JP2007158077A - 基板熱処理装置 - Google Patents

基板熱処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007158077A
JP2007158077A JP2005351941A JP2005351941A JP2007158077A JP 2007158077 A JP2007158077 A JP 2007158077A JP 2005351941 A JP2005351941 A JP 2005351941A JP 2005351941 A JP2005351941 A JP 2005351941A JP 2007158077 A JP2007158077 A JP 2007158077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
substrate
space
treatment plate
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005351941A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigehiro Goto
茂宏 後藤
Keiji Matsuchika
啓司 松近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2005351941A priority Critical patent/JP2007158077A/ja
Priority to US11/566,507 priority patent/US7718925B2/en
Publication of JP2007158077A publication Critical patent/JP2007158077A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】昇降する受け渡しピンが挿通されている貫通孔を通じて、基板と熱処理プレートとの間に形成した空間の気密性が損なわれることなく、基板を好適に吸着することができる基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理プレート１の上面には、基板Ｗを支持する支持部材１１と、支持される基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される第１空間ｍｓ１の側方を閉塞する第１シール部１５が設けられている。さらに、受け渡しピン３１を相通する貫通孔３３の開口の周囲に、平面視円環状の第２シール部４１が配置されている。第２シール部４１は、貫通孔３３に対向する第２空間ｍｓ２の側方を閉塞するので、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１は、貫通孔３３を通じて気密性を損なわれることがない。よって、この空間の気体を排出孔１７から排出することで、基板Ｗを好適に吸着して熱処理を行うことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して熱処理を行う基板熱処理装置に係り、特に、熱処理プレートから微小空間を隔てて載置される基板を吸引した状態で熱処理する技術に関する。
近年、基板に形成されるパターンの線幅寸法の微細化に伴い、求められる線幅の均一性の要求値が厳しくなり、フォトリソグラフィのベーク熱処理、特に露光後のベーク(PEB:Post Exposure Bake)において温度均一性の要求が高まっている。しかし、基板の大口径化により半導体製造過程で発生する基板の反りも大きくなり、基板を熱処理プレートから微小空間を隔てて載置したのみで熱処理するプロキシミティ加熱方式では温度均一性の要求を満足させることが困難となっている。
そこで、反りが生じている基板に対しても均一な熱処理が行えるように、吸着ベーク方式が提案されている。この種の装置としては、ヒータが付設されている熱処理プレートと、熱処理プレートの上面に設けられる支持部材およびシール部と、気体を排出するための排出孔と、受け渡しピンを挿通するための貫通孔とを備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。受け渡しピンを昇降させて搬入される基板を支持部材に受け渡すと、支持部材とともにシール部も基板と当接する。これにより、基板と熱処理プレートとの間に形成される空間の側方が閉塞される。そして、排出孔を通じて気体を排出することで基板は吸着される。これにより、基板の反りを矯正することができるので、基板を均一に加熱することができる。
特開平１０−２８４３６０号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、貫通孔は基板と熱処理プレートとの間に形成されて、シール部により閉塞される空間と連通しているが、この貫通孔内において受け渡しピンが上下に昇降移動するため、シールが困難であり気密性が損なわれるおそれがある。この場合、排出孔を通じて気体を排出しても空間内の圧力は負圧にならないので、基板は吸着されず、その反りは矯正されない。したがって、基板を適切に熱処理することができない。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、昇降する受け渡しピンが挿通されている貫通孔を通じて、基板と熱処理プレートとの間に形成した空間の気密性が損なわれることなく、基板を好適に吸着することができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される第１空間の側方を閉塞する第１閉塞手段と、前記熱処理プレートの上面において、前記貫通孔の開口部の周囲であって、前記第１閉塞手段の内側の位置にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される、前記貫通孔に対向した第２空間の側方を閉塞する第２閉塞手段と、前記第２空間を除いた前記第１空間の気体を排出するための排出孔と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、基板と熱処理プレートとの間に形成されて、第１閉塞手段によって閉塞される第１空間内において、第２閉塞手段は貫通孔と連通する第２空間を区画して閉塞する。これにより、この第２空間を除く第１空間は、第２空間と遮断されているので、貫通孔を通じて気密性が損なわれることがない。よって、基板を好適に吸着し、基板に熱処理を行うことができる。
