KR102356735B1

KR102356735B1 - 증착 장치

Info

Publication number: KR102356735B1
Application number: KR1020180155673A
Authority: KR
Inventors: 유이치 요시다; 후미츠구 야나기호리
Original assignee: 가부시키가이샤 알박
Priority date: 2017-12-11
Filing date: 2018-12-06
Publication date: 2022-01-28
Also published as: CN109898060B; TW201936956A; CN109898060A; TWI718446B; KR20190069313A; JP2019104952A; JP6662840B2

Abstract

기판이나 증착 마스크 등의 조정 대상의 온도와 목표 온도의 차이를 저감 가능하게 한 증착 장치를 제공한다. 기판(W)과 증착 마스크(M)의 적어도 한쪽이 온도의 조정 대상이고, 증착 장치는 조정 대상과 열적으로 접촉하여 조정 대상의 온도를 조정하는 저항 가열 히터(22)와 저항 가열 히터(22)에 공급하는 전류를 조정 대상의 온도에 의거하여 제어하는 온도 조정부(33)를 구비한다. 진공조(16)에 반입되었을 때의 조정 대상의 온도보다 높은 온도가 조정 대상의 목표 온도이다. 온도 조정부(33)는 증착원(11)으로부터 증착 재료가 방출될 때의 목표 온도를 저항 가열 히터(22)에 의한 열량의 공급과 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정한다.

Description

증착 장치{VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 기판을 가열하는 가열부를 구비하는 증착 장치에 관한 것이다.

증착 장치는 기판의 성막 면과 증착원의 사이에 증착 마스크를 배치하고, 증착 마스크의 개구에 추종하는 형상의 패턴을 기판의 성막 면에 형성한다. 증착 장치에는 기판이나 마스크의 열 팽창을 소정의 범위 내로 억제하는 것을 목적으로 하여, 기판이나 마스크를 온도 조절하는 기술이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

특허 문헌 1: 일본 특허공개공보 제2017-8409호

그러나 기판이나 마스크의 온도 조절 기술 중에는 기판이나 마스크를 지지하는 부재와 접촉하는 부재에 온도 조절수(temperature control water)를 순환시키는 기술이 이용되고 있다. 한편, 온도 조절수를 순환시키는 온도의 제어에서는 승온된 온도 조절수의 온도를 소정의 온도로 조정하는 것이 필요하다. 이때, 온도 조절수의 열 용량이 크기 때문에 온도 조절수의 온도의 조정에 많은 시간이 요구되고 있다. 결과적으로, 온도 조절수의 온도의 조정이 증착에 의한 온도의 변화를 추종하기 어려우며, 증착마다 기판의 온도나 증착 마스크의 온도가 크게 다르게 되어 버린다.

본 발명은 기판이나 증착 마스크 등의 조정 대상의 온도와 목표 온도의 차이를 저감할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 하나의 양태는 증착 장치에 관한 것이다. 상기 증착 장치는 진공조 내에 위치하는 증착원과, 상기 증착원에 기판의 표면을 향하게 한 상태에서 기판의 유지 및 상기 증착원과 상기 기판의 사이에서의 증착 마스크의 유지를 수행하는 유지 기구와, 상기 기판과 상기 증착 마스크의 적어도 한쪽이 온도의 조정 대상이고 상기 조정 대상과 열적으로 접촉하여 상기 조정 대상의 온도를 조정하는 저항 가열 히터와, 상기 저항 가열 히터에 공급하는 전류를 상기 조정 대상의 온도에 의거하여 제어하는 온도 조정부를 구비하며, 상기 진공조에 반입되었을 때의 상기 조정 대상의 온도보다 높은 온도가 상기 조정 대상의 목표 온도이고, 상기 온도 조정부는 상기 증착원으로부터 증착 재료가 방출될 때의 상기 목표 온도를 상기 저항 가열 히터에 의한 열량의 공급과 그 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정한다.

상기 증착 장치에 따르면, 조정 대상에 대한 열량의 조정이 저항 가열 히터와 온도 조정부에 의해서 실현된다. 이때, 진공조에 반입되었을 때의 조정 대상의 온도보다 높은 온도가 조정 대상의 목표 온도로서 설정된다. 그리고 조정 대상의 온도가 목표 온도에 도달하도록 저항 가열 히터에 공급하는 전류가 제어된다. 이에 따라, 예를 들면, 목표 온도가 실온에 가까운 것에 기인하여 조정 대상을 별도로 냉각하는 것을 요하지 않으며, 저항 가열 히터로부터 공급되는 열량에 의해서만 조정 대상의 온도를 목표 온도에 도달시키는 것이 가능하게 된다. 결과적으로, 온도 조절수를 이용한 온도 조절에 비해 조정 대상을 냉각하기 위한 구성을 별도로 이용하지 않고, 기판이나 증착 마스크 등의 조정 대상의 온도와 이들 목표 온도의 차이를 저감하는 것이 가능하게 된다.

상기 증착 장치에 있어서, 상기 유지 기구는 상기 저항 가열 히터를 유지하며, 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 저항 가열 히터를 일체로 해서 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시켜도 좋다. 이러한 증착 장치에 의하면, 증착 재료가 증착원으로부터 방출되면서 기판과 증착 마스크와 저항 가열 히터가 기판의 둘레 방향으로 회전한다. 이에 따라, 기판에 있어서의 증착 재료의 균일성을 높이는 것이 가능하게 된다. 그리고 증착 재료의 균일성이 높아진 상태에서 조정 대상의 온도와 목표 온도의 차이를 저감하는 것이 가능하기 때문에, 기판에 부착된 증착 재료의 성상의 균일성을 높이는 것이 가능하게 된다.

상기 증착 장치에 있어서, 상기 조정 대상은 상기 기판이며, 상기 저항 가열 히터는 상기 기판의 이면과 면 접촉 가능한 열전도 플레이트에 내장되고, 상기 유지 기구는 상기 열전도 플레이트를 유지하며, 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 열전도 플레이트를 일체로 하여 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시켜도 좋다. 이러한 증착 장치에 의하면, 열전도 플레이트와 기판의 이면의 면 접촉을 통해 저항 가열 히터의 열량이 기판에 전달되기 때문에 저항 가열 히터의 온도에 대한 기판의 온도의 추종성을 높이는 것이 가능하다.

