WO2020175194A1 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

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WO2020175194A1
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processing
substrate
film
wafer
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哲郎 白坂
中村　直人
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.
  • Patent Document 1 discloses that a circular substrate is held horizontally and then a substrate holding portion for rotating the substrate about a vertical axis and a film on a peripheral portion of a substrate rotated by the substrate holding portion are removed. Therefore, a liquid processing apparatus including a liquid chemical nozzle for supplying a liquid chemical to the peripheral portion is disclosed. This liquid processing apparatus calculates the amount of deviation between the rotation center of the substrate holding part and the center of the substrate based on the imaging results obtained by imaging a plurality of imaging regions obtained by equally dividing the peripheral edge of the substrate in the circumferential direction. It is equipped with a determination unit for performing.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 20 1 3 _ 1 6 8 4 29
  • the present disclosure provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can effectively use a substrate used for adjusting a removal width in a peripheral portion of a coating film.
  • a substrate processing apparatus includes a film forming processing unit that forms a film on a surface of a substrate and removes at least a part of the film, and surface information indicating a surface state of the substrate.
  • a surface inspection unit for acquiring and a control unit for controlling the film formation processing unit and the surface inspection unit are provided. The control unit controls the formation of the coating film on the surface of the substrate by the film formation processing unit, the removal of the peripheral portion of the coating film by the film formation processing unit, and the state of the surface of the substrate including the coating film whose peripheral portion has been removed.
  • the surface inspection unit acquires the surface information shown, and adjusts the removal width of the peripheral portion based on the surface information, and peeling the coating film from which the peripheral portion has been removed by the film formation processing unit. ⁇ 02020/175194 2 (:171?2020/005872
  • Node processing forming a coating film on the surface of the substrate by the film forming processing unit, removing the peripheral edge portion by the film forming processing unit with the removal width adjusted in the adjustment processing, and , Run.
  • a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively utilizing a substrate used for adjusting a removal width in a peripheral portion of a coating.
  • FIG. 1 is a schematic view illustrating a schematic configuration of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a schematic view illustrating the internal configuration of the coating and developing apparatus as viewed from the side.
  • FIG. 3 is a schematic view illustrating the internal configuration of the coating and developing apparatus as viewed from above.
  • FIG. 4 is a schematic view illustrating the configuration of a coating unit.
  • FIG. 5 is a schematic view illustrating the configuration of an inspection unit.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a functional configuration of the control device.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating a hardware configuration of a control device.
  • FIG. 8 is a flow chart showing an example of the adjustment processing procedure.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an example of a condition setting processing procedure.
  • FIG. 10 is a flow chart showing an example of a procedure for correcting operating conditions.
  • Fig. 11 Fig. 11 (3) to Fig. 11 ( ⁇ ) are diagrams for explaining the condition of the substrate surface in the adjustment processing procedure.
  • Fig. 12 Fig. 12 ( 3 ) to Fig. 12 ( ⁇ ) are diagrams for explaining the condition of the substrate surface in the adjustment processing procedure.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the removal width calculated in the adjustment processing procedure.
  • the X axis, the vertical axis, and the axis that are orthogonal to each other are specified, and the positive axis direction is the vertical upward direction.
  • the substrate processing system 1 is a system that forms a photosensitive film on a substrate, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film.
  • the substrate to be processed is, for example, a semiconductor wafer.
  • the wafer is formed in a circular shape.
  • Edge of Waha A notch, which is a notch for indicating the orientation of the wafer, may be formed in the substrate.
  • the photosensitive film is, for example, a resist film.
  • the substrate processing system 1 includes a coating/developing device 2 and an exposure device 3.
  • the exposure device 3 performs exposure processing of a resist film (photosensitive film) formed on a wafer (substrate). Specifically, the exposure apparatus 3 irradiates the exposure target portion of the resist film with an energy ray by a method such as immersion exposure.
  • the coating/developing device 2 performs a process of forming a resist film on the surface of a wafer (substrate) before the exposure process of the exposure device 3 and a developing process of the resist film after the exposure process.
  • the coating/developing device 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control device 100 (control unit).
  • the carrier block 4 is for coating and introducing the wafer into the developing device 2 and coating.
  • the carrier block 4 can support a plurality of carriers 0 (accommodation section) for wafers and has a built-in transfer device 81 including a transfer arm.
  • the carrier accommodates, for example, a plurality of circular wafers.
  • the carrier device 1 takes out the wafers from the carrier (3 and transfers them to the processing block 5, receives the wafers from the processing block 5 and returns them into the carrier ⁇ .
  • the processing block 5 has a plurality of processing modules 1 1, 1 2, 1 3 and 1 4.
  • the treatment module 11 includes a plurality of coating units II 1 and a plurality of heat treatment units. ⁇ 02020/175194 4 (:171?2020/005872
  • the processing module 11 forms the lower layer film on the surface of the wafer by the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2.
  • the coating unit II 1 of the processing module 11 coats the processing liquid for forming the lower layer film on the wafer.
  • the heat treatment unit II 2 of the treatment module 11 performs various heat treatments associated with the formation of the lower layer film.
  • the heat treatment unit II 2 has, for example, a heat plate and a cooling plate built therein, and heats the wafer by the heat plate and cools the heated wafer by the cooling plate to perform heat treatment.
  • the processing module 12 (deposition processing section) transfers a plurality of coating units II 1, a plurality of heat treatment units 2, a plurality of inspection units II 3 and wafers to these units. It has a built-in transfer device 3 (see also Fig. 3).
  • the processing module 12 forms a resist film on the lower layer film by the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2.
  • the coating unit II 1 of the processing module 12 forms a coating film 8 on the surface of the wafer by applying the processing liquid for forming the resist film onto the lower layer film. Further, the coating unit II 1 of the processing module 12 removes at least a part of the coating film.
  • the coating unit II 1 of the processing module 12 removes the peripheral portion of the coating film after forming the coating film, so that the coating film with the peripheral portion removed (hereinafter referred to as “coating film 8 ”). Form.
  • the coating unit II 1 of the processing module 12 coats the coating film with a chemical solution for removing the peripheral portion of the coating film.
  • the coating unit II 1 of the processing module 12 may remove the peripheral portion of the coating film over the entire circumference of the wafer.
  • the heat treatment unit II 2 of the treatment module 12 performs various heat treatments associated with the formation of the resist film.
  • the heat treatment unit II 2 of the processing module 12 forms a resist film by performing heat treatment on the wafer on which the coating film is formed.
  • the inspection unit 113 performs processing for inspecting the state of the front surface 3 of the wafer.
  • the inspection unit II 3 acquires information indicating the state of the front surface 3 of the wafer (hereinafter referred to as “surface information”).
  • surface information indicating the state of the front surface 3 of the wafer
  • the coating film [and the resist film may be collectively referred to as a “resist film”.
  • the processing module 12 has a plurality of coating units 11 1 (a plurality of processing units) for forming a resist film on the surface 3 of the wafer and removing at least a part of the resist film.
  • the processing module 13 incorporates a plurality of coating units II 1, a plurality of heat treatment units II 2 and a transfer device 83 for transferring a wafer to these units.
  • the processing module 13 forms an upper layer film on the resist film by the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2.
  • the coating unit II 1 of the processing module 13 coats the liquid for forming the upper layer film on the resist film.
  • the heat treatment unit 11 2 of the treatment module 13 performs various heat treatments associated with the formation of the upper layer film.
  • the processing module 14 incorporates a plurality of coating units II 1, a plurality of heat treatment units II 2, and a transfer device 83 for transferring a wafer to these units.
  • the processing module 14 develops the resist film after exposure with the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2.
  • the coating unit 11 1 of the processing module 14 performs the developing process of the resist film by applying the developing solution on the surface of the exposed wafer and then rinsing it with the rinse solution.
  • the heat treatment unit II 2 of the processing module 14 performs various heat treatments associated with the development processing.
  • the heat treatment examples include a heat treatment before the development treatment (Mitsumi: ⁇ 3I, a father, ⁇ 3ri, “0Minami 8 1 ⁇ 6), and a heat treatment after the development treatment (Minor: ⁇ 3, Miho 8 1 ⁇ ) And the like.
  • a shelf unit II 10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5.
  • the shelf unit 10 is divided into a plurality of cells arranged vertically.
  • a transfer device 7 including a lifting arm is installed near the shelf unit II 10. The transfer device 87 raises and lowers the wafer between the cells of the shelf unit II 10.
  • the shelf unit II is provided on the interface block 6 side in the processing block 5.
  • shelf unit II 1 1 is provided. Shelf unit II 1 1 can be installed in multiple cells arranged vertically. ⁇ 02020/175194 6 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the interface block 6 transfers wafers to and from the exposure apparatus 3.
  • the interface block 6 has a built-in transfer device 88 including a transfer arm and is connected to the exposure device 3.
  • the transfer device 8 transfers the wafer placed on the shelf unit 11 1 1 to the exposure device 3, receives the wafer from the exposure device 3 and returns it to the shelf unit II 1 1.
  • the transfer device 3 includes an arm 90, a movable part 91, a moving stage 92, and a movable part 93.
  • the arm 90 horizontally supports the wafer to be transported.
  • the movable part 91 moves the arm 90 back and forth along the direction in which the plurality of coating units II 1 are arranged (the direction of the vertical axis).
  • the movable part 91 includes, for example, a linear actuator that moves the moving stage 92 along the axial direction.
  • the movable part 91 may include an electric motor (power source) that generates a rotating torque, and a timing belt that spans a pair of pulleys.
  • the timing belt converts the rotational torque generated by the motor into a translational force along the axial direction and transmits the translational force to the moving stage 92, and the moving stage 92 moves along the axial direction.
  • the movable part 93 is provided on the moving stage 92 and moves together with the moving stage 92.
  • the movable part 93 moves (moves in and out) the arm 90 along a direction (X-axis direction) orthogonal to the direction in which a plurality of coating units II 1 are arranged.
  • the movable part 93 includes, for example, a linear actuator that moves the arm 90 along the X-axis direction.
  • the movable portion 93 may include an electric motor (power source) that generates a rotating torque, and a timing belt that spans a pair of pulleys. For example, by the timing belt, the rotational torque by the motor is converted into a translational force along the X-axis direction and transmitted to the arm 90, and the arm 90 moves along the X-axis direction.
  • the movable part 93 moves the arm 90 back and forth between the standby position and the advanced position.
  • the standby position is within the area on the moving stage 92. ⁇ 02020/175194 7 ⁇ (: 171?2020/005872
  • Position, and the advance position is a position outside the area on the moving stage 92.
  • the movable parts 91, 93 respectively operate based on an operation instruction from the control device 100.
  • a signal indicating the stroke amount of the arm 90 is sent to the movable parts 91 and 93 as an operation instruction.
  • the amount of stroke of the arm 90 in the vertical axis direction is the movement distance of the arm 90 from the reference position with the end of the movable part 91 close to the shelf unit II 10 as the reference position.
  • the stroke amount of the arm 90 in the X-axis direction is the movement distance of the arm 90 from the standby position to the advanced position.
  • Each of the movable parts 91 and 93 may have an encoder that outputs a pulse signal corresponding to the amount of rotation of the motor from a predetermined position to the control device 100.
  • the control device 100 outputs an operation instruction to the movable parts 9 1 and 9 3 so that the count value of the pulse signal becomes a preset target value (hereinafter referred to as “pulse target value”). To do.
  • the coating unit II 1 is a coating solution for forming a resist film on the wafer surface. To form a resist film. Further, the coating unit 111 supplies a chemical solution for removing the resist coating to the peripheral portion of the resist coating to form the resist coating with the peripheral portion removed. The coating unit II 1 may supply a chemical solution for removing the resist film remaining after the peripheral portion has been removed to the surface of the wafer to peel the resist film from the wafer. The term "peeling" as used herein means to remove almost all of the resist film remaining on the surface 3 of the wafer. As shown in FIG. 4, the coating unit 11 1 has a rotation holding unit 20, a treatment liquid supply unit 30 and a chemical liquid supply unit 40.
  • the rotation holding unit 20 holds and rotates the wafer.
  • the rotation holding unit 20 has a holding unit 21 and a rotation driving unit 22. Holding part
  • the rotation drive unit 2 2 uses, for example, an electric motor as a power source to rotate the holding unit 2 1 around the vertical central axis ⁇ 3 !_. ⁇ 02020/175194 8 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the treatment liquid supply unit 30 supplies the treatment liquid for forming the resist film onto the surface 3 of the wafer.
  • the processing liquid supply unit 30 has a nozzle 31, a liquid source 32, a liquid feeding unit 33, and a nozzle moving unit 34.
  • the nozzle 31 discharges the processing liquid toward the front surface 3 of the wafer.
  • the liquid source 32 contains the treatment liquid and pressure-feeds the treatment liquid to the nozzle 31.
  • the liquid feeding part 33 guides the processing liquid from the liquid source 32 to the nozzle 3 1.
  • the liquid feeding section 33 has a liquid feeding line !_ 1 and a valve V 1.
  • the liquid supply line !_ 1 connects the liquid source 3 2 and the nozzle 3 1.
  • the valve V 1 is, for example, an air operation valve, and opens and closes the flow path in the liquid transfer line !_ 1.
  • the nozzle moving unit 34 moves the nozzle 31 in the horizontal direction by using an electric motor or the like as a power source. For example, the nozzle moving unit 34 moves the nozzle 3 1 between the central axis (3!_ and the area outside the wafer.
  • the valve V 1 and the nozzle moving unit 3 4 move from the control device 100. It operates based on the operation instruction.
  • the chemical solution supply unit 40 is the surface of the wafer. Then, a chemical solution for removing the resist film is supplied.
  • the chemical liquid is a solvent capable of removing (dissolving) the resist film formed by the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 30. Specific examples of the chemical solution include organic solvents such as thinner.
  • the chemical liquid supply unit 40 has a nozzle 41, a liquid source 42, a liquid feeding unit 43, and a nozzle moving unit 44.
  • the nozzle 41 discharges the chemical liquid toward the surface 3 of the wafer that is rotating by the rotation holding unit 20.
  • the liquid source 42 stores the chemical liquid and pumps the chemical liquid to the nozzle 41 side.
  • the liquid feeding unit 43 introduces the chemical liquid from the liquid source 42 to the nozzle 41.
  • the liquid feeding section 43 has a liquid feeding line !_ 2 and a valve V 2.
  • the liquid supply lines 1-2 connect the liquid source 4 2 and the nozzle 4 1.
  • the valve V 2 is, for example, an air operation valve, and opens/closes the flow path in the liquid transfer line !_ 2.
  • the valve 2 operates based on an operation instruction from the control device 100.
  • the nozzle moving unit 44 moves the nozzle 41 in the horizontal direction by using an electric motor or the like as a power source.
  • the nozzle moving unit 4 4 moves the nozzle 4 1 along the radial direction (for example, the axial direction) of the wafer held substantially horizontally when viewed from above. ⁇ 02020/175194 9 ((171?2020/005872
  • the nozzle moving unit 44 moves the nozzle 41 along the radial direction of the wafer, so that the position of supplying the chemical solution from the nozzle 41 to the surface 3 changes. Therefore, the removal width of the peripheral edge portion of the resist film removed by the chemical liquid ejected from the nozzle 41 varies depending on the arrangement position of the nozzle 41.
  • the nozzle moving unit 44 operates based on an operation instruction from the control device 100.
  • the nozzle moving unit 44 may have an encoder that outputs a pulse signal according to the amount of rotation of the motor from a predetermined position to the control device 100. For example, the control device 100 outputs an operation instruction to the nozzle moving unit 44 so that the count value of the pulse signal becomes a preset target value (pulse target value).
  • the chemical liquid supply section 40 includes a nozzle for discharging a chemical liquid for removing the peripheral portion of the resist film and a nozzle for discharging a chemical liquid for peeling the resist film from which the peripheral portion has been removed. You may have.
  • the liquid chemical for removing the peripheral portion and the liquid easy for stripping the scab may be different from each other. In this case, the easy liquid supply section 40 may have two liquid supply sections and two liquid sources that respectively supply different chemical solutions to the nozzle.
  • the inspection unit II 3 acquires image data as surface information indicating the state of the surface 3 by imaging the surface 3 of the wafer.
  • the inspection unit 113 uses the notch formed in the wafer to adjust the orientation of the wafer.
  • the inspection unit II 3 has a holding unit 51, a rotation drive unit 52, a notch detection unit 5 3 and an imaging unit 5 7 (surface inspection unit).