本発明において、前記第２閉塞手段は、弾性体を備えることが望ましい（請求項２）。第２閉塞手段を所定のつぶししろに変形させつつ基板と当接させることで、第２閉塞手段の弾性復元力により基板との当接面に面圧を発生させてシール性を向上させることができる。
また、請求項３に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、前記貫通孔に設けられ、前記受け渡しピンと摺接して軸封するリング形状の摺接部材と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、摺接部材を設けて、貫通孔内を受け渡しピンが上下に昇降移動しても適切に軸封する。これにより、基板と熱処理プレートとの間に形成されて、閉塞手段によって閉塞される空間は、貫通孔を通じて気密性が損なわれることはない。よって、基板を好適に吸着し、基板に熱処理を行うことができる。
本発明において、前記摺接部材は、前記熱処理プレートの下面に形成される前記貫通孔の開口部に配置されていることが好ましい（請求項４）。摺接部材を基板からできるだけ遠い位置に配置することで、摺接部材から発生するパーティクルが基板に影響を与えないようにすることができる。
また、請求項５に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、前記熱処理プレートの下面であって前記貫通孔の開口部を含む位置に接合され、前記受け渡しピンの昇降とともに伸縮しつつ、前記貫通孔と連通する閉空間を形成する伸縮部材と、を備えることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、貫通孔内を受け渡しピンが上下に昇降移動しても、伸縮部材は貫通孔に連通した閉空間を形成することができる。これにより、基板と熱処理プレートとの間に形成されて、閉塞手段によって閉塞される空間は、貫通孔を通じて気密性が損なわれることがない。よって、基板を好適に吸着し、基板に熱処理を行うことができる。
本発明において、前記受け渡しピンと前記昇降手段とは支持ベースを介して連結されており、前記伸縮部材は、前記受け渡しピンを囲んで前記支持ベースに接合されていることが好ましい（請求項６）。貫通孔に連通した閉空間を、より容易かつ適切に実現することができる。
この発明に係る基板熱処理装置によれば、基板と熱処理プレートとの間に形成されて、第１閉塞手段によって閉塞される第１空間内において、第２閉塞手段は貫通孔と連通する第２空間を区画して閉塞する。これにより、この第２空間を除く第１空間は、第２空間と遮断されているので、貫通孔を通じて気密性が損なわれることがない。よって、基板を好適に吸着し、基板に熱処理を行うことができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、熱処理プレートの平面図である。
処理対象である基板Ｗを載置する熱処理プレート１は、マイカヒータなどの発熱体３が付設されている。発熱体３と熱処理プレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しないヒートパイプが複数本埋設されている。また、図示しない複数本のヒートパイプの間には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。
この熱処理プレート１の上面には、基板Ｗの下面を当接支持する複数個の支持部材１１が設けられている。図２に示すように、支持部材１１は、熱処理プレート１の上面に規則的に配列されている。本実施例では、規則的に連続して並べられた正三角形を仮想し（図２において各正三角形を一点鎖線で示す）、これら正三角形の各頂点の位置を支持部材１１の配置位置としている。
支持部材１１は球形状であり、その材質としてはセラミック等が例示される。熱処理プレート１の上面には、支持部材１１の配置位置に凹部が形成されており、支持部材１１はこの凹部に嵌め込まれて固定されている。支持部材１１は、この発明における支持手段に相当する。
これら支持部材１１の周囲には、支持部材１１により支持される基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される微小空間（プロキシミティギャップともいう）ｍｓの側方を閉塞する第１シール部１５が設けられている。以下では、第１シール部１５によって区画される微小空間ｍｓを特に第１空間ｍｓ１と呼ぶとともに、図１等においては第１空間ｍｓ１の水平方向の範囲を符号「ｍｓ１」を付して明示する。第１シール部１５は平面視円環形状を呈し、その径は基板Ｗの外径よりやや小さい。第１シール部１５の高さは支持部材１１の突出高さと等しい。これにより、第１シール部１５は、支持部材１１に支持される基板Ｗとその周縁端より内側の位置で当接する。第１シール部１５の材質としては、例えば、耐熱性及び弾性を有するポリイミド樹脂が好ましい。また、その他に、フッ素樹脂が利用可能である。第１シール部１５は、この発明における第１閉塞手段に相当する。
さらに、熱処理プレート１には、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡しピン３１が設けられている。本実施例では、熱処理プレート１の中心を重心とする平面視正三角形の各頂点であって、支持部材１１と排出孔１７の位置を避けた位置に配置されている。各配置位置には、熱処理プレート１を上下方向に貫く貫通孔３３が形成されている。受け渡しピン３１は、この貫通孔３３よりやや小径の棒状体を呈し、各貫通孔３３に挿通されている。各受け渡しピン３１の下端は、単一の支持ベース３５に共通して連結されている。支持ベース３５は、エアシリンダ３７の作動軸に連結されている。言い換えれば、受け渡しピン３１とエアシリンダ３７とは、支持ベース３５を介して連結されている。エアシリンダ３７は、受け渡しピン３１を支持部材１１の突出高さよりも上方の受け渡し位置と、支持部材１１の突出高さ以下の待機位置とにわたって上下に昇降駆動する。なお、本実施例では、待機位置を熱処理プレート１の上面付近としている。エアシリンダ３７は、この発明における昇降手段に相当する。
なお、貫通孔３３は、受け渡しピン３１によって完全に塞がれることはなく、貫通孔３３は、熱処理プレート１の下面において大気と連通している。
