４】従って、熱処理開始直後の移動する熱量が
大きい時期は真空度を高くして熱処理盤から被処理基板
への熱量の移動を促進する。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空度を低くして静電
気の発生を防止する。
【０１５５】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【０１５６】請求項１記載の発明によれば、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の各辺の
中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されている。
【０１５７】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１５８】請求項２記載の発明によれば、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の四隅と
各辺の中点の位置に配設されている。
【０１５９】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１６０】請求項３記載の発明によれば、請求項１又
は２記載の熱処理装置において、前記微小突起として、
高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍの微
小突起を採用している。
【０１６１】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１６２】
【０１６３】
【０１６４】
【０１６５】請求項６記載の発明によれば、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する駆動手段とを備えており、
このピンを所定のタイミングで作動させることにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【０１６６】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１６７】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【０１６８】請求項７記載の発明によれば、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する圧電素子と、この圧電素子
へ駆動電圧を供給する電圧供給系とを備えており、この
ピンを所定のタイミングで作動させることにより前記被
処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【０１６９】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１７０】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【０１７１】
【０１７２】
【０１７３】
【０１７４】
【０１７５】請求項９記載の発明によれば、被処理基板
と熱処理盤との間に負圧を作用させて被処理基板と熱処
理盤とを接触させ、熱処理盤から被処理基板へ熱量を移
動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度にする。
しかる後、前記被処理基板と熱処理盤とを微小距離だけ
離間させて、静電気の発生を防止する。
【０１７６】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【０１７７】
【０１７８】
【０１７９】
【０１８０】
【０１８１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の斜視
図である。
【図２】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の平面
図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの平面
図である。
【図５】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図であ
る。
【図７】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの動
作を示すタイミングチャートである。
【図１１】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図で
ある。
【図１２】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図で
ある。
【図１３】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１４】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１５】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１６】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１７】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１８】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１９】基板の帯電状態を示すグラフである。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の平
面図である。
【図２３】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【符号の説明】
Ｇ 基板 ５８ 熱処理盤 ９０ 貫通孔 ９１ 配管 ９２ 真空ポンプ ９３ ピン １００ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上面上に配設された吸着口と、 前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、 前記真空供給系の真空度を制御する手段と、 前記熱処理盤上面上に配設された微小突起であって、前
    記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
    理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
    理基板と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さ
    に形成され、かつ、前記熱処理盤上に載置された被処理
    基板の各辺の中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設され
    ている微小突起と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上面上に配設された吸着口と、 前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、 前記真空供給系の真空度を制御する手段と、 前記熱処理盤上面上に配設された微小突起であって、前
    記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
    理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
    理基板と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さ
    に形成され、かつ、前記熱処理盤上に載置された被処理
    基板の四隅と各辺の中点の位置に配設されている微小突
    起と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の熱処理装置であっ
    て、前記微小突起の高さが前記熱処理盤の上面から０．
    ２〜０．３ｍｍであることを特徴とする熱処理装置。
  4. 【請求項４】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記被処理基板を複数点で支持して前記熱処理盤と前記
    被処理基板とを近接及び／又は離間させる移載手段と、 この移載手段により支持された状態で前記被処理基板を
    前記熱処理盤側に吸引により接触自在に構成された吸引
    手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項５】 前記吸引手段の吸引量を調節する吸引量
    調節手段を具備し、この吸引量調節手段により前記被処
    理基板を前記熱処理盤に接触させる又は所定の間隔に維
    持して前記被処理基板を処理するように構成されたこと
    を特徴とする請求項４に記載の熱処理装置。
  6. 【請求項６】 前記移載手段は、前記熱処理盤上に配設
    された貫通孔を介して前記熱処理盤上面上から出没可能
    に配設されたピンと、このピンを駆動する駆動手段と、
    を具備することを特徴とする請求項４又は５に記載の熱
    処理装置。
  7. 【請求項７】 前記移載手段は、前記熱処理盤上面上か
    ら出没可能に配設されたピンと、このピンを駆動する圧
    電素子と、この圧電素子へ駆動電圧を供給する電圧供給
    系と、を具備することを特徴とする請求項４又は５に記
    載の熱処理装置。
  8. 【請求項８】 被処理基板を加熱又は冷却する熱処理盤
    と、 前記熱処理盤上面上に配設された吸着口と、 前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、 前記真空供給系の真空度を制御する手段と、 前記熱処理盤上面上に配設された微小突起であって、前
    記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
    理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
    理基板と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さ
    に形成されている微小突起と、 を具備し、 前記真空度を制御する手段は、 真空を作用させて前記被処理基板と前記熱処理盤との間
    の空気を前記吸着口から抜いて前記被処理基板を湾曲さ
    せ、湾曲した底の部分を前記熱処理盤の上面に直接接触
    させて前記被処理基板と前記熱処理盤との間で熱量を移
    動させ、 その後、真空引きを停止させて前記被処理基板の剛性に
    よる湾曲の解消と、前記被処理基板と前記熱処理盤との
    間の空気の流れ込みとにより前記被処理基板と前記熱処
    理盤とを徐々に離間させ、前記被処理基板と前記熱処理
    盤の間の空気層を介して前記被処理基板と前記熱処理盤
    との間で熱量を移動させるように前記真空系の真空度を
    制御する ことを特徴とする熱処理装置。
  9. 【請求項９】 被処理基板を加熱又は冷却する熱処理方
    法であって、 前記 被処理基板と所定位置に微小突起を備えた熱処理盤
    との間に負圧を作用させて前記被処理基板と前記熱処理
    盤とを接触させて前記被処理基板と前記熱処理盤との間
    で熱量を移動させる工程と、その後、 前記負圧を低下させて前記被処理基板と前記熱
    処理盤とを微小距離離間させて前記被処理基板と前記熱
    処理盤との間の空気を介して前記被処理基板と前記熱処
    理盤との間で熱量を移動させる工程と、 を具備することを特徴とする熱処理方法。
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