상기 증착 장치에 있어서, 상기 유지 기구는 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판의 상기 표면과 상기 증착 마스크를 면 접촉시킨 상태에서 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 열전도 플레이트를 일체로 하여 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시켜도 좋다. 이러한 증착 장치에 의하면, 증착 마스크와 기판의 표면이 면 접촉하기 때문에 증착 재료에 의한 퇴적물의 형상을 증착 마스크의 형상에 맞추는 것의 정밀도를 높이는 것이 가능하게 된다.

상기 증착 장치에 있어서, 상기 유지 기구에 접속된 상부 구조체와, 상기 상부 구조체를 지지하는 하부 구조체와, 상기 하부 구조체와 상기 상부 구조체의 사이에 배치되어 상기 상부 구조체와 상기 하부 구조체를 접속하는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가 상기 하부 구조체로부터 상기 상부 구조체에의 진동의 전달을 억제하는 방진 기능을 구비해도 좋다. 이러한 증착 장치에 의하면, 조정 대상과 저항 가열 히터의 상대 위치가 진동에 의해서 어긋나는 것이 억제된다. 결과적으로, 저항 가열 히터에 대한 조정 대상의 위치의 정밀도가 높아지기 때문에 조정 대상에 있어서의 온도의 조정 정밀도를 높이는 것이 가능하게 된다.

상기 증착 장치에 있어서, 상기 조정 대상은 상기 기판이며, 상기 기판의 이면과 대향하고 상기 증착 마스크와 상기 기판의 상기 이면을 촬상하는 촬상부와, 상기 촬상부가 촬상한 결과에 의거하여 상기 증착 마스크의 위치와 상기 기판의 위치를 정합시키는 위치 결정부를 구비하며, 상기 위치 결정부는 상기 기판의 평탄부에서 반사된 광에 의한 제1 상과 상기 평탄부에 연결되는 베벨부에서 반사된 광에 의한 제2 상의 콘트라스트에 의거하는 상기 평탄부와 상기 베벨부의 경계를 상기 기판의 외형의 일부로서 추출하고, 해당 추출된 외형의 일부를 이용하여 상기 기판의 위치를 검출해도 좋다.

기판의 윤곽을 정하는 베벨부는 통상적으로 기판의 두께 방향에 소정의 곡률을 가진 곡면이다. 베벨부를 촬영한 화상에서는, 예를 들면 기판의 윤곽을 향해 명도가 서서히 저하되고, 또한 뿌예짐 양도 서서히 높아진다. 이에 따라, 베벨부를 촬영한 화상으로부터 기판의 윤곽을 검출하는 기술에서는 검출된 윤곽의 위치에 큰 오차를 발생시켜 버린다. 한편, 베벨부와 평탄부의 경계는 기판에 있어서 면 방향이 크게 바뀌는 경계이며, 예를 들면 평탄부와 대향하는 방향으로부터의 촬영에서는 그것을 명확하게 검출할 수 있는 부분이기도 하다. 그리고 상술한 구성이면 위치 결정부가 평탄부에서 반사된 광에 의한 제1 상과 베벨부에서 반사된 광에 의한 제2 상의 콘트라스트에 의거하는 이들 경계로부터 기판의 위치를 검출하기 때문에, 기판의 위치를 검출하는 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다. 결과적으로, 기판의 위치의 정밀도, 나아가서는 저항 가열 히터에 대한 기판의 위치의 정밀도가 높아지기 때문에 기판에 있어서의 온도의 조정 정밀도를 높이는 것이 가능하게 된다.

본 발명에 따르면, 기판이나 증착 마스크 등의 조정 대상의 온도와 목표 온도의 차이를 저감할 수 있는 효과가 얻어진다.

도 1은 증착 장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2는 증착 카메라의 촬영 범위를 나타내는 평면도이다.
도 3은 증착 카메라가 촬영한 화상의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 증착 장치의 작용을 나타내는 작용도이다.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 증착 장치의 일 실시 형태를 설명한다. 또한, 도 1 및 도 4에서는 설명의 편의상 증착 장치를 구성하는 구성 요소간의 기계적인 접속을 파선으로 나타내고, 증착 장치를 구성하는 구성 요소간의 전기적인 접속을 실선으로 나타낸다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 증착 장치는 증착 재료를 방출하는 증착원(11)과, 복수의 증착 카메라(12)와, 기판(W)을 지지하는 기판 홀더(13)와, 증착 마스크(M)를 지지하는 마스크 베이스(14)와, 구동원(15)과, 전달 기구(20)를 구비한다. 기판 홀더(13) 및 마스크 베이스(14)는 유지 기구의 일 예이다. 증착원(11)과 기판 홀더(13)와 마스크 베이스(14)를 수용하는 진공조(16)는 하부 구조체의 일 예이며, 유지 기구를 지지한다. 진공조(16)의 내부는 진공 펌프 등의 배기계(17)에 접속되어 소정의 압력까지 감압된다.

진공조(16)에 반입되는 기판(W)은, 예를 들면, 광 반사성의 박막으로 덮인 유리 기판이나 기판 그 자체가 비투과성을 갖는 실리콘 기판이다. 기판(W)은 표면(WF)과 이면(WR)을 포함하며, 기판(W)의 표면(WF)에는, 예를 들면 복수의 기판 마크(Wm)(도 2 참조)기 위치한다. 표면(WF)에 위치하는 기판 마크(Wm)는, 예를 들면, 기판(W)에 처리를 실시하는 증착 장치 이외의 각 장치에서 검출되고, 각 장치간에서의 기판(W)의 위치의 정합에 이용된다. 기판(W)의 이면(WR)에 있어서의 외주부는 평탄부(Wp1)(도 2 참조)와 이러한 평탄부(Wp1)에 연결되는 베벨부(Wp2)(도 2 참조)를 구비한다. 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계는 증착 카메라(12)의 촬영에 의해서 검출되고, 증착 장치에서의 기판(W)의 위치의 특정에 이용된다.

