KR100244727B1 - 열처리장치 - Google Patents

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KR100244727B1
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히가시 데쓰로
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Abstract

본 발명은, 피처리체를 재치하는 재치대와, 이 재치대를 통하여 피처리제를 가열하는 가열수단과, 재치대를 관통하여 피처리제를 지지하는 지지핀을 포함하며, 재치대는 지지핀의 수평이동을 허용하는 크기의 관통공을 가지며, 지지핀은 관통공 내에 있어서 수평 이동 가능한 열 처리 장치이다.
또한, 본 발명은 처리실 내에 배치되며 피처리제를 재치하는 재치대와, 이 재치대를 통하여 피처리체를 가열하는 가열 수단과, 재치대와의 사이에 처리공간을 형성하도록 처리설에 배치된 커버 부재와, 처리 공간을 구획하고 개폐가능한 셔터 부재와, 커버 부재와 셔터 부재와의 사이에 설치된 간격 설정용 부재를 포함하는 열처리 장치이다.

Description

열 처리 장치
제 1a 도 및 제 1b 도는 종래의 열 처리 장치의 상온시 및 가열시의 재치대와 지지핀과의 사이의 관계를 나타내는 개략도.
제 2 도는 본 발명의 열 처리 장치를 적용한 LCD 기판의 도포. 현상 처리 시스템의 사시도.
제 3 도는 본 발명의 열 처리 장치의 일예를 나타내는 개략도.
제 4 도는 본 발명의 재치대 및 지지핀을 나타내는 분해 사시도.
제 5 도는 재치대 및 지지핀을 나타내는 요부 확대도.
제 6 도는 본 발명의 셔터부재를 나타내는 사시도.
제 7a∼제 7c 도는 재치대에 설처된 소정 스폐이서의 형태를 도시하는 단면도.
제 8a 및 제 8b 도는 본 발명의 상온시 및 가열시의 재치대와 지지핀과의 사이의 관계를 도시하는 개략도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
21 : 처리실 22, 101 : 재치대
23 : 처리 공간 24 : 처리실 상벽
25 : 배기구 27 : 개폐문
28, 102 : 관통공 28a : 코팅 막
30, 103 : 지지핀 30a : 다리부
30b : 핀 본체 30c : 핀 보조체
31 : 유지 부재 32 : 지지 부재
33 : 승강 기 구
35 : 구동 풀리 36 : 종동 풀리
37 : 타이밍 벨트 50 : 간격 설정용 돌기
51 : 공기 도입구 60 : 에어 실린더
본 발명은, 예를 들면 LCD 기판 등의 피체리제를 가열하여 처리하는 열처리 장치에 관한다.
일반적으로, 액정 표시 장치의 제조 공정에 있어서는, LCD 기판(유리 기판)상에 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나, 전극 패턴 등을 형성하기 위하여, 반도체 제조 공정에 있어서 이용되는 포토리소그래피 기술을 이용하여 LCD기판상에 레지스트 막을 형성하고, 그 레지스트막에 소정의 회로 패턴을 전사한다. 예를 들면, 피처리체인 직각 형상의 LCD 기판을 세정장치로 세정한 후, LCD기판에 애드히젼(Adhesion)처리 장치에 있어서 소수화 처리를 하고, 이것을 냉각 처리 장치에 있어서 냉각 한 후에, 레지스트 도포 장치에 있어서 LCD 기판상에 레지스트 막을 도포 형성한다. 그 후, 열 처리 장치에 있어서, 레지스트 막에 베이킹 처리를 하고, 노광 장치에 있어서, 노광 함으로써 소정의 패턴을 레지스트막에 전사하고, 그 후, 현상 장치에 있어서 노광후의 LCD 기판에 현상액을 공급하여 현상하고, 헹굼 액으로 현상액을 씻어 낸다.
상기와 같은 처리에 있어서, LCD 기판상의 레지스트 막에 베이킹 처리를 할 때에 사용하는 열 처리 장치는 LCD 기판을 재치 하는 재치대와, 이 재치대를 통하여 LCD기판을 가열하는 가열 수단, 예를 들면 가열 히터와, 재치대를 관통하여 LCD 기판을 지지하고, 승강 기구에 의해 승강 가능한 지지핀을 구비한다. 이 열 처리 장치에 있어서, 레지스트막에 베이킹 처리를 할 경우에는, 가열 히터의 발열을 제어하여 재치대를 소정 온도, 예를 들면, 120℃∼150℃로 가열한다.