熱処理プレート１の上面における貫通孔３３の開口の周囲には、第２シール部４１が配置されている。図２に示すように、第２シール部４１も平面視円環形状を呈する。その内径は、貫通孔３３よりやや大きい。なお、外径は第１シール部材１５の内径より十分小さい。また、第２シール部４１は、貫通孔３３以外に支持部材１１や後述する排出孔１７を囲まない。
図３を参照する。図３は第２シール部を説明する要部断面図である。熱処理プレート１の上面には、所定位置にリング状の溝４２が形成されている。この溝４２の幅は、底面において最も広く、上部にいくほど狭くなるように、両側面が互いに内側に傾斜している。この溝４２に第２シール部４１が嵌め込まれて抜けないように固定されている。
第２シール部４１は断面が円形の弾性体であり、いわゆるＯリングである。熱処理プレート１の上面からの突出高さは、通常時において支持部材１１の突出高さよりつぶししろの分だけ高い。つぶししろの高さは、載置された基板Ｗが吸着されている際に、支持部材１１と同じ高さに変形するように設定されている。これにより、第２シール部４１は、微小空間ｍｓ（第２シール部４１により区画した範囲の微小空間ｍｓ）の側方を閉塞する。以下では、第２シール部４１によって区画される微小空間ｍｓを特に第２空間ｍｓ２と記載し、図１等において第２空間ｍｓ２の水平方向の範囲を符号「ｍｓ２」を付して明示する。この結果、第１空間ｍｓ１は、第２シール部４１の内側と外側との間で遮断される。
第２シール部４１の材質としては、ゴムやエストラマー、または弾性体としてスプリングを内部に備える構造にあっては金属が例示される。また、耐熱性及び弾性を有するポリイミド樹脂、フッ素樹脂が利用可能である。第２シール部４１は、この発明における第２閉塞手段に相当する。
さらに、熱処理プレート１の上面には、第１シール部１５の内側であって第２シール部４１の外側に、気体を排出する排出孔１７が形成されている。排出孔１７は４個であり、それぞれ支持部材１１を避けた位置に設けられている。各排出孔１７は熱処理プレート１の下端側に貫通している。これら排出孔１７には排出配管２１の一端側が共通して連通接続され、その他端側に真空吸引源２３が連通接続されている。この真空吸引源２３は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。排出配管２１には、第１空間ｍｓ１内の圧力（負圧）を調整する圧力調整弁２５と、圧力を計測する圧力計２７とが設けられている。なお、さらに、真空破壊弁を備えた開閉弁を備えるように構成してもよい。排出配管２１と真空吸引源２３とは、排出手段として機能する。
制御部５１は、上述した発熱体３の出力と、圧力調整弁２５の開閉と、真空吸引源２３の駆動と、エアシリンダ３７の駆動を統括的に操作する。これらの操作は、予め記憶されているレシピに基づいて行われる。さらに、圧力調整弁２５の開閉操作は、圧力計２７の検出結果に基づいて行われる。制御部５１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
次に、上記のように構成されている基板熱処理装置の動作について図４を参照して説明する。図４は、基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。なお、発熱体３の温度制御等はレシピに応じて既に行われているものとし、以下の説明においては省略する。
＜ステップＳ１＞ 基板Ｗを搬入する
図示しない搬送手段によって水平姿勢の基板Ｗが搬入されると、制御部５１はエアシリンダ３７を操作する。エアシリンダ３７は受け渡しピン３１を受け渡し位置まで上昇移動させる。受け渡しピン３１は、受け渡し位置において基板Ｗを受け取る。その後、エアシリンダ３７を逆向きに操作して、受け渡しピン３１を待機位置まで下降させる。この際、先ず第２シール部４１が基板Ｗと当接し、次に支持部材１１、または第１シール部１５が当接することで、受け渡しピン３１からこれら支持部材１１等に基板Ｗが受け渡される。支持された基板Ｗと熱処理プレート１との間には、第１空間ｍｓ１が形成され、第１空間ｍｓ１の側方は第１シール部１５によって閉塞される。また、第２シール部４１は第２空間ｍｓ２の側方を閉塞する。
＜ステップＳ２＞ 基板Ｗを吸着する
制御部５１は、真空吸引源２３を駆動するとともに圧力調整弁２５を操作する。これにより、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１内の気体（空気や窒素）は、排出孔１７及び排出配管２１を介して排出され、内部の圧力は負圧に調整される。基板Ｗは、熱処理プレート１側に吸引される。第２シール部４１は基板Ｗから押し圧されて所定のつぶししろまで変形する。このとき、基板Ｗとの当接面には、第２シール部４１の弾性復元力による面圧が発生して、第２シール部４１によるシール性がさらに向上する。よって、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１の気密性が、貫通孔３３を通じて損なわれることがない。
なお、反りが生じている基板Ｗであっても、支持部材１１と第１、第２シール部１５、４１に沿うように矯正される。このため、たとえ吸着前に第１、第２シール部１５、４１がそれぞれ第１、第２空間ｍｓ１、ｍｓ２の側方を完全に閉塞できない場合であっても、本ステップＳ２において第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１を気密にすることができる。
図５および図６を参照して具体的に説明する。基板Ｗの反りとしては、図５（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が上方に突出するように反ったもの（山型反り）と、図６（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が下方に突出するように反ったもの（谷型反り）がある。
中央部が上方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点で既に基板Ｗに第１シール部１５が当接しているが、第２シール部４１は当接していない。このため第１空間ｍｓ１の側方は閉塞されているが、第２空間ｍｓ２の側方は閉塞されていない。よって、第１空間ｍｓ１は、貫通孔３３を通じて大気と連通しており、気密ではない。しかし、この状態で吸引することにより、第２シール部４１を乗り越えて内側から外側へ気体が流入してベルヌーイ効果が生じ、基板Ｗの第２シール部４１に対向する部分が下方に引き寄せられる（図５（ａ）において空気の流れを点線で示す）。やがて、基板Ｗが第２シール部４１に当接することで、第２空間ｍｓ２の側方は閉塞され、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１は気密になる。さらに吸引することにより、基板Ｗは全体的に下方に引き寄せられ、基板Ｗの反りは、図５（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。
