CN109898060A - 蒸镀装置 - Google Patents

蒸镀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109898060A
CN109898060A CN201811495423.XA CN201811495423A CN109898060A CN 109898060 A CN109898060 A CN 109898060A CN 201811495423 A CN201811495423 A CN 201811495423A CN 109898060 A CN109898060 A CN 109898060A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
temperature
evaporation
coating device
resistance heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811495423.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109898060B (zh
Inventor
吉田雄一
柳堀文嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN109898060A publication Critical patent/CN109898060A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109898060B publication Critical patent/CN109898060B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种蒸镀装置,其能够将基板、蒸镀掩模等调整对象的温度和目标温度的差异减小。基板(W)和蒸镀掩模(M)的至少一方是温度的调整对象,蒸镀装置具备:电阻加热器(22),其以与调整对象热接触的方式对调整对象的温度进行调整;以及温度调整部(33),其基于调整对象的温度来控制向电阻加热器(22)供给的电流。比被搬入到真空槽(16)时的调整对象的温度高的温度是调整对象的目标温度。温度调整部(33)将蒸镀材料从蒸镀源(11)放出时的目标温度设定成仅通过电阻加热器(22)的热量供给和该热量供给的停止而到达的温度。

Description

蒸镀装置
技术领域
本发明涉及蒸镀装置,其具备将基板加热的加热部。
背景技术
蒸镀装置在基板的成膜面与蒸镀源之间配置蒸镀掩模,将图形形成于基板的成膜面,该图形为追从蒸镀掩模的开口的形状。在蒸镀装置中,以将基板、掩模的热膨胀抑制在预定范围内为目的,提出对基板、掩模进行温度调节的技术(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-8409号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在基板、掩模的温度调节技术中,与支承基板、掩模的部件接触的部件使用使温度调节水进行循环的技术。另一方面,在使温度调节水进行循环的温度控制中,需要将已升温的温度调节水的温度调整成预定温度。此时,因为温度调节水的热容大,所以温度调节水的温度调整需要大量时间。结果是,温度调节水的温度调整难以追从基于蒸镀的温度变化,每次蒸镀时,基板的温度、蒸镀掩模的温度相差较大。
本发明的目的是提供一种蒸镀装置,其能够将基板、蒸镀掩模等调整对象的温度和目标温度的差异减小。
用于解决课题的方案
一个方式是蒸镀装置。蒸镀装置具备:蒸镀源,其位于真空槽内;保持机构,其进行使基板的表面朝向所述蒸镀源的状态下的基板的保持和所述蒸镀源与所述基板之间的蒸镀掩模的保持;电阻加热器,所述基板和所述蒸镀掩模的至少一方是温度的调整对象,该电阻加热器以与所述调整对象热接触的方式对所述调整对象的温度进行调整;以及温度调整部,其基于所述调整对象的温度来控制向所述电阻加热器供给的电流,比被搬入到所述真空槽时的所述调整对象的温度高的温度是所述调整对象的目标温度,所述温度调整部将蒸镀材料从所述蒸镀源放出时的所述目标温度设定成仅通过所述电阻加热器的热量供给和该热量供给的停止而到达的温度。
根据上述蒸镀装置,对调整对象的热量调整由电阻加热器和温度调整部来实现。此时,比被搬入到真空槽时的调整对象的温度高的温度被设定成调整对象的目标温度。并且,控制向电阻加热器供给的电流,以使调整对象的温度到达目标温度。因此,不需要例如由于目标温度接近于室温而另外冷却调整对象,仅利用从电阻加热器供给的热量就能够使调整对象的温度到达目标温度。结果是,与使用温度调节水的温度调节相比,能够在不另外使用用于冷却调整对象的结构的情况下将基板、蒸镀掩模等调整对象的温度和这些的目标温度的差异减小。
在上述蒸镀装置中,也可以为,所述保持机构保持所述电阻加热器,在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述电阻加热器成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。根据该蒸镀装置,一边从蒸镀源放出蒸镀材料,一边使基板、蒸镀掩模以及电阻加热器在基板的圆周方向旋转。因此,能够将基板中的蒸镀材料的均匀性提高。并且,能够在蒸镀材料的均匀性提高的状态下将调整对象的温度和目标温度的差异减小,所以也能够将附着于基板的蒸镀材料的性质和状态的均匀性提高。