  • the holding portion 51 is The central part of the horizontally arranged wafer is supported with the wafer facing upward, and the wafer is held by suction (for example, vacuum suction).
  • the rotary drive unit 52 rotates the holding unit 5 1 about a vertical central axis by using, for example, an electric motor as a power source. This causes the wafer to rotate.
  • the notch detector 53 detects the notch of the wafer.
  • notch detector 53 detects the notch of the wafer. For example, notch detector
  • the reference numeral 5 3 includes a light projecting section 55 and a light receiving section 5 6.
  • the transmitter 5 5 is rotating. ⁇ 0 2020/175 194 10 ⁇ (: 171? 2020 /005872
  • Light is emitted toward the peripheral edge of the wafer.
  • the light projecting unit 55 is arranged above the peripheral portion of the wafer and emits light downward.
  • the light receiving section 56 receives the light emitted by the light projecting section 55.
  • the light receiving section 56 is arranged below the peripheral edge of the wafer ⁇ / ⁇ / so as to face the light projecting section 55.
  • the rotation driving unit 52, the light projecting unit 55, and the light receiving unit 56 operate based on operation instructions from the control device 100.
  • the light receiving section 56 outputs light reception information indicating the light reception result to the control device 100. Based on the received light information, the control unit 100 adjusts the notch so that it has a predetermined orientation. That is, the orientation of the wafer is adjusted.
  • the imaging unit 57 is the surface of the wafer. Is a camera for capturing an image of at least the peripheral portion of the. For example, when the resist film with the peripheral edge portion removed is formed on the front surface 3 of the wafer, the imaging unit 57 is used to detect the front surface of the wafer in the imaging range including the outer edge of the resist film and the outer edge of the wafer. Image 3
  • the image pickup section 57 is arranged above the wafer held by the holding section 51.
  • the imaging unit 57 operates according to the operation instruction from the control device 100 and outputs the acquired image data to the control device 100. Based on the image data, the state of the front surface 3 of the wafer is inspected by the controller 100.
  • the control device 100 controls each element included in the coating/developing device 2.
  • the controller 100 is the surface of the wafer To form a resist film by coating unit II 1 and to remove the peripheral edge of the resist film by coating unit II 1 with a set removal width. Is configured to run. Further, the control device 100 is configured to execute an adjustment process of adjusting the removal width by setting the operating condition of the device that affects the removal width of the peripheral edge portion of the resist film in the process treatment. .. Details of these process treatments and adjustment treatments will be described later.
  • control device 100 has a functional configuration as follows: ⁇ 02020/175194 11 11 (:171?2020/005872
  • the operation command holding unit 110 stores information on the removal width of the peripheral portion of the resist film (hereinafter referred to as “holding information”).
  • This retained information includes setting information (operating conditions) relating to the operation of the device that affects the removal width, and various conditions for executing the adjustment process that were previously input by the operator (worker) or another device. May be.
  • the setting information includes the wafer holding position in the rotation holding unit 20 and the arrangement position of the nozzle 41 when removing the peripheral portion.
  • the wafer holding position in the rotation holding unit 20 may be determined by the stroke amount of the arm 90 in the axial direction and the stroke amount in the axial direction.
  • the execution conditions of the adjustment process include, for example, the target value of the removal width, the upper limit of the number of repetitions, and the limit value of the setting information.
  • the removal control unit 101 is configured to perform removal of the peripheral edge portion of the resist coating film by the coating unit II1. Specifically, based on the information indicating the arrangement position of the nozzle 41 stored in the operation command holding unit 110, the removal control unit 101 determines that the nozzle 41 should be arranged at the arrangement position. Control the moving part 4 4. Further, the removal control section 10 1 controls the chemical solution supply section 40 so that the chemical solution for removing the peripheral portion of the resist film is discharged from the nozzle 4 1 arranged at the above arrangement position.
  • the carry-in control unit 11 11 is configured to place the wafer on which the resist film has not been formed at a predetermined position of the rotation holding unit 20 by the transfer device 3.
  • the carry-in control unit 1111 carries the wafer into the coating unit II 1 based on the information indicating the wafer holding position in the rotation holding unit 20 stored in the operation command holding unit 110, and rotates the wafer.
  • the transfer device 3 is controlled so that the wafer is placed at the holding position in the holding unit 20.
  • the carry-in control unit 11 1 may control the carrier device 8 3 so that the arm 90 moves by the stroke amount (pulse target value) according to the information indicating the holding position. ⁇ 0 2020/175194 12 12 (:171? 2020 /005872
  • the accommodation control unit 102 causes the carrier 0 (the carrier 0 containing the wafer before formation of the resist film to carry out the wafer to be used in the adjustment process from the carrier 0 by the transfer device 8 1).
  • the wafer after the film is peeled off is carried into the carrier ⁇ 3 by the carrying devices 8 1 and 8 3 (conveying unit).
  • the stripping control section 103 is configured to strip the resist coating, the peripheral portion of which has been removed, by the coating unit 1.
  • the peeling control unit 103 controls the nozzle moving unit 4 4 so that the nozzle 4 1 is arranged on the central axis ⁇ !_ of the wafer held by the rotation holding unit 20.
  • the peeling control unit 103 controls the chemical liquid supply unit 40 so that the chemical liquid for peeling the resist coating is discharged from the nozzle 41 arranged on the central axis ⁇ 3!_.
  • the condition setting unit 104 causes the imaging unit 57 to acquire the surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer including the resist film from which the peripheral portion has been removed, and removes the peripheral portion based on the surface information. It is configured to perform width adjustment.
  • the condition setting unit 104 has an imaging area 5
  • the wafer containing the resist film The image pickup unit 57 is caused to acquire the image data indicating the state.
  • the condition setting unit 104 measures the width of the image data from which the peripheral portion has been removed, and adjusts (corrects) the operating conditions of the device that affect the removal width, based on the measured value of the width. This adjusts the removal width of the peripheral portion.
  • the state determination unit 105 causes the image pickup unit 57 to acquire image data as surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer before the resist film is formed, and based on the image data, the removal width of the wafer is removed. Is configured to perform determining whether it is available for adjustment. For example, the state determination unit 105 causes the imaging unit 57 to image the surface 3 of the wafer in an imaging range that includes the entire surface 3 of the wafer before the coating film 8 is formed. The image pickup section 57 is caused to acquire image data indicating In addition, the state determination unit 105 Based on this image data, it is determined whether or not a film (for example, a resist film) remains on the surface W a of the wafer W. For example, when it is determined that a predetermined amount or more of resist film remains on the surface W a of the wafer W, the state determination unit 105 determines that the wafer W cannot be used for adjusting the removal width. ..
  • a film for example, a resist film
  • the film formation control unit 106 is configured to form a resist film on the front surface Wa of the wafer W by the coating unit U 1. Specifically, the film formation control unit 106 controls the nozzle moving unit 34 so that the nozzle 31 is arranged on the central axis CL of the wafer W held by the rotation holding unit 20. Further, the film formation control unit 106 controls the processing liquid supply unit 30 so that the processing liquid for forming the resist film is discharged from the nozzle 31 arranged on the central axis C L.
  • the control device 100 is composed of one or more control computers.
  • the controller 100 has the circuit 120 shown in FIG.
  • the circuit 1 2 0 has one or a plurality of processors 1 2 1, a memory 1 2 2, a storage 1 2 3 and an input/output port 1 2 4.
  • the storage 123 has a computer-readable storage medium such as a hard disk.
  • the storage medium stores a program for causing the control unit 100 to execute the process processing procedure and adjustment processing procedure described later.
  • the storage medium may be a removable medium such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk or an optical disk.
  • the memory 1 2 2 temporarily stores the program read from the storage medium of the storage 1 2 3 and the calculation result by the processor 1 2 1.
  • the processor 1 21 configures each functional module described above by executing the above program in cooperation with the memory 1 2 2.
  • the input/output port 1 2 4 inputs/outputs an electric signal with a member to be controlled according to a command from the processor 1 2 1.
  • each functional module of the control device 100 may be configured by a dedicated logic circuit or an integrated A S C (App l i cat i on Spec i f i c Integ rated C i rcu i t).
  • This process procedure consists of forming a resist film on the surface 3 of the wafer by the coating unit II 1 (processing solution supply unit 30) and the removal width of the peripheral part of the resist film adjusted in the adjustment process procedure. And removing the peripheral portion with a coating unit II 1 (chemical solution supply unit 40).
  • control device 100 first controls the transfer device 8 1 so as to transfer the wafer to be processed in the carrier 0 to the shelf unit II 10 and processes this wafer. Control the transport device 7 so that it is placed in the cell for module 1 1.
  • controller 100 processes the wafers of the shelf unit II 10 into the processing module 1
  • the transfer device 83 is controlled to transfer to the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2 in 1. Further, the controller 100 controls the coating unit 1 and the heat treatment unit II 2 so as to form an underlayer film on the surface of this wafer. After that, the control device 100 controls the transfer device 8 3 so that the wafer on which the lower layer film is formed is returned to the shelf unit II 10 and arranges this wafer in the cell for the processing module 12. Control the transport device 7.
  • controller 100 processes the wafers on the shelf unit II 1 0 into the processing module 1
  • the transfer device 83 is controlled to transfer to the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2 in 2. Further, the control unit 100 controls the coating unit 1 and the heat treatment unit II 2 so as to form a resist film on the lower layer film of this wafer. For example, the control unit 100 controls the coating unit II 1 so as to form a resist film (coating film) by coating a processing liquid for forming a resist film on the lower layer film of the wafer. Then, the control device 100 controls the coating unit 1 so as to remove the peripheral portion of the resist coating by coating the peripheral portion of the resist coating on the wafer with the chemical solution.
  • the controller 100 controls the heat treatment unit 2 so as to subject the resist coating (coating film) to heat treatment. After that, the control device 100 ⁇ 02020/175194 15 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the carrier device 8 3 is controlled so as to be returned to the shelf unit II 10, and the carrier device 87 is controlled so that this wafer is placed in the cell for the processing module 13.
  • the control unit 100 controls the transfer unit 3 to transfer the wafer to the inspection unit II 3, and the inspection unit II 3 is used to control the surface condition of the wafer. (Eg strip width) may be inspected.
  • controller 100 processes the wafers of the shelf unit II 10 into the processing module 1
  • the transfer unit 83 is controlled to transfer to each unit within 3, and the coating unit II 1 and the heat treatment unit II 2 are controlled to form the upper layer film on the resist film of this wafer. After that, the control device 100 controls the transfer device 3 to transfer the wafer to the shelf unit II 1 1.
  • control device 100 controls the transfer device 8 so as to send the wafer on the shelf unit II 11 to the exposure device 3.
  • control device 100 controls the transfer device 88 so as to receive the exposed wafer from the exposure device 3 and place the wafer in the cell for the processing module 14 in the shelf unit II 1 1.
  • control device 100 controls the transfer device 8 3 to transfer the wafer of the shelf unit II 11 to each unit in the processing module 14, and develops on the resist film of this wafer.
  • the coating unit 1 and the heat treatment unit 2 are controlled so that the treatment is performed.
  • control device 100 controls the transfer device 83 to return the wafer to the shelf unit II 10 and controls the transfer device 7 and the transfer device 1 to return the wafer into the carrier ⁇ . This completes the process processing.
  • This adjustment processing procedure consists of forming a resist film on the surface 3 of the wafer by the coating unit II 1 (processing liquid supply unit 30) and coating the peripheral portion of the resist film on the coating unit II 1 (chemical liquid supply unit 4). 0) is included.
  • This adjustment processing procedure captures surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer containing the resist coating with the peripheral portion removed. ⁇ 02020/175194 16 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the image area 57 is used to adjust the removal width of the peripheral portion based on the surface information, and the resist film from which the peripheral portion has been removed is peeled off by the coating unit II 1 (chemical solution supply portion 40).
  • the control device 100 first executes step 3 0 1.
  • the accommodation control unit 102 controls the transfer device 1 so that the wafer for adjustment processing is unloaded from the carrier ⁇ 3. Then, the accommodation control unit 102 controls the transfer device 81 so that the carried-out adjustment processing wafers are arranged in the cells for the processing modules 12 in the shelf unit II 10. After that, the accommodation control unit 102 controls the transfer device 3 to transfer the wafer for adjustment processing placed in the shelf unit II 10 to the inspection unit II 3.
  • step 3002. the control device 100 executes step 3002.
  • step 3002 the control device 100 executes pre-setting processing.
  • the control unit 100 controls the inspection unit II 3 so that the orientation of the wafer for adjustment processing is aligned with a predetermined orientation.
  • the control device 100 controls the rotation drive unit 5 2 based on the light reception information from the light receiving unit 5 6 so that the notch formed on the adjustment wafer is oriented in a predetermined direction.
  • the orientation of the wafer notch becomes a predetermined orientation (for example, the X-axis negative direction).
  • the state determination unit 105 causes the image capturing unit 57 to capture an image of the front surface 3 of the adjustment processing wafer on which the resist film is not formed, and image data indicating the state of the table is displayed. Is acquired by the imaging unit 57.
  • the state determination unit 105 determines whether the wafer for adjustment processing can be used for adjustment of the removal width based on this image data.
  • the status determination unit 105 is a window for adjustment processing. ⁇ 02020/175194 17 ⁇ (: 171?2020/005872
  • control device 100 determines that the wafer for adjustment processing cannot be used to adjust the removal width, it interrupts the execution of the adjustment processing and executes the adjustment processing from the beginning using another wafer. May be.
  • step 300 the condition setting unit 104 executes condition setting processing.
  • the condition setting unit 104 forms a resist film for testing on the wafer for adjustment process, removes the peripheral edge of the resist film, and then affects the removal width of the device. Adjust the conditions. Details of the condition setting processing in step 303 will be described later.
  • step 304 the accommodation control unit 102 controls the transfer devices 8 3 and 8 1 so that the wafer for adjustment processing for which the condition setting processing has been performed is carried into the carrier (3 ).
  • step 300 the control device 100 executes step 300.
  • step 305 for example, the accommodation control unit 102 removes the wafer for adjustment processing from the carrier (3 and places the wafer for adjustment processing in the cell for the processing module 12 in the shelf unit II 10).
  • the transfer apparatus 1 is controlled so that the wafers for adjustment processing are transferred to the coating unit II 1 to be adjusted, and the control apparatus 100 transfers the wafers for adjustment processing placed on the shelf unit II 1 0.
  • step 300 the control device 100 executes step 300.
  • the peeling control unit 103 sets the surface of the wafer for adjustment processing.
  • the chemical solution supply unit 40 of the coating unit 1 to be adjusted is controlled so as to peel off the resist film remaining on the top.
  • the surface of the wafer for adjustment processing is The resist film (resist film 8) remains on the.
  • the peeling control unit 10 ⁇ 02020/175194 18 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the nozzle moving unit 4 4 is controlled so that the nozzle 4 1 of the chemical solution supply unit 40 is arranged on the central axis (3 1_) of the wafer for adjustment processing held by the peeling control unit 10.
  • 3 controls the valve V 1 of the chemical solution supply unit 40 so that the chemical solution 6 2 for peeling the resist film is discharged from the nozzle 41 arranged on the central axis ⁇ 3 !_.
  • the controller 100 may control the rotation driving unit 22 of the rotation holding unit 20 so that the wafer for adjustment processing rotates while the ejection of the liquid is performed. 1 ( ⁇ ), the surface of the wafer for conditioning processing The resist coating is stripped from the.
  • step 307 the accommodation control unit 102 controls the transfer devices 8 1 and 8 3 so that the wafer for adjustment processing after the resist film is peeled off is carried into the carrier ⁇ 3.
  • step 308 the control unit 100 determines whether the end flag is O.
  • the end flag is a flag for determining whether or not to end the adjustment process, and is set in the condition setting process of step 303.
  • the end flag is preset to ⁇ before the adjustment process is executed.
  • step 308 When it is determined in step 308 that the end flag is ⁇ (step 308: ⁇ 3), the control device 100 executes the processing of steps 301 to 308. repeat.
  • step 308 When it is determined in step 308 that the end flag is ⁇ 1 ⁇ ! (step 308: N 0 ), the controller 100 ends the adjustment processing procedure.
  • the control device 100 repeats the adjustment processing procedure until it is judged that the end flag is 0 ⁇ 1.
  • the wafers for the same adjustment processing are used for the adjustment processing. Therefore, the controller 100 uses the same wafer for adjustment processing to adjust the coating unit II 1 to be adjusted. To be executed repeatedly.