그러나, 종래의 열 처리 장치에 있어서, 재치대를 에를 들면, 120℃∼150℃로 가열하면, 재치대가 열 팽창하고, 그에 따라 재치대에 설치된 지지핀용 관통공 위치가 넓어진다. 그 결과, 제 1a 에 도시하는 바와 같이, 열 처리전의 상온 시에는, 재치대(101)의 관통공(102)내에 비 접촉 상태로 지장없이 지지핀(103)이 삽입 관통되던 것이 , 열 처리시의 고온 시에는, 제 1b 도에 도시하는 바와 같이, 지지핀(103)을 승강시킬 때에 지지핀(103)이 관통공(102)에 접촉하고, 지지핀(103)이 관통공(102)을 삽입 통과할 때에 지지핀(103)을 비스듬하게 한다. 이러한 경향은, 기판의 치수가 클수록 현저해진다.
이 때문에, LCD 기판을 재치대상에 재치할 때에 지장을 가져올 뿐만 아니라, 지지핀(103)이 관통공(102)과의 접촉에 의해 분자가 발생할 우려가 있다.
이에 따라, 수율이 저하한다고 하는 문제가 있다. 특히 재치대(101)가 대형이 될수록 또한, 가열 온도가 높을수록 상기의 경향은 뚜렷해진다.
한편, 열 처리 장치의 처리 공간을 개폐 가능하게 차단하는 셔터부재의 개폐 이동을 에어 실린더로 행하는데 있어서는, 재치대(101)와의 사이에 처리공간을 형성하도록 배치된 커버 부재와 셔터 부재와의 설정 간격의 조정이 어렵고, 이 사이의 간격을 정확히 설정할 수가 없다. 이 때문에, 열 처리 장치내의 소정의 도입 공기량을 확보 할 수가 없고, LCD 기판의 가열이 불균일 해지며, 수율을 저하시키는 문제도 있다.
본 발명의 목적은, 재치대에 설치된 관통공과 지지핀과의 접촉에 의한 분자의 발생을 억제하여 수율 향상을 꾀하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 열 처리시의 공기 도입구의 간격을 설정함으로써 가열 온도를 균일하게 하여 수율 향상을 꾀하는 것이다.
본 발명은, 피처리체를 재치 하는 재치대와, 상기 재치대를 통하여 상기 피처리체를 가열하는 가열수단과, 상기 재치대를 관통하여 상기 피처리체를 지지하는 지지핀을 구비하며, 상기 재치대는 상기 지지핀의 수평이동을 허용하는 크기의 관통공을 가지며, 상기 지지핀은 상기 관통공 내에 있어서 수평이동 가능한 열처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 처리실 내에 배치되어 피처리체를 재치 하는 재치대와, 상기 재치대를 통하여 상기 피처리제를 가열하는 가열 수단과, 상기 재치대와의 사이에 처리 공간을 형성하도록 상기 처리실에 배치된 커버 부재와, 상기 처리 공간을 구획하고 개폐가능한 셔터 부재와, 상기 커버 부재와 상기 셔터 부재와의 사이에 설치된 간격 설정용 부재를 구비하는 열 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 열 처리 장치는, 재치대는 지지핀의 수평 이동을 허용하는 크기의 관통공을 가지며, 지지핀은 관통공 내에 있어서 수평 이동 가능한 것을 특징으로 하고 있다. 이것에 의해, 열 처리시에 재치대가 열 팽창하여 지지핀과 관통공과의 사이의 상대적인 위치가 편위하더라도, 지지핀을 관통공의 위치와 대응하여 이동시킬 수가 있다. 따라서, 지지핀은 항상 경사지는 일없이 관통공에 관통되며, 연직 방향으로 재치대로부터 돌출하여 피처리체의 수수를 행한다. 이 결과, 지지핀이 관통공에 접촉하지 않고, 관통공으로의 지지핀 접촉에 기인하는 마모나 분자 발생을 억제할 수 가 있다.