在上述蒸镀装置中,也可以为,所述调整对象是所述基板,所述电阻加热器内置于热传导板,该热传导板能够与所述基板的背面进行面接触,所述保持机构保持所述热传导板,在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述热传导板成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。根据该蒸镀装置,通过热传导板和基板的背面的面接触,电阻加热器的热量传导到基板,因此能够将基板的温度相对于电阻加热器的温度的追从性提高。
在上述蒸镀装置中,也可以为,所述保持机构在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,在使所述基板的所述表面和所述蒸镀掩模进行面接触的状态下使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述热传导板成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。根据该蒸镀装置,因为蒸镀掩模和基板的表面进行面接触,所以也能够使基于蒸镀材料的沉积物的形状与蒸镀掩模的形状一致的精度提高。
在上述蒸镀装置中,也可以为,具备:上部结构体,其连接到所述保持机构;下部结构体,其支承所述上部结构体;以及连接部,其被所述下部结构体和所述上部结构体夹着,对所述上部结构体和所述下部结构体进行连接,所述连接部具备抑制振动从所述下部结构体向所述上部结构体传递的防振功能。根据该蒸镀装置,可抑制调整对象和电阻加热器的相对位置由于振动而偏移。结果是,调整对象相对于电阻加热器的位置的精度提高,因此也能将调整对象中的温度的调整精度提高。
在上述蒸镀装置中,也可以为,所述调整对象是所述基板,所述蒸镀装置具备:摄像部,其与所述基板的背面对置,对所述蒸镀掩模和所述基板的所述背面进行摄像;以及定位部,其基于所述摄像部摄像的结果使所述蒸镀掩模的位置和所述基板的位置匹配,所述定位部基于第1像和第2像的对比度提取所述平坦部和所述斜面部的边界作为所述基板的外形的一部分,使用所提取的该外形的一部分来检测所述基板的位置,该第1像基于由所述基板的平坦部反射的光形成,该第2像基于由与所述平坦部相连的斜面部反射的光形成。
决定基板轮廓的斜面部通常是在基板的厚度方向具有预定曲率的曲面。在拍摄斜面部得到的图像中,例如亮度朝向基板轮廓逐渐降低,另外模糊量也逐渐升高。因此,在根据拍摄斜面部得到的图像来检测基板轮廓的技术中,会使检测出的轮廓的位置产生较大的误差。另一方面,斜面部和平坦部的边界是在基板中面方向改变较大的边界,例如在从与平坦部对置的方向进行的拍摄中,也是能够明确地检测出该边界的部分。并且,当是上述结构时,定位部根据基于第1像和第2像的对比度的这些斜面部和平坦部的边界来检测基板的位置,其中第1像基于由平坦部反射的光形成,第2像基于由斜面部反射的光形成,因此能够将对基板的位置进行检测的精度提高。结果是,基板的位置的精度、进而基板相对于电阻加热器的位置的精度提高,因此也能够将基板中的温度的调整精度提高。
附图说明
图1是示出蒸镀装置的结构的结构图。
图2是示出蒸镀照相机的拍摄范围的俯视图。
图3是示出蒸镀照相机拍摄的图像的一个例子的图。
图4是示出蒸镀装置的作用的作用图。
具体实施方式
以下,参照图1至图4说明蒸镀装置的一个实施方式。另外,在图1及图4中,为了便于说明,将构成蒸镀装置的结构要素间的机械连接用虚线示出,将构成蒸镀装置的技术特征间的电连接用实线示出。
如图1所示,蒸镀装置具备将蒸镀材料放出的蒸镀源11、多个蒸镀照相机12、支承基板W的基板保持体13、支承蒸镀掩模M的掩模底座14、驱动源15以及传递机构20。基板保持体13及掩模底座14是保持机构的一个例子。对蒸镀源11、基板保持体13以及掩模底座14进行收纳的真空槽16是下部结构体的一个例子,支承保持机构。真空槽16的内部连接到真空泵等排气系统17而减压到预定压力。
被搬入到真空槽16的基板W例如是被光反射性的薄膜覆盖的玻璃基板、基板本身具有不透射性的硅基板。基板W包括表面WF和背面WR,例如多个基板标记Wm(参照图2)位于基板W的表面WF。位于表面WF的基板标记Wm例如由对基板W实施处理的蒸镀装置以外的各装置检测出,用于各装置间的基板W的位置的匹配。基板W的背面WR的外周部具备平坦部Wp1(参照图2)和与该平坦部Wp1相连的斜面部Wp2(参照图2)。平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界通过蒸镀照相机12的拍摄来检测,用于蒸镀装置中的基板W的位置的确定。
被搬入到真空槽16的蒸镀掩模M具有多个开口,多个开口用于在基板W的表面WF形成预定的图形。蒸镀掩模M具有在基板W的整个圆周方向从基板W超出的大小。蒸镀掩模M在从基板W超出的部分具有多个掩模标记Mm(参照图2)。多个掩模标记Mm通过蒸镀照相机12的拍摄来检测,用于蒸镀装置中的蒸镀掩模M的位置的确定。
蒸镀源11将由蒸镀材料形成的薄膜形成于基板W的表面WF。蒸镀源11例如是电阻加热式的蒸镀源、感应加热式的蒸镀源、或者具备电子束的蒸镀源。蒸镀材料是通过被蒸镀源11加热而升华的材料,是在基板W的表面WF形成的薄膜的材料。蒸镀材料例如是有机物,但是也可以是无机物。
基板保持体13位于多个蒸镀照相机12与蒸镀源11之间。基板保持体13将虚拟的配置区域WA决定为基板W所配置的区域。基板保持体13对被搬入到真空槽16的基板W进行支承。基板保持体13能将基板W从真空槽16向其他的腔搬出。基板保持体13以将基板W的表面WF朝向蒸镀源11侧(图1的下侧)的方式在配置区域WA对表面WF的外周部进行支承。即,基板保持体13使基板W的背面WR和多个蒸镀照相机12对置,在多个蒸镀照相机12与蒸镀源11之间保持基板W。