진공조(16)에 반입되는 증착 마스크(M)는 기판(W)의 표면(WF)에 소정의 패턴을 형성하기 위한 다수의 개구를 가진다. 증착 마스크(M)는 기판(W)의 둘레 방향의 전체에서 기판(W)으로부터 벗어나오는 크기를 가진다. 증착 마스크(M)는 기판(W)으로부터 벗어나온 부분에, 복수의 마스크 마크(Mm)(도 2 참조)를 가진다. 복수의 마스크 마크(Mm)는 증착 카메라(12)의 촬영에 의해서 검출되고, 증착 장치에서의 증착 마스크(M)의 위치의 특정에 이용된다.

증착원(11)은 증착 재료에 의한 박막을 기판(W)의 표면(WF) 상에 형성한다. 증착원(11)은, 예를 들면 저항 가열식의 증착원, 유도 가열식의 증착원, 또는 전자빔을 구비하는 증착원이다. 증착 재료는 증착원(11)에 의해서 가열되는 것에 의해서 승화하는 재료이며, 기판(W)의 표면(WF) 상에 형성되는 박막의 재료이다. 증착 재료는, 예를 들면 유기물이지만, 무기물이어도 좋다.

기판 홀더(13)는 복수의 증착 카메라(12)와 증착원(11) 사이에 위치한다. 기판 홀더(13)는 기판(W)이 배치되는 영역으로서, 가상적인 배치 영역(WA)을 한정한다. 기판 홀더(13)는 진공조(16)에 반입되는 기판(W)을 지지한다. 기판 홀더(13)는 진공조(16)로부터 다른 챔버에 기판(W)을 반출 가능하게 한다. 기판 홀더(13)는 기판(W)의 표면(WF)을 증착원(11)의 측(도 1의 하측)을 향해 배치 영역(WA)에서 표면(WF)의 외주부를 지지한다. 즉, 기판 홀더(13)는 기판(W)의 이면(WR)과 복수의 증착 카메라(12)를 대향시키며, 복수의 증착 카메라(12)와 증착원(11) 사이에 기판(W)을 유지한다.

또한, 표면(WF)에 위치하는 기판 마크(Wm)는, 예를 들면, 기판 홀더(13) 등의 장애물이 존재하기 때문에 표면(WF)과 대향하는 측으로부터는 촬영되기 어렵다. 또한, 표면(WF)에 위치하는 기판 마크(Wm)는, 예를 들면, 기판(W)이 충분한 투명성을 가지지 않거나 불투명하기 때문에, 이면(WR)과 대향하는 측으로부터도 촬영되기 어렵다. 즉, 기판 홀더(13)가 기판(W)을 지지하는 상태에서는 증착 카메라(12)에 의해서 기판 마크(Wm)의 위치를 검출하는 것이 곤란하다.

마스크 베이스(14)는 복수의 증착 카메라(12)와 증착원(11) 사이에 위치한다. 마스크 베이스(14)는 증착 마스크(M)가 배치되는 영역으로서, 가상적인 배치 영역(MA)을 한정한다. 마스크 베이스(14)는 지지 프레임(18)에 고정된 홀더 훅(8F)에 탑재되어 있다. 마스크 베이스(14)는 배치 영역(MA)에서 증착 마스크(M)의 외주부를 지지한다. 마스크 베이스(14)는 기판(W)의 표면(WF)과 증착 마스크(M)를 대향시키며, 기판(W)과 증착원(11) 사이에 증착 마스크(M)를 배치한다.

각 증착 카메라(12)는 촬상부의 일 예이며, 예를 들면, CCD 카메라이다. 각 증착 카메라(12)에 있어서, 1대의 증착 카메라(12)의 광축(2A)의 위치는 다른 증착 카메라(12)의 광축(2A)의 위치에 대해 고정되어 있다. 각 증착 카메라(12)는 기판(W)의 외주부의 다른 부위를 촬영한다. 각 증착 카메라(12)는 기판(W)의 이면(WR)에서의 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계를 촬영한다. 또한, 각 증착 카메라(12)는 증착 마스크(M)의 표면의 개별의 부위를 촬영한다. 각 증착 카메라(12)는 증착 마스크(M)의 표면에서의 마스크 마크(Mm)를 촬영한다.

각 증착 카메라(12)는 진공조(16)에 탑재되는 지지 프레임(18)에 고정되어 있다. 지지 프레임(18)은 상부 구조체의 일 예이며, 증착 카메라(12)나 구동원(15) 등을 지지한다. 지지 프레임(18)은 상하 방향으로 관통하며, 증착 카메라(12)에 진공조(16)의 내부를 촬영시키기 위한 촬영 구멍(8H)을 구비한다. 각 촬영 구멍(8H)은 각 증착 카메라(12)에 1개씩의 구멍이다. 1대의 증착 카메라(12)의 광축(2A)의 위치는 다른 증착 카메라(12)의 광축(2A)의 위치에 대해 고정되어 있다.

지지 프레임(18)은 접속부(19)를 통해 진공조(16)에 기계적으로 접속되어 있다. 즉, 증착 장치는 증착 카메라(12)나 구동원(15)이나 전달 기구(20) 등 이들 기판(W)과 증착 마스크(M)의 상대 위치를 위치 결정하는 각 구성과 진공조(16)의 사이에 지지 프레임(18)과 접속부(19)를 개재시킨다. 접속부(19)는 진공조(16)로부터 지지 프레임(18)에의 진동의 전달을 억제하는 방진 기능을 구비한다. 접속부(19)는, 예를 들면, 방진 고무이며, 특히 지지 프레임(18)의 고유의 진동수나 지지 프레임(18)이 지지하는 각 구성의 고유 진동수의 진동의 전달을 억제한다.

각 증착 카메라(12)는 화상 처리부(31)에 접속되어 있다. 화상 처리부(31)는 위치 결정부의 일 예이며, 각 증착 카메라(12)가 촬영한 화상을 이용하고, 기판(W)의 중심(기판 위치)의 특정 처리를 실행한다. 화상 처리부(31)는 각 증착 카메라(12)가 촬영한 화상을 이용하고, 증착 마스크(M)의 중심(마스크 위치)의 특정 처리를 실행한다. 화상 처리부(31)가 특정하는 기판 위치 및 마스크 위치는 기판(W)의 위치와 증착 마스크(M)의 위치의 정합에 이용된다.