이 경우, 지지핀을 강성을 가지는 금속제 핀 본체와, 이 핀 본체의 상단부(피처리체에 접촉하는 부분)에 장착되는 내식성을 가저는 합성 수지재의 핀 보조제로 구성하며, 재치대에 설치되는 관통공의 적어도 내주면에 합성수지제의 코팅 막을 형성하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 지지핀과 관통공과의 사이의 접촉에 의한 지지핀의 마모 및 분자 발생을 더욱 확실히 억제할 수가 있다.
또한, 본 발명의 열 처리 장치는, 재치대와의 사이에 처리 공간을 형성하도록 처리실에 배치된 커버부재와, 처리 공간을 구획하고, 개폐가능한 셔터부재와, 커버부재와 상기 셔터 부재와의 사이에 설치되는 간격 설정용 부재를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 이 간격 유지용 부재에 의해, 커버 부재와 셔터부재와의 사이의 간격을 확실히 설정할 수가 있고, 이에 따라 열 처리시에 소졍량의 공기를 도입하고 배출할 수 있다. 그 결과, 공기류의 균일화, 즉, 가열 온도의 균일화를 꾀할 수가 있다. 여기서, 간격 설정용 부재로서는, 돌기, 스폐이서 등을 들 수 있다. 예를 들면, 커버부재 또는 셔터부재의 어딘가 한 쪽에 돌기를 형성함으로써 간격 설정용 부재를 구성할 수 있다. 또한, 간격 설정용 부재의 형상 및 수는 임의이다.
이어서, 본 발명의 설시예를 첨부 도면을 토대로 상세히 설명한다. 이 실시 예에서는, 본 발명에 관한 열 처리 장치를 LCD 기판의 도포· 현상처리 시스템에 적용한 경우에 대해 설명한다.
상기 도포· 현상처리 시스템은, 제 2 도에 도시하는 바와 같이, 피처리체로서 LCD 기판(G)(이하, 기판으로 생략함)을 반입·반출하는 로더부(1)와, 기판(G)의 제 1 처리부(2)와, 중계부(3)를 통하여 제 1 처리부(2)에 연결 설치되는 제 2 처리부(4)에 의해 주로 구성되어 있다. 한편, 제 2 처리부(4)에는, 수수부(5)를 통하여 레지스트막을 노광하여 소정의 미세 패턴을 레지스트막으로 전사하기 위한 노광 장치(6)가 연설 가능하게 되어 있다.
상기 로더부(1)는, 미처리의 기판(G)을 수용하는 카세트(7) 및 처리 완료된 기판(G)을 수용하는 카세트(7a)를 재치 하는 카세트 재치대(8)와, 이 카제트 재치대(8)상의 카세트(7,7a)와의 사이에서 기판(G)의 반입·반출을 하기 위하여, 수평(X,Y)방향 및 수직(Z)방향의 이동 및 회전(θ)가능한 기판 반출입 핀셋(9)으로 구성되어 있다.
상기 제 1 의 처리부(2)에 있어서는, X,Y,Z 방향의 이동 및 θ회전 가능한 메인 아암(10)의 반송로(11)의 한쪽에, 기판(G)을 브러시 세정하는 브러시 세정장치(12)와, 기판(G)을 고압젯트 물로 세정하는 제트물 세정 장치(13)와, 기판(G)의 표면을 소수화 처리하는 애드히젼 처리 장치(14)와, 기판(G)을 소정 온도로 냉각하는 냉각 처리 장치(15)가 배치되어 있으며, 반송로(11)의 다른 쪽에, 레지스트 도포장치(16) 및 도포막 제거장치(17)가 배치되어 있다.
한편, 상기 제 2 처리부(4)에 있어서는, 제 1 처리부(2)와 마찬가지로, X,Y,Z방향의 이동 및 θ회전 가능한 메인 아암(10a)을 가지고 있으며, 이 메인 아암(10a)의 반송로(11a)의 한쪽에, 레지스트액 도포의 전후에 기판(G)을 가열하여 프리 베이크 또는 포스트 베이크를 하는 본 발명에 관한 열 처리 장치(18)가 배치되어 있으며, 반송로(11a)의 다른 쪽에 현상장치(20)가 배치되어 있다.