  • the controller 100 may execute the adjustment processing in the other coating unit among the plurality of coating units II 1 after the adjustment processing in the coating unit II 1 to be adjusted is executed. ..
  • the control unit 100 may execute the process process after all of these adjustment processes are completed. ⁇ 02020/175194 19 ⁇ (: 171?2020/005872
  • step 3 1 the control device 100 first executes step 3 1 1.
  • step 311 for example, the carry-in control unit 1111 carries the wafer for adjustment processing from the inspection unit II3 to the coating unit II1 to be adjusted, and the rotation holding unit 20 receives the adjustment processing wafer. Control the carrier device 8 to place a wafer for use.
  • the carry-in control unit 11 11 is based on the information indicating the wafer holding position in the rotation holding unit 20 stored in the operation command holding unit 1 10 (hereinafter referred to as “holding position information”).
  • the wafer is loaded into the coating unit II 1 and the transfer device 8 3 is controlled so that the wafer is placed at the holding position in the rotation holding unit 20.
  • the carry-in control unit 11 11 carries the wafer for adjustment processing and places it on the rotation holding unit 20 while the notch orientation adjusted in Step 30 2 is maintained.
  • the carrier device 3 may be controlled.
  • the carry-in control unit 1 1 1 sets the stroke amount (pulse set value) in the arm axis direction and the arm axis direction of the arm 90 on the basis of the holding position information, thereby performing adjustment processing.
  • the transfer device 83 may be controlled so that the wafer is placed at the holding position in the rotary holding unit 20.
  • step 312 the film formation control unit 106 controls the surface of the wafer for adjustment processing.
  • the processing liquid supply unit 30 is controlled so as to form a resist film on the substrate.
  • the film formation control unit 106 is arranged such that the nozzle 31 of the processing liquid supply unit 30 is at the center of the wafer held by the rotation holding unit 20.
  • the nozzle moving part 34 is controlled so that it is arranged on the axis (3!_.)
  • the film formation control part 106 forms the resist film from the nozzle 3 1 arranged on the central axis ⁇ !_.
  • the valve V 1 of the processing liquid supply unit 30 is controlled so as to discharge the processing liquid 6 1.
  • the processing wafer 6 1 is rotated so that the adjustment processing wafer is rotated while the processing liquid 6 1 is being discharged.
  • the control device 100 may control the rotation driving part 22 of the rotation holding part 20. This allows the surface of the wafer for adjustment processing to be adjusted as shown in FIG. ⁇ 02020/175194 20 20 (: 171-12020/005872
  • a resist film (coating film) is formed on 3.
  • step 3 13 the removal control unit 101 determines, based on the information indicating the placement position of the nozzle 4 1 stored in the operation command holding unit 1 10 (hereinafter referred to as “placement position information”).
  • the nozzle moving unit 4 4 is controlled so that the nozzle 4 1 is placed at the placement position.
  • the removal control unit 101 sets the pulse target value in the nozzle moving unit 4 4 based on the arrangement position information, so that the nozzle moving unit 4 1 is arranged at the above-mentioned arrangement position. 4 4 may be controlled.
  • step 3 1 4 as shown in Fig. 12 ( ⁇ ), the removal control unit 10 1 discharges the chemical liquid 6 2 for removing the resist film from the nozzle 4 1 arranged at the above arrangement position.
  • the valve V 2 of the chemical solution supply section 40 is controlled so that the above operation is performed.
  • the controller 100 may control the rotation drive unit 2 2 so that the wafer for adjustment processing rotates while the chemical liquid 62 is being discharged.
  • FIG. 11 (3) the peripheral portion of the resist film is removed from the surface 3 of the wafer for adjustment processing.
  • the control unit 100 transfers the wafer for adjustment processing including the resist film (coating film 8) whose peripheral portion has been removed to one of the heat treatment units II 2 in the processing module 12 so that the wafer is transferred.
  • the device 3 is controlled to control the heat treatment unit 2 so that the resist coating is heat-treated.
  • a resist film for testing is formed on the surface 3 of the wafer for adjustment processing.
  • the control device 100 controls the transfer device 8 3 to transfer the wafer for adjustment processing to the inspection unit 3.
  • Step 3 the control device 100 executes steps 3 15 and 3 16. Step 3
  • condition setting unit 104 causes the image pickup unit 57 to acquire image data showing the state of the surface 3 of the wafer for adjustment processing after forming the resist film.
  • condition setting unit 10 4 calculates the removal width of the removed peripheral portion based on the image data. For example, as shown in FIG. 13, the condition setting unit 104 uses the image data to determine the circumference at the center 1 of the wafer. ⁇ 0 2020/175 194 21 ⁇ (: 171? 2020 /005872
  • condition setting unit 104 may calculate the removal width at the position where the notch is formed as the removal width 8 1.
  • the condition setting unit 104 may calculate the average of the removal width ⁇ X I, eight lines 2, eight ones, eight two as the average removal width ⁇ . In addition, the condition setting unit 104 calculates the difference between the removal width ⁇ X 1 and the removal width 8 as the eccentricity value in the X-axis direction, and calculates the removal width 8 1 and the removal width 8 2. The difference may be calculated as the eccentricity value in the direction of the vertical axis.
  • the eccentricity values 8 and 8 indicate the degree of deviation (the amount of deviation ⁇ ) between the center 1 of the wafer and the center 2 of the resist film. The values of the eccentricity values 8 and 8 vary depending on the wafer holding position in the rotary holding unit 20 when the peripheral edge is removed.
  • step 317 the condition setting unit 104 determines whether the removal width calculated in step 316 (hereinafter referred to as "calculated removal width") is outside the predetermined target range. To do. For example, the condition setting unit 104 obtains the difference (deviation) between the removal width calculated in step 3116 and the target value that is the upper limit of the target range, and checks whether the difference has reached the predetermined level. To judge. As an example, the condition setting unit 104 determines whether the eccentricity values 8 and 8 are larger than the threshold value 1 and whether the deviation 5 between the average removal width ⁇ 8 and the target value is larger than the threshold value 2. You may decide whether or not. The condition setting unit 104 may determine that the calculated removal width is outside the target range when either one of the conditions is satisfied.
  • the condition setting unit 104 may determine that the calculated removal width is outside the target range when either one of the conditions is satisfied.
  • step 3 17 When it is determined in step 3 17 that the calculated removal width is outside the target range (step 3 17: No. 3), the control device 100 executes step 3 18.
  • step 318 the condition setting unit 104 corrects the operating condition that affects the removal width so that the removal width is within the target range (close to the target value). A specific example of the procedure for correcting this operating condition will be described later.
  • step 317 it is determined that the calculated removal width is within the target range. ⁇ 02020/175194 22 ⁇ (: 171?2020/005872
  • step 3 17 the controller 100 executes step 3 19.
  • step 319 the control device 100 sets the end flag to 0 ⁇ 1 ⁇ 1.
  • Device 100 sets the end flag to 0 1 ⁇ !. As described above, the control device 100 completes the condition setting process.
  • step 318 In this condition setting process, if the calculated removal width is outside the target range in step 317, the operation condition is corrected in step 318, and the end flag does not become 0 ⁇ 1 ⁇ 1. For this reason, step 3 0 1
  • the adjustment process including the process of 08 is repeatedly executed. Each time it is repeatedly executed, in step 318, the operating condition is corrected so that the removal width approaches the target value. In other words, the control device 100 repeatedly executes the adjustment processing until the deviation between the removal width (calculated removal width) and the target value reaches a predetermined level.
  • Fig. 10 is a flow chart showing an example of the procedure for correcting the operating conditions performed when calculating the eccentricity values 8 and 8 and the average removal width ⁇ in step 3 16.
  • step 3 2 the condition setting unit 10 4 increments the variable ! ⁇ indicating the number of repetitions. In other words, the condition setting unit 104 adds 1 to the variable. The variable is set to 0 before the adjustment process is executed.
  • step 3 2 2 the condition setting unit 104 determines whether or not the variable is smaller than a predetermined constant (for example, 1 ⁇ ! is an integer of 3 or more). When it is determined in step 3 2 2 that the variable is equal to or larger than the constant 1 ⁇ 1 (step 3 2 2 :N 0 ), the controller 100 executes step 3 30. Step 330 will be described later.
  • step 3 2 2 When it is determined in step 3 2 2 that the variable ! ⁇ is smaller than the constant ! ⁇ 1. ⁇ 02020/175194 23 ⁇ (: 171?2020/005872
  • Step 3 2 2 (Step 3 2 2 :Y E S) .
  • the control unit 100 executes Step 3 2 3.
  • step 3 23 for example, the condition setting unit 10 4 determines whether either one of the eccentricity values 8 and 8 is larger than the threshold value 1.
  • step 3 2 3 determines whether either one of the eccentricity values 8 and 8 is greater than the threshold value 1 (step 3 2 3 :regular 3)
  • the control unit 100 sets the step 3 Execute 2 4 and 3 2 5.
  • step 3 2 3 When it is judged in step 3 2 3 that both the eccentricity values 8 and 8 are below the threshold value II 1 (step 3 2 3 :N 0)
  • Control unit 100 does not execute steps 3 2 4 and 3 25.
  • the condition setting unit 104 determines whether at least one of the eccentricity values 8 and 8 determined to be larger than the threshold value 1 is within the correctable range.
  • the correctable range for the eccentricity values 8 and 8 may be stored in advance in the control device 100 (operation command storage unit 110) by the operator (worker). If it is determined in step 3 2 4 that either one of the eccentricity values 8 and 8 is not within the correctable range (step 3 2 4 :N 0 ), the control unit 1 ⁇ ⁇ determines that it is in step 3 3 Execute 0. When it is determined in step 3 2 4 that the eccentricity values 8 and 8 are within the correctable range (step 3 2 4 :regular 3), the control device 100 executes step 3 2 5. ..
  • step 3 25 the condition setting unit 104 corrects the holding position information stored in the operation command holding unit 110 according to the eccentricity values 8 and 8. For example, the condition setting unit 104 corrects the holding position information according to the eccentricity values ⁇ X and ⁇ , so that the eccentricity values ⁇ X and ⁇ can approach the target value for the eccentricity value.
  • the condition setting unit 104 may correct the holding position information by correcting the pulse target value for the motor included in the movable units 9 1 and 9 3.
  • step 326 the condition setting unit 104 determines whether the deviation 5 between the average removal width ⁇ and the target value is larger than the threshold value 2. When it is determined that the deviation 5 is larger than the threshold value 2 in step 3 2 6 (step 3 2 6: Tomi 3), the control device 100 To execute. In steps 3 2 6 ⁇ 02020/175194 24 ⁇ (: 171?2020/005872
  • step 3 2 6 :N 0 If it is determined that the deviation 5 is less than or equal to the threshold value 2 (step 3 2 6 :N 0 ), the control unit 1 Do not run.
  • step 327 the condition setting unit 104 determines whether the deviation 8 is within the correctable range.
  • the correctable range for the deviation 5 may be stored in advance in the control device 100 (motion command holding unit 110) by the operator (worker).
  • the controller 100 executes step 330.
  • the controller 100 executes step 288.
  • step 328 the condition setting unit 104 calculates the correction amount for the arrangement position information of the nozzle 41 according to the deviation 5. For example, the condition setting unit 104 calculates the correction amount so as to shift the arrangement position of the nozzle 41 by the same amount as the value obtained by subtracting the target value by the average removal width ⁇ . Then, in step 329, the condition setting unit 104 corrects the arrangement position information stored in the operation command holding unit 110 using the correction amount calculated in step 328. For example, the condition setting unit 104 may correct the arrangement position information of the nozzle 41 by correcting the pulse target value for the mode in the nozzle moving unit 44 according to the correction amount.
  • step 330 the condition setting unit 104 sets the end flag to ⁇ .
  • the end flag will be ⁇ 1 ⁇ 1 when the number of repetitions exceeds the set number or when deviation 3 etc. is in the uncorrectable range. It shows that there is.
  • the control device 100 completes the operation condition correction process. By performing the correction process of the illustrated operating conditions, the control device 100 causes the adjustment holding process to hold the adjustment holding wafer of the rotation holding unit 20 and the nozzle 41 for discharging the chemical liquid. Adjust the position and.
  • control device 100 In the condition setting process and the operation condition correction process, the control device 100 ⁇ 02020/175194 25 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the average removal width ⁇ may be calculated, and the eccentricity values 8 and 8 may be calculated and the holding position information may be corrected without performing the adjustment of the nozzle position (correction of the arrangement position information) when discharging the chemical liquid. ..
  • the control device 100 may calculate the average removal width ⁇ and correct the placement position information without calculating the eccentricity values 8 and 8 and correcting the holding position information.
  • the control unit 100 (condition setting unit 10 4) controls whether one of the wafer holding position of the rotation holding unit 20 and the position of the nozzle 4 1 when discharging the chemical liquid is used in the adjustment process.
  • the removal width may be adjusted by adjusting.
  • the coating/developing apparatus 2 includes the processing module 1 2 (processing liquid supply unit 30 and chemical liquid) that forms the resist film on the surface 3 of the wafer and removes at least a part of the resist film.
  • a supply unit 40 an imaging unit 57 that acquires surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer, and a control unit 100 that controls the processing module 12 and the imaging unit 57.
  • the controller 100 causes the treatment liquid supply unit 30 to form a resist film on the surface 3 of the wafer, removes the peripheral edge portion of the resist film by the chemical liquid supply unit 40, and removes the peripheral edge portion.
  • the imaging unit 57 acquires surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer including the resist film, adjusts the removal width of the peripheral portion based on the surface information, and removes the resist film from the peripheral portion. Is removed by the chemical solution supply unit 40, a control treatment including is performed, a resist film is formed on the front surface 3 of the wafer by the treatment liquid supply unit 30, and the removal width adjusted by the control treatment is adjusted. To remove the peripheral edge portion by the chemical liquid supply unit 40, and process processing including.
  • the substrate treatment method according to the present embodiment is a treatment module 1 2 (treatment liquid supply unit 30 and chemical liquid supply unit 40 that performs formation of a film on the surface 3 of a wafer and removal of at least a part of the film. ) and thereby made form a resist film on the surface 3 of the Uweha by a Rukoto the peripheral portion of the resist film is removed by a chemical solution supply unit 4 0, the surface 3 of the wafer including the resist film peripheral portion is removed ⁇ 02020/175194 26 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the resist film from which the peripheral portion has been removed in the adjustment processing is peeled off. For this reason, the wafer from which almost all of the resist film has been removed can be used for other processing, so that the wafer used for adjusting the removal width can be effectively used in the coating/developing apparatus 2 and the substrate processing procedure. ..
  • the control device 100 repeatedly executes the adjustment process until the deviation between the removal width and the target value reaches a predetermined level.
  • a wafer for the adjustment process is required for each repetition.
  • the control device 100 repeatedly executes the adjustment processing using the same wafer. By peeling off the resist film on the wafer, the adjustment process can be performed again using the wafer.
  • the removal width is repeatedly adjusted using the same wafer, the influence of the individual difference between the wafers in adjusting the removal width is small. Therefore, the removal width can be adjusted with higher accuracy.
  • the coating/developing device 2 further includes transport devices 1 and 3 for transporting wafers.
  • the control device 100 conveys the carrier for accommodating the wafer on which the film has not yet been formed (the wafer for the adjustment process is carried out from the carrier 3 by the transfer device 1 and the wafer for the adjustment process after the film is peeled off). Carrying in carrier (3) by carrier devices 8 1 and 8 3 ⁇ 0 2020/175 194 27 ⁇ (: 171? 2020 /005872
  • the wafer for adjustment processing is put into the carrier O in a reusable state, so that the wafer can be reused easily.
  • the coating/developing apparatus 2 further includes a rotation holding unit 20 that holds and rotates the wafer.
  • the processing liquid supply unit 30 and the chemical liquid supply unit 40 have a nozzle 41 for discharging the chemical liquid for removing the peripheral portion toward the wafer being rotated by the rotation holding unit 20.
  • the controller 100 adjusts the removal width by adjusting at least one of the wafer holding position in the rotation holding unit 20 and the position of the nozzle 41 when discharging the chemical liquid.
  • the wafer holding position in the rotary holding unit 20 and the placement position of the nozzle 41 have a great influence on the removal width of the peripheral portion, and therefore, by adjusting at least one of the holding position and the placement position, a higher level can be obtained. It is possible to accurately adjust the removal width.
