JP4901323B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハやガラス基板等の被処理基板に熱処理などを施す基板処理装置に関する。
半導体ウェーハやガラス基板等の被処理基板上に集積回路を形成するには、被処理基板表面に所定パターンのレジストマスクを被覆し、このレジストマスクの上からＣＶＤ、エッチング、ドーピング等の各種処理を施している。特に最近では、高集積化及び高密度化に伴い、マスクの更なる微細化が要望されており、この要望に応える形で、マスクを構成する感光性レジスト材料が種々開発され、例えば解像性及び感度に優れたレジストとして化学増幅型レジストが注目されている。
上記の感光性レジストにて所定パターンのレジスト膜を形成するには、基板表面にレジスト膜となる塗布液を塗布した後、塗布液を加熱処理装置内で加熱し膜を形成した後、この膜に所定パターンで光を当て、レジスト膜がポジ型であれば、光が当らなかった部分を不溶性部分とし、ネガ型であれば光が当った部分を不溶性部分として残す。
特許文献１に開示される加熱装置の構造は、図４に示すように、ケース１００内の略中央部に被処理基板Ｗを冷却処理するクールプレート１０１を、またクールプレート１０１よりも上方に被処理基板Ｗを加熱処理するホットプレート１０２を配置し、クールプレート１０１を貫通して昇降ピン１０３が上方に伸び、その上端にて被処理基板Ｗの下面を支持する。また、ケース１００の側方にはロボット１０４を配置し、このロボット１０４との間で被処理基板Ｗを授受するための搬入・搬出用の開口１０５をケース１００の側面に形成している。
特開平１１−１６２８０４号公報
上述した従来の加熱処理装置にあっては、ホットプレート（クールプレート）の上方にロボット１０４のアームが進入するスペースを確保しなければならず、ホットプレート（クールプレート）に被処理基板を載置した状態で、被処理基板の上方の空間が大きくなり、基板上の温度分布に乱れが生じ、塗布液の乾燥に影響を及ぼす。
上記課題を解決すべく請求項１に係る発明は、ケース内に被処理基板を載置する載置台を設けた基板処理装置において、前記ケースは上ケースと下ケースに分離され、前記上ケースはその周囲を支持部材に載せて支持され、前記下ケースは上ケースに対して昇降動可能とされるとともに前記載置台が支持され、前記下ケースが上昇することで、下ケースの上端面が上ケースの下端面に当接し、上ケースを前記支持部材から持ち上げ、前記上ケースは自重によってその下端面が下ケースの上端面に気密に当接する構成とした。
また請求項２に係る発明はケース内に被処理基板を載置する載置台を設けた基板処理装置において、前記ケースは上ケースと下ケースに分離され、前記上ケースは昇降機構によって下ケースに対して昇降動可能とされ、前記下ケース内には前記載置台が支持され、前記上ケースが下降することで上ケースの下端面が下ケースの上端面に当接して上ケースが昇降機構から持ち上げられ、前記上ケースは自重によってその下端面が下ケースの上端面に気密に当接する構成とした。
前記下ケースに支持される載置台としては、ホットプレートが一般的である。また前記上ケースには整流板などを取り付けることも考えられるが、塗布液として感光性レジストを用いた場合には、感光性レジスト膜は急冷することによって感度が上がるため、上ケース内にクールプレートを配置してもよい。
本発明によれば、被処理基板を出し入れする際は上ケースと下ケースとの間隔を開いて出し入れを容易にし、処理中は上ケースと下ケースとを密着せしめ、載置台（ホットプレート）と天井部との間隔を狭くしたので温度分布の乱れが生じにくい。
また、被処理基板の大型化に伴って、ケースも大きくなると自重によってケース自体に歪みが生じやすくなる。しかしながら、本願発明のように自らの重量によって気密状態を維持するようにすれば、ケース自体を水平に調整する手間が不要になる。
以下に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理装置の開状態の断面図、図２は同基板処理装置の閉状態の断面図であり、基板処理装置はケース１を上ケース２と下ケース３とに分割している。