一方、中央部が下方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点では第１シール部１５が当接しないが、第２シール部４１は当接している。このため、第２空間ｍｓ２の側方のみが閉塞されて、第１空間ｍｓ１の側方は開放されている。しかし、この状態で吸引することにより、周囲から基板Ｗと第１シール部１５との間を通じて第１空間ｍｓ１内に気体が流入してベルヌーイ効果が生じ、基板Ｗの周縁部が下方に引き寄せられる（図６（ａ）において空気の流れを点線で示す）。やがて、基板Ｗの周縁部が第１シール部１５に当接することで、第１空間ｍｓ１は側方も閉塞され、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１は気密になる。これにより、基板Ｗの反りは、図６（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。
＜ステップＳ３＞ 基板Ｗを熱処理する
吸着支持されている基板Ｗに対して、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗに対して所定の熱処理を施す。
＜ステップＳ４＞ 基板Ｗを搬出する
所定時間の熱処理を終えると、制御部５１は、真空吸引源２３を停止させるとともに圧力調整弁２５を閉止して、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１内の排気を停止して、内部の圧力を大気圧にする。これにより、基板Ｗの吸引が解除される。次いで、エアシリンダ３７を駆動して受け渡しピン３１を上昇させ、基板Ｗを上方へ持ち上げる。この状態で、図示しない搬送手段により基板Ｗを搬出する。
このように、実施例１に係る基板熱処理装置によれば、第２シール部４１が第２空間ｍｓ２の側方を閉塞することにより、第１空間ｍｓ１を第２シール部４１で遮断することができる。これにより、第２空間ｍｓ２を除く第１空間ｍｓ１は、貫通孔３３を通じて気密性が損なわれることがない。よって、基板Ｗを的確に吸着することができ、たとえ反りが生じている基板Ｗであっても平坦な状態に矯正できる。したがって、基板Ｗに好適に熱処理を行える。
また、第２シール部４１を所定のつぶししろに変形させつつ基板Ｗと当接させることで、第２シール部４１の弾性復元力により基板Ｗとの当接面に面圧を発生させているので、第２シール部４１のシール性を高められる。
また、第２シール部４１は固定的に設けられ、基板Ｗと当接するのみで他の部材と摺動することがないので、極めて簡単な構造とすることができ、パーティクル等が発生するおそれもない。また、この第２シール部４１のみで貫通孔３３との連通を遮断するので、低コストで実現できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号をふすことで詳細な説明を省略する。図７は、熱処理プレートの平面図である。
実施例２は、実施例１における第２シール部４１に換えて摺接部材４３を備える基板熱処理装置である。摺接部材４３は、熱処理プレート１の下面における貫通孔３３の開口に設けられている。摺接部材４３はリング形状を呈し、その内径は受け渡しピン３１の外径と同等である。受け渡しピン３１は、その中空部に摺動可能に貫通している。これにより、摺接部材４３は、受け渡しピン３１の移動を妨げることなく貫通孔３３を塞ぐ（軸封する）。摺接部材４３の材質としてはゴム等が例示される。なお、第１シール部１５は、この発明における閉塞手段にも相当する。
このような構成の基板熱処理装置に基板Ｗが搬入されると、受け渡しピン３１は、その周面が摺接部材４３の内周面と密着しながら摺動することで、上下に移動する。このため、貫通孔３３は摺接部材４３により常に大気と遮断されている。よって、基板Ｗが支持部材１１に受け渡されると、第１シール部１５が第１空間ｍｓ１の側方を閉塞して、第１空間ｍｓ１は密閉される。これにより、その後に基板Ｗを好適に吸着することができる。
このように、実施例２によれば、摺接部材４３を備えることで、第１空間ｍｓ１が貫通孔３３を通じて気密性が損なわれない。また、摺接部材４３を基板Ｗから遠い熱処理プレート１の下面に設けることで、たとえ摺接部材４３からパーティクルが発生しても、パーティクルが基板に及ぶことを抑制できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号をふすことで詳細な説明を省略する。図８は、熱処理プレートの平面図である。
実施例３は、実施例１における第２シール部４１に換えて伸縮部材４５を備える基板熱処理装置である。伸縮部材４５は、蛇腹状の筒状体であって、上下方向に伸縮可能である。この伸縮部材４５の上端は、熱処理プレート１の下面であって、貫通孔３３の開口を囲む位置に固定的に設置されている。また、伸縮部材４５の下端は、受け渡しピン３１を囲んだ状態で支持ベース３５に固定的に取り付けられている。伸縮部材４５の内部には、貫通孔３３と連通する閉空間Ｓｃが形成されている。
このような構成の基板熱処理装置に基板Ｗが搬入されると、エアシリンダ３７は支持ベース３５と受け渡しピン３１を上下に移動させる。これに伴い、伸縮部材４５は、内部に形成された閉空間Ｓｃを周囲から遮断しつつ、上下に伸縮する。よって、貫通孔３３は伸縮部材４５により常に大気と遮断されている。基板Ｗが支持部材１１に受け渡される際、第１シール部１５が第１空間ｍｓ１の側方を閉塞することで、第１空間ｍｓ１は気密になる。よって、その後に基板Ｗを好適に吸着することができる。