  • the control device 100 causes the imaging unit 57 to acquire the surface information indicating the state of the surface 3 of the wafer before the formation of the resist film, and based on the surface information, Further, it is performed to determine whether the wafer for adjustment processing is available for adjusting the removal width. Depending on the state of the front surface 3 of the wafer, the removal width may not be adjusted accurately.However, in the above configuration, it is determined whether the removal width can be used before adjusting the removal width. It becomes possible to adjust the width with higher accuracy.
  • the control unit 100 can execute the adjustment treatment in any one of the plurality of application units II 1 (for example, the application unit II 1 to be adjusted). Good. Specifically, the controller 100 controls the application unit II 1 to be adjusted during the period in which a plurality of application units II 1 excluding the adjustment target application unit II 1 are performing the process treatment. At least one of the adjustment processes ⁇ 02020/175194 28 ⁇ (: 171?2020/005872
  • control device 100 executes the process processing and performs a part of the adjustment processing (hereinafter, referred to as “process and adjustment parallel processing”) after all the adjustment processing is completed. It may be executed after shifting to. Alternatively, after the adjustment process is completed for some of the multiple coating units II 1, the parallel process and adjustment processes are executed so that the coating unit II 1 for which the adjustment process has been completed is sequentially processed. Good.
  • the processing module 12 has a plurality of coating units 1 for forming a resist film and removing at least a part of the resist film.
  • the control unit 10000 controls the application unit II 1 of the plurality of application units II 1 while the process operation is being executed by one of the application units II 1 of the plurality of application units II 1.
  • the process processing can be executed without stopping the process processing due to the adjustment processing.
  • the control unit 100 may perform the adjustment process in one coating unit II 1 while performing the adjustment process in the other coating unit II 1. Specifically, the control device 100 causes the application unit II 1 (for example, the application unit II 1 to be adjusted) out of the plurality of application units II 1 to execute the adjustment process. During the period, the other coating unit II 1 may be subjected to the conditioning process. The control device 100 uses a plurality of wafers for adjustment processing to cause a plurality of coating units II 1 to execute the adjustment processing in parallel (hereinafter referred to as “parallel processing of adjustment”).
  • the control device 100 may perform the adjustment processing performed in the parallel processing of the process and the adjustment according to the modified example 1 by the same method as the parallel processing of the adjustment according to the modified example 2.
  • the processing module 12 has a plurality of coating units 1 for forming a resist film and removing at least a part of the resist film.
  • the control unit 100 controls the application unit II 1 among the application units II 1 while the adjustment process is being executed by any one of the application units II 1. ⁇ 02020/175194 29 ⁇ (: 171?2020/005872
  • the processing module 1 2 is a coating unit 1 (first processing unit) for adjustment for forming a resist film and removing the peripheral portion, and a coating unit different from the coating unit II 1 for adjustment.
  • Unit II 1 second treatment unit
  • the chemical liquid supply unit 40 of the coating unit II 1 to be adjusted may or may not have the function of stripping the resist film.
  • Another coating unit 11 1 may not have the processing liquid supply unit 30 and the chemical liquid supply unit 40 of the coating unit 11 1 may not have the function of removing the peripheral portion.
  • the separate coating unit II 1 may be a unit dedicated to stripping the resist film.
  • the control device 100 may perform the peeling of the resist film by another coating unit II 1 in the adjustment process for adjusting the removal width in the coating unit II 1 to be adjusted.
  • the control unit 100 may execute the parallel processing of the process and adjustment according to Modification 1, You may perform parallel processing of such a mode.
  • the processing module 12 includes a coating unit II 1 to be adjusted for forming a resist film and removing the peripheral portion, and another coating unit for peeling the resist film. II 1 and The control device 100 executes the second processing unit to peel off the resist film from which the peripheral edge portion has been removed in the adjustment process for adjusting the removal width in the coating unit II 1 to be adjusted. In this case, peeling of the resist film in the adjustment treatment is performed in another coating unit II 1, so that it is possible to proceed with the treatment in the coating unit II 1 for adjustment processing without waiting for the peeling treatment. ..
  • the coating/developing device 2 may be of any type as long as it has a film forming processing unit for forming a resist film and removing the peripheral portion and a control device 100 capable of controlling the film forming processing unit.
  • the film formation processing unit is not limited to the above-described configuration, and may have different units for forming a film, removing the peripheral portion, and peeling the film, for example.
  • the inspection unit U 3 may be located outside the processing module 12. For example, the inspection unit U3 may be arranged in a part of the carrier block 4 or the shelf unit U10.
  • the pre-processing in step S 02 and the acquisition of the surface information in step S 15 may be performed in different inspection units U 3.
  • the removal width targeted for the adjustment process is not limited to the removal width in the resist film (resist film R).
  • the removal width that is the target of the adjustment process may be the removal width of any film formed on the front surface Wa of the wafer W.
  • the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and may be, for example, a glass substrate, a mask substrate, or FPD (FlatPanelDiSpiLay).
  • a 3 Transfer device 20 rotation holding part, 30 processing liquid supply part, 40 chemical supply part P, 41 nozzle, 57 imaging part, 100 control device, W wafer, Wa surface.

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Abstract

基板処理装置は、基板の表面における被膜の形成と被膜の少なくとも一部の除去とを行う成膜処理部と、基板の表面の状態を示す表面情報を取得する表面検査部と、成膜処理部及び表面検査部を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板の表面に被膜を成膜処理部により形成させることと、被膜の周縁部分を成膜処理部により除去させることと、周縁部分が除去された被膜を含む基板の表面の状態を示す表面情報を表面検査部に取得させ、当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、周縁部分が除去された被膜を成膜処理部により剥離させることと、を含む調節処理と、基板の表面に被膜を成膜処理部により形成させることと、調節処理において調節された除去幅にて周縁部分を成膜処理部により除去させることと、を含むプロセス処理と、を実行する。

Description

\¥0 2020/175194 1 卩（：17 2020 /005872 明 細 書
発明の名称 ： 基板処理装置、 基板処理方法、 及び記憶媒体 技術分野
[0001 ] 本開示は、 基板処理装置、 基板処理方法、 及び記憶媒体に関する。
背景技術
[0002] 特許文献 1 には、 円形の基板を水平に保持してから、 鉛直軸周りに回転さ せるための基板保持部と、 この基板保持部により回転する基板の周縁部の膜 を除去するために、 当該周縁部に薬液を供給するための薬液ノズルと、 を備 える液処理装置が開示されている。 この液処理装置は、 基板の周縁を周方向 に等分した複数の撮像領域を撮像して得られた撮像結果に基づいて、 基板保 持部の回転中心と基板の中心とのずれ量の算出を行う判断部を備えている。 先行技術文献
特許文献
[0003] 特許文献 1 :特開 2 0 1 3 _ 1 6 8 4 2 9号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0004] 本開示は、 被膜の周縁部分における除去幅調節に用いられた基板を有効に 利用し得る基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
課題を解決するための手段
[0005] 本開示の一側面に係る基板処理装置は、 基板の表面における被膜の形成と 被膜の少なくとも一部の除去とを行う成膜処理部と、 基板の表面の状態を示 す表面情報を取得する表面検査部と、 成膜処理部及び表面検査部を制御する 制御部と、 を備える。 制御部は、 基板の表面に被膜を成膜処理部により形成 させることと、 被膜の周縁部分を成膜処理部により除去させることと、 周縁 部分が除去された被膜を含む基板の表面の状態を示す表面情報を表面検査部 に取得させ、 当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、 周縁部分が除去された被膜を成膜処理部により剥離させることと、 を含む調 \¥02020/175194 2 卩（：171?2020/005872
節処理と、 基板の表面に被膜を成膜処理部により形成させることと、 調節処 理において調節された除去幅にて周縁部分を成膜処理部により除去させるこ とと、 を含むプロセス処理と、 を実行する。
発明の効果
［0006］ 本開示によれば、 被膜の周縁部分における除去幅調節に用いられた基板を 有効に利用し得る基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
図面の簡単な説明
［0007］ ［図 1］図 1は、 基板処理システムの概略構成を例示する模式図である。
［図 2］図 2は、 塗布現像装置の側面から見た内部構成を例示する模式図である
［図 3］図 3は、 塗布現像装置の上面から見た内部構成を例示する模式図である
［図 4］図 4は、 塗布ユニッ トの構成を例示する模式図である。
［図 5］図 5は、 検査ユニッ トの構成を例示する模式図である。
［図 6］図 6は、 制御装置の機能構成を例示するブロック図である。
［図 7］図 7は、 制御装置のハードウエア構成を例示するブロック図である。 ［図 8］図 8は、 調節処理手順の一例を示すフローチヤートである。
［図 9］図 9は、 条件設定処理手順の一例を示すフローチヤートである。
［図 10］図 1 0は、 動作条件の補正手順の一例を示すフローチヤートである。 ［図 1 1］図 1 1 ( 3 ) 〜図 1 1 (〇) は、 調節処理手順における基板表面の様 子を説明するための図である。
［図 12］図 1 2 ( 3 ) 〜図 1 2 (〇) は、 調節処理手順における基板表面の様 子を説明するための図である。
［図 13］図 1 3は、 調節処理手順において算出される除去幅を説明するための 図である。
発明を実施するための形態