또한, 상기 중계부(3)는, 저면에 캐스터(3d)를 가지는 상자(3c)의 윗면에 기판(G)을 지지하는 지지핀(3a)을 세워 설치한 수수대(3b)를 가지는 구조로 되어 있으며, 필요에 따라, 이 중계부(3)를 제 1 처리부(2) 및 제 2 처리부(4)의 사이에서 분리 인출하여 스폐이스를 확보하고, 제 1 처리부(2) 또는 제 2처리부(4)내로 작업원이 들어가 보수나 점검 등을 용이하게 할 수 있도록 되어 있다.
상기 수수부(5)에는, 기판(G)을 일시 대기시키기 위한 카세트(19a)와, 이 카세트(19a)와 메인 아암(10a)과의 사이에서 기판(G)의 반송을 하는 반송용 핀샛(19b), 기판(G)의 수수대(19c)가 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되는 도포·현상처리 시스템에 있어서, 카세트(7)내에 수용된 미처리의 기판(G)은, 로더부(1)의 반출입 핀셋(9)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리부(2)의 메인 아암(10)으로 전달되고, 그리고 브러시 세정 장치(12)내로 반송된다. 이 브러시 세정 장치(12)내에 있어서 브러시 세정된 기판(G)은, 필요에 따라 제트물 세정장치(13)내에 있어서 고압 제트물로 세정된다. 그후, 기판(G)은 애드히젼 처리장치(14)에 있어서 소수화 처리가 이루어지고, 냉각 처리 장치(15)로 냉각된 후, 레지스트 도포장치(16)의 레지스트막, 즉, 감광막이 도포형성되며, 계속해서 도포막 제거장치(17)로 기판(G)의 주변부의 불필요한 레지스트막이 제거된다. 그리고, 열처리 장치(18)의 레지스트막에 베이킹 처리가 이루어진 후, 노광장치(16)의 레지스트막을 노광함으로써 소정의 패턴이 레지스트막으로 전사된다. 그리고 노광후의 기판(G)은 현상 장치(20)내로 반송되며, 현상액(1)에 의해 현상된 후 행굼 액으로 현상액이 씻겨내려, 현상처리가 완료된다. 현상처리 완료된 기판(G)은, 로더부(1)의 카세트(7a)내로 수용된 후, 카세트마다 반출되어 다음 처리공정으로 이송된다.
이어서, 상기 LCD기판의 도포·현상 처리 시스템에 사용되는 본 발명의열처리 장치의 구성에 대해 설명한다.
제 3 도는 본 발명에 관한 열 처리 장치(18)를 나타내는 개략도이다. 도면 중(21)은, 처리실을 나타낸다. 처리설(21)대에서는, 피처리체인 LCD기판(유리 기판) 등의 기판(G)을 재치 하는 재치대(22)가 배치되어 있으며, 재치대(22)의 내부에는, 재치대(22)를 통하여 기판(G)을 가열하기 위한 가열 수단인 히터(26)가 설치되어 있다. 한편, 재치대(22)는 예를 들면, 알루미늄 합금등으로 구성되어 있으며, 또한, 재치대(22)에는, 도시하지 않은 온도 센서가 장착되어 있으며, 예를 들면 120℃∼150℃ 등의 소정의 가열 온도로 온도 설정 가능하게 구성되어 있다.
처리실(21) 상부에는, 처리실(21)의 상부를 덮고 재치대(22)와의 사이에서 처리공간(23)을 형성하는 커버부재인 처리실 상벽(24)이 배치되어 있다. 이 처리설 상벽(24)의 중앙부에는, 배기구(25)가 설치되어 있다. 처리실 상벽(24)은, 후술하는 간격 설정용 돌기를 통하여 셔터부재인 개폐문(27)에 설치되어 있다. 개폐문(27)의 승강에 의해 처리실(21)과 처리실 상벽(24)과의 사이의 개구부(21a)를 개폐하여 처리공간(23)의 형성·해방을 할 수 있도록 되어 있다.