화상 처리부(31)는 중앙 연산 처리 장치 및 메모리를 구비하며, 기판 위치의 특정 처리나 마스크 위치의 특정 처리를 모두 소프트웨어로 처리하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 화상 처리부(31)는 각종 처리 중의 적어도 일부의 처리를 실행하는 전용의 하드웨어(특정 용도용 집적 회로(ASIC))를 구비해도 좋다. 즉, 화상 처리부(31)는 ASIC 등의 1개 이상의 전용의 하드웨어 회로, 컴퓨터 프로그램(소프트웨어)에 따라 동작하는 1개 이상의 프로세서(마이크로컴퓨터), 혹은 이들의 조합을 포함하는 회로로서 구성된다.

구동원(15)은 전달 기구(20)에 전달하는 동력을 출력한다. 전달 기구(20)는 열전도 플레이트(21), 저항 가열 히터(22) 및 온도 센서(23)를 구비한다. 또한, 전달 기구(20)는 구동원(15)과 기판 홀더(13)를 접속하는 기구, 구동원(15)과 마스크 베이스(14)를 접속하는 기구 및 구동원(15)과 열전도 플레이트(21)를 접속하는 기구를 구비한다.

열전도 플레이트(21)는 기판(W)의 이면(WR)과 면 접촉 가능한 표면을 가진다. 열전도 플레이트(21)의 표면은 열전도 플레이트(21)가 갖는 열량을 기판(W)에 전달하는 것에 적합한 표면에 구성되어 있다. 저항 가열 히터(22) 및 온도 센서(23)는 열전도 플레이트(21)의 내부에 위치한다. 열전도 플레이트(21)는 기판(W)의 이면(WR)과의 면 접촉을 통해 저항 가열 히터(22)의 열량을 기판(W)에 전달한다. 열전도 플레이트(21)는 저항 가열 히터(22)의 승온을 통해 기판(W)을 승온시킨다. 열전도 플레이트(21)는 저항 가열 히터(22)의 강온이나, 기판(W)의 이면(WR)과 열전도 플레이트(21)의 이간을 통해 기판(W)를 강온시킨다.

저항 가열 히터(22)는 열전도 플레이트(21)를 가열한다. 온도 조정부(33)는 저항 가열 히터(22)에 접속되고, 열전도 플레이트(21)를 가열하기 위한 전류를 저항 가열 히터(22)에 공급한다. 저항 가열 히터(22)는 온도 조정부(33)에 접속되어 온도 조정부(33)가 공급하는 전류에 따라 승온된다.

온도 센서(23)는 열전도 플레이트(21)의 온도를 검출한다. 온도 조정부(33)는 온도 센서(23)에 접속되며, 온도 센서(23)가 검출한 온도를 온도 센서(23)로부터 취득한다.

온도 조정부(33)는 온도 센서(23)로부터 취득한 열전도 플레이트(21)의 온도와 조정 대상의 일 예인 기판(W)의 온도를 대응시키는 데이터를 가진다. 이에 따라, 온도 조정부(33)는 온도 센서(23)로부터 취득한 열전도 플레이트(21)의 온도로부터 기판(W)의 온도를 파악할 수 있다. 이에 의해, 온도 조정부(33)는 열전도 플레이트(21)의 온도, 즉 기판(W)의 온도를 제어하는 것이 가능하게 된다. 온도 조정부(33)는 기판(W)의 목표 온도를 설정한다. 기판(W)의 목표 온도는 진공조(16)에 반입되었을 때의 기판(W)의 온도보다 충분히 높은 온도이다. 진공조(16)에 반입되었을 때의 기판(W)의 온도는, 예를 들면 실온인 23℃이며, 기판(W)의 목표 온도는, 예를 들면 50℃이다. 또한, 온도 조정부(33)는 기판(W)의 목표 온도를 저항 가열 히터(22)에 의한 열량의 공급과 그 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정한다. 즉, 온도 조정부(33)는 기판(W)을 냉각하기 위한 기구를 별도로 요하지 않는 정도의 높은 온도로 기판(W)의 목표 온도를 설정한다. 그리고 온도 조정부(33)는 증착원(11)으로부터 증착 재료가 방출될 때, 기판(W)의 온도가 목표 온도가 되도록 온도 센서(23)에 의한 검출 온도(즉, 기판(W)의 온도)에 의거하여 저항 가열 히터(22)에 공급하는 전류를 제어한다.

온도 조정부(33)는 중앙 연산 처리 장치 및 메모리를 구비하여, 온도의 조정 처리를 모두 소프트웨어로 처리하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 온도 조정부(33)는 각종 처리 중의 적어도 일부의 처리를 실행하는 전용의 하드웨어(특정 용도용 집적회로(ASIC))를 구비해도 좋다. 즉, 화상 처리부(31)는 ASIC 등의 1개 이상의 전용의 하드웨어 회로, 컴퓨터 프로그램(소프트웨어)에 따라 동작하는 1개 이상의 프로세서(마이크로컴퓨터), 혹은 이들의 조합을 포함하는 회로로서 구성된다.

구동원(15)은 구동 처리부(32)에 접속되어 있다. 구동 처리부(32)는 구동원(15)의 출력을 통해 전달 기구(20)의 구동 처리를 실행한다. 구동 처리부(32)는 중앙 연산 처리 장치 및 메모리를 구비하며, 구동원(15)이나 전달 기구(20)의 구동 처리를 모두 소프트웨어로 처리하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 구동 처리부(32)는 각종 처리 중의 적어도 일부의 처리를 실행하는 전용의 하드웨어(특정 용도용 집적회로(ASIC))를 구비해도 좋다. 즉, 구동 처리부(32)는 ASIC 등의 1개 이상의 전용의 하드웨어 회로, 컴퓨터 프로그램(소프트웨어)에 따라 동작하는 1개 이상의 프로세서(마이크로컴퓨터), 혹은 이들의 조합을 포함하는 회로로서 구성된다.

전달 기구(20)는 구동원(15)의 동력을 받아 기판 홀더(13)를 수평 방향으로 이동시킨다. 전달 기구(20)는 구동원(15)의 동력을 받아 마스크 베이스(14), 기판 홀더(13) 및 열전도 플레이트(21)를 기판(W)의 둘레 방향으로 회전시킨다. 구동 처리부(32)는 기판 홀더(13)의 독립된 이동, 마스크 베이스(14)의 독립된 이동, 그리고 기판 홀더(13)와 마스크 베이스(14)와 열전도 플레이트(21)를 일체로 한 이동을 전환시킨다.