另外,因为例如存在基板保持体13等障碍物,所以从与表面WF对置的一侧难以拍摄位于表面WF的基板标记Wm。另外,因为例如基板W不具有充分的透明性或者为不透明,所以从与背面WR对置的一侧也难以拍摄位于表面WF的基板标记Wm。即,在基板保持体13支承基板W的状态下,难以利用蒸镀照相机12检测出基板标记Wm的位置。
掩模底座14位于多个蒸镀照相机12与蒸镀源11之间。掩模底座14将虚拟的配置区域MA决定为蒸镀掩模M所配置的区域。掩模底座14载置于保持体钩8F,保持体钩8F固定于支承框架18。掩模底座14在配置区域MA对蒸镀掩模M的外周部进行支承。掩模底座14使基板W的表面WF和蒸镀掩模M对置,在基板W与蒸镀源11之间配置蒸镀掩模M。
各蒸镀照相机12是摄像部的一个例子,例如是CCD照相机。在各蒸镀照相机12中,一台蒸镀照相机12的光轴2A的位置相对于其他的蒸镀照相机12的光轴2A的位置固定。各蒸镀照相机12对基板W的外周部的各个部位进行拍摄。各蒸镀照相机12对基板W的背面WR的平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界进行拍摄。另外,各蒸镀照相机12对蒸镀掩模M的表面的各个部位进行拍摄。各蒸镀照相机12对蒸镀掩模M的表面的掩模标记Mm进行拍摄。
各蒸镀照相机12固定于支承框架18,支承框架18搭载于真空槽16。支承框架18是上部结构体的一个例子,对蒸镀照相机12、驱动源15等进行支承。支承框架18具备拍摄孔8H,拍摄孔8H在上下方向贯穿,用于使蒸镀照相机12对真空槽16的内部进行拍摄。各拍摄孔8H是按各蒸镀照相机12各设置一个的孔。一台蒸镀照相机12的光轴2A的位置相对于其他的蒸镀照相机12的光轴2A的位置固定。
支承框架18借由连接部19机械地连接到真空槽16。即,蒸镀装置构成为使支承框架18和连接部19介于将这些基板W和蒸镀掩模M的相对位置定位的各结构(例如、蒸镀照相机12、驱动源15、传递机构20等)与真空槽16之间。连接部19具备抑制振动从真空槽16向支承框架18传递的防振功能。连接部19例如是防振橡胶,特别是抑制支承框架18的固有振动数、支承框架18支承的各结构的固有振动数的振动传递。
各蒸镀照相机12连接到图像处理部31。图像处理部31是定位部的一个例子,使用各蒸镀照相机12拍摄的图像进行基板W的中心(基板位置)的确定处理。图像处理部31使用各蒸镀照相机12拍摄的图像进行蒸镀掩模M的中心(掩模位置)的确定处理。图像处理部31确定的基板位置及掩模位置用于基板W的位置和蒸镀掩模M的位置的匹配。
图像处理部31具备中央运算处理装置及存储器,不限于将基板位置的确定处理、掩模位置的确定处理全部用软件进行处理。例如,图像处理部31可以具备执行各种处理中的至少一部分处理的专用硬件(特定用途的集成电路:ASIC)。也就是说,图像处理部31构成为包括ASIC等一个以上专用硬件电路、按照计算机程序(软件)执行动作的一个以上处理器(微型计算机)、或者它们的组合在内的电路。
驱动源15将向传递机构20传递的动力输出。传递机构20具备热传导板21、电阻加热器22以及温度传感器23。另外,传递机构20具备将驱动源15和基板保持体13连接的机构、将驱动源15和掩模底座14连接的机构、以及将驱动源15和热传导板21连接的机构。
热传导板21具有能够与基板W的背面WR面接触的表面。热传导板21的表面构成为适于将热传导板21具有的热量传导到基板W的表面。电阻加热器22及温度传感器23位于热传导板21的内部。热传导板21通过与基板W的背面WR的面接触而将电阻加热器22的热量传导到基板W。热传导板21通过电阻加热器22的升温而将基板W升温。热传导板21通过电阻加热器22的降温、基板W的背面WR和热传导板21的分离而将基板W降温。
电阻加热器22将热传导板21加热。温度调整部33连接到电阻加热器22,将用于对热传导板21加热的电流向电阻加热器22供给。电阻加热器22连接到温度调整部33,按照温度调整部33供给的电流而升温。
温度传感器23检测热传导板21的温度。温度调整部33连接到温度传感器23,从温度传感器23取得温度传感器23检测出的温度。
温度调整部33具有使从温度传感器23取得的热传导板21的温度和作为调整对象的一个例子的基板W的温度对应起来的数据。因此,温度调整部33能够根据从温度传感器23取得的热传导板21的温度来掌握基板W的温度。由此,温度调整部33能够控制热传导板21的温度、即基板W的温度。温度调整部33设定基板W的目标温度。基板W的目标温度是比被搬入到真空槽16时的基板W的温度充分高的温度。被搬入到真空槽16时的基板W的温度例如是作为室温的23℃,基板W的目标温度例如是50℃。另外,温度调整部33将基板W的目标温度设定成仅通过电阻加热器22的热量供给和该热量供给的停止而到达的温度。即,温度调整部33将基板W的目标温度设定成不需要另外设置用于冷却基板W的机构的程度高的温度。并且,温度调整部33在蒸镀材料从蒸镀源11放出时,基于温度传感器23的检测温度(即基板W的温度)来控制向电阻加热器22供给的电流,以使基板W的温度成为目标温度。
温度调整部33具备中央运算处理装置及存储器,不限于将温度的调整处理全部用软件进行处理。例如,温度调整部33也可以具备执行各种处理中的至少一部分处理的专用硬件(特定用途的集成电路:ASIC)。也就是说,图像处理部31构成为包括ASIC等一个以上专用硬件电路、按照计算机程序(软件)执行动作的一个以上处理器(微型计算机)、或者它们的组合在内的电路。