［0008］ 以下、 種々の例示的実施形態について説明する。 説明において、 同一要素 又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、 重複する説明を省略する \¥02020/175194 3 卩（：171?2020/005872
。 以下では、 位置関係を明確にするために、 互いに直交する X軸、 丫軸及び 軸を規定し、 軸正方向を鉛直上向きとする。
[0009] [基板処理システム]
基板処理システム 1は、 基板に対し、 感光性被膜の形成、 当該感光性被膜 の露光、 及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。 処理対象の基板 は、 例えば半導体のウェハ である。 ウェハ は円形に形成されている。 ウ ェハ の周縁
Figure imgf000005_0001
には、 当該ウェハ の向きを示すための切欠きであるノッ チが形成されていてもよい。 感光性被膜は、 例えばレジスト膜である。
[0010] 基板処理システム 1は、 塗布 ·現像装置 2と露光装置 3とを備える。 露光 装置 3は、 ウェハ （基板） 上に形成されたレジスト膜 （感光性被膜） の露 光処理を行う。 具体的には、 露光装置 3は、 液浸露光等の方法によりレジス 卜膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。 塗布 ·現像装置 2は、 露光 装置 3による露光処理の前に、 ウェハ （基板） の表面にレジスト膜を形成 する処理を行い、 露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
[001 1 ] [基板処理装置]
以下、 基板処理装置の一例として、 塗布 ·現像装置 2の構成を説明する。 図 1及び図 2に示すように、 塗布 ·現像装置 2は、 キャリアブロック 4と、 処理ブロック 5と、 インタフェースブロック 6と、 制御装置 1 0 0 （制御部 ） とを備える。
[0012] キャリアブロック 4は、 塗布 ·現像装置 2内へのウェハ の導入及び塗布
-現像装置 2内からのウェハ の導出を行う。 例えばキャリアブロック 4は 、 ウェハ 用の複数のキャリア 0 （収容部） を支持可能であり、 受け渡しア —ムを含む搬送装置八 1 を内蔵している。 キャリア（3は、 例えば円形の複数 枚のウェハ を収容する。 搬送装置 1は、 キャリア（3からウェハ を取り 出して処理ブロック 5に渡し、 処理ブロック 5からウェハ を受け取ってキ ャリア〇内に戻す。 処理ブロック 5は、 複数の処理モジユール 1 1 , 1 2 , 1 3 , 1 4を有する。
[0013] 処理モジユール 1 1は、 複数の塗布ユニッ ト II 1 と、 複数の熱処理ユニッ \¥02020/175194 4 卩（：171?2020/005872
卜 II 2と、 これらのユニッ トにウェハ を搬送する搬送装置八3とを内蔵し ている。 処理モジュール 1 1は、 塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2 によりウェハ の表面上に下層膜を形成する。 処理モジュール 1 1の塗布ユ ニッ ト II 1は、 下層膜形成用の処理液をウェハ 上に塗布する。 処理モジュ —ル 1 1の熱処理ユニッ ト II 2は、 下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 熱処理ユニッ ト II 2は、 例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、 熱板により ウェハ を加熱し、 加熱後のウェハ を冷却板により冷却して熱処理を行う
［0014］ 処理モジュール 1 2 （成膜処理部） は、 複数の塗布ユニッ ト II 1 と、 複数 の熱処理ユニッ トリ 2と、 複数の検査ユニッ ト II 3と、 これらのユニッ トに ウェハ を搬送する搬送装置 3とを内蔵している （図 3も参照） 。 処理モ ジュール 1 2は、 塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2により下層膜上 にレジスト膜を形成する。 処理モジュール 1 2の塗布ユニッ ト II 1は、 レジ スト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布することで、 ウヱハ の表面に塗 布膜八 を形成する。 また、 処理モジュール 1 2の塗布ユニッ ト II 1は、 被 膜の少なくとも一部を除去する。 例えば、 処理モジュール 1 2の塗布ユニッ 卜 II 1は、 塗布膜 形成後に当該塗布膜 の周縁部分を除去することで 、 周縁部分が除去された塗布膜 （以下、 「塗布膜 8 」 という。 ） を形成す る。 塗布膜 の周縁部分を除去する際に、 処理モジュール 1 2の塗布ユニ ッ ト II 1は、 塗布膜 の周縁部分を除去するための薬液を塗布膜 上に 塗布する。 処理モジュール 1 2の塗布ユニッ ト II 1は、 ウェハ の全周にお いて塗布膜 の周縁部分を除去してもよい。
［0015］ 処理モジュール 1 2の熱処理ユニッ ト II 2は、 レジスト膜の形成に伴う各 種熱処理を行う。 処理モジュール 1 2の熱処理ユニッ ト II 2は、 塗布膜［¾ が形成されているウェハ に対して熱処理を施すことでレジスト膜 を形成 する。 検査ユニッ ト 11 3は、 ウェハ の表面 3の状態を検査するための処 理を行う。 例えば、 検査ユニッ ト II 3は、 ウェハ の表面 3の状態を示す 情報 （以下、 「表面情報」 という。 ） を取得する。 なお以下では、 塗布膜八 \¥02020/175194 5 卩（：171?2020/005872
、 塗布膜［¾ 、 及びレジスト膜 を総称して 「レジスト被膜」 という場合 がある。 このように、 処理モジュール 1 2は、 ウェハ の表面 3における レジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の 塗布ユニッ ト 11 1 （複数の処理ユニッ ト） を有する。
［0016］ 処理モジュール 1 3は、 複数の塗布ユニッ ト II 1 と、 複数の熱処理ユニッ 卜 II 2と、 これらのユニッ トにウェハ を搬送する搬送装置八3とを内蔵し ている。 処理モジュール 1 3は、 塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2 によりレジスト膜 上に上層膜を形成する。 処理モジュール 1 3の塗布ユニ ッ ト II 1は、 上層膜形成用の液体をレジスト膜 の上に塗布する。 処理モジ ュール 1 3の熱処理ユニッ ト 11 2は、 上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う
［0017］ 処理モジュール 1 4は、 複数の塗布ユニッ ト II 1 と、 複数の熱処理ユニッ 卜 II 2と、 これらのユニッ トにウェハ を搬送する搬送装置八3とを内蔵し ている。 処理モジュール 1 4は、 塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2 により、 露光後のレジスト膜 の現像処理を行う。 処理モジュール 1 4の塗 布ユニッ ト 11 1は、 露光済みのウェハ の表面上に現像液を塗布した後、 こ れをリンス液により洗い流すことで、 レジスト膜 の現像処理を行う。 処理 モジュール 1 4の熱処理ユニッ ト II 2は、 現像処理に伴う各種熱処理を行う 。 熱処理の具体例としては、 現像処理前の加熱処理 （ 巳巳 ： 〇 3 I 巳 父 〇 3リ 「 0 巳 8 1< 6） 、 現像処理後の加熱処理 （ 巳 ： 〇 3 巳 8 1<㊀） 等が挙げられる。
［0018］ 処理ブロック 5内におけるキャリアブロック 4側には棚ユニッ ト II 1 0が 設けられている。 棚ユニッ トリ 1 0は、 上下方向に並ぶ複数のセルに区画さ れている。 棚ユニッ ト II 1 0の近傍には昇降アームを含む搬送装置 7が設 けられている。 搬送装置八 7は、 棚ユニッ ト II 1 0のセル同士の間でウェハ を昇降させる。
［0019］ 処理ブロック 5内におけるインタフェースブロック 6側には棚ユニッ ト II
1 1が設けられている。 棚ユニッ ト II 1 1は、 上下方向に並ぶ複数のセルに \¥02020/175194 6 卩（：171?2020/005872
区画されている。
[0020] インタフェースブロック 6は、 露光装置 3との間でウェハ の受け渡しを 行う。 例えばインタフェースブロック 6は、 受け渡しアームを含む搬送装置 八8を内蔵しており、 露光装置 3に接続される。 搬送装置 8は、 棚ユニッ 卜 11 1 1 に配置されたウェハ を露光装置 3に渡し、 露光装置 3からウェハ を受け取って棚ユニッ ト II 1 1 に戻す。
[0021 ] （搬送装置）
続いて、 搬送装置 3の構成の一例を具体的に説明する。 図 3に示される ように、 搬送装置 3は、 アーム 9 0と、 可動部 9 1 と、 移動ステージ 9 2 と、 可動部 9 3とを備える。 アーム 9 0は、 搬送対象のウヱハ を水平に支 持する。
[0022] 可動部 9 1は、 複数の塗布ユニッ ト II 1が並ぶ方向 （丫軸方向） に沿って アーム 9 0を往復移動させる。 可動部 9 1は、 例えば移動ステージ 9 2を丫 軸方向に沿って移動させるリニアアクチユエータを含む。 可動部 9 1は、 回 転トルクを発生させる電動モータ （動力源） と、 一対のプーリに架け渡され たタイミングベルトとを有していてもよい。 例えばタイミングベルトにより 、 モータによる回転トルクが丫軸方向に沿った並進の力に変換されて移動ス テージ 9 2に伝達され、 移動ステージ 9 2が丫軸方向に沿って移動する。
[0023] 可動部 9 3は、 移動ステージ 9 2上に設けられており、 移動ステージ 9 2 と共に移動する。 可動部 9 3は、 複数の塗布ユニッ ト II 1が並ぶ方向と直交 する方向 （X軸方向） に沿ってアーム 9 0を移動させる （出し入れさせる）
。 可動部 9 3は、 例えばアーム 9 0を X軸方向に沿って移動させるリニアア クチユエータを含む。 可動部 9 3は、 回転トルクを発生させる電動モータ （ 動力源） と、 一対のプーリに架け渡されたタイミングベルトとを有していて もよい。 例えばタイミングベルトにより、 モータによる回転トルクが X軸方 向に沿った並進の力に変換されてアーム 9 0に伝達され、 アーム 9 0が X軸 方向に沿って移動する。 可動部 9 3は、 アーム 9 0を待機位置から進出位置 までの間で往復移動させる。 待機位置は、 移動ステージ 9 2上のエリア内の \¥02020/175194 7 卩（：171?2020/005872
位置であり、 進出位置は、 移動ステージ 9 2上のエリア外の位置である。
[0024] 可動部 9 1 , 9 3は、 制御装置 1 0 0からの動作指示に基づいてそれぞれ 動作する。 例えば、 可動部 9 1 , 9 3には、 動作指示としてアーム 9 0のス トローク量を示す信号が送られる。 アーム 9 0の丫軸方向におけるストロー ク量は、 可動部 9 1の棚ユニッ ト II 1 0に近い端部を基準位置として、 当該 基準位置からのアーム 9 0の移動距離である。 アーム 9 0の X軸方向におけ るストローク量は、 待機位置から進出位置までのアーム 9 0の移動距離であ る。 可動部 9 1 , 9 3は、 モータの所定位置からの回転量に応じたパルス信 号を制御装置 1 〇〇に出力するエンコーダをそれぞれ有していてもよい。 例 えば、 制御装置 1 〇〇は、 パルス信号のカウント値が予め設定された目標値 （以下、 「パルス目標値」 という。 ） となるように、 動作指示を可動部 9 1 , 9 3に出力する。
[0025] （塗布ユニッ ト）
続いて、 処理モジュール 1 2における塗布ユニッ トリ 1の構成の _例を詳 細に説明する。 塗布ユニッ ト II 1は、 レジスト膜形成用の処理液をウェハ の表面
Figure imgf000009_0001
に供給し、 レジスト被膜を形成する。 また、 塗布ユニッ ト 11 1は 、 レジスト被膜の周縁部にレジスト被膜を除去するための薬液を供給し、 周 縁部分が除去されたレジスト被膜を形成する。 塗布ユニッ ト II 1は、 周縁部 分が除去された残りのレジスト被膜を除去するための薬液をウェハ の表面 に供給し、 ウェハ からレジスト被膜を剥離してもよい。 なお、 本明細 書における 「剥離」 とは、 ウェハ の表面 3に残るレジスト被膜の略全て を取り除くことである。 図 4に示されるように、 塗布ユニッ ト 11 1は、 回転 保持部 2 0と、 処理液供給部 3 0と、 薬液供給部 4 0とを有する。
[0026] 回転保持部 2 0は、 ウェハ を保持して回転させる。 例えば回転保持部 2 〇は、 保持部 2 1 と回転駆動部 2 2とを有する。 保持部
Figure imgf000009_0002
上方に向けた状態で水平に配置されたウェハ の中心部を支持し、 当該ウェ ハ を吸着 （例えば真空吸着） により保持する。 回転駆動部 2 2は、 例えば 電動モータを動力源として、 鉛直な中心軸 <3 !_まわりに保持部 2 1 を回転さ \¥02020/175194 8 卩（：171?2020/005872
せる。 これによりウェハ が回転する。
[0027] 処理液供給部 3 0は、 ウヱハ の表面 3にレジスト膜形成用の処理液を 供給する。 例えば処理液供給部 3 0は、 ノズル 3 1 と、 液源 3 2と、 送液部 3 3と、 ノズル移動部 3 4と有する。 ノズル 3 1は、 ウェハ の表面 3に 向けて処理液を吐出する。 液源 3 2は、 処理液を収容し、 当該処理液をノズ ル 3 1 に圧送する。 送液部 3 3は、 液源 3 2からノズル 3 1 に処理液を導く 。 例えば送液部 3 3は、 送液ライン !_ 1 とバルブ V 1 とを有する。 送液ライ ン !_ 1は、 液源 3 2とノズル 3 1 とを接続する。 バルブ V 1は、 例えばエア オペレーシヨンバルブであり、 送液ライン !_ 1内の流路を開閉する。 ノズル 移動部 3 4は、 電動モータなどを動力源としてノズル 3 1 を水平方向に移動 させる。 例えば、 ノズル移動部 3 4は、 中心軸（3 !_とウェハ 外の領域との 間でノズル 3 1 を移動させる。 バルブ V 1及びノズル移動部 3 4は、 制御装 置 1 0 0からの動作指示に基づいて動作する。
[0028] 薬液供給部 4 0は、 ウェハ の表面
Figure imgf000010_0001
に、 レジスト被膜を除去するため の薬液を供給する。 薬液は、 処理液供給部 3 0から供給された処理液により 形成されるレジスト被膜を除去 （溶解） できる溶剤である。 薬液の具体的と しては、 シンナー等の有機溶剤が挙げられる。 例えば薬液供給部 4 0は、 ノ ズル 4 1 と、 液源 4 2と、 送液部 4 3と、 ノズル移動部 4 4とを有する。 ノ ズル 4 1は、 回転保持部 2 0により回転しているウェハ の表面 3に向け て薬液を吐出する。 液源 4 2は、 薬液を収容し、 当該薬液をノズル 4 1側に 圧送する。 送液部 4 3は、 液源 4 2からノズル 4 1 に薬液を導く。 例えば送 液部 4 3は、 送液ライン !_ 2とバルブ V 2とを有する。 送液ライン 1- 2は液 源 4 2とノズル 4 1 とを接続する。 バルブ V 2は例えばエアオペレーシヨン バルブであり、 送液ライン !_ 2内の流路を開閉する。 バルブ 2は、 制御装 置 1 0 0からの動作指示に基づいて動作する。
[0029] ノズル移動部 4 4は、 電動モータなどを動力源としてノズル 4 1 を水平方 向に移動させる。 例えば、 ノズル移動部 4 4は、 上方から見て、 略水平に保 持されているウェハ の半径方向 （例えば丫軸方向） に沿ってノズル 4 1 を \¥02020/175194 9 卩（：171?2020/005872
移動させる。 ノズル移動部 4 4によりノズル 4 1がウェハ の半径方向に沿 って移動することにより、 ノズル 4 1からの表面 3への薬液の供給位置が 変化する。 このため、 ノズル 4 1の配置位置に応じて、 ノズル 4 1から吐出 された薬液により除去されるレジスト被膜の周縁部分の除去幅が変動する。 ノズル移動部 4 4は、 制御装置 1 0 0からの動作指示に基づいて動作する。 ノズル移動部 4 4は、 モータの所定位置からの回転量に応じたパルス信号を 制御装置 1 〇〇に出力するエンコーダを有していてもよい。 例えば、 制御装 置 1 0 0は、 パルス信号のカウント値が予め設定された目標値 （パルス目標 値） となるように、 動作指示をノズル移動部 4 4に出力する。
[0030] なお、 薬液供給部 4 0は、 レジスト被膜の周縁部分を除去するための薬液 を吐出するノズルと、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を剥離するための 薬液を吐出するノズルと、 を有していてもよい。 周縁部分の除去用の薬液と 、 被旲の剥離用の楽液は、 互いに異なっていてもよい。 この場合、 楽液供給 部 4 0は、 互いに異なる薬液をノズルにそれぞれ供給する 2つの送液部及び 2つの液源を有していてもよい。
[0031 ] （検査ユニッ ト）
続いて、 検査ユニッ トリ 3の構成の一例について詳細に説明する。 検査ユ ニッ ト II 3は、 ウェハ の表面 3を撮像することによって、 表面 3の状 態を示す表面情報として画像データを取得する。 また、 検査ユニッ ト 11 3は 、 ウェハ に形成されているノッチを利用して、 ウェハ の向きを調節する 。 図 5に示されるように、 検査ユニッ ト II 3は、 保持部 5 1 と、 回転駆動部 5 2と、 ノッチ検出部 5 3と、 撮像部 5 7 （表面検査部） とを有する。
[0032] 保持部 5 1は、
Figure imgf000011_0001
を上方に向けた状態で水平に配置されたウェハ の中心部を支持し、 当該ウェハ を吸着 （例えば真空吸着） により保持する 。 回転駆動部 5 2は、 例えば電動モータを動力源として、 鉛直な中心軸まわ りに保持部 5 1 を回転させる。 これによりウェハ が回転する。
[0033] ノッチ検出部 5 3は、 ウェハ のノッチを検出する。 例えばノッチ検出部
5 3は、 投光部 5 5と、 受光部 5 6とを有する。 投光部 5 5は、 回転してい \¥0 2020/175194 10 卩（：171? 2020 /005872
るウェハ の周縁部に向けて光を出射する。 例えば、 投光部 5 5は、 ウェハ の周縁部の上方に配置されており、 下方に向けて光を出射する。 受光部 5 6は、 投光部 5 5により出射された光を受ける。 例えば、 受光部 5 6は、 投 光部 5 5と対向するようにウェハ \/\/の周縁部の下方に配置されている。 回転 駆動部 5 2、 投光部 5 5、 及び受光部 5 6は、 制御装置 1 0 0からの動作指 示に基づいて動作する。 受光部 5 6は、 受光した結果を示す受光情報を制御 装置 1 0 0に出力する。 当該受光情報に基づいて、 制御装置 1 0 0によりノ ッチが所定の向きとなるように調節される。 すなわち、 ウェハ の向きが調 節される。
[0034] 撮像部 5 7は、 ウェハ の表面
Figure imgf000012_0001
の少なくとも周縁部を撮像するカメラ である。 例えば、 ウェハ の表面 3上に周縁部分が除去された状態のレジ スト被膜が形成されている場合、 撮像部 5 7は、 レジスト被膜の外縁とウェ ハ の外縁とを含む撮像範囲でウェハ の表面 3を撮像する。 撮像部 5 7 は、 保持部 5 1 に保持されているウェハ の上方に配置されている。 撮像部 5 7は、 制御装置 1 〇〇からの動作指示に応じて動作し、 取得した画像デー 夕を制御装置 1 〇〇に出力する。 当該画像データに基づいて、 制御装置 1 〇 0によりウェハ の表面 3の状態が検査される。