전달 기구(20)는 구동원(15)의 동력을 받아 마스크 베이스(14), 기판 홀더(13) 및 열전도 플레이트(21)를 승강시킨다. 구동 처리부(32)는 기판 홀더(13)의 독립된 승강, 마스크 베이스(14)의 독립된 승강, 그리고 기판 홀더(13)와 마스크 베이스(14)와 열전도 플레이트(21)를 일체로 한 승강을 전환시킨다.

기판 홀더(13)의 독립된 수평 방향에서의 이동이나 기판 홀더(13)의 독립된 회전은, 예를 들면 기판 위치와 마스크 위치의 정합에 이용된다. 마스크 베이스(14)의 독립된 회전은 증착 마스크(M)를 소정의 위치에 배치하기 위해 이용된다. 기판 홀더(13)의 독립된 승강은, 예를 들면 기판(W)의 반입 및 반출이나, 증착용의 소정 위치에의 기판(W)의 배치에 이용된다. 마스크 베이스(14)의 독립된 승강은, 예를 들면 증착 마스크(M)의 반입 및 반출이나, 증착용의 소정 위치에의 증착 마스크(M)의 배치에 이용된다.

도 2는 증착 장치에서의 기판(W)의 이면(WR)과 대향하는 평면에서 상기 기판(W)의 평면 구조를 나타낸다. 도 2에서는 설명의 편의상, 기판(W)의 형상을 원판형상으로 하며, 3대의 증착 카메라(12)가 촬영하는 영역을 기판(W)이 구비하는 3개의 기판 마크(Wm) 및 증착 마스크(M)가 구비하는 3개의 마스크 마크(Mm)에 중첩해서 나타낸다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(W)은 배치 영역(WA)에 배치되고, 증착 마스크(M)는 배치 영역(MA)에 배치된다. 마스크 마크(Mm)의 위치는 기판(W)의 윤곽(E)보다 외측에 위치하도록 설정되어 있다. 마스크 마크(Mm)는 기판(W)의 이면(WR)과 대향하는 평면에서 볼 때에 직사각형의 형상을 가지지만, 직사각형과 다른 형상, 예를 들면 십자 형상 등을 가져도 좋다.

각 증착 카메라(12)가 촬영하는 영역은 촬영 범위(2Z)이며, 배치 영역(WA)의 둘레 방향에 대략 균등하게 배분되어 있다. 각 촬영 범위(2Z)의 중심에는 각 증착 카메라(12)의 광축(2A)이 위치한다. 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계가 촬영 범위(2Z)에 포함되며, 또한 각 촬영 범위 2Z에 개별의 마스크 마크(Mm)가 포함되도록 기판(W)의 반송 정밀도에 의거하여 3개소의 촬영 범위(2Z)의 위치 및 사이즈가 설정된다.

도 3은 증착 카메라(12)가 촬영한 화상의 일 예이다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 화상은 기판(W)의 상(IMW)과 기판(W)의 배경 상(IMB)를 포함한다. 기판(W)의 상(IMW) 중에서 상대적으로 명도가 높은 부분이 평탄부(Wp1)의 상, 즉 제1 상(IM1)이다. 이에 비해, 기판(W)의 상 중에서 상대적으로 명도가 낮은 부분이 베벨부(Wp2)의 상, 즉 제2 상(IM2)이다. 기판(W)의 배경상에 있어서의 명도는 제1 상(IM1)의 명도보다 낮으며, 또한 제2 상(IM2)의 명도보다 높다.

여기서, 기판(W)의 윤곽(E)은 기판(W)에서 가장 외측에 위치하는 점을 연결한 외형선이며, 베벨부(Wp2)의 외형선이기도 하다. 이러한 베벨부(Wp2)는 통상적으로 소정의 곡률을 가진 곡면으로 구성된다. 베벨부(Wp2)의 곡면은 기판(W)의 윤곽(E)을 향해 기판(W)의 상(IMW)의 명도를 서서히 낮추며, 제2 상(IM2)과 배경상(IMB)의 경계를 불명료하게 한다. 그리고 제2 상(IM2)과 배경상(IMB)의 경계로부터 기판(W)의 윤곽(E)을 검출할 때에는 그 위치의 정밀도에 큰 오차를 발생시켜 버린다. 특히, 기판(W)의 위치에 수 ㎛의 정밀도가 요구되는 검출에서는 상술한 경계에서의 불명료함이 매우 큰 오차로 된다.

이에 비해, 베벨부(Wp2)와 평탄부(Wp1)의 경계는 기판(W)에서 면 방향이 바뀌는 경계이며, 예를 들면 평탄부(Wp1)와 대향하는 방향으로부터의 촬영에서는 그것이 명확하게 검출되는 경계이기도 하다. 따라서 제1 상(IM1)과 제2 상(IM2)의 경계가 기판(W)의 외형의 일부로서 특정되는 구성이면, 이러한 외형을 이용한 기판(W)의 위치의 검출에 있어서, 검출의 정밀도를 향상시키는 것이 가능하게 된다.

화상 처리부(31)는 증착 카메라(12)가 촬영한 화상의 콘트라스트에 의거하는 에지 검출을 실행하고, 제1 상(IM1)과 제2 상(IM2)의 경계를 추출한다. 그리고 화상 처리부(31)는 추출된 경계, 즉 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계를 기판(W)의 외형의 일부로서 특정한다. 또한, 화상 처리부(31)는 복수의 증착 카메라(12)의 상대 위치를 고유의 좌표계(예를 들면, XYθ 좌표계)에서 기억하고 있고, 증착 카메라(12)의 광축(2A)의 위치나 증착 카메라(12)의 촬영 범위(2Z)의 위치는 이러한 좌표계에서 정해진다. 화상 처리부(31)는 제1 상(IM1)과 제2 상(IM2)의 경계를 이러한 좌표계에서 산출하며, 이에 의해 기판(W)의 외형의 일부를 특정한다.

