JP2014134440A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 593
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 289
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 199
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 46
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 81
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 62
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 55
- 238000011161 development Methods 0.000 description 45
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 33
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 31
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 29
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部Pを除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部Pに光が照射されるとともに、基板からの反射光が受光される。反射光の受光量に対応する受光データが取得され、基板の主面上の周縁部P内の基準位置SPから基板の最外周部に向かう第1の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部Eの位置が決定される。
【選択図】図17
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図1以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。
図2は、図1の塗布処理部121、現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を+Y方向側から見た図である。
図3は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を−Y方向側から見た図である。
本例においては、後述するように、エッジ露光部EEWに図11の状態検出処理ユニット580が設けられる。状態検出処理ユニット580により、基板Wの周縁部の状態が検出される。その検出結果に基づいて、塗布処理ユニット129(図2)においてスピンチャック25の軸心に基板Wの幾何学的中心(以下、基板Wの中心と呼ぶ。)が一致するように基板Wがスピンチャック25に載置されたか否か、ならびにエッジリンスノズル30(図5)から基板Wの周縁部へ吐出されたリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であるか否かが判定される。スピンチャック25の軸心は基板Wの回転中心に相当する。
図4は、搬送部122,132,163を−Y方向側から見た図である。
図1〜図4を参照しながら基板処理装置100の動作を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)には、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図4)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図4)に載置された処理済みの基板Wをキャリア113に搬送する。
図5は、塗布処理ユニット129を+Z方向側から見た図である。図5に示すように、各塗布処理ユニット129は、複数のスピンチャック25、複数のカップ27、複数の処理液ノズル28、複数のエッジリンスノズル30および複数の待機部280を備える。本実施の形態においては、スピンチャック25、カップ27およびエッジリンスノズル30は、各塗布処理ユニット129に2つずつ設けられる。
図6は、図2の塗布処理ユニット129への基板Wの搬入時における図4の搬送機構127のハンドH1,H2の動作を説明するための図である。なお、図6では、搬送機構127および塗布処理ユニット129の構成の一部が上面図で示されている。また、搬送機構127のハンドH2の動作はハンドH1の動作と同様である。さらに、図4の搬送機構128,137,138のハンドH1,H2の動作は、搬送機構127のハンドH1,H2の動作と同様である。
次に、エッジ露光部EEWの詳細について説明する。図11は、エッジ露光部EEWの一側面を模式的に示す図である。図12は、エッジ露光部EEWの他の側面を模式的に示す図である。図11および図12に示すように、エッジ露光部EEWは、投光部510、投光部保持ユニット520、基板回転ユニット540および状態検出処理ユニット580を備える。
基板Wが所定の角度分だけ回転する期間に、基板Wの周縁部Pおよびベベル部Bを含む領域に照明光が照射されるとともに、CCDラインセンサ583の受光量分布が連続的にメインコントローラ114に与えられる。なお、基板Wは1回転されてもよいし、1回転未満の角度(例えば90度)だけ回転されてもよい。
図19は、基板処理装置100の制御系の構成を示すブロック図である。図19に示すように、ホストコンピュータ80は、メインコントローラ114に接続される。メインコントローラ114には、メインパネルPNおよび操作部90が接続される。また、メインコントローラ114には、ローカルコントローラLC1,LC2および状態検出コントローラMCが接続される。ユーザによる操作部90の操作情報がメインコントローラ114に与えられる。
基板Wの周縁部Pの状態検出処理について説明する。状態検出処理では、CCDラインセンサ583の受光量分布が状態検出コントローラMCを介してメインコントローラ114に与えられる。CCDラインセンサ583の受光量分布に基づいて、基板Wの周縁部Pの状態(本端部位置EPからのエッジカット幅D1,D2)の検査が行われる。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板Wの最外周部OMの内側における基板Wの主面上のそれぞれ所定幅の周縁部を除いて基板Wの主面上に反射防止膜F1およびレジスト膜F2が形成される。基板Wの主面上の反射防止膜F1およびレジスト膜F2の少なくとも一部および周縁部に光が照明部581により照射され、基板Wからの反射光がCCDラインセンサ583により受光される。また、CCDラインセンサ583の受光量に対応する周縁部画像データd1が取得される。
上記実施の形態において、暫定端部位置BPから一定個数分の画素だけ内側の位置が基準位置SPとして決定されるがこれに限定されない。他の手法により基準位置SPが決定されてもよい。例えば、基板Wの中心から予め定められた所定の距離の位置が基準位置SPとして決定されてもよい。この場合、基板Wのサイズに基づいて基準位置SPを容易に決定することができる。また、暫定端部位置BPを決定することなく基準位置SPを決定することができるので、図18のステップS1の処理を省略してもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