재치대(22)는, 제 4 도에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 4개의 관통공(28)이 설치되어 있으며 이들의 관통공(28)에는, 각각 기판 수수시에 기판을 지지하기 위한 지지핀(30)이 유동 가능한 상태로 끼워져 관통되어 있다. 즉, 관통공(28)은, 지지핀(30)의 수평이동을 허용하는 크기를 갖는다. 지지핀(30)은, 제 5 도에 도시하는 바와같이, 하단에 다리부(30a)를 가지는 스텐레스 강철제의 핀 본체(30b)와 이 핀 본체(30b)의 상단부에 장착되는, 예를 들면, PEEK(polyether-ether-ketone), 불소 고무, 폴리 테트라 플루오로 에틸렌과 같은 불소 수지제의 내식성을 가지는 핀 보조체(30c)로 구성되어 있으며, 다리부(30a)가 유지부재(31)의 상면에 돌설된 원통상의 지지부재(32)로 수평방향으로 이동가능하게 지지되어있다. 즉, 지지핀(30)의 다리부(30a)와 지지부재(32)의 사이에 간격(s)(예를 들면 2s=2mm정도)가 설치되며, 지지핀(30)이 수평 방향으로이동할 수 있도록 되어 있다. 한편, 다리부(30a) 저면으로부터 핀보조체(30c)까지의 길이(L)에 대한 다리부(30a)의 폭(D)의 비 D/L는, 다리의 미끄러지기 쉬움 등을 고려하면, 0.2 이상인 것이 바람직하다.
한편, 핀 본체(30b)를 스텐레스 강철제로 함으로써, 예를 들면 소정의 강도를 얻을 수가 있고, 상단부의 핀 보조체(30c)를 PEEK제로 함으로써, 기판(G)과의 접촉에 의한 분자 발생을 방지 할 수가 있다. 또한, 재치대(22)의 관통공(28)의 대주면 및 관통공(28)의 아래 개구단부에는, 예를 들면, 불소 수지나, 그 소결체제의 내식성을 가지는 코팅막(28a)이 형성되어 있다.
이 코팅막(28a)은, 미끄럼 축받이의 역할을 하는 것이며, 적어도 관통공(28)의 내주면에 형성되어 있으면 된다. 이처럼 지지핀(30)의 선단부에 합성수지제의 핀 보조체(30c)를 장착하고, 재치대(22)의 관통공(28)의 적어도 내주면에 합성수지제의 코팅막(28a)을 형성하는 것에의해, 지지핀(30)과 관통공(28)과의 접촉에 의한 분자발생을 억제할수 있다.
상기와 같이 4게의 지지핀(30)을 유지하는 유지부재(31)는, 승강기구(33)에 연결되어 승강 가능하게, 즉 지지핀(30)을 재치대(22)의 관통공(28)을 삽통하여 위쪽으로 돌출가능하게 구성되어 있다. 이 경우, 승강기구(33)는 제 3도에 도시하는 바와같이, 구동모터인 스테핑 모터(34)와, 이 스테핑 모터(34)에 의해 구동되는 구동 풀리(35)와, 이 구동 풀리의 위쪽에 설치되는 종동풀리(36)와, 이들 구동 풀리(35)와 종동 풀리(36)에 걸쳐 유지부재(31)를 연결하는 타이밍 벨트(37)로 구성되어 있다. 따라서 스테핑 모터(34)의 정역 회전에 의해 지지핀(30)과 재치대(22)가 상대적으로 상하 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 재치대(22)의 위면에는, 제 4 도에 도시하는 바와 같이, 단면 치수가 폭 예를 들면 1mm,깊이 예를 들면 1mm의 직각형상의 진공척용 홈(29)이, 동심상으로 여러ro(제 4도에는 3개)설치되어 있다. 이들의 진공 척용 홈(29)은 크기가 다른 여러종류의 기판(G)을 필요에 따라 흡착가능하게 하기 위한 것이다. 또한, 재치대(22)의 상면에는, 재치대(22)상에 돌출하여 기판(G)과 재치대(22)면과의 사이에 0.1∼0.5mm정도의 소정의 간격(proximity)을 설치하는 소정 스페이서(40)가 설치되어 있다. 이 경우, 소정 스페이서(40)는, 예를 들면 제 7a 도에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 폴리이미드제 테이프의 모형조각(40a)을 재치대(22)의 상면에 설치된 위치결정용 오목부(41)에 내열성 접착제(42)를 통하여 점착하거나, 제 7b 도에 도시하는 바와같이, 저면으로부터 개구 상면을 향하여 점차 길이가 작아지는 개구부(43)를 가지는 위치결정용 오목부(42)에 압입하여 설치된다. 혹은, 제 7c 도에 도시하는 바와같이, 예를 들면 세라믹이나 이산화규소(SiO2)를 녹여서 미립으로 하고, 이 용용상태의 입자를 재치대(22)상면에 스폿상태로 용사(溶射)하여 소정 스페이서(40)를 형성한다.