このように、実施例３によれば、伸縮部材４５を備えることで、第１空間ｍｓ１が貫通孔３３を通じて気密性が損なわれない。また、伸縮部材４５によれば、他の部材と摺接することがないので、比較的パーティクルの発生を抑えることができる。また、伸縮部材４５の下端を支持ベース３５に取り付けることで、その内部に閉空間Ｓｃを形成することができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例１では、第２シール部４１として弾性を有するＯリングを例示したが、これに限られない。たとえば、第２シール部４１全体が弾性体でなくても、その一部に弾性体を備えるようにしてもよい。さらには、第２シール部４１が基板Ｗに当接することのみをもって第２空間ｍｓ２を閉塞することができるため、第２シール部４１を弾性体でなく、かつ、弾性体を備えていないものに変更してもよい。このような場合には、つぶししろはないので、第２シール部４１の熱処理プレート１の上面からの突出高さは、通常時において支持部材１１の突出高さと等しくなるようにすればよい。
また、第２シール部４１はＯリングに限られない。平面視リング状であれば、円形に限らず矩形状等を呈するものであってもよい。また、その断面も円形に限らず、矩形状としてもよい。
（２）上述した実施例１では、第２シール部４１を配置するために熱処理プレート１に溝１８を形成したが、このような溝を形成しなくてもよい。たとえば、熱処理プレート１の上面と固着することができれば、熱処理プレート１を加工することを要しない。
（３）上述した実施例１において、第２シール部４１も基板Ｗを支持する機能を有するので、第２シール部４１付近に配置される支持部材１１を省略するように構成してもよい。
（４）上述した実施例２では、摺接部材４３を貫通孔３３の下端に設けたがこれに限られない。たとえば、貫通孔３３の上端の開口部（熱処理プレート１の上面）に設けてもよいし、貫通孔３３の中央部（熱処理プレート１の内部）に設けてもよい。
（５）上述した実施例２では、摺接部材４３としてゴムを例示したがこれに限られない。たとえば、磁性流体シールによって、軸封するように構成してもよい。すなわち、受け渡しピン３１の周囲に磁性流体を気密シール材として設けて、磁気力によって受け渡しピン３１に密着させて、貫通孔３３を大気から遮断してもよい。これによれば、パーティクルの発生を抑えることができる。
また、摺接部材４３としてＯリングを用いてもよい。たとえば、貫通孔３３の内部に凹溝を形成して、受け渡しピン３１の外径と同等の内径を有する、１個、または複数個のＯリングを固定的に設置し、受け渡しピン３１をＯリングに貫通させてもよい。
（６）上述した実施例２、３では、貫通孔３３と排出孔１７を別個に設けたがこれに限られない。たとえば、受け渡しピン３１の内部に排気用の管路を形成し、この管路を一連の排出手段に連結することで、受け渡しピン３１に排出孔１７と同等の機能を持たせてもよい。あるいは、貫通孔３３と受け渡しピン３１との隙間を利用して、第１空間ｍｓ１内の気体を排出するように構成してもよい。これらにより、排出孔１７を省略することができる。
（７）上述した実施例３では、伸縮部材４５の下端を支持ベース３５に取り付けたが、設置方法はこれに限られない。貫通孔３３に連通する閉空間Ｓｃを周囲と遮断することができれば、受け渡しピン３１や他の部材に伸縮部材４５の下端を取り付けてもよい。
（８）上述した各実施例では、基板Ｗが円形である場合であったが、これに限られない。また、第１シール部１５は平面視円環形状を呈するものであったが、リング状であれば他の形状であってもよい。たとえば、矩形状の基板を処理対象としてもよく、また、第１シール部１５を矩形状としてもよい。
（９）上述した各実施例では、支持部材１１は球形状であり、その材質としてセラミック等を例示したが、これに限られない。例えば、形状としては熱処理プレート１の上面から突出すれば任意の形状とすることができる。また、材質としても樹脂等に置換してもよい。
（１０）上述した各実施例では、伝熱部５にヒートパイプを埋設した構成を例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても適用することができる。
実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 熱処理プレートの平面図である。 第２シール部を説明する要部断面図である。 基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。 中央部が熱処理プレートと反対側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。 中央部が熱処理プレート側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。 実施例２に係る熱処理プレートの平面図である。 実施例３に係る熱処理プレートの平面図である。
符号の説明
１ …熱処理プレート
３ …発熱体
５ …伝熱部
１１ …支持部材
１５ …第１シール部
１７ …排出孔
２１ …排出配管
２３ …真空吸引源
２５ …圧力調整弁
２７ …圧力計
３１ …受け渡しピン
３３ …貫通孔
３５ …支持ベース
３７ …エアシリンダ
４１ …第２シール部
４３ …摺接部材
４５ …伸縮部材
５１ …制御部
Ｗ …基板
ｍｓ …微小空間
ｍｓ１ …第１空間
ｍｓ２ …第２空間
Ｓｃ …閉空間

Claims (6)

  1. 基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
    熱処理プレートと、
    前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、
    前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、
    前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、
    前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される第１空間の側方を閉塞する第１閉塞手段と、
    前記熱処理プレートの上面において、前記貫通孔の開口部の周囲であって、前記第１閉塞手段の内側の位置にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される、前記貫通孔に対向した第２空間の側方を閉塞する第２閉塞手段と、
    前記第２空間を除いた前記第１空間の気体を排出するための排出孔と、
    を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板熱処理装置において、
    前記第２閉塞手段は、弾性体を備えることを特徴とする基板熱処理装置。