작용

증착 장치는 기판 W의 증착을 실행함에 앞서, 기판 위치의 특정 처리, 마스크 위치의 특정 처리를 실행한다. 증착 장치는 기판 위치의 특정 처리 및 마스크 위치의 특정 처리에서, 기판 홀더(13)에 탑재된 기판(W)의 이면(WR)에 광을 조사한다. 그리고 증착 장치는 평탄부(Wp1)에서 반사된 광에 의한 제1 상(IM1)과 베벨부(Wp2)에서 반사된 광에 의한 제2 상(IM2)을 포함하는 화상을 증착 카메라(12)에 촬영시킨다. 다음에, 화상 처리부(31)는 증착 카메라(12)가 촬영한 화상을 취득한다.

화상 처리부(31)는 증착 카메라(12)가 촬영한 화상을 이용하며, 화상의 콘트라스트에 의거하여 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계를 추출한다. 그리고 화상 처리부(31)는 기판 위치를 중심으로 하는 가상 원이 각 경계를 통과하도록 기판 위치를 산출한다. 또한, 화상 처리부(31)는 증착 카메라(12)가 촬영한 화상을 이용하며, 마스크 마크(Mm)를 추출한다. 그리고 화상 처리부(31)는 마스크 위치를 중심으로 하는 가상 원이 각 마스크 마크(Mm)를 통과하도록 마스크 위치를 산출한다. 또한, 증착 장치는 기판 위치와 마스크 위치를 일치시키도록 전달 기구(20)를 구동시켜 기판 홀더(13)나 마스크 베이스(14)를 이동시킨다.

또한, 기판 위치의 특정 조치나 마스크 위치의 특정 처리에서는 1대의 증착 카메라로 촬영을 실행할 때마다, 기판(W)이나 증착 마스크(M)를 회전시키는 것도 가능하다. 특히, 기판 마크(Wm)의 위치는 기판(W)마다 다르며, 공통되는 특정의 위치에 각 기판(W)을 고정시키는 방식에서는 기판 마크(Wm)를 촬영할 수 없는 기판(W)이 존재하는 경우가 있다. 이 경우에는 1개의 기판 마크(Wm)를 촬영할 때마다, 증착 카메라(12)에 대해 기판(W)을 회전시키는 것이 가능하다. 기판(W)을 회전시켜 복수의 기판 마크(Wm)를 촬영하는 방식에서는 기판 마크(Wm)의 사이에서의 상대 위치를 기판(W)의 회전 각도에 따라 파악할 수 있다. 또한, 기판(W)의 회전 각도는 회전 각도를 검출하는 검출부에 의해서 검출하는 것이 가능하며, 검출부에는, 예를 들면 인코더를 이용할 수 있다.

도 4에 나타나는 바와 같이, 증착 장치는 기판(W)의 증착을 실행할 때에, 먼저 기판 위치와 마스크 위치를 일치시킨 상태에서 전달 기구(20)를 구동시켜 기판 위치와 마스크 위치를 정합시킨 상태에서 기판(W)의 이면(WR)을 열전도 플레이트(21)에 면 접촉시킨다. 또한, 증착 장치는 기판(W)의 목표 온도를 저항 가열 히터(22)에 의한 열량의 공급과 그 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정한다. 즉, 증착 장치는 기판(W)을 냉각하기 위한 기구를 별도로 요하지 않을 정도의 높은 온도로 기판(W)의 목표 온도를 설정한다. 그리고 증착 장치는 증착원(11)으로부터 증착 재료가 방출될 때, 기판(W)의 온도가 목표 온도가 되도록 온도 센서(23)에 의한 검출 온도(즉, 기판(W)의 온도)에 의거하여 저항 가열 히터(22)에 전류를 공급한다.

다음에, 증착 장치는 마스크 베이스(14)와 기판 홀더(13)를 열전도 플레이트(21)와 함께 기판(W)의 둘레 방향으로 일체로 회전시켜 증착원(11)으로부터 증착 재료를 승화시킨다. 그리고 증착 장치는 기판 위치와 마스크 위치가 정합된 상태를 유지하면서, 목표 온도로 조정된 기판(W)을 증착 마스크(M)와 함께 회전시키며, 기판(W)의 표면(WF) 상에 증착 재료를 퇴적시킨다.

이상 설명한 바와 같이, 상술한 실시 형태에 의하면 다음에 열거하는 효과들이 얻어진다.

(1) 진공조(16)에 반입되었을 때의 온도보다 높은 온도가 조정 대상(예를 들면, 기판(W))의 목표 온도로서 설정된다. 그리고 기판(W)의 온도가 목표 온도에 도달하도록 기판(W)의 온도(예를 들면, 온도 센서(23)에 의한 검출 온도)에 의거하여 저항 가열 히터(22)에 공급하는 전류가 제어된다. 이에 따라, 목표 온도가 실온에 가까운 것에 기인하여 기판(W)을 별도로 냉각하는 것을 요하지 않고, 저항 가열 히터(22)로부터 공급되는 열량에 의해서만 기판(W)의 온도를 목표 온도에 도달시키는 것이 가능하게 된다. 결과적으로, 온도 조절수를 이용한 온도 조절에 비해 기판(W)를 냉각하기 위한 구성을 별도로 이용하지 않고, 기판(W)의 온도와 목표 온도의 차이를 저감하는 것이 가능하게 된다.

(2) 증착 재료가 증착원(11)으로부터 방출되면서, 기판(W)과 증착 마스크(M)가 기판(W)의 둘레 방향으로 회전한다. 이에 따라, 기판(W)에서의 증착 재료의 균일성을 높이는 것이 가능하게 된다. 그리고 증착 재료의 균일성이 높아진 상태에서 기판(W)의 온도와 목표 온도의 차이를 저감하는 것이 가능하기 때문에, 기판(W)에 부착된 증착 재료의 성상의 균일성을 높이는 것도 가능하게 된다.

(3) 열전도 플레이트(21)와 기판(W)의 이면(WR)의 면 접촉을 통해 저항 가열 히터(22)의 열량이 기판(W)에 전달되기 때문에, 저항 가열 히터(22)의 온도에 대한 기판(W)의 온도의 추종성을 높이는 것이 가능하게 된다.

(4) 기판(W)과 열전도 플레이트(21)의 상대 위치가 진동에 의해서 어긋나는 것이 억제된다. 결과적으로, 기판(W)과 증착 마스크(M)와 열전도 플레이트(21)를 일체로서 회전시키는 구성에서도, 열전도 플레이트(21)에 대한 기판(W)의 위치의 정밀도가 높아지기 때문에, 기판(W)에서의 온도의 조정 정밀도를 높이는 것도 가능하게 된다.