驱动源15连接到驱动处理部32。驱动处理部32通过驱动源15的输出而进行传递机构20的驱动处理。驱动处理部32具备中央运算处理装置及存储器,不限于将驱动源15、传递机构20的驱动处理全部用软件进行处理。例如,驱动处理部32也可以具备执行各种处理中的至少一部分处理的专用硬件(特定用途的集成电路:ASIC)。也就是说,驱动处理部32构成为包括ASIC等一个以上专用硬件电路、按照计算机程序(软件)进行动作的一个以上处理器(微型计算机)、或者它们的组合在内的电路。
传递机构20接受驱动源15的动力,使基板保持体13向水平方向移动。传递机构20接受驱动源15的动力,使掩模底座14、基板保持体13以及热传导板21在基板W的圆周方向旋转。驱动处理部32对基板保持体13的独立的移动、掩模底座14的独立的移动、以及使基板保持体13、掩模底座14以及热传导板21成为一体的移动进行切换。
传递机构20接受驱动源15的动力,使掩模底座14、基板保持体13以及热传导板21升降。驱动处理部32对基板保持体13的独立的升降、掩模底座14的独立的升降、以及使基板保持体13、掩模底座14以及热传导板21成为一体的升降进行切换。
基板保持体13的独立的水平方向上的移动、基板保持体13的独立的旋转例如用于基板位置和掩模位置的匹配。掩模底座14的独立的旋转用于将蒸镀掩模M配置于预定位置。基板保持体13的独立的升降例如用于基板W的搬入及搬出、基板W向蒸镀用的预定位置的配置。掩模底座14的独立的升降例如用于蒸镀掩模M的搬入及搬出、蒸镀掩模M向蒸镀用的预定位置的配置。
图2示出蒸镀装置中的与基板W的背面WR对置的俯视时的基板W的平面结构。在图2中,为了便于说明,将基板W的形状设为圆板状,将三台蒸镀照相机12拍摄的区域与基板W具备的三个基板标记Wm及蒸镀掩模M具备的三个掩模标记Mm重叠地示出。
如图2所示,基板W配置于配置区域WA,蒸镀掩模M配置于配置区域MA。掩模标记Mm的位置以位于比基板W的轮廓E靠外侧的方式被设定。掩模标记Mm在与基板W的背面WR对置的俯视时具有矩形,但是也可以具有与矩形不同的形状、例如十字状等。
各蒸镀照相机12拍摄的区域是拍摄范围2Z,在配置区域WA的圆周方向大致均等配置。各蒸镀照相机12的光轴2A位于各拍摄范围2Z的中心。以平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界包含在拍摄范围2Z、且在各拍摄范围2Z包含有各个掩模标记Mm的方式,基于基板W的搬送精度设定三个部位的拍摄范围2Z的位置及尺寸。
图3是蒸镀照相机12拍摄的图像的一个例子。
如图3所示,图像包括基板W的像IMW和基板W的背景像IMB。在基板W的像IMW中,亮度相对高的部分是平坦部Wp1的像、即第1像IM1。与此相对,在基板W的像中,亮度相对低的部分是斜面部Wp2的像、即第2像IM2。基板W的背景像的亮度比第1像IM1的亮度低、且比第2像IM2的亮度高。
在此,所谓基板W的轮廓E是将基板W中位于最外侧的点连接得到的外形线,也是斜面部Wp2的外形线。该斜面部Wp2通常由具有预定曲率的曲面构成。斜面部Wp2的曲面使基板W的像IMW的亮度朝向基板W的轮廓E逐渐降低,从而使第2像IM2和背景像IMB的边界不清楚。并且,在根据第2像IM2和背景像IMB的边界检测基板W的轮廓E时,会使该位置的精度产生较大的误差。特别是在基板W的位置被要求数μm的精度的检测中,上述的边界处的不清楚成为非常大的误差。
与此相对,斜面部Wp2和平坦部Wp1的边界是基板W中面方向改变的边界,例如在从与平坦部Wp1对置的方向进行的拍摄中,斜面部Wp2和平坦部Wp1的边界也是可被明确检测出的边界。故此,当是第1像IM1和第2像IM2的边界被确定为基板W的外形的一部分的结构时,在使用该外形的基板W的位置检测中,能够将检测的精度提高。
图像处理部31基于蒸镀照相机12拍摄的图像的对比度进行边缘检测,提取第1像IM1和第2像IM2的边界。并且,图像处理部31将提取的边界、即平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界确定为基板W的外形的一部分。另外,图像处理部31将多个蒸镀照相机12的相对位置存储在固有的坐标系(例如XYθ坐标系)中,蒸镀照相机12的光轴2A的位置、蒸镀照相机12的拍摄范围2Z的位置由该坐标系决定。图像处理部31用该坐标系将第1像IM1和第2像IM2的边界算出,由此,确定基板W的外形的一部分。
[作用]
蒸镀装置在进行基板W的蒸镀之前进行基板位置的确定处理、掩模位置的确定处理。蒸镀装置在基板位置的确定处理及掩模位置的确定处理中,将光照射到载置于基板保持体13的基板W的背面WR。并且,蒸镀装置使蒸镀照相机12拍摄包括第1像IM1和第2像IM2的图像,其中第1像IM1基于由平坦部Wp1反射的光形成,第2像IM2基于由斜面部Wp2反射的光形成。接着,图像处理部31取得蒸镀照相机12拍摄的图像。
图像处理部31使用蒸镀照相机12拍摄的图像,基于图像的对比度提取平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界。并且,图像处理部31以将基板位置作为中心的虚拟圆通过各边界的方式将基板位置算出。另外,图像处理部31使用蒸镀照相机12拍摄的图像提取掩模标记Mm。并且,图像处理部31以将掩模位置作为中心的虚拟圆通过各掩模标记Mm的方式将掩模位置算出。并且,蒸镀装置以使基板位置和掩模位置一致的方式使传递机构20驱动,并使基板保持体13、掩模底座14移动。