15a 基板搬入部
15b 基板搬出部
21〜24 塗布処理室
25,35 スピンチャック
27,37 カップ
28 処理液ノズル
28a 把持部
29 ノズル搬送機構
30 エッジリンスノズル
30a エッジリンスノズル駆動部
30b リンス液供給系
31〜34 現像処理室
38 現像ノズル
39 移動機構
50,60 流体ボックス部
80 ホストコンピュータ
90 操作部
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 メインコントローラ
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
116,H1,H2 ハンド
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
131 現像処理部
139 現像処理ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
280 待機部
291〜293 把持部移動機構
291a ノズル把持部
291b 挟持アーム
292a,293a ボールねじ
292b,293b ガイド
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
510 投光部
520 投光部保持ユニット
521 X方向駆動モータ
522 X方向ボールネジ
523 投光部保持ガイド
524 支柱
531 Y方向駆動モータ
532 支柱保持ガイド
533 Y方向ボールネジ
540 基板回転ユニット
541 基板回転モータ
542 基板回転軸
543 スピンチャック
580 状態検出処理ユニット
581 照明部
582 反射ミラー
583 CCDラインセンサ
bg,eg 階調値
B ベベル部
BP 暫定端部位置
C11,C21 熱処理制御部
C12,C22 搬送制御部
C13 塗布処理制御部
C23 現像処理制御部
C24 エッジ露光制御部
C31 照明制御部
C32 CCDラインセンサ制御部
CP 冷却ユニット
d1 周縁部画像データ
D1,D2 エッジカット幅
E 端部
EEW エッジ露光部
EP 本端部位置
F1 反射防止膜
F2 レジスト膜
LC1,LC2 ローカルコントローラ
MC 状態検出コントローラ
og 代表値
OM 最外周部
P 周縁部
P1 軸心
PAHP 密着強化処理ユニット
PASS1〜PASS9 基板載置部
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP 載置兼冷却部
PHP 熱処理ユニット
PN メインパネル
R 帯状領域
SD1,SD2 洗浄乾燥処理ユニット
sg 基準階調値
SP 基準位置
T1 領域
W 基板
W1 中心
Claims (9)
- 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、
前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第1の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備える、基板処理装置。 - 前記位置決定部は、前記基準位置に対応する受光データの値を第1の値として取得した後、取得した第1の値に対して第1の関係を有する受光データの値を第2の値として取得し、取得した第2の値に対応する基板の位置を基板の主面の端部の位置として決定する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1の関係は、前記第2の値が前記第1の値よりも一定割合または一定量小さいことを含む、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記位置決定部は、基板の外側から基板の中心に向かう第2の方向における受光データの変化に基づいて前記基準位置を決定する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記位置決定部は、基板の外側に対応する受光データの値を第3の値として取得した後、取得した第3の値に対して第2の関係を有する受光データの値を第4の値として取得し、取得した第4の値に対応する基板の位置から前記第2の方向において予め定められた距離離れた位置を前記基準位置として決定する、請求項4記載の基板処理装置。
- 前記第2の関係は、前記第4の値が前記第3の値よりも一定割合または一定量大きいことを含む、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記位置決定部は、基板の中心から予め定められた所定の距離の位置を前記基準位置として決定する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記位置決定部は、基板の複数の位置からの反射光に基づく前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、取得した受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置を前記基準位置として決定する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、
基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成するステップと、
基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光するステップと、
反射光の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第1の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定するステップとを備える、基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013002116A JP6086731B2 (ja) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013002116A JP6086731B2 (ja) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014134440A true JP2014134440A (ja) | 2014-07-24 |
JP6086731B2 JP6086731B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=51412833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013002116A Active JP6086731B2 (ja) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6086731B2 (ja) |
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---|---|
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A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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