  3. 基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
    熱処理プレートと、
    前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、
    前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、
    前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、
    前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、
    前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
    前記貫通孔に設けられ、前記受け渡しピンと摺接して軸封するリング形状の摺接部材と、
    を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板熱処理装置において、
    前記摺接部材は、前記熱処理プレートの下面に形成される前記貫通孔の開口部に配置されていることを特徴とする基板熱処理装置。
  5. 基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
    熱処理プレートと、
    前記熱処理プレートを上下方向に貫く貫通孔に挿通され、基板を当接支持する受け渡しピンと、
    前記熱処理プレートの上面に突出して設けられ、基板を当接支持する支持手段と、
    前記支持手段の突出高さより上方の受け渡し位置と、前記支持手段の突出高さ以下の待機位置とにわたって前記受け渡しピンを昇降させる昇降手段と、
    前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、前記支持手段に支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、
    前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
    前記熱処理プレートの下面であって前記貫通孔の開口部を含む位置に接合され、前記受け渡しピンの昇降とともに伸縮しつつ、前記貫通孔と連通する閉空間を形成する伸縮部材と、
    を備えることを特徴とする基板熱処理装置。
  6. 請求項５に記載の基板熱処理装置において、
    前記受け渡しピンと前記昇降手段とは支持ベースを介して連結されており、
    前記伸縮部材は、前記受け渡しピンを囲んで前記支持ベースに接合されていることを特徴とする基板熱処理装置。

JP2005351941A 2005-12-06 2005-12-06 基板熱処理装置 Pending JP2007158077A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351941A JP2007158077A (ja) 2005-12-06 2005-12-06 基板熱処理装置
US11/566,507 US7718925B2 (en) 2005-12-06 2006-12-04 Substrate heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351941A JP2007158077A (ja) 2005-12-06 2005-12-06 基板熱処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007158077A true JP2007158077A (ja) 2007-06-21

Family

ID=38161702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005351941A Pending JP2007158077A (ja) 2005-12-06 2005-12-06 基板熱処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7718925B2 (ja)
JP (1) JP2007158077A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300047A (ja) * 2006-05-08 2007-11-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法，プログラム及び熱処理装置
JP2010530636A (ja) * 2007-06-21 2010-09-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法
US8446566B2 (en) 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US9013682B2 (en) 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
WO2016092700A1 (ja) * 2014-12-12 2016-06-16 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2018133408A (ja) * 2017-02-14 2018-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
JP2018157026A (ja) * 2017-03-16 2018-10-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2019021806A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4666496B2 (ja) * 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP4110189B2 (ja) * 2006-12-13 2008-07-02 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体パッケージ
US20080316461A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