另外,在基板位置的确定处理、掩模位置的确定处理中,也能够在每当由一台蒸镀照相机拍摄时使基板W、蒸镀掩模M旋转。特别是在基板标记Wm的位置按每个基板W不同、另外将各基板W固定于共用的特定位置的方式中,有时存在不能拍摄基板标记Wm的基板W。在该情况下,能够在每当拍摄一个基板标记Wm时使基板W相对于蒸镀照相机12旋转。在使基板W旋转而拍摄多个基板标记Wm的方式中,能够根据基板W的旋转角度来掌握基板标记Wm间的相对位置。另外,基板W的旋转角度能够由检测旋转角度的检测部检测出,检测部能使用例如编码器。
如图4所示,蒸镀装置在进行基板W的蒸镀时,首先,在使基板位置和掩模位置一致的状态下使传递机构20驱动,并在使基板位置和掩模位置匹配的状态下使基板W的背面WR与热传导板21面接触。另外,蒸镀装置将基板W的目标温度设定成仅通过电阻加热器22的热量供给和该热量供给的停止而到达的温度。即,蒸镀装置将基板W的目标温度设定成不另外需要用于冷却基板W的机构的程度高的温度。并且,蒸镀装置在蒸镀材料从蒸镀源11放出时,基于温度传感器23的检测温度(即基板W的温度)向电阻加热器22供给电流,以使基板W的温度变为目标温度。
接着,蒸镀装置使掩模底座14和基板保持体13与热传导板21一起在基板W的圆周方向一体地旋转,从蒸镀源11使蒸镀材料升华。并且,蒸镀装置一边保持基板位置和掩模位置匹配的状态,一边使已调整成目标温度的基板W与蒸镀掩模M一起旋转,使蒸镀材料沉积于基板W的表面WF。
如上所述,根据上述实施方式,可得到以下列举的效果。
(1)比被搬入到真空槽16时的温度高的温度被设定成调整对象(例如基板W)的目标温度。并且,基于基板W的温度(例如温度传感器23的检测温度)来控制向电阻加热器22供给的电流,以使基板W的温度到达目标温度。因此,不需要由于目标温度接近于室温而另外冷却基板W,仅利用从电阻加热器22供给的热量就能使基板W的温度到达目标温度。结果是,与使用温度调节水的温度调节相比,能够在不另外使用用于冷却基板W的结构的情况下将基板W的温度和目标温度的差异减小。
(2)一边从蒸镀源11放出蒸镀材料,一边使基板W和蒸镀掩模M在基板W的圆周方向旋转。因此,能够将基板W的蒸镀材料的均匀性提高。并且,能够在蒸镀材料的均匀性提高的状态下将基板W的温度和目标温度的差异减小,所以也能够将附着于基板W的蒸镀材料的性质和状态的均匀性提高。
(3)通过热传导板21和基板W的背面WR的面接触,电阻加热器22的热量传导到基板W,因此能将基板W的温度相对于电阻加热器22的温度的追从性提高。
(4)可抑制基板W和热传导板21的相对位置由于振动而偏移。其结果,在使基板W、蒸镀掩模M以及热传导板21成为一体地旋转的结构中,基板W相对于热传导板21的位置的精度也提高,因此,也能够将基板W的温度的调整精度提高。
(5)因为根据基于第1像IM1和第2像IM2的对比度的平坦部Wp1和斜面部p2的边界对基板W的位置进行检测,其中第1像IM1基于由平坦部Wp1反射的光形成,第2像IM2基于由斜面部Wp2反射的光形成,所以能够将对基板W的位置进行检测的精度提高。其结果,基板W的位置的精度、进而基板W相对于电阻加热器22的位置的精度提高,因此也能够将基板W的温度的调整精度提高。
(6)特别是,因为使用平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界对基板W的位置进行检测,所以不具有基板标记Wm的基板W也能够作为检测对象。另外,即使在基板W不具有充分的透明性或者为不透明、且通过从不具有基板标记Wm的面进行的拍摄而求出基板W的位置检测的情况下,也能够在高精度下对基板W的位置进行检测。
另外,上述的实施方式能够按以下适当变更并实施。
[温度检测]
·温度传感器23不限于对热传导板21的温度进行检测的结构,也可以是对调整对象的温度直接进行检测的传感器。这样的传感器能够使用辐射温度计。另外,在作为温度传感器23使用辐射温度计的情况下,辐射温度计只要以能够检测出从调整对象辐射的热能的方式设置于蒸镀装置即可。另外,蒸镀装置可以具备两个以上辐射温度计。在作为温度传感器23使用辐射温度计的情况下,温度调整部33也可以不保持用于使热传导板21的温度和调整对象的温度对应起来的数据。
[调整对象]
·蒸镀装置也能够将温度调整部33的温度的调整对象设为蒸镀掩模M。另外,蒸镀装置也能够将温度调整部33的温度的调整对象设为基板W和蒸镀掩模M双方。
·在使蒸镀材料沉积于基板W时,也能够利用磁力使基板W和蒸镀掩模M面接触。此时,当是将温度的调整对象设为蒸镀掩模M的结构时,蒸镀掩模M的温度可通过蒸镀掩模M和基板W的接触来调整。并且,因为蒸镀掩模M和基板W的表面WF面接触,所以也能够提高使基于蒸镀材料的沉积物的形状与蒸镀掩模M的形状一致的精度。
[电阻加热器]
·蒸镀装置除了热传导板21之外,也能够在基板保持体13、掩模底座14内置新的电阻加热器。另外,蒸镀装置也能够将电阻加热器22省略,而在基板保持体13、掩模底座14内置新的电阻加热器。
[保持机构]
·保持机构也能够设为如下结构:在使蒸镀材料沉积于基板W时,使基板W相对于蒸镀源11平行移动。或者,也能够设为如下结构:在使蒸镀材料沉积于基板W时,使基板W相对于蒸镀源11静止。另外,当是使基板W与蒸镀掩模M及热传导板21一体地旋转的结构时,能够将在基板W的表面沉积的蒸镀材料的均匀性提高,且也能够抑制使基板W旋转的期间的温度变动。结果是,可得到基于上述(2)的效果。
·蒸镀装置也可以将连接部19省略,而由真空槽16对支承框架18直接进行支承。或者,也能够设为真空槽16对保持机构直接进行支承的结构。
·对支承框架18进行支承的下部结构体也能够设为真空槽16以外的其他腔,并且也能够设为在真空槽16所设置的环境下设置的其他结构体。
[基板位置]