이처럼 재치대(22)의 표면에, 폴리이미드제, 세라믹 혹은 SiO2제의 소정 스페이서를 설치함으로써, 기판(G)에 손상을 주지 않고, 지지할 수 있음과 동시에, 정전기의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 재치대(22)의 표면을 예를 들면 SiO2코팅함으로써 재치대(22)표면을 기판(G)과 동일 전위로 할 수 있기 때문에, 더욱 확실하게 정전기의 발생을 방지할 수 있다. 또한 재치대(22)의 표면을 세라믹 용사하여 표면에 이지(梨地)상의 경도가 높은 층을 형성함으로서 재치대(22)와 기판(G)과의 접촉면적을 줄여서 마모를 경감할 수가 있기 때문에 종래의 타프램(tough ram)처리한 경우에 비해 내마모성을 높일 수가 있다.
한편, 상기 개폐문(27)은, 제 6 도에 도시하는 바와 같이, 각형 원통상의 본체(27a)의 상단에 안쪽방향 수평조각(27b)을 설치한 형상이 되어 있으며,처리실 상벽(24)의 하면과 대향하는 안쪽방향 수평조각(27b)의 상면의 4구석에는, 소정의 높이 치수(h)예를 들면 1∼5mm의 간격 설정용 돌기(50)가 돌설되어 있다. 이 개폐문(27)은, 본제(27a)의 하단부에 돌설된 블라켓(27c)에 승강기구, 예를 들면 에어 실린더(60)의 피스톤 로드(60a)가 연결되어 있으며, 에어설린더(60)의 구동에 의해 승강이동하고, 처리실(21)의 개구부(21a)를 개폐함과 동시에, 처리 공간(23)을 형성·해방하도록 되어 있다. 그리고, 개폐문(27)이 상승하여 간격 설정용 돌기(50)가 처리실 상벽(24)의 하면에 당접함으로써 처리실 상벽(24)의 하면과 개폐문(27)의 상면과의 사이에 소정의 치수(h)로 설정 유지된 공기 도입구(51)가 형성된다. 따라서 기판(G)의 가열처리시에, 일정한 외부의 공기가 공기 도입구(51)를 통하여 처리공간(23)내에 유입하고, 배기구(25)로부터 배기되는 공기 유량을 균일하게 할수 있고, 기판(G)의 가열 온도를 균일하게 할 수 있다.
이어서, 상기처럼 구성되는 본 발명의 열 처리 장치를 이용하여 기판(G)을 가열 처리하는 경우의 동작에 대해 설명한다. 먼저 미리 재치대(22)를 예를 들면 120℃∼150℃정도의 소정온도로 설정하여 두고, 개구부(21a)로부터 기판(G)을 유지한 메인 아암(10a)을 진입시키고 재치대(22)상에 기판(G)을 위치시킨다.
그 후, 이 상태에서 승강 기구(33)의 스테핑 모터(34)를 구동하여 지지핀(30)을 상승시켜서 지지핀(30)상에 기판(G)을 지지하고, 반송아암을 후퇴시킨다. 이 때, 재치대(22)는 열 팽창에 의해 관통공(28)의 위치가, 제 8a 도에 도시하는 상온시의 상태로부터 제 8b 도의 상태로 편위하지만, 지지핀(30)은 상술한 바와 같이, 유지부재(31)상에 수평방향으로 이동가능하게 지지되어 있기 때문에 관통공(28)의 편위에 따라 바깥쪽으로 이동중인 재치대(22)의 위쪽으로 돌출한다. 따라서, 지지핀(30)의 상승으로 지장을 줄 염려는 없고, 또한, 지지핀(30)과 관통공(28)과의 접촉에 의한 분자 발생 염려도 없다.