[0035] （制御装置）
続いて、 制御装置 1 0 0の一例について詳細に説明する。 制御装置 1 0 0 は、 塗布 ·現像装置 2に含まれる各要素を制御する。 制御装置 1 0 0は、 ウ ェハ の表面
Figure imgf000012_0002
にレジスト被膜を塗布ユニッ ト II 1 により形成させること と、 設定された除去幅にてレジスト被膜の周縁部分を塗布ユニッ ト II 1 によ り除去させることと、 を含むプロセス処理 （生産処理） を実行するように構 成されている。 また、 制御装置 1 0 0は、 プロセス処理におけるレジスト被 膜の周縁部分の除去幅に影響を与える装置の動作条件を設定することで除去 幅を調節する調節処理を実行するように構成されている。 これらのプロセス 処理及び調節処理の詳細については後述する。
[0036] 図 6に示されるように、 制御装置 1 0 0は、 機能上の構成として、 動作指 \¥02020/175194 11 卩（：171?2020/005872
令保持部 1 1 〇と、 除去制御部 1 〇 1 と、 搬入制御部 1 1 1 と、 収容制御部 1 〇 2と、 剥離制御部 1 0 3と、 条件設定部 1 0 4と、 状態判別部 1 0 5と 、 膜形成制御部 1 0 6とを備える。
[0037] 動作指令保持部 1 1 0は、 レジスト被膜の周縁部分の除去幅に関する情報 （以下、 「保持情報」 という。 ） を記憶する。 この保持情報には、 除去幅に 影響を及ぼす装置の動作に関する設定情報 （動作条件） 、 及び予めオペレー 夕 （作業員） 又は他の装置により入力された調節処理実行時の各種条件が含 まれていてもよい。 例えば、 設定情報には、 回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置、 及び周縁部分を除去する際のノズル 4 1の配置位置が含まれ る。 回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置は、 アーム 9 0の乂軸方向 及び丫軸方向におけるストローク量により定められてもよい。 調節処理の実 行条件には、 例えば、 除去幅の目標値、 繰り返し回数の上限、 及び設定情報 の限界値等が含まれる。
[0038] 除去制御部 1 0 1は、 レジスト被膜の周縁部分を塗布ユニッ ト II 1 により 除去させることを実行するように構成されている。 具体的には、 除去制御部 1 〇 1は、 動作指令保持部 1 1 〇に記憶されたノズル 4 1の配置位置を示す 情報に基づいて、 当該配置位置にノズル 4 1 を配置するようにノズル移動部 4 4を制御する。 また、 除去制御部 1 0 1は、 上記配置位置に配置されたノ ズル 4 1からレジスト被膜の周縁部分を除去するための薬液を吐出させるよ うに薬液供給部 4 0を制御する。
[0039] 搬入制御部 1 1 1は、 レジスト被膜の形成前のウェハ を回転保持部 2 0 の所定位置に搬送装置 3により配置させることを実行するように構成され ている。 例えば、 搬入制御部 1 1 1は、 動作指令保持部 1 1 〇に記憶された 回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置を示す情報に基づいて、 ウェハ を塗布ユニッ ト II 1 に搬入し、 回転保持部 2 0における当該保持位置にウ ェハ を配置するように搬送装置 3を制御する。 搬入制御部 1 1 1は、 保 持位置を示す情報に応じたストローク量 （パルス目標値） にてアーム 9 0が 移動するように搬送装置八 3を制御してもよい。 \¥0 2020/175194 12 卩（：171? 2020 /005872
[0040] 収容制御部 1 0 2は、 調節処理において、 キャリア 0 （レジスト被膜の形 成前のウェハ を収容したキャリア〇 から調節処理に用いるウェハ を搬 送装置八 1 により搬出させることと、 レジスト被膜の剥離後のウェハ を搬 送装置八 1 , 八 3 （搬送部） によりキャリア＜3に搬入させることとを実行す るように構成されている。
[0041 ] 剥離制御部 1 0 3は、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を塗布ユニッ ト リ 1 により剥離させることを実行するように構成されている。 例えば、 剥離 制御部 1 0 3は、 回転保持部 2 0により保持されているウヱハ の中心軸〇 !_にノズル 4 1が配置されるようにノズル移動部 4 4を制御する。 また、 剥 離制御部 1 〇 3は、 中心軸＜3 !_に配置されたノズル 4 1からレジスト被膜を 剥離するための薬液を吐出させるように薬液供給部 4 0を制御する。
[0042] 条件設定部 1 0 4は、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウヱハ の表面 3の状態を示す表面情報を撮像部 5 7に取得させ、 当該表面情報に 基づいて周縁部分の除去幅を調節することを実行するように構成されている 。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 ウェハ の全周又は全周のうちの一部にお いて、 周縁部分が除去されたレジスト被膜の外縁とウェハ の外縁とを含む 撮像範囲で撮像部 5 7に撮像させることにより、 レジスト被膜を含むウェハ
Figure imgf000014_0001
の状態を示す画像データを撮像部 5 7に取得させる。 また、 条 件設定部 1 0 4は、 画像データから周縁部分が除去された幅を測定し、 当該 幅の測定値に基づいて、 除去幅に影響を及ぼす装置の動作条件を調節 （補正 ） することにより周縁部分の除去幅を調節する。
[0043] 状態判別部 1 0 5は、 レジスト被膜の形成前のウェハ の表面 3の状態 を示す表面情報として画像データを撮像部 5 7に取得させ、 当該画像データ に基づいて当該ウェハ が除去幅の調節に利用可能かどうかを判別すること を実行するように構成されている。 例えば、 状態判別部 1 0 5は、 塗布膜八 の形成前のウェハ の表面 3全体を含む撮像範囲で撮像部 5 7にウェハ の表面 3を撮像させることにより、 当該ウェハ の表面 3全体の状態 を示す画像データを撮像部 5 7に取得させる。 また、 状態判別部 1 0 5は、 この画像データに基づいて、 ウェハ Wの表面 W aに被膜 （例えばレジスト被 膜） が残っていないかを判別する。 例えば、 状態判別部 1 0 5は、 ウェハ W の表面 W aに所定量以上のレジスト被膜が残っていると判別した場合に、 当 該ウェハ Wについて除去幅の調節に利用不能であると判別する。
[0044] 膜形成制御部 1 0 6は、 ウェハ Wの表面 W aにレジスト被膜を塗布ュニッ 卜 U 1 により形成させることを実行するように構成されている。 具体的には 、 膜形成制御部 1 0 6は、 回転保持部 2 0により保持されているウヱハ Wの 中心軸 C Lにノズル 3 1が配置されるようにノズル移動部 3 4を制御する。 また、 膜形成制御部 1 〇 6は、 中心軸 C Lに配置されたノズル 3 1からレジ スト膜形成用の処理液を吐出させるように処理液供給部 3 0を制御する。
[0045] 制御装置 1 0 0は、 一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される 。 例えば制御装置 1 〇〇は、 図 7に示される回路 1 2 0を有する。 回路 1 2 0は、 一つ又は複数のプロセッサ 1 2 1 と、 メモリ 1 2 2と、 ストレージ 1 2 3と、 入出カポート 1 2 4とを有する。 ストレージ 1 2 3は、 例えばハー ドディスク等、 コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。 記 憶媒体は、 後述のプロセス処理手順及び調節処理手順を制御装置 1 〇〇に実 行させるためのプログラムを記憶している。 記憶媒体は、 不揮発性の半導体 メモリ、 磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよ い。 メモリ 1 2 2は、 ストレージ 1 2 3の記憶媒体から口ードしたプログラ ム及びプロセッサ 1 2 1 による演算結果を一時的に記憶する。 プロセッサ 1 2 1は、 メモリ 1 2 2と協働して上記プログラムを実行することで、 上述し た各機能モジュールを構成する。 入出カポート 1 2 4は、 プロセッサ 1 2 1 からの指令に従って、 制御対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。
[0046] なお、 制御装置 1 0 0のハードウェア構成は、 必ずしもプログラムにより 各機能モジュールを構成するものに限られない。 例えば制御装置 1 0 0の各 機能モジュールは、 専用の論理回路又はこれを集積した A S 丨 C （App l i cat i on Spec i f i c Integ rated C i rcu i t） により構成されていてもよい。
[0047] （プロセス処理手順） \¥02020/175194 14 卩（：171?2020/005872
続いて、 塗布 ·現像処理の一例として塗布 ·現像装置 2において実行され るプロセス処理手順について説明する。 このプロセス処理手順は、 ウェハ の表面 3にレジスト被膜を塗布ユニッ ト II 1 （処理液供給部 3 0） により 形成させることと、 調節処理手順において調節されたレジスト被膜の周縁部 分の除去幅にて当該周縁部分を塗布ユニッ ト II 1 （薬液供給部 4 0） により 除去させることと、 を含む。
[0048] プロセス処理手順において、 まず制御装置 1 0 0は、 キャリア〇内のプロ セス処理対象のウェハ を棚ユニッ ト II 1 0に搬送するように搬送装置八 1 を制御し、 このウェハ を処理モジュール 1 1用のセルに配置するように搬 送装置 7を制御する。
[0049] 次に制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 0のウェハ を処理モジュール 1
1内の塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2に搬送するように搬送装置 八 3を制御する。 また、 制御装置 1 0 0は、 このウェハ の表面上に下層膜 を形成するように塗布ユニッ トリ 1及び熱処理ユニッ ト II 2を制御する。 そ の後制御装置 1 〇〇は、 下層膜が形成されたウェハ を棚ユニッ ト II 1 0に 戻すように搬送装置八 3を制御し、 このウェハ を処理モジュール 1 2用の セルに配置するように搬送装置 7を制御する。
[0050] 次に制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 0のウェハ を処理モジュール 1
2内の塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニッ ト II 2に搬送するように搬送装置 八 3を制御する。 また、 制御装置 1 0 0は、 このウェハ の下層膜上にレジ スト膜 を形成するように塗布ユニッ トリ 1及び熱処理ユニッ ト II 2を制御 する。 例えば、 制御装置 1 〇〇は、 ウェハ の下層膜上にレジスト膜形成用 の処理液を塗布することによってレジスト被膜 （塗布膜 ） を形成するよ うに塗布ユニッ ト II 1 を制御する。 そして、 制御装置 1 0 0は、 ウェハ 上 のレジスト被膜の周縁部分に薬液を塗布することによってレジスト被膜の周 縁部分を除去するように塗布ユニッ トリ 1 を制御する。
[0051 ] 次に、 制御装置 1 0 0は、 レジスト被膜 （塗布膜 [¾ ） に熱処理を施すよ うに熱処理ユニッ トリ 2を制御する。 その後制御装置 1 0 0は、 ウェハ を \¥02020/175194 15 卩（：171?2020/005872
棚ユニッ ト II 1 0に戻すように搬送装置八 3を制御し、 このウェハ を処理 モジュール 1 3用のセルに配置するように搬送装置八 7を制御する。 なお、 レジスト膜 8の形成後、 制御装置 1 〇〇は、 ウェハ を検査ユニッ ト II 3に 搬送するように搬送装置 3を制御し、 検査ユニッ ト II 3を用いて当該ウェ ハ の表面の状態 （例えば除去幅） を検査してもよい。
[0052] 次に制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 0のウェハ を処理モジュール 1
3内の各ユニッ トに搬送するように搬送装置八 3を制御し、 このウェハ の レジスト膜 上に上層膜を形成するように塗布ユニッ ト II 1及び熱処理ユニ ッ ト II 2を制御する。 その後制御装置 1 0 0は、 ウェハ を棚ユニッ ト II 1 1 に搬送するように搬送装置 3を制御する。
[0053] 次に制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 1のウェハ を露光装置 3に送り 出すように搬送装置 8を制御する。 その後制御装置 1 0 0は、 露光処理が 施されたウェハ を露光装置 3から受け入れて、 棚ユニッ ト II 1 1 における 処理モジュール 1 4用のセルに配置するように搬送装置八 8を制御する。
[0054] 次に制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 1のウェハ を処理モジュール 1 4内の各ユニッ トに搬送するように搬送装置八 3を制御し、 このウェハ の レジスト膜 に現像処理を施すように塗布ユニッ トリ 1及び熱処理ユニッ ト リ 2を制御する。 その後制御装置 1 0 0は、 ウェハ を棚ユニッ ト II 1 0に 戻すように搬送装置八 3を制御し、 このウェハ をキャリァ〇内に戻すよう に搬送装置 7及び搬送装置 1 を制御する。 以上でプロセス処理が完了す る。
[0055] （調節処理手順）
続いて、 プロセス処理におけるレジスト被膜の周縁部分の除去幅を調節す るための調節処理手順について説明する。 この調節処理手順は、 ウェハ の 表面 3にレジスト被膜を塗布ユニッ ト II 1 （処理液供給部 3 0） により形 成させることと、 レジスト被膜の周縁部分を塗布ユニッ ト II 1 （薬液供給部 4 0） により除去させることとを含む。 この調節処理手順は、 周縁部分が除 去されたレジスト被膜を含むウェハ の表面 3の状態を示す表面情報を撮 \¥02020/175194 16 卩（：171?2020/005872
像部 5 7に取得させ、 当該表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節する ことと、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を塗布ユニッ ト II 1 （薬液供給 部 4 0） により剥離させることとを含む。
[0056] なお、 以下では説明を簡単にするために、 処理モジュール 1 2の複数の塗 布ユニッ ト II 1のうちの一つの塗布ユニッ ト II 1 において一連の調節処理手 順が行われるとする。 また、 当該塗布ユニッ ト 11 1 を 「調節対象の塗布ユニ ッ ト II 1」 と表記する。 さらに、 説明の便宜のため、 一連の調節処理手順に おいて、 同一のウェハ が用いられるとし、 当該ウェハ を 「調節処理用の ウェハ 」 と表記する。
[0057] 図 8に示されるように、 まず制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 1 を実行す る。 ステップ 3 0 1では、 収容制御部 1 0 2が、 キャリア＜3から調節処理用 のウェハ を搬出するように搬送装置 1 を制御する。 そして、 収容制御部 1 0 2は、 搬出した調節処理用のウェハ を棚ユニッ ト II 1 0における処理 モジュール 1 2用のセルに配置するように搬送装置八 1 を制御する。 その後 、 収容制御部 1 0 2は、 棚ユニッ ト II 1 0に配置された調節処理用のウェハ を検査ユニッ ト II 3に搬送するように搬送装置 3を制御する。
[0058] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 2を実行する。 ステップ 3 0 2では 、 制御装置 1 〇〇が設定前処理を実行する。 設定前処理では、 まず制御装置 1 0 0は、 調節処理用のウェハ の向きを所定の向きに合わせるように検査 ユニッ ト II 3を制御する。 具体的には、 制御装置 1 0 0は、 調節処理用のウ ェハ に形成されたノッチが所定の向きとなるように、 受光部 5 6からの受 光情報に基づいて回転駆動部 5 2を制御する。 これにより、 ウェハ のノッ チの向きが所定の向き （例えば X軸負方向） となる。
[0059] 次に設定前処理において、 状態判別部 1 0 5が、 レジスト被膜が形成され ていない調節処理用のウェハ の表面 3を撮像部 5 7に撮像させ、 当該表 の状態を示す画像データを撮像部 5 7に取得させる。 状態判別部 1 0 5は、 この画像データに基づいて調節処理用のウェハ が除去幅の調節に利 用可能かどうかを判別する。 例えば、 状態判別部 1 0 5は、 調節処理用のウ \¥02020/175194 17 卩（：171?2020/005872
ェハ の表面 3に所定量以上のレジスト被膜が残っていると判別した場合 に、 当該調節処理用のウェハ について除去幅の調節に利用不能であると判 別する。 制御装置 1 〇〇は、 調節処理用のウヱハ が除去幅の調節に利用不 能であると判別した場合に、 調節処理の実行を中断し、 他のウェハを用いて 調節処理を最初から実行してもよい。
[0060] 調節処理用のウェハ が除去幅の調節に利用可能であると判別された場合
、 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 3を実行する。 ステップ 3 0 3では 、 条件設定部 1 0 4が条件設定処理を実行する。 条件設定部 1 0 4は、 条件 設定処理において、 調節処理用のウェハ 上にテスト用のレジスト被膜を形 成し、 当該レジスト被膜の周縁部分を除去した後に、 除去幅に影響を及ぼす 装置の動作条件を調節する。 ステップ 3 0 3の条件設定処理の詳細について は後述する。
[0061 ] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 4を実行する。 ステップ 3 0 4では 、 例えば収容制御部 1 0 2が、 条件設定処理が行われた調節処理用のウェハ をキャリア（3に搬入するように搬送装置八 3 , 八 1 を制御する。
[0062] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 5を実行する。 ステップ 3 0 5では 、 例えば収容制御部 1 0 2が、 調節処理用のウェハ をキャリア（3から搬出 して、 棚ユニッ ト II 1 0における処理モジユール 1 2用のセルに調節処理用 のウェハ を配置するように搬送装置 1 を制御する。 そして、 制御装置 1 0 0は、 棚ユニッ ト II 1 0に配置された調節処理用のウェハ を調節対象の 塗布ユニッ ト II 1 に搬送するように搬送装置八 3を制御する。