·图像处理部31仅根据已提取的平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界的位置来检测基板W的位置。也能够对其进行变更,而是图像处理部31使用已提取的平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界的位置和用于检测基板W的位置的其他信息对基板W的位置进行检测。用于检测基板W的位置的其他信息是基板W具备的凹口等特征点的位置、基板W的旋转角度等。
·图像处理部31在基板W的位置确定中使用的边界可以是基板W的外周部的一个部位,也可以是两个以上部位。
例如,平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界的形状在微观上按斜面部Wp2的加工、即按基板W而不同,有时在各基板W中为固有的形状。在根据外周部的一个部位的边界对基板W的位置进行检测的结构中,首先,将遍及整个基板W的平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界的形状作为全周形状预先收集。并且,通过检测出在外周部的一个部位上提取的平坦部Wp1和斜面部Wp2的边界的形状是全周形状的哪个部位,从而检测出基板W的位置。
·图像处理部31检测的基板位置能够设为基板W的中心、基板W的轮廓E、由基板W的中心或者轮廓E算出的中心以外的特征点、或者这些的任意组合。
·蒸镀装置具备的蒸镀照相机12的数量可以是一台或者两台,而且也可以是四台以上。在蒸镀照相机12的数量是一台或者两台的情况下,如上所述,使用蒸镀照相机12的拍摄结果和其他信息对基板W的位置进行检测。
·基板W的背面WR也可以具备基板标记Wm。在该情况下,蒸镀照相机12对位于背面WR的基板标记Wm进行拍摄,图像处理部31对蒸镀照相机12的拍摄结果实施图像处理,由此,蒸镀装置也能够将基板位置算出。
附图标记说明
IM1…第1像;IM2…第2像;M…蒸镀掩模;W…基板;WF…表面;Wm…基板标记;WR…背面;Wp1…平坦部;Wp2…斜面部;11…蒸镀源;12…蒸镀照相机;13…基板保持体;14…掩模底座;15…驱动源;16…真空槽;17…排气系统;18…支承框架;19…连接部;20…传递机构;21…热传导板;22…电阻加热器;23…温度传感器;31…图像处理部;32…驱动处理部;33…温度调整部。

Claims (6)

1.一种蒸镀装置,具备:
蒸镀源,其位于真空槽内;
保持机构,其进行使基板的表面朝向所述蒸镀源的状态下的基板的保持和所述蒸镀源与所述基板之间的蒸镀掩模的保持;
电阻加热器,所述基板和所述蒸镀掩模的至少一方是温度的调整对象,该电阻加热器以与所述调整对象热接触的方式对所述调整对象的温度进行调整;以及
温度调整部,其基于所述调整对象的温度来控制向所述电阻加热器供给的电流,
比被搬入到所述真空槽时的所述调整对象的温度高的温度是所述调整对象的目标温度,
所述温度调整部将蒸镀材料从所述蒸镀源放出时的所述目标温度设定成仅通过所述电阻加热器的热量供给和该热量供给的停止而到达的温度。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其中,
所述保持机构保持所述电阻加热器,在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述电阻加热器成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀装置,其中,
所述调整对象是所述基板,
所述电阻加热器内置于热传导板,该热传导板能与所述基板的背面进行面接触,
所述保持机构保持所述热传导板,在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述热传导板成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。
4.根据权利要求3所述的蒸镀装置,其中,
所述保持机构在所述蒸镀材料从所述蒸镀源放出时,在使所述基板的所述表面和所述蒸镀掩模进行面接触的状态下使所述基板、所述蒸镀掩模以及所述热传导板成为一体地在所述基板的圆周方向旋转。
5.根据权利要求1或2所述的蒸镀装置,其中,
所述蒸镀装置具备:
上部结构体,其连接到所述保持机构;
下部结构体,其支承所述上部结构体;以及
连接部,其被所述下部结构体和所述上部结构体夹着,对所述上部结构体和所述下部结构体进行连接,
所述连接部具备抑制振动从所述下部结构体向所述上部结构体传递的防振功能。
6.根据权利要求1或2所述的蒸镀装置,其中,
所述调整对象是所述基板,
所述蒸镀装置具备:
摄像部,其与所述基板的背面对置,对所述蒸镀掩模和所述基板的所述背面进行摄像;以及
定位部,其基于所述摄像部摄像的结果使所述蒸镀掩模的位置和所述基板的位置匹配,
所述定位部基于第1像和第2像的对比度提取所述平坦部和所述斜面部的边界作为所述基板的外形的一部分,使用所提取的该外形的一部分来检测所述基板的位置,该第1像基于由所述基板的平坦部反射的光形成,该第2像基于由与所述平坦部相连的斜面部反射的光形成。
CN201811495423.XA 2017-12-11 2018-12-07 蒸镀装置 Active CN109898060B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017236887A JP6662840B2 (ja) 2017-12-11 2017-12-11 蒸着装置