이어서, 지지핀(30)을 하강시켜서 기판(G)을 재치대(22)상에 돌출해 있는 소정 스페이서(40)상에 재치한다. 한편, 기판(G)의 이동교체시에, 기판(G)의 위치 이탈을 방지하기 위하여, 일시적으로 진공 흡착상태로 해도 좋다. 또한, 메인 아암(10a)의 후퇴와 동시에, 에어 실린더(60)를 구동하여 개폐문(27)을 상승시켜서 간격 설정용 돌기(50)를 처리실 상벽(24)의 아래면에 당접시켜서 소정 간격(h)의 공기 도입구(51)를 설정한다.
이와 같이하여 소정 시간, 기판(G)을 가열 처리하면, 그 동안, 공기 도입구(51)를 통하여 주위로부터 처리 공간(23) 내로 일정한 흐름을 형성하면서 유입한공기는 중앙의 커버 부재(24)의 배기구(25)로부터 발생한 가스등과 함께 배기되기 때문에 가열 온도가 균일화되며 기판의 가열온도를 균일하게 할 수 있다.
가열 처리가 종료하면, 이어서, 승강기구(33)의 스테핑 모터(34)가 구동하여 지지핀(30)을 상승시켜서 핫 플레이트(22)로부터 기판을 들어올린다. 이 때 개구부(21) 로부터 처리 공간(23)내로 진입하는 메인 아암(10a)이 기판(G)을 받아들인다. 그리고 지지핀(30)이 하강하여 기판(G)이 메인 아암(10a)으로 건네어지면, 메인 아암(10a)이 처리실(21)의 밖으로 후퇴하여 기판(G)을 다음공정의 소정 장소로 반송한다.
한편, 상기 실시예에서는, 재치대(22)를 고정하고, 지지핀(30)을 승강시켜서 기판(G)수수를 행하는 경우에 대해 설명했지만, 반드시 이와 같은 구조일 필요는 없고, 지지핀(30)을 고정하고 재치대(22)를 승강시켜서 재치대(22)와 지지핀(30)을 상대 이동시키도록 해도 좋다. 상기 간격 설정용 돌기(50)는, 소망의 공기 유량을 얻기 위하여 그 높이(h)를 가변 가능한 구성으로 하더라도 좋다. 또한, 상기 실시에에서는, 개폐문(27)에 간격 설정용 돌기(50)를 설치하여 이 돌기(50)를 처리실 상벽(24)하면에 당접시켜서 공기 도입구(51)의 간격을 확보하고 있지만, 이 간격설정용 돌기(50)를 처리실 상벽(24)의 하면에 돌설하여 이 돌기(50)를 개폐문(27)의 안쪽 방향 수평 조각(27b)에 당접시키도록 해도 좋다.
한편, 상기 실시예에서는, 본 발명의 열 처리 장치를 LCD기판의 도포·현상 처리 시스템에 적용한 경우에 대해 설명했지만, 본 발명의 열 처리 장치는 단독 열 처리 장치로서 사용할 수 있을 뿐더러, 플로버 장치, 엇싱장치, 노광장치등에도 적용 할 수 있다. 또한 피치리제로서 실리콘 웨이퍼를 처리할 경우에도 적용 할 구 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째로, 재치대에 지지핀을 유동가능하게 끼우는 관통공을 설치하고, 지지핀을 이 지지핀의 유지부재에 대해 수평이동가능하게 세워 설치하므로, 열팽창에 의해 관통공의 위치가 편위하더라도, 지지핀은 관통공을 따라 이동하여 연직으로 재치대상에 돌출하여 피 처리체의 수수를 할 수 있으며, 또한 관통공과 지지핀과의 접촉에 의한 지지핀의 마모나 분자 발생을 억제할 수 있기 때문에 수율 향상을 꾀할 수가 있다.