US8198567B2 (en) 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
US7993462B2 (en) * 2008-03-19 2011-08-09 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device having continuous concavity
JP5542743B2 (ja) * 2010-10-07 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
CN103165503B (zh) * 2011-12-14 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 翘曲片工装、使用方法及其交接片装置
US9384504B2 (en) 2012-06-13 2016-07-05 Aggregate Shopping Corp. System and method for a user to perform online searching and purchasing of multiple items
US9224167B2 (en) 2012-06-13 2015-12-29 Aggregate Shopping Corp. System and method for aiding user in online searching and purchasing of multiple items
US10182487B2 (en) 2012-11-30 2019-01-15 Enlighted, Inc. Distributed fixture beacon management
US9585228B2 (en) 2012-11-30 2017-02-28 Enlighted, Inc. Associating information with an asset or a physical space
US20140279222A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Aggregate Shopping Corp. Checkout System and Method for Purchasing Multiple Items On-Line
KR20160013916A (ko) * 2013-05-23 2016-02-05 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP6867226B2 (ja) * 2017-05-01 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 真空吸着部材
US11955362B2 (en) * 2017-09-13 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Substrate support for reduced damage substrate backside
CN112185844A (zh) * 2019-07-01 2021-01-05 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置
US11587818B2 (en) * 2019-07-18 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chuck design and method for wafer
US11892778B2 (en) * 2021-07-07 2024-02-06 Changxin Memory Technologies, Inc. Device for adjusting wafer, reaction chamber, and method for adjusting wafer
CN114141691B (zh) * 2021-12-14 2022-06-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JP2000181079A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2001060618A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP2003051535A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Canon Inc 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2003332193A (ja) * 2003-03-20 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2004303831A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2005012009A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02290013A (ja) 1989-04-28 1990-11-29 Tokyo Electron Ltd 温度処理方法
JPH0679140A (ja) 1992-09-01 1994-03-22 Tokyo Gas Co Ltd 燃焼排ガスの浄化方法および該方法に用いられる触媒
JPH11329925A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置および基板熱処理方法
JP3333135B2 (ja) * 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3769426B2 (ja) * 1999-09-22 2006-04-26 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜形成装置
US6544338B1 (en) * 2000-02-10 2003-04-08 Novellus Systems, Inc. Inverted hot plate cure module
JP3920699B2 (ja) 2001-09-19 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法