JP2017-236887 2017-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109898060A true CN109898060A (zh) 2019-06-18
CN109898060B CN109898060B (zh) 2021-06-25

Family

ID=66943388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811495423.XA Active CN109898060B (zh) 2017-12-11 2018-12-07 蒸镀装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6662840B2 (zh)
KR (1) KR102356735B1 (zh)
CN (1) CN109898060B (zh)
TW (1) TWI718446B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114318281A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 布劳恩惰性气体系统(上海)有限公司 加热样品台及具有其的真空镀膜系统
CN114514336A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101054657A (zh) * 2001-12-12 2007-10-17 株式会社半导体能源研究所 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
CN101740447A (zh) * 2008-11-19 2010-06-16 东京毅力科创株式会社 基板位置检测装置、基板位置检测方法、成膜装置、成膜方法
CN102312189A (zh) * 2010-07-06 2012-01-11 佳能株式会社 成膜装置
KR20140088998A (ko) * 2012-12-31 2014-07-14 엘아이지에이디피 주식회사 기판과 베어 글라스의 합착을 위한 정렬방법
JP2014134440A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
DE102014108925A1 (de) * 2014-06-25 2015-12-31 Von Ardenne Gmbh Substratbeschichtungseinrichtung und Bedampfungsverfahren

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5767166A (en) * 1980-10-09 1982-04-23 Hitachi Ltd Mask supporting frame
US4389970A (en) * 1981-03-16 1983-06-28 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for regulating substrate temperature in a continuous plasma deposition process
JP2001323364A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Canon Inc 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP4022627B2 (ja) * 2004-07-12 2007-12-19 株式会社昭和真空 給電機構を搭載する真空装置および給電方法
JP4704711B2 (ja) * 2004-08-31 2011-06-22 Hoya株式会社 レンズ製造方法及びプログラム
JP2006336037A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Konica Minolta Holdings Inc 気相堆積装置、気相堆積方法
JP2007046098A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Canon Inc 真空蒸着装置
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
JP5639431B2 (ja) * 2010-09-30 2014-12-10 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
WO2012053532A1 (ja) * 2010-10-20 2012-04-26 株式会社アルバック 有機膜形成装置及び有機膜形成方法
JP5767166B2 (ja) 2012-06-11 2015-08-19 オートリブ ディベロップメント エービー シートベルト用リトラクタ
JP2014055342A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
JP6243474B2 (ja) * 2015-06-18 2017-12-06 キヤノントッキ株式会社 真空蒸着装置、蒸着膜の製造方法および有機電子デバイスの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101054657A (zh) * 2001-12-12 2007-10-17 株式会社半导体能源研究所 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