(5) 평탄부(Wp1)에서 반사된 광에 의한 제1 상(IM1)과 베벨부(Wp2)에서 반사된 광에 의한 제2 상(IM2)의 콘트라스트에 의거하는 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계로부터 기판(W)의 위치를 검출하기 때문에, 기판(W)의 위치를 검출하는 정밀도를 향상시키는 것이 가능하게 된다. 결과적으로, 기판(W)의 위치의 정밀도, 나아가서는 저항 가열 히터(22)에 대한 기판(W)의 위치의 정밀도가 높아지기 때문에, 기판(W)에서의 온도의 조정 정밀도를 높이는 것도 가능하게 된다.

(6) 특히, 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계를 이용하여 기판(W)의 위치를 검출하기 때문에, 기판 마크(Wm)를 가지고 있지 않은 기판(W)도 검출의 대상으로 하는 것이 가능하다. 또한, 기판(W)이 충분한 투명성을 갖지 않거나 혹은 불투명이며, 기판 마크(Wm)를 가지고 있지 않은 면으로부터의 촬영에 의해서 기판(W)의 위치의 검출이 요구되는 경우에도, 높은 정밀도로 기판(W)의 위치를 검출하는 것이 가능하게 된다.

또한, 상술한 실시 형태는 다음과 같이 적절히 변경하여 실시할 수 있다.

온도 검출

·온도 센서(23)는 열전도 플레이트(21)의 온도를 검출하는 구성에 한정되지 않으며, 조정 대상의 온도를 직접 검출하는 센서이어도 좋다. 이러한 센서에는 방사 온도계를 이용하는 것이 가능하다. 또한, 온도 센서(23)로서 방사 온도계를 이용하는 경우에는 방사 온도계는 조정 대상으로부터 방사되는 열에너지를 검출하는 것이 가능하도록 증착 장치에 설치되면 좋다. 또한, 증착 장치는 2이상의 방사 온도계를 구비해도 좋다. 온도 센서(23)로서 방사 온도계를 이용하는 경우에는 온도 조정부(33)는 열전도 플레이트(21)의 온도와 조정 대상의 온도를 대응시키기 위한 데이터를 유지하지 않아도 좋다.

조정 대상

·증착 장치는 온도 조정부(33)에 의한 온도의 조정 대상을 증착 마스크(M)로 하는 것도 가능하다. 또한, 증착 장치는 온도 조정부(33)에 의한 온도의 조정 대상을 기판(W)과 증착 마스크(M)의 양쪽으로 하는 것도 가능하다.

·기판(W)에 증착 재료를 퇴적시킬 때에는 기판(W)과 증착 마스크(M)를 자력에 의해 면 접촉시키는 것도 가능하다. 이때, 온도의 조정 대상을 증착 마스크(M)로 하는 구성이면, 증착 마스크(M)와 기판(W)의 접촉을 통해 증착 마스크(M)의 온도가 조정된다. 그리고 증착 마스크(M)와 기판(W)의 표면(WF)이 면 접촉하기 때문에, 증착 재료에 의한 퇴적물의 형상을 증착 마스크(M)의 형상에 맞추는 것의 정밀도를 높이는 것도 가능하게 된다.

저항 가열 히터

·증착 장치는 열전도 플레이트(21)에 부가하여, 기판 홀더(13)나 마스크 베이스(14)에 새로운 저항 가열 히터를 내장하는 것도 가능하다. 또한, 증착 장치는 저항 가열 히터(22)를 생략하고, 기판 홀더(13)나 마스크 베이스(14)에 새로운 저항 가열 히터를 내장하는 것도 가능하다.

유지 기구

·유지 기구는 기판 W에 증착 재료를 퇴적시킬 때에 기판(W)을 증착원(11)에 대해 평행이동시키는 구성으로 하는 것도 가능하다. 혹은 기판(W)에 증착 재료를 퇴적시킬 때에 기판(W)을 증착원(11)에 대해 정지시키는 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, 기판(W)을 증착 마스크(M) 및 열전도 플레이트(21)와 일체적으로 회전시키는 구성이면, 기판(W)의 표면상에 퇴적되는 증착 재료의 균일성을 높이는 것이 가능하며, 기판(W)을 회전시키는 동안의 온도의 변동을 억제하는 것도 가능하다. 결과적으로, 상술한 사항 (2)에 준하는 효과가 얻어진다.

·증착 장치는 접속부(19)를 생략하고, 진공조(16)가 지지 프레임(18)을 직접 지지해도 좋다. 혹은 진공조(16)가 유지 기구를 직접 지지하는 구성으로 하는 것도 가능하다.

·지지 프레임(18)을 지지하는 하부 구조체는 진공조(16) 이외의 다른 챔버로 하는 것도 가능하며, 진공조(16)가 설치된 환경에 설치되는 다른 구조체로 하는 것도 가능하다.

기판 위치

·화상 처리부(31)는 추출된 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계의 위치만으로부터 기판(W)의 위치를 검출한다. 이를 변경하여, 화상 처리부(31)는 추출된 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계의 위치 및 기판(W)의 위치를 검출하기 위한 다른 정보를 이용하여, 기판(W)의 위치를 검출하는 것도 가능하다. 기판(W)의 위치를 검출하기 위한 다른 정보는 기판(W)이 구비하는 노치 등의 특징점의 위치나, 기판(W)의 회전 각도 등이다.

·화상 처리부(31)가 기판(W)의 위치의 특정에 이용하는 경계는 기판(W)의 외주부의 1개소라도 좋고, 2개소 이상이어도 좋다.

예를 들면, 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계의 형상은 미시적으로는 베벨부(Wp2)의 가공마다, 즉 기판(W)마다 다르며, 각 기판(W)에서 고유의 형상인 경우가 있다. 외주부의 1개소의 경계로부터 기판(W)의 위치를 검출하는 구성에서는 우선, 기판(W)의 전체에 걸치는 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계의 형상을 전체 둘레 형상으로서 미리 수집한다. 그리고 외주부의 1개소에 있어서 추출된 평탄부(Wp1)와 베벨부(Wp2)의 경계의 형상이 전체 둘레 형상의 어느 부위인지를 검출하는 것에 의해 기판(W)의 위치를 검출한다.