JP3989384B2 (ja) * 2003-02-07 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JP2000181079A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2001060618A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP2003051535A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Canon Inc 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2003332193A (ja) * 2003-03-20 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2004303831A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2005012009A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300047A (ja) * 2006-05-08 2007-11-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法，プログラム及び熱処理装置
JP2010530636A (ja) * 2007-06-21 2010-09-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法
US9013682B2 (en) 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
US8446566B2 (en) 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US9122174B2 (en) 2007-09-04 2015-09-01 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2016092700A1 (ja) * 2014-12-12 2016-06-16 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JPWO2016092700A1 (ja) * 2014-12-12 2017-10-19 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10431463B2 (en) 2014-12-12 2019-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding device, lithography apparatus, and article production method
JP2018133408A (ja) * 2017-02-14 2018-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
US11143964B2 (en) 2017-02-14 2021-10-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus used therefor
JP2018157026A (ja) * 2017-03-16 2018-10-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2019021806A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7718925B2 (en) 2010-05-18
US20070128889A1 (en) 2007-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007158077A (ja) 基板熱処理装置
US8608885B2 (en) Substrate heat treatment apparatus
JP4707593B2 (ja) 熱処理装置と基板吸着方法
JP4666473B2 (ja) 基板熱処理装置
US8003919B2 (en) Substrate heat treatment apparatus
JP6711168B2 (ja) 基板載置装置及び基板載置方法
JP2007158074A (ja) 基板熱処理装置
US9607868B2 (en) Substrate heat treatment apparatus
JP2007123790A (ja) 冷却プレート及びベーク装置並びに基板処理装置
JP2006339485A (ja) 基板熱処理装置
KR102640515B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JPWO2003071599A1 (ja) 基板吸着装置
JP4901323B2 (ja) 基板処理装置
CN108428616B (zh) 基板处理方法及其装置
US11387121B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating system including pin lift mechanism below cooling base and heat plate
JP2007080935A (ja) 基板熱処理装置
JP2007158075A (ja) 基板熱処理装置
JP2007158076A (ja) 基板熱処理装置
JP4811882B2 (ja) 基板熱処理装置
CN108428615B (zh) 基板处理方法及其装置
JP7025964B2 (ja) 熱処理装置
US11495476B2 (en) Substrate treating apparatus
KR20100067758A (ko) 리프트 핀 승강장치
KR20020084477A (ko) 반도체 장치의 제조를 위한 베이크 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100527

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110106