[0063] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 6を実行する。 ステップ 3 0 6では 、 剥離制御部 1 0 3が、 調節処理用のウェハ の表面
Figure imgf000019_0001
上に残るレジスト 被膜を剥離するように調節対象の塗布ユニッ トリ 1の薬液供給部 4 0を制御 する。 なお、 ステップ 3 0 3における条件設定処理の終了時点において、 図 1 1 （a） に示されるように、 調節処理用のウェハ の表面
Figure imgf000019_0002
にはレジス 卜被膜 （レジスト膜 8） が残っている。 ステップ 3 0 6において、 具体的に は、 図 1 1 （匕） に示されるように、 剥離制御部 1 0 3は、 回転保持部 2 0 \¥02020/175194 18 卩（：171?2020/005872
により保持されている調節処理用のウェハ の中心軸（3 1_に薬液供給部 4 0 のノズル 4 1が配置されるようにノズル移動部 4 4を制御する。 そして、 剥 離制御部 1 〇 3は、 中心軸 <3 !_に配置されたノズル 4 1からレジスト被膜を 剥離するための薬液 6 2を吐出させるように薬液供給部 4 0のバルブ V 1 を 制御する。 なお、 薬液 6 2の吐出が行われている間に調節処理用のウェハ が回転するように、 制御装置 1 0 0は回転保持部 2 0の回転駆動部 2 2を制 御してもよい。 これにより、 図 1 1 （〇） に示されるように、 調節処理用の ウェハ の表面
Figure imgf000020_0001
からレジスト被膜が剥離される。
[0064] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 7を実行する。 ステップ 3 0 7では 、 収容制御部 1 0 2が、 レジスト被膜の剥離後の調節処理用のウェハ をキ ャリア <3に搬入するように搬送装置八 1 , 八3を制御する。
[0065] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 8を実行する。 ステップ 3 0 8では 、 制御装置 1 〇〇が、 終了フラグが〇 であるかどうかを判断する。 この 終了フラグは、 調節処理を終了させるかどうかを判断するためのフラグであ り、 ステップ 3 0 3の条件設定処理において設定される。 なお、 終了フラグ は、 調節処理が実行される前において〇 に予め設定されている。
[0066] ステップ 3 0 8において、 終了フラグが〇 であると判断された場合 （ ステップ 3 0 8 : 丫巳 3） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 0 1〜ステップ 3 0 8の処理を繰り返す。 ステップ 3 0 8において、 終了フラグが〇1\!であ ると判断された場合 （ステップ 3 0 8 : N 0） 、 制御装置 1 0 0は調節処理 手順を終了する。 制御装置 1 〇〇は、 終了フラグが〇1\1であると判断される まで、 調節処理手順を繰り返す。 上述した通り、 この例では同一の調節処理 用のウェハ が調節処理に用いられるので、 制御装置 1 0 0は、 同一の調節 処理用のウェハ を用いて調節対象の塗布ユニッ ト II 1 に調節処理を繰り返 し実行させる。 制御装置 1 0 0は、 調節対象の塗布ユニッ ト II 1 における調 節処理の実行後、 複数の塗布ユニッ ト II 1のうちの他の塗布ユニッ トにおけ る調節処理を順に実行してもよい。 制御装置 1 〇〇は、 これらの調節処理が 全て終了した後にプロセス処理を実行してもよい。 \¥02020/175194 19 卩（：171?2020/005872
[0067] （条件設定処理）
続いてステップ 3 0 3における条件設定処理について説明する。 図 9に示 されるように、 条件設定処理において、 まず制御装置 1 0 0はステップ 3 1 1 を実行する。 ステップ 3 1 1では、 例えば、 搬入制御部 1 1 1が、 検査ユ ニッ ト II 3から調節対象の塗布ユニッ ト II 1 まで調節処理用のウェハ を搬 送し、 回転保持部 2 0に調節処理用のウヱハ を配置するように搬送装置八 3を制御する。 この際、 搬入制御部 1 1 1は、 動作指令保持部 1 1 0に記憶 された回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置を示す情報 （以下、 「保 持位置情報」 という。 ） に基づいて、 ウェハ を塗布ユニッ ト II 1 に搬入し 、 回転保持部 2 0における当該保持位置にウヱハ を配置するように搬送装 置八 3を制御する。 この際、 搬入制御部 1 1 1は、 ステップ 3 0 2において 調節されたノッチの向きが維持された状態にて、 調節処理用のウェハ を搬 送して回転保持部 2 0に配置するように搬送装置 3を制御してもよい。 例 えば、 搬入制御部 1 1 1は、 保持位置情報に基づいて、 アーム 9 0の乂軸方 向及び丫軸方向におけるストローク量 （パルス設定値） を設定することによ って、 調節処理用のウェハ が回転保持部 2 0における保持位置に配置され るように搬送装置八 3を制御してもよい。
[0068] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 2を実行する。 ステップ 3 1 2では 、 膜形成制御部 1 0 6が、 調節処理用のウェハ の表面
Figure imgf000021_0001
にレジスト被膜 を形成するように処理液供給部 3 0を制御する。 具体的には、 図 1 2 （3） に示されるように、 膜形成制御部 1 0 6は、 処理液供給部 3 0のノズル 3 1 が回転保持部 2 0により保持されているウェハ の中心軸（3 !_に配置される ようにノズル移動部 3 4を制御する。 そして、 膜形成制御部 1 0 6は、 中心 軸〇 !_に配置されたノズル 3 1からレジスト被膜を形成するための処理液 6 1 を吐出させるように処理液供給部 3 0のバルブ V 1 を制御する。 なお、 処 理液 6 1の吐出が行われている間に調節処理用のウェハ が回転するように 、 制御装置 1 0 0は回転保持部 2 0の回転駆動部 2 2を制御してもよい。 こ れにより、 図 1 2 （匕） に示されるように、 調節処理用のウェハ の表面 \¥02020/175194 20 卩（：171?2020/005872
3にレジスト被膜 （塗布膜 ） が形成される。
[0069] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 3を実行する。 ステップ 3 1 3では 、 除去制御部 1 〇 1が、 動作指令保持部 1 1 0に記憶されたノズル 4 1の配 置位置を示す情報 （以下、 「配置位置情報」 という。 ） に基づいて、 当該配 置位置にノズル 4 1 を配置するようにノズル移動部 4 4を制御する。 例えば 、 除去制御部 1 〇 1は、 配置位置情報に基づいて、 ノズル移動部 4 4におけ るパルス目標値を設定することにより、 ノズル 4 1が上記配置位置に配置さ れるようにノズル移動部 4 4を制御してもよい。
[0070] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 4を実行する。 ステップ 3 1 4では 、 図 1 2 （〇） に示されるように、 除去制御部 1 0 1が、 上記配置位置に配 置されたノズル 4 1からレジスト被膜を除去するための薬液 6 2を吐出させ るように薬液供給部 4 0のバルブ V 2を制御する。 なお、 薬液 6 2の吐出が 行われている間に調節処理用のウェハ が回転するように、 制御装置 1 0 0 は回転駆動部 2 2を制御してもよい。 これにより、 図 1 1 （3） に示される ように、 調節処理用のウェハ の表面 3においてレジスト被膜の周縁部分 が除去される。 そして、 制御装置 1 〇〇は、 周縁部分が除去されたレジスト 被膜 （塗布膜 8 ） を含む調節処理用のウェハ を処理モジュール 1 2内の いずれかの熱処理ユニッ ト II 2に搬送するように搬送装置 3を制御し、 レ ジスト被膜に熱処理を施すように当該熱処理ユニッ トリ 2を制御する。 これ により、 調節処理用のウェハ の表面 3にテスト用のレジスト膜 が形成 される。 その後、 制御装置 1 0 0は、 調節処理用のウェハ を検査ユニッ ト リ 3に搬送するように搬送装置八 3を制御する。
[0071 ] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 5 , 3 1 6を実行する。 ステップ 3
1 5では、 条件設定部 1 0 4が、 レジスト被膜の形成後の調節処理用のウェ ハ の表面 3の状態を示す画像データを撮像部 5 7に取得させる。 ステッ プ3 1 6では、 条件設定部 1 0 4が、 当該画像データに基づいて、 除去され た周縁部分の除去幅を算出する。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 図 1 3に示 されるように、 当該画像データに基づいて、 ウェハ の中心 1 における周 \¥0 2020/175194 21 卩（：171? 2020 /005872
方向において互いに 9 0 ° 間隔で離間した 4つの角度での除去幅八乂 1 , △ 乂2 , 八丫 1 , 八丫 2を算出してもよい。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 ノ ッチが形成されている位置における除去幅を、 除去幅八乂 1 として算出して もよい。
[0072] 条件設定部 1 0 4は、 除去幅△X I , 八乂2 , 八丫 1 , 八丫 2の平均を平 均除去幅△ として算出してもよい。 また、 条件設定部 1 0 4は、 除去幅△ X 1 と除去幅八乂 2との差分を X軸方向における偏心値八乂として算出し、 除去幅八丫 1 と除去幅八丫 2との差分を丫軸方向における偏心値八丫として 算出してもよい。 なお、 偏心値八乂， 八丫は、 ウェハ の中心 1 とレジス 卜膜 の中心 2との間のずれの程度 （ずれ量△ の大きさ） を示している 。 偏心値八乂， 八丫の値は、 周縁除去時の回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置によって変動する。
[0073] 次に制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 7を実行する。 ステップ 3 1 7では 、 条件設定部 1 0 4が、 ステップ 3 1 6において算出した除去幅 （以下、 「 算出除去幅」 という。 ） が、 予め定められた目標範囲外であるかどうかを判 断する。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 ステップ 3 1 6において算出した除 去幅と、 目標範囲の上限である目標値との差分 （偏差） を求め、 当該差分が 所定レベルに達していないかどうかを判断する。 一例としては、 条件設定部 1 0 4は、 偏心値八乂， 八丫が閾値丁 1 よりも大きいかどうか、 及び平均 除去幅△八と目標値との偏差 5が閾値丁 2よりも大きいかどうかを判断し てもよい。 条件設定部 1 0 4は、 いずれか一方の条件が満たされる場合には 、 算出除去幅が目標範囲外であると判断してもよい。
[0074] ステップ 3 1 7において、 算出除去幅が目標範囲外であると判断された場 合 （ステップ3 1 7 : 丫巳 3） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 8を実行 する。 ステップ 3 1 8では、 条件設定部 1 0 4が、 除去幅が目標範囲内とな るように （目標値に近づくように） 、 除去幅に影響を及ぼす動作条件の補正 を行う。 この動作条件の補正手順の具体例については後述する。
[0075] 一方、 ステップ 3 1 7において、 算出除去幅が目標範囲内であると判断さ \¥02020/175194 22 卩（：171?2020/005872
れた場合 （ステップ 3 1 7 : N 0） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 1 9を 実行する。 ステップ 3 1 9では、 制御装置 1 0 0が終了フラグを〇1\1に設定 する。 上述した例では、 偏心値△ X , △丫が双方とも閾値丁 II 1以下であり 、 平均除去幅八八と目標値との偏差 5が閾値丁 II 2以下である場合に、 芾 I」御 装置 1 0 0は終了フラグを〇1\!に設定する。 以上により、 制御装置 1 0 0は 条件設定処理を終了する。
[0076] この条件設定処理では、 ステップ 3 1 7において算出除去幅が目標範囲外 である場合に、 ステップ 3 1 8における動作条件の補正が行われ、 終了フラ グが〇 1\1とならない。 このため、 ステップ 3 0 1
Figure imgf000024_0001
0 8の処理を含む調節 処理が繰り返して実行される。 繰り返し実行される度に、 ステップ 3 1 8に おいて除去幅が目標値に近づくように動作条件の補正が行われる。 換言する と、 制御装置 1 〇〇は、 除去幅 （算出除去幅） と目標値との偏差が所定レべ ルに達するまで調節処理を繰り返し実行する。
[0077] （動作条件の補正処理）
続いて、 ステップ 3 1 8における動作条件の補正処理の具体例について説 明する。 図 1 〇は、 ステップ 3 1 6において偏心値八乂， 八丫及び平均除去 幅△ を算出する場合に行われる動作条件の補正手順の一例を示すフローチ ャートである。
[0078] この動作条件の補正手順では、 まず制御装置 1 0 0が、 ステップ 3 2 1 ,
3 2 2を実行する。 ステップ 3 2 1では、 条件設定部 1 0 4が、 繰り返し回 数を示す変数 !＜をインクリメントする。 換言すると、 条件設定部 1 0 4は変 数 に 1 を加算する。 なお、 調節処理の実行前において変数 は 0に設定さ れている。 ステップ 3 2 2では、 条件設定部 1 0 4が、 変数 が予め定めら れた定数 （例えば 1\!は 3以上の整数） よりも小さいかどうかを判断する。 ステップ 3 2 2において、 変数 が定数 1\1以上であると判断された場合 （ス テップ3 2 2 : N 0） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 3 0を実行する。 ス テップ3 3 0については後述する。
[0079] ステップ 3 2 2において、 変数 !＜が定数 !\1よりも小さいと判断された場合 \¥02020/175194 23 卩（：171?2020/005872
（ステップ 3 2 2 : Y E S） . 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 2 3を実行す る。 ステップ 3 2 3では、 例えば、 条件設定部 1 0 4が、 偏心値八乂， 八丫 のいずれか一方が閾値丁 1 よりも大きいかどうかを判断する。 ステップ 3 2 3において、 偏心値八乂， 八丫のいずれか一方が閾値丁 1 よりも大きい と判断された場合 （ステップ 3 2 3 : 丫巳3） 、 制御装置 1 0 0は、 ステッ プ3 2 4 , 3 2 5を実行する。 ステップ 3 2 3において、 偏心値八乂， 八丫 の双方が閾値丁 II 1以下であると判断された場合 （ステップ 3 2 3 : N 0）
、 制御装置 1 〇〇は、 ステップ 3 2 4 , 3 2 5を実行しない。
[0080] ステップ 3 2 4では、 条件設定部 1 0 4が、 閾値丁 1 よりも大きいと判 断された偏心値八乂， 八丫の少なくとも一方が補正可能な範囲かどうかを判 断する。 例えば、 偏心値八乂， 八丫についての補正可能な範囲が、 オペレー 夕 （作業員） により予め制御装置 1 0 0 （動作指令保持部 1 1 〇） に記憶さ れていてもよい。 ステップ 3 2 4において、 偏心値八乂， 八丫のいずれか一 方が補正可能な範囲ではないと判断された場合 （ステップ 3 2 4 : N 0） 、 制御装置 1 〇〇は、 ステップ 3 3 0を実行する。 ステップ 3 2 4において、 偏心値八乂， 八丫が補正可能な範囲であると判断された場合 （ステップ 3 2 4 : 丫巳3） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 2 5を実行する。
[0081 ] ステップ 3 2 5では、 条件設定部 1 0 4が、 偏心値八乂， 八丫に応じて、 動作指令保持部 1 1 〇に記憶されている保持位置情報を補正する。 例えば、 条件設定部 1 〇 4は、 偏心値△ X , △丫に応じて、 偏心値△ X , △丫が偏心 値に関する目標値に近づくように保持位置情報を補正する。 条件設定部 1 0 4は、 可動部 9 1 , 9 3に含まれるモータについてのパルス目標値を補正す ることによって、 保持位置情報を補正してもよい。
[0082] 次に、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 2 6を実行する。 ステップ 3 2 6で は、 条件設定部 1 0 4が、 平均除去幅△ と目標値との偏差 5が閾値丁 2 よりも大きいかどうかを判断する。 ステップ 3 2 6において、 偏差 5が閾値 丁 2よりも大きいと判断された場合 （ステップ 3 2 6 : 丫巳 3） 、 制御装 置 1 0 0は、 ステップ
Figure imgf000025_0001
を実行する。 ステップ 3 2 6において \¥02020/175194 24 卩（：171?2020/005872
、 偏差 5が閾値丁 2以下であると判断された場合 （ステップ 3 2 6 : N 0 ） 、 制御装置 1 〇〇は、 ステップ
Figure imgf000026_0001
を実行しない。
[0083] ステップ 3 2 7では、 条件設定部 1 0 4が、 偏差 8が補正可能な範囲かど うかを判断する。 例えば、 偏差 5についての補正可能な範囲が、 オペレータ （作業員） により予め制御装置 1 0 0 （動作指令保持部 1 1 〇） に記憶され ていてもよい。 ステップ 3 2 7において、 偏差 5が補正可能な範囲ではない と判断された場合 （ステップ 3 2 7 : N 0） 、 制御装置 1 0 0は、 ステップ 3 3 0を実行する。 ステップ 3 2 7において、 偏差 5が補正可能な範囲であ ると判断された場合 （ステップ 3 2 7 : 丫巳3） 、 制御装置 1 0 0は、 ステ ッブ 2 8を実行する。
[0084] ステップ 3 2 8では、 条件設定部 1 0 4が、 偏差 5に応じてノズル 4 1の 配置位置情報についての補正量を算出する。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 目標値を平均除去幅△ で減算することで得られる値と同じ分だけノズル 4 1の配置位置をずらすように補正量を算出する。 そして、 ステップ 3 2 9で は、 条件設定部 1 0 4が、 動作指令保持部 1 1 0に記憶されている配置位置 情報をステップ 3 2 8において算出した補正量を用いて補正する。 例えば、 条件設定部 1 0 4は、 上記補正量に応じて、 ノズル移動部 4 4におけるモー 夕についてのパルス目標値を補正することによって、 ノズル 4 1の配置位置 情報を補正してもよい。