·화상 처리부(31)가 검출하는 기판 위치는 기판(W)의 중심, 기판(W)의 윤곽(E), 기판(W)의 중심 혹은 윤곽(E)으로부터 산출되는 중심 이외의 특징점, 또는 이들의 임의의 조합으로 하는 것이 가능하다.

·증착 장치가 구비하는 증착 카메라(12)의 수량은 1대 또는 2대이어도 좋고, 4대 이상이어도 좋다. 증착 카메라(12)의 수량이 1대 또는 2대인 경우에는 상술한 바와 같이, 증착 카메라(12)의 촬영 결과와 다른 정보를 이용하여 기판(W)의 위치를 검출한다.

·기판(W)의 이면(WR)이 기판 마크(Wm)를 구비해도 좋다. 이 경우, 이면(WR)에 위치하는 기판 마크(Wm)를 증착 카메라(12)가 촬영하고, 증착 카메라(12)의 촬영 결과에 화상 처리부(31)가 화상 처리를 실시하며, 이에 의해 증착 장치가 기판 위치를 산출하는 것도 가능하다.

IM1: 제1 상 IM2: 제2 상
M: 증착 마스크 W: 기판
WF: 표면 Wm: 기판 마크
WR: 이면 Wp1: 평탄부
Wp2: 베벨부 11: 증착원
12: 증착 카메라 13: 기판 홀더
14: 마스크 베이스 15: 구동원
16: 진공조 17: 배기계
18: 지지 프레임 19: 접속부
20: 전달 기구 21: 열전도 플레이트
22: 저항 가열 히터 23: 온도 센서
31: 화상 처리부 32: 구동 처리부
33: 온도 조정부

Claims

진공조 내에 위치하는 증착원과,
상기 증착원에 기판의 표면을 향하게 한 상태에서의 기판의 유지 및 상기 증착원과 상기 기판 사이에서의 증착 마스크의 유지를 실행하는 유지 기구와,
상기 기판과 상기 증착 마스크의 적어도 한쪽이 온도의 조정 대상이고, 상기 조정 대상과 열적으로 접촉하여 상기 조정 대상의 온도를 조정하는 저항 가열 히터와,
상기 저항 가열 히터에 공급하는 전류를 상기 조정 대상의 온도에 의거하여 제어하는 온도 조정부를 구비하고,
상기 진공조에 반입되었을 때의 상기 조정 대상의 온도보다 높은 온도가 상기 조정 대상의 목표 온도이며,
상기 온도 조정부는,
상기 증착원으로부터 증착 재료가 방출될 때의 상기 목표 온도를 상기 저항 가열 히터에 의한 열량의 공급과 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정하며,
상기 유지 기구는 상기 저항 가열 히터를 유지하고, 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 저항 가열 히터를 일체로 하여 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시키고,
상기 기판의 이면과 대향하고, 상기 증착 마스크와 상기 기판의 상기 이면을 촬상하는 촬상부와,
상기 촬상부가 촬상한 결과에 의거하여 상기 증착 마스크의 위치와 상기 기판의 위치를 정합시키는 위치 결정부를 구비하며,
상기 위치 결정부는 상기 기판의 평탄부에서 반사된 광에 의한 제1 상과 상기 평탄부에 연결되는 베벨부에서 반사된 광에 의한 제2 상의 콘트라스트에 의거하는 상기 평탄부와 상기 베벨부의 경계의 형상이 상기 기판의 전체 둘레 형상의 어느 부위인지를 검출하는 것에 의해 상기 기판의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
진공조 내에 위치하는 증착원과,
상기 증착원에 기판의 표면을 향하게 한 상태에서의 기판의 유지 및 상기 증착원과 상기 기판 사이에서의 증착 마스크의 유지를 실행하는 유지 기구와,
상기 기판과 상기 증착 마스크의 적어도 한쪽이 온도의 조정 대상이고, 상기 조정 대상과 열적으로 접촉하여 상기 조정 대상의 온도를 조정하는 저항 가열 히터와,
상기 저항 가열 히터에 공급하는 전류를 상기 조정 대상의 온도에 의거하여 제어하는 온도 조정부를 구비하고,
상기 진공조에 반입되었을 때의 상기 조정 대상의 온도보다 높은 온도가 상기 조정 대상의 목표 온도이며,
상기 온도 조정부는,
상기 증착원으로부터 증착 재료가 방출될 때의 상기 목표 온도를 상기 저항 가열 히터에 의한 열량의 공급과 정지에 의해서만 도달하는 온도로 설정하고,
상기 조정 대상은 상기 기판이며,
상기 기판의 이면과 대향하고, 상기 증착 마스크와 상기 기판의 상기 이면을 촬상하는 촬상부와,
상기 촬상부가 촬상한 결과에 의거하여 상기 증착 마스크의 위치와 상기 기판의 위치를 정합시키는 위치 결정부를 구비하고,
상기 위치 결정부는 상기 기판의 평탄부에서 반사된 광에 의한 제1 상과, 상기 평탄부에 연결되는 베벨부에서 반사된 광에 의한 제2 상의 콘트라스트에 의거하는 상기 평탄부와 상기 베벨부의 경계의 형상이 상기 기판의 전체 둘레 형상의 어느 부위인지를 검출하는 것에 의해 상기 기판의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 조정 대상은 상기 기판이고,
상기 저항 가열 히터는 상기 기판의 이면과 면 접촉 가능한 열전도 플레이트에 내장되며,
상기 유지 기구는 상기 열전도 플레이트를 유지하고, 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 열전도 플레이트를 일체로 하여 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 유지 기구는 상기 증착 재료가 상기 증착원으로부터 방출될 때에 상기 기판의 상기 표면과 상기 증착 마스크를 면 접촉시킨 상태에서 상기 기판과 상기 증착 마스크와 상기 열전도 플레이트를 일체로 하여 이들을 상기 기판의 둘레 방향으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지 기구에 접속된 상부 구조체와,
상기 상부 구조체를 지지하는 하부 구조체와,
상기 하부 구조체와 상기 상부 구조체의 사이에 배치되어 상기 상부 구조체와 상기 하부 구조체를 접속하는 접속부를 구비하고,
상기 접속부는 상기 하부 구조체로부터 상기 상부 구조체에의 진동의 전달을 억제하는 방진 기능을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
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