上ケース２は下端面２ａを平坦面とし、外側に向かってブラケット４を突出し、このブラケット４を支持部材５に載せることで支持されている。尚、この実施例にあっては支持部材５は昇降動せずに固定されている。
また、下ケース３は上端面３ａを平坦面とし、全周にＯリングなどのシール部材６を設けている。シール部材６は上ケース２の下端面２ａに取り付けてもよい。また、シール部材６の代わりにラビリンスパッキンなどを用いてもよい。
下ケース３は横置きシリンダユニットによって開閉動するパンパグラフ機構７によって昇降動可能とされ、また下ケース３の内部にはホットプレート８を配置し、このホットプレート８と対向する整流板９を前記上ケース２内に配置している。尚、整流板９は設けなくてもよく、整流板９の代わりにクールプレートを配置してもよい。
前記ホットプレート８には厚み方向に貫通孔が形成され、この貫通孔に支持ピン１０が挿通され、この支持ピン１０はホットプレート８下方のシリンダユニット１１によってホットプレート８に対して昇降動する。
以上の構成からなる基板処理装置の作用について述べる。先ず、図１に示す状態、即ち、パンパグラフ機構７によって下ケース３を下げ、上ケース２と下ケース３との間にロボット１２のアームが進入できるスペースを作る。この状態から、ロボット１２のアームに載せた被処理基板Ｗをホットプレート８の上方まで挿入する。次いで、シリンダユニット１１を作動させて支持ピン１０を上昇させ、ロボット１２のアームから被処理基板Ｗを支持ピン１０上に受け取る
この後、ロボット１２のアームが後退するとともに支持ピン１０が下降し、被処理基板Ｗをホットプレート８上に載置する。またこれと並行してパンパグラフ機構７の作動で下ケース３が上昇し、下ケース３の上端面３ａに取り付けたシール部材６が上ケース２の下端面２ａに当接し、上ケース２と下ケース３とが一体化して内部に気密な空間が形成される。
上ケース２と下ケース３とが閉じた状態では、被処理基板Ｗの上方空間は極めて狭くなっており、気流などに起因して温度分布が乱れることがない。
図３は別実施例に係る基板処理装置の開状態の断面図であり、上ケース２の上面に係合部１３を設け、この係合部１３に図示しない昇降機構によって上下動するロッド１４を挿入している。係合部１３の上面には内方への突出部１３ａとなっており、ロッド１４が上昇位置にあるときはロッド下端の大径部１４ａが前記
突出部１３ａに係止してロッド１４にて上ケース２が持ち上げられる。
そして、ロッド１４が下降してくると、上ケース２の下端面２ａが下ケース３の上端面３ａに取り付けたシール部材６に当接し、上ケース２と下ケース３とが一体化して内部に気密な空間が形成される。
本発明に係る基板処理装置の開状態の断面図 同基板処理装置の閉状態の断面図 別実施例に係る基板処理装置の開状態の断面図 従来の基板処理装置の断面図
符号の説明
１…ケース、２…上ケース、２ａ…上ケースの下端面、３…下ケース、３ａ…下ケースの上端面、４…ブラケット、５…支持部材、６…シール部材、７…パンパグラフ機構、８…ホットプレート、９…整流板、１０…支持ピン、１１…シリンダユニット、１２…ロボット、１３…係合部、１３ａ…突出部、１４…ロッド、１４ａ…大径部、Ｗ…被処理基板。

Claims (1)

  1. ケース内に被処理基板を載置する載置台を設けた基板処理装置において、前記ケースは上ケースと下ケースに分離され、前記上ケースはその周囲を支持部材に載せて支持され、前記下ケースは昇降機構によって上ケースに対して昇降動可能とされるとともに前記載置台が支持され、前記下ケースが上昇することで、下ケースの上端面が上ケースの下端面にシール部材を介して当接し、上ケースを前記支持部材から持ち上げ、前記上ケースは自重によってその下端面が下ケースの上端面に気密に当接することを特徴とする基板処理装置。
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