또한, 지지핀을, 강성을 가지는 금속제 핀 본제와, 이 핀 본체의 상단부에 장착되는 내식성을 가지는 합성수지제의 핀 보조체로 구성하고, 재치대에 설치되는 관통공의 적어도 내주면에 합성수지제의 코팅막을 형성하기 때문에, 지지핀과 관통공과의 접촉에 의한 지지핀 마모 및 분자 발생을 더욱 확실하게 억제 할 수 있고, 또한 수율향상을 꾀할 수가 있다.
둘째로, 커버부재 또는 셔터 부재 사이에 간격 설정용 부재를 설치하기 때문에 셔터 부재의 상승에 따라 간격 설정용 부재가 커버 부재의 하면 또는 셔터 부내의 상면에 당설하는 것으로 커버 부재와 셔터 부재와의 사이의 간격을 정확하게 설정할 수 있음과 동시에 열 처리시에 소정량의 공기를 도입하고 배출할 수 있으며, 공기의 균일화 즉, 가열 온도의 균일화를 꾀할 수 있음과 동시에 수율 향상을 꾀할 수 있다.

Claims (16)

  1. 피처리체를 재치하는 재치대와, 상기 재치대를 통하여 상기 피처리체를 가열하는 가열수단과,
    상기 재치대를 관통하여 상기 피처리체를 지지하는 지지핀을 구비하며,
    상기 지지핀은 상기 관통공 내에 있어서 수평 이동 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지핀은, 핀 본체와, 상기 핀 본체의 단부에 장착되는 내식성을 가지는 핀 보조체에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 핀 본체는 스텐레스 강철로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 핀 보조체는, PEEK, 불소 고무, 및 불소 수지로 이루어지는 군으로부터
    선택된 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 재치대상에 설치된 상기 관통공의 적어도 내주면에 코팅 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 코팅 막은 불소 수지, 및 그 소결체로 이루어지는 군으로부터 선택된재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지핀은, 상기 지지핀을 지지하는 지지 부재와의 사이에 슬라이딩 가능하게 설치된 다리부재를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기지핀 및 상기 다리 부재의 길이에 대한 상기 다리 부재의 폭의 비가 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 재치대는, 상기 피처리체와 접촉하는 면 위에 스페이서 부재를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지핀을 승강시키는 핀 승강 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 박막이 도포된 기판이 재치되는 재치대와,
    상기 재치대를 통하여 기판을 가열하는 수단과,
    기판을 출입하기 위한 상부개구를 갖고, 상기 재치대상에 재치된 기판의 주위에 기판을 처리하기 위한 처리공간을 규정하는 처리실과,
    상기 처리실의 윗쪽에 상기 상부개구와 마주 향하도록 설치되어 상기 처리실과의 사이에 간극을 형성하는 커버부재와, 이 간극은 상기 상부개구를 통하여 상기 처리공간에 연통하는 것과,
    상기 커버부재의 하부에 돌출설치된 스토퍼와,
    상기 처리실의 내벽과 상기 재치대의 상이에 재치대와 동심원상으로 설치된 셔터부재와,
    상기 셔터부재가 상기 스토퍼에 맞닿기까지 상기 셔터부재를 승강시키기 위한 승강수단을 구비하며,
    상기 셔터부재를 상승시키면, 처리실과 커버부재의 사이에 형성된 간극이 좁혀져서 상기 처리실내의 환기가 조정되며, 또 상기 셔터부재를 상기 스토퍼와 맞닿기까지 더욱 상승시키면 상기 간극이 제거되고 상기 처리실내의 환기는 줄어들게 되는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  12. 제 14 항에 있어서,
    상기 지지핀은, 핀 본체와, 상기 핀 본체의 단부에 장착되는 내식성을 가지는
    핀 보조체에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 14 항에 있어서,
    상기 재치대상에 설치된 상기 관통공의 적어도 내주면에 코팅 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지핀은, 상기 지지핀을 지지하는 지지 부재와의 사이에 슬라이딩 가능하게 설치된 다리부재를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 지지핀 및 상기 다리 부재의 길이에 대한 상기 다리 부재의 폭의 비가 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 지지핀을 승강시키는 핀 승강 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
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