[0085] ステップ 3 3 0では、 条件設定部 1 0 4が、 終了フラグを〇 に設定する 。 この場合の終了フラグは、 繰り返し回数が設定回数を超えている場合、 あ るいは偏差 3等が補正不能な範囲である場合に〇 1\1となるので、 ステップ 3 1 9と異なり異常終了であることを示している。 以上により、 制御装置 1 0 0は、 動作条件の補正処理を終了する。 この例示した動作条件の補正処理が 行われることで、 制御装置 1 0 0は、 調節処理において、 回転保持部 2 0に おける調節処理用のウヱハ の保持位置と薬液を吐出させる際のノズル 4 1 の位置とを調節する。
[0086] なお、 条件設定処理及び動作条件の補正処理において、 制御装置 1 0 0は \¥02020/175194 25 卩（：171?2020/005872
、 平均除去幅△ の算出及び薬液吐出の際のノズル位置の調整 （配置位置情 報の補正） を行わずに、 偏心値八乂， 八丫の算出及び保持位置情報の補正を 行ってもよい。 あるいは、 制御装置 1 0 0は、 偏心値八乂， 八丫の算出及び 保持位置情報の補正を行わずに、 平均除去幅△ の算出及び配置位置情報の 補正を行ってもよい。 換言すると、 制御装置 1 0 0 （条件設定部 1 0 4） は 、 調節処理において、 回転保持部 2 0におけるウヱハ の保持位置と薬液を 吐出させる際のノズル 4 1の位置とのいずれか一方を調節することによって 除去幅を調節してもよい。
[0087] [実施形態の効果]
以上説明した本実施形態に係る塗布 ·現像装置 2は、 ウヱハ の表面 3 におけるレジスト被膜の形成とレジスト被膜の少なくとも一部の除去とを行 う処理モジュール 1 2 （処理液供給部 3 0及び薬液供給部 4 0） と、 ウェハ の表面 3の状態を示す表面情報を取得する撮像部 5 7と、 処理モジュー ル 1 2及び撮像部 5 7を制御する制御装置 1 0 0と、 を備える。 制御装置 1 0 0は、 ウェハ の表面 3にレジスト被膜を処理液供給部 3 0により形成 させることと、 レジスト被膜の周縁部分を薬液供給部 4 0により除去させる ことと、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハ の表面 3の状 態を示す表面情報を撮像部 5 7に取得させ、 当該表面情報に基づいて周縁部 分の除去幅を調節することと、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を薬液供 給部 4 0により剥離させることと、 を含む調節処理と、 ウェハ の表面 3 にレジスト被膜を処理液供給部 3 0により形成させることと、 調節処理にお いて調節された除去幅にて周縁部分を薬液供給部 4 0により除去させること と、 を含むプロセス処理と、 を実行する。
[0088] 本実施形態に係る基板処理方法は、 ウェハ の表面 3における被膜の形 成と被膜の少なくとも一部の除去とを行う処理モジュール 1 2 （処理液供給 部 3 0及び薬液供給部 4 0） によりウヱハ の表面 3にレジスト被膜を形 成させることと、 レジスト被膜の周縁部分を薬液供給部 4 0により除去させ ることと、 周縁部分が除去されたレジスト被膜を含むウェハ の表面 3の \¥02020/175194 26 卩（：171?2020/005872
状態を示す表面情報に基づいて周縁部分の除去幅を調節することと、 周縁部 分が除去されたレジスト被膜を薬液供給部 4 0により剥離させることと、 を 含む調節処理を実行することと、 ウェハ の表面 3にレジスト被膜を処理 液供給部 3 0により形成させることと、 調節処理において調節された除去幅 にて周縁部分を薬液供給部 4 0により除去させることと、 を含むプロセス処 理を実行することと、 を含む。
[0089] 上記塗布 ·現像装置 2及び基板処理手順では、 調節処理において周縁部分 が除去されたレジスト被膜が剥離される。 このため、 レジスト被膜の略全て が除去されたウェハ を他の処理に用いることができるので、 塗布 ·現像装 置 2及び基板処理手順では、 除去幅調節に用いられたウェハ が有効に利用 され得る。
[0090] 以上の実施形態において、 制御装置 1 0 0は、 除去幅と目標値との偏差が 所定レベルに達するまで調節処理を繰り返し実行する。 調節処理を繰り返し 実行する際には、 繰り返しの度に調節処理用のウェハ が必要となる。 上記 構成では、 繰り返しの度にウェハ 上のレジスト被膜が剥離されるので、 除 去幅調節に用いられたウェハ を有効に利用できることのメリッ トがより大 きい。
[0091 ] 以上の実施形態において、 制御装置 1 0 0は、 同一のウェハ を用いて調 節処理を繰り返し実行する。 ウェハ 上のレジスト被膜が剥離されることで 、 当該ウェハ を用いて再度、 調節処理を行うことができる。 上記構成では 、 同一のウェハ を用いて除去幅の調節が繰り返されるので、 除去幅の調節 においてウェハ 間の固体差による影響が小さい。 このため、 より高精度に 除去幅を調節することが可能となる。
[0092] 以上の実施形態において、 塗布 ·現像装置 2は、 ウヱハ を搬送する搬送 装置 1 , 3を更に備える。 制御装置 1 0 0は、 調節処理において、 被膜 の形成前のウェハ を収容するキャリア（3から調節処理用のウェハ を搬送 装置 1 により搬出させることと、 被膜の剥離後の調節処理用のウェハ を 搬送装置八 1 , 八 3によりキャリア（3に搬入させることと、 を更に実行する \¥0 2020/175194 27 卩（：171? 2020 /005872
。 この場合、 調節処理用のウェハ が、 再利用可能な状態となってキャリア 〇に収容されるので、 当該ウェハ の再利用が容易である。
[0093] 以上の実施形態において、 塗布 ·現像装置 2は、 ウヱハ を保持して回転 させる回転保持部 2 0を更に備える。 処理液供給部 3 0及び薬液供給部 4 0 は、 回転保持部 2 0により回転しているウェハ に向けて周縁部分を除去す るための薬液を吐出するノズル 4 1 を有する。 制御装置 1 0 0は、 調節処理 において、 回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置と薬液を吐出させる 際のノズル 4 1の位置との少なくとも一方を調節することによって除去幅を 調節する。 回転保持部 2 0におけるウェハ の保持位置及びノズル 4 1の配 置位置が、 周縁部分の除去幅に大きな影響を与えるので、 これらの保持位置 及び配置位置の少なくとも一方を調節することで、 より高精度に除去幅を調 節することが可能となる。
[0094] 以上の実施形態において、 制御装置 1 0 0は、 レジスト被膜の形成前のウ ェハ の表面 3の状態を示す表面情報を撮像部 5 7に取得させ、 当該表面 情報に基づいて当該調節処理用のウェハ が除去幅の調節に利用可能かどう かを判別することを更に実行する。 ウェハ の表面 3の状態によっては除 去幅の調節を精度良く行うことができない場合があるが、 上記構成では、 除 去幅の調節を行う前に利用可能かどうかの判別が行われるので、 除去幅の調 節をより高精度に行うことが可能となる。
[0095] 以上、 実施形態について説明したが、 本開示は必ずしも上述した実施形態 に限定されるものではなく、 その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能 である。
[0096] （変形例 1）
制御装置 1 〇〇は、 プロセス処理を実行しつつ、 複数の塗布ユニッ ト II 1 のうちのいずれかの塗布ユニッ ト （例えば調節対象の塗布ユニッ ト II 1） に おける調節処理を実行してもよい。 具体的には、 制御装置 1 0 0は、 調節対 象の塗布ユニッ ト II 1 を除く複数の塗布ユニッ ト II 1 にプロセス処理を実行 させている期間に、 調節対象の塗布ユニッ ト II 1 に調節処理の少なくとも一 \¥02020/175194 28 卩（：171?2020/005872
部を実行させてもよい。 なお、 制御装置 1 〇〇は、 プロセス処理を実行しつ つ調節処理の一部を行う処理 （以下、 「プロセス及び調節の並列処理」 とい う。 ） を、 全ての調節処理が終了しプロセス処理に移行させた後に実行して もよい。 あるいは、 複数の塗布ユニッ ト II 1の一部について調節処理が終了 した後に、 調節処理が終了した塗布ユニッ ト II 1から順にプロセス処理に移 行するようにプロセス及び調節の並列処理を実行してもよい。
[0097] この変形例 1では、 処理モジュール 1 2が、 レジスト被膜の形成とレジス 卜被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の塗布ユニッ トリ 1 を有する。 制御装置 1 〇〇は、 複数の塗布ユニッ ト II 1のうちのいずれかの塗布ユニッ 卜 II 1 にプロセス処理を実行させている期間に、 複数の塗布ユニッ ト II 1の うちの他の塗布ユニッ ト II 1 に調節処理の少なくとも一部を実行させる。 こ の場合、 調節処理を行うことに起因してプロセス処理を止めることなく、 プ ロセス処理を実行することが可能となる。
[0098] （変形例 2）
制御装置 1 〇〇は、 一の塗布ユニッ ト II 1 における調節処理を実行しつつ 、 他の塗布ユニッ ト II 1 における調節処理を実行してもよい。 具体的には、 制御装置 1 〇〇は、 複数の塗布ユニッ ト II 1のうちのいずれかの塗布ユニッ 卜 II 1 （例えば、 調節対象の塗布ユニッ ト II 1） に調節処理を実行させてい る期間に、 他の塗布ユニッ ト II 1 に調節処理を実行させてもよい。 制御装置 1 0 0は、 複数の調節処理用のウェハ を用いて、 複数の塗布ユニッ ト II 1 に並行して調節処理を実行させる処理 （以下、 「調節の並行処理」 という。
） を行ってもよい。 制御装置 1 〇〇は、 変形例 1 に係るプロセス及び調節の 並列処理において行われる調節処理を、 変形例 2に係る調節の並行処理と同 様の方法で行ってもよい。
[0099] この変形例 2では、 処理モジュール 1 2が、 レジスト被膜の形成とレジス 卜被膜の少なくとも一部の除去とを行う複数の塗布ユニッ トリ 1 を有する。 制御装置 1 〇〇は、 複数の塗布ユニッ ト II 1のうちのいずれかの塗布ユニッ トリ 1 に調節処理を実行させている期間に、 複数の塗布ユニッ ト II 1のうち \¥02020/175194 29 卩（：171?2020/005872
の他の塗布ユニッ ト II 1 に調節処理を実行させる。 複数の塗布ユニッ ト II 1 における調節処理が並行して行われるので、 短い期間で調節処理が終了する 。 このため、 プロセス処理に早く移行することが可能となる。
[0100] （変形例 3）
処理モジュール 1 2は、 レジスト被膜の形成と周縁部分の除去とを行う調 節対象の塗布ユニッ トリ 1 （第 1処理ユニッ ト） と、 当該調節対象の塗布ユ ニッ ト II 1 とは別の塗布ユニッ ト II 1 （第 2処理ユニッ ト） であって、 レジ スト被膜の剥離を行う塗布ユニッ トリ 1 とを有していてもよい。 この場合、 調節対象の塗布ユニッ ト II 1の薬液供給部 4 0は、 レジスト被膜を剥離する 機能を有していてもよく、 当該機能を有していなくてもよい。 別の塗布ユニ ッ ト 11 1は、 処理液供給部 3 0を有していなくてもよく、 塗布ユニッ ト 11 1 の薬液供給部 4 0は、 周縁部分を除去する機能を有していなくてもよい。 す なわち、 別の塗布ユニッ ト II 1は、 レジスト被膜の剥離を専用に行うユニッ 卜であってもよい。 制御装置 1 0 0は、 調節対象の塗布ユニッ ト II 1 におけ る除去幅を調節する調節処理において、 レジスト被膜を別の塗布ユニッ ト II 1 により剥離させることを実行してもよい。 なお、 変形例 3に係る処理モジ ュール 1 2を有する塗布 ·現像装置 2において、 制御装置 1 0 0は、 変形例 1 に係るプロセス及び調節の並列処理を実行してもよく、 変形例 2に係る調 節の並行処理を実行してもよい。
[0101 ] この変形例 3では、 処理モジュール 1 2が、 レジスト被膜の形成と周縁部 分の除去とを行う調節対象の塗布ユニッ ト II 1 と、 レジスト被膜の剥離を行 う別の塗布ユニッ ト II 1 とを有する。 制御装置 1 0 0は、 調節対象の塗布ユ ニッ ト II 1 における除去幅を調節する調節処理において、 周縁部分が除去さ れたレジスト被膜を第 2処理ユニッ トにより剥離させることを実行する。 こ の場合、 調節処理におけるレジスト被膜の剥離が別の塗布ユニッ ト II 1で行 われることで、 剥離処理を待つことなく調節処理用の塗布ユニッ ト II 1での 処理を進めることが可能となる。
[0102] （その他の変形例） 塗布 ·現像装置 2は、 レジスト被膜の形成と周縁部分の除去とを行う成膜 処理部と、 これを制御可能な制御装置 1 00とを備えていればどのようなも のであってもよい。 成膜処理部は、 上述した構成に限らず、 例えば被膜の形 成、 周縁部分の除去、 及び被膜の剥離をそれぞれ行う異なるユニッ トを有し ていてもよい。 検査ユニッ ト U 3は、 処理モジュール 1 2以外に配置されて いてもよい。 例えば、 検査ユニッ ト U 3は、 キャリアブロック 4又は棚ユニ ッ ト U 1 0の一部に配置されていてもよい。 ステップ S 02の設定前処理と 、 ステップ S 1 5の表面情報の取得は、 異なる検査ユニッ ト U 3で行われて もよい。 調節処理の対象とする除去幅は、 レジスト被膜 (レジスト膜 R) に おける除去幅に限られない。 調節処理の対象となる除去幅は、 ウェハ Wの表 面 W aに形成されるいずれの被膜における除去幅であってもよい。
[0103] 処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、 例えばガラス基板、 マスク基 板、 F P D (F l a t P a n e l D i s p l a y) などであってもよい
符号の説明
[0104] 2 塗布 ·現像装置、 U 1 塗布ュニッ ト、 U 3 検査ュニッ ト、 A 1 ,
A 3 搬送装置、 20 回転保持部、 30 処理液供給部、 40 薬液供給 咅 P、 4 1 ノズル、 57 撮像部、 1 00 制御装置、 W ウェハ、 Wa 表面。

Claims

\¥0 2020/175194 31 卩（：17 2020 /005872 請求の範囲
[請求項 1 ] 基板の表面における被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去 とを行う成膜処理部と、
前記基板の表面の状態を示す表面情報を取得する表面検査部と、 前記成膜処理部及び前記表面検査部を制御する制御部と、 を備え、 前記制御部は、
前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させるこ とと、 前記被膜の周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと 、 前記周縁部分が除去された前記被膜を含む前記基板の表面の状態を 示す前記表面情報を前記表面検査部に取得させ、 当該表面情報に基づ いて前記周縁部分の除去幅を調節することと、 前記周縁部分が除去さ れた前記被膜を前記成膜処理部により剥離させることと、 を含む調節 処理と、
前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させるこ とと、 前記調節処理において調節された前記除去幅にて前記周縁部分 を前記成膜処理部により除去させることと、 を含むプロセス処理と、 を実行する、 基板処理装置。
[請求項 2] 前記制御部は、 前記除去幅と目標値との偏差が所定レベルに達する まで前記調節処理を繰り返し実行する、 請求項 1記載の基板処理装置
[請求項 3] 前記制御部は、 同 _の前記基板を用いて前記調節処理を繰り返し実 行する、 請求項 2記載の基板処理装置。
[請求項 4] 前記基板を搬送する搬送部を更に備え、
前記制御部は、 前記調節処理において、
前記被膜の形成前の前記基板を収容する収容部から前記調節処理 用の前記基板を前記搬送部により搬出させることと、 前記被膜の剥離後の前記基板を前記搬送部により前記収容部に搬 入させることと、 を更に実行する、 請求項 1〜 3のいずれか一項記載 \¥02020/175194 32 卩（：171?2020/005872
の基板処理装置。
[請求項 5] 前記基板を保持して回転させる回転保持部を更に備え、
前記成膜処理部は、 前記回転保持部により回転している前記基板に 向けて前記周縁部分を除去するための薬液を吐出するノズルを有し、 前記制御部は、 前記調節処理において、 前記回転保持部における前 記基板の保持位置と前記薬液を吐出させる際の前記ノズルの位置との 少なくとも一方を調節することによって前記除去幅を調節する、 請求 項 1〜 4のいずれか一項記載の基板処理装置。
[請求項 6] 前記制御部は、 前記被膜の形成前の前記基板の表面の状態を示す前 記表面情報を前記表面検査部に取得させ、 当該表面情報に基づいて当 該基板が前記除去幅の調節に利用可能かどうかを判別することを更に 実行する、 請求項 1〜 5のいずれか一項記載の基板処理装置。
[請求項 7] 前記成膜処理部は、 前記被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の 除去とを行う複数の処理ユニッ トを有し、
前記制御部は、 前記複数の処理ユニッ トのうちのいずれかの処理ユ ニッ トに前記プロセス処理を実行させている期間に、 前記複数の処理 ユニッ トのうちの他の処理ユニッ トに前記調節処理の少なくとも一部 を実行させる、 請求項 1〜 6のいずれか一項記載の基板処理装置。
[請求項 8] 前記成膜処理部は、 前記被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の 除去とを行う複数の処理ユニッ トを有し、
前記制御部は、 前記複数の処理ユニッ トのうちのいずれかの処理ユ ニッ トに前記調節処理を実行させている期間に、 前記複数の処理ユニ ッ トのうちの他の処理ユニッ トに前記調節処理を実行させる、 請求項 1〜 6のいずれか一項記載の基板処理装置。
[請求項 9] 前記成膜処理部は、 前記被膜の形成と前記周縁部分の除去とを行う 第 1処理ユニッ トと、 前記被膜の剥離を行う第 2処理ユニッ トとを有 し、
前記制御部は、 前記第 1処理ュニッ トにおける前記除去幅を調節す \¥02020/175194 33 卩（：171?2020/005872
る前記調節処理において、 前記周縁部分が除去された前記被膜を前記 第 2処理ユニツ トにより剥離させることを実行する、 請求項 1〜 6の いずれか一項記載の基板処理装置。
[請求項 10] 基板の表面における被膜の形成と前記被膜の少なくとも一部の除去 とを行う成膜処理部により前記基板の表面に前記被膜を形成させるこ とと、 前記被膜の周縁部分を前記成膜処理部により除去させることと 、 前記周縁部分が除去された前記被膜を含む前記基板の表面の状態を 示す表面情報に基づいて前記周縁部分の除去幅を調節することと、 前 記周縁部分が除去された前記被膜を前記成膜処理部により剥離させる ことと、 を含む調節処理を実行することと、
前記基板の表面に前記被膜を前記成膜処理部により形成させること と、 前記調節処理において調節された前記除去幅にて前記周縁部分を 前記成膜処理部により除去させることと、 を含むプロセス処理を実行 することと、
を含む基板処理方法。
[請求項 1 1 ] 請求項 1 〇記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラ ムを記憶した、 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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