CN101740447A (zh) * 2008-11-19 2010-06-16 东京毅力科创株式会社 基板位置检测装置、基板位置检测方法、成膜装置、成膜方法
CN102312189A (zh) * 2010-07-06 2012-01-11 佳能株式会社 成膜装置
KR20140088998A (ko) * 2012-12-31 2014-07-14 엘아이지에이디피 주식회사 기판과 베어 글라스의 합착을 위한 정렬방법
JP2014134440A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
DE102014108925A1 (de) * 2014-06-25 2015-12-31 Von Ardenne Gmbh Substratbeschichtungseinrichtung und Bedampfungsverfahren

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114514336A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法
CN114514336B (zh) * 2019-09-27 2024-03-26 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法
CN114318281A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 布劳恩惰性气体系统(上海)有限公司 加热样品台及具有其的真空镀膜系统
CN114318281B (zh) * 2021-12-30 2023-12-15 布劳恩惰性气体系统(上海)有限公司 加热样品台及具有其的真空镀膜系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109898060B (zh) 2021-06-25
TW201936956A (zh) 2019-09-16
TWI718446B (zh) 2021-02-11
KR102356735B1 (ko) 2022-01-28
KR20190069313A (ko) 2019-06-19
JP2019104952A (ja) 2019-06-27
JP6662840B2 (ja) 2020-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109554662B (zh) 位置检测装置、位置检测方法以及蒸镀装置
CN109898060A (zh) 蒸镀装置
US10689749B2 (en) Linear evaporation source and vacuum deposition apparatus including the same
KR102353944B1 (ko) 증착 장치
US20120092491A1 (en) Calibration and tracking control of heliostats in a central tower receiver solar power plant
WO2018205667A1 (zh) 蒸镀装置以及显示器件制造设备
KR20150005554A (ko) 웨이퍼 에지 측정 및 제어
JP6690711B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
EP3412794B1 (en) Coating device with moving target and coating method
CN101584035B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2010261099A (ja) 蒸着ソース
CN104696900A (zh) 光源装置及对位标记照相识别系统
IL297558A (en) Method and device for depositing an epitaxial layer on a wafer of a substrate made of a semiconductor material
JP2013001947A (ja) アライメント装置
CN110161074A (zh) 测量系统
KR102446900B1 (ko) 증착 장치 시스템
CN110235057A (zh) 用于确定在变焦光学系统的移位路径上的偏差的方法和用于校正的方法以及图像拍摄装置
JP2013139356A (ja) シリコン単結晶引き上げ方法
KR102291656B1 (ko) 위치검출장치 및 증착장치
CN105719986A (zh) 基片校准装置及半导体加工设备
JP6028564B2 (ja) 集光型太陽光発電モジュール及びその製造方法
Freeman et al. Closed loop control system for a heliostat field
CN108088868A (zh) 平板型太阳能集热器法向发射率测试装置
TWI830040B (zh) 用於變形量測之設備
JP5920462B2 (ja) 基板移載装置及び基板移載方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant