TW201908020A - 處理條件設定方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]可以低成本且在短時間內設定基板處理系統中之處理條件，該基板處理系統，係具備有對基板進行預定處理之複數個同種的處理裝置。 　　[解決手段]本方法，係包含有：工程S2，藉由基板處理系統內之拍攝裝置，對成為條件設定之基準的基準基板進行拍攝，並取得基準基板的拍攝圖像；工程S4，藉由上述拍攝裝置，拍攝以當前之處理條件進行了預定處理的處理完畢基板，並取得處理完畢基板之拍攝圖像；工程S5，算出處理完畢基板的拍攝圖像與基準基板的拍攝圖像之顏色資訊的偏差量；工程S6，根據預先取得的相關模型與上述顏色資訊的偏差量，算出處理條件之修正量；及工程S7，根據修正量，設定處理條件，對每個處理裝置進行工程S4~S7。

Description

處理條件設定方法及記憶媒體
本發明，係關於設定基板處理系統中之預定處理的處理條件之處理條件設定方法及記憶媒體，該基板處理系統，係具備有執行對基板進行之預定處理的處理裝置。
例如半導體元件之製造程序的光微影工程中，係例如依序進行將光阻液塗佈於半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)上而形成光阻膜的光阻塗佈處理、將光阻膜曝光成預定圖案的曝光處理、曝光後促進光阻膜內之化學反應的加熱處理(PEB(Post Exposure Bake)處理)、對經曝光之光阻膜進行顯像的顯像處理等，並藉由該一連串的晶圓處理，在晶圓上形成預定的光阻圖案。
上述之PEB處理等的加熱處理，係通常以熱處理裝置進行，該熱處理裝置，係具有載置晶圓而將其加熱的熱板。在熱處理裝置之熱板，係例如內建有藉由供電而發熱的加熱器，藉由該加熱器所致之發熱，熱板被調整成預定溫度。
加熱處理中之熱處理溫度，係最終對於被形成於晶圓上之光阻圖案的線寬造成較大的影響。因此，為了嚴密地調整加熱時之晶圓面內的溫度，上述之加熱處理裝置的熱板，係被分割成複數個區域，並於每個區域內建獨立的加熱器，以對每個區域調整溫度。
又可知，當將上述熱板之各區域的處理溫度全部設成為相同時，則例如熱板上之晶圓面內的溫度因各區域之熱阻的不同等而產生偏差，該結果，最終導致光阻圖案之線寬產生偏差。因此，在熱板之各區域個別地設定處理溫度(參閱專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-177024號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，為了進行熱板之各區域的處理溫度之設定，以往，係對每個區域測定被形成於晶圓之光阻圖案的線寬，並根據該測定結果，進行上述處理溫度的調整。又，在該測定，係使用掃描型電子顯微鏡(SEM: Scanning Electron Microscope)。
但是，可測定光阻圖案之線寬的SEM價格高，又，該SEM所致之線寬測定需要時間。特別是，為了嚴密地進行上述處理溫度之設定，必須對熱板的每個區域進行複數處光阻圖案之線寬的測定。在該情況下，線寬測定所需的時間變得更長。又，進行一連串之光微影工程的基板處理系統中，係為了提高生產性，而搭載有複數個熱處理裝置。在該情況下，由於必須對每個熱處理裝置進行熱板之各區域的處理溫度之設定，因此，該調整所需的線寬測定更需要時間。 　　專利文獻1，係並未揭示亦未暗示關於該點。
又，前述的光阻塗佈處理，雖係在光阻塗佈裝置中，一面使晶圓旋轉，一面將光阻液供給至該晶圓而形成光阻膜的處理，但為了獲得預定膜厚之光阻膜，進行晶圓之處理旋轉速度等的處理條件之調整。為了該調整，進行光阻膜之膜厚的測定，在該測定，係使用所謂剖面SEM的手法。該手法中，係必需破壞晶圓以製作剖面試樣。因此，在膜厚之測定，係需要人力並需要時間。又，在基板處理系統亦設置有複數個光阻塗佈裝置，從而必須對每個光阻塗佈裝置設定晶圓之處理旋轉速度，在該設定所需的膜厚之測定，係更需要時間。
不僅上述之熱板的各區域之處理溫度或晶圓之處理旋轉速度，當設定成膜處理的處理條件或蝕刻處理的處理條件之際，亦存在有相同的問題。
本發明，係有鑑於上述情事而進行研究者，以下述者為目的：可對每個處理裝置，以低成本且在短時間內設定基板處理系統中之預定處理的處理條件，該基板處理系統，係具備有對基板進行預定處理之複數個同種的處理裝置。 [用以解決課題之手段]
解決上述課題之本發明，係一種處理條件設定方法，其設定基板處理系統(該基板處理系統，係具備有對基板進行預定處理之複數個處理裝置)中之前述預定處理的處理條件，前述基板處理系統，係具備有：拍攝裝置，對基板之表面側進行拍攝，該處理條件設定方法，其特徵係，包含有：基準圖像取得工程，藉由前述拍攝裝置，對成為設定前述處理條件之基準的基板即基準基板進行拍攝，並根據拍攝結果，取得前述基準基板的拍攝圖像；處理完畢圖像取得工程，藉由前述拍攝裝置，拍攝以當前之前述處理條件進行了前述預定處理的基板即處理完畢基板，並根據拍攝結果，取得前述處理完畢基板之拍攝圖像；偏差量算出工程，算出前述處理完畢基板的拍攝圖像與前述基準基板的拍攝圖像之顏色資訊的偏差量；修正量算出工程，根據相關模型與前述顏色資訊的偏差量，算出該預定處理之處理條件的修正量，該相關模型，表示基於前述拍攝裝置的拍攝結果之基板的拍攝圖像中之顏色資訊的變化量與前述處理條件的變化量之相關性；及設定工程，根據所算出之前述修正量與當前之前述處理條件，設定該預定處理的前述處理條件，對每個前述處理裝置進行前述處理完畢圖像取得工程、前述偏差量算出工程、前述修正量算出工程及前述設定工程。
前述預定處理，係在對基板上之光阻膜進行了圖案的曝光後，加熱該基板的處理為較佳。
前述預定處理，係一面使基板旋轉，一面將塗佈液供給至該基板而形成塗佈膜的處理為較佳。
前述預定處理，係在塗佈膜被形成於基板上後，加熱該基板的處理為較佳。
前述預定處理，係在基板上形成預定膜的處理為較佳。
前述預定處理，係蝕刻基板或基板上之預定膜的處理為較佳。
包含有相關模型製作工程為較佳，該相關模型製作工程，係在前述複數個處理裝置的任一者中，以複數個處理條件進行前述預定處理，並從基於藉由前述拍攝裝置拍攝以各處理條件進行了前述預定處理之基板的結果之拍攝圖像間之前述顏色資訊的差與獲得該拍攝圖像時之處理條件的差，製作前述相關模型。
包含有選擇工程為較佳，該選擇工程，係選擇前述顏色資訊之顏色。
根據另一觀點之本發明，提供一種可讀取之電腦記憶媒體，其儲存有程式，該程式，以使基板處理系統執行前述處理條件設定方法的方式，在控制該基板處理系統之控制部的電腦上動作。
又，另一觀點之本發明，係一種基板處理系統，其具備有對基板進行預定處理之複數個處理裝置，該基板處理系統，其特徵係，具備有：拍攝裝置，對基板之表面側進行拍攝；及控制部，設定前述預定處理的處理條件，前述控制部，係執行如下述工程者：基準圖像取得工程，藉由前述拍攝裝置，對成為設定前述處理條件之基準的基板即基準基板進行拍攝，並根據拍攝結果，取得前述基準基板的拍攝圖像；處理完畢圖像取得工程，藉由前述拍攝裝置，拍攝以當前之前述處理條件進行了前述預定處理的基板即處理完畢基板，並根據拍攝結果，取得前述處理完畢基板之拍攝圖像；偏差量算出工程，算出前述處理完畢基板的拍攝圖像與前述基準基板的拍攝圖像之顏色資訊的偏差量；修正量算出工程，根據相關模型與前述顏色資訊的偏差量，算出該預定處理之處理條件的修正量，該相關模型，表示基於前述拍攝裝置的拍攝結果之基板的拍攝圖像中之顏色資訊的變化量與前述處理條件的變化量之相關性；及設定工程，根據所算出之前述修正量與當前之前述處理條件，設定該預定處理的前述處理條件，對每個前述處理裝置進行前述處理完畢圖像取得工程、前述偏差量算出工程、前述修正量算出工程及前述設定工程。 [發明之效果]
根據本發明，可對每個處理裝置，以低成本且在短時間內設定基板處理系統中之預定處理的處理條件，該基板處理系統，係具備有對基板進行預定處理之複數個同種的處理裝置。
以下，說明關於本發明之實施形態。另外，在本說明書及圖面中，對於實質上具有同一機能構成的要素，係賦予同一符號而省略重複說明。
(第1實施形態) 　　圖1，係表示第1實施形態之基板處理系統1之內部構成之概略的說明圖。圖2及圖3，係各別表示基板處理系統1之內部構成之概略的正視圖與後視圖。
基板處理系統1，係如圖1所示般，例如具有將下述者一體連接的構成：匣盒站2，在與外部之間，搬入搬出匣盒C；處理站3，具備有施予光阻塗佈處理或PEB等的預定處理之複數個各種處理裝置；及介面站5，在與鄰接於處理站3的曝光裝置4之間，進行晶圓W之收授。又，基板處理系統1，係具有：控制部6，進行該基板處理系統1之控制。
匣盒站2，係例如被區分為匣盒搬入搬出部10與晶圓搬送部11。例如匣盒搬入搬出部10，係被設置於基板處理系統1之Y方向負方向(圖1之左方向)側的端部。在匣盒搬入搬出部10，係設置有匣盒載置台12。在匣盒載置台12上，係設置有複數個例如4個載置板13。載置板13，係一列地排列設置於水平方向的X方向(圖1之上下方向)。在該些載置板13，係當相對於基板處理系統1的外部搬入搬出匣盒C之際，載置匣盒C。
在晶圓搬送部11，係如圖1所示般，設置有在延伸於X方向之搬送路徑20上移動自如的晶圓搬送裝置21。晶圓搬送裝置21，係亦在上下方向及垂直軸周圍(θ方向)移動自如，可在各載置板13上的匣盒C與後述之處理站3之第3區塊G3的收授裝置之間搬送晶圓W。
在處理站3，係設置有具備了各種裝置之複數個例如第1~第4的4個區塊G1、G2、G3、G4。例如在處理站3之正面側(圖1之X方向負方向側)，係設置有第1區塊G1，在處理站3之背面側(圖1之X方向正方向側)，係設置有第2區塊G2。又，在處理站3之匣盒站2側(圖1之Y方向負方向側)，係設置有第3區塊G3，在處理站3之介面站5側(圖1之Y方向正方向側)，係設置有第4區塊G4。
在第1區塊G1，係如圖2所示般，自下方起依序配置有複數個液處理裝置，例如對晶圓W進行顯像處理的顯像處理裝置30、將光阻液塗佈於晶圓W而形成光阻膜的光阻塗佈裝置31。
例如顯像處理裝置30、光阻塗佈裝置31，係分別排列配置3個於水平方向。另外，該些顯像處理裝置30、光阻塗佈裝置31之個數或配置，係可任意選擇。
該些顯像處理裝置30、光阻塗佈裝置31中，係例如進行將預定處理液塗佈於晶圓W上的旋轉塗佈。旋轉塗佈中，係例如將處理液從塗佈噴嘴吐出至晶圓W上，並且使晶圓W旋轉而使處理液擴散於晶圓W的表面。另外，關於光阻塗佈裝置31之構成，係如後述。
例如在第2區塊G2，係如圖3所示般，在上下方向與水平方向排列設置有熱處理裝置40或周邊曝光裝置41，該熱處理裝置40，係進行晶圓W之加熱或冷卻這樣的熱處理，該周邊曝光裝置41，係對晶圓W之外周部進行曝光。關於該些熱處理裝置40、周邊曝光裝置41之個數或配置亦可任意選擇。另外，關於熱處理裝置40之構成，係如後述。
在第3區塊G3，係設置有複數個收授裝置50。又，在第4區塊G4，係設置有複數個收授裝置60，並在其上設置有缺陷檢查裝置61。另外，關於缺陷檢查裝置61之構成，係如後述。
如圖1所示般，在第1區塊G1~第4區塊G4所包圍的區域，係形成有晶圓搬送區域D。在晶圓搬送區域D，係例如配置有晶圓搬送裝置70。
晶圓搬送裝置70，係例如具有在Y方向、前後方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂70a。晶圓搬送裝置70，係可在晶圓搬送區域D內移動，並將晶圓W搬送至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內的預定裝置。晶圓搬送裝置70，係例如如圖3所示般，於上下配置有複數台，例如可將晶圓W搬送至各區塊G1~G4之相同程度之高度的預定裝置。
又，在晶圓搬送區域D，係設置有穿梭搬送裝置71，該穿梭搬送裝置71，係在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線地搬送晶圓W。
穿梭搬送裝置71，係例如沿圖3的Y方向直線地移動自如。穿梭搬送裝置71，係於支撐有晶圓W的狀態下，在Y方向移動，並可在相同程度之第3區塊G3的收授裝置50與第4區塊G4的收授裝置60之間搬送晶圓W。
如圖1所示般，在第3區塊G3之X方向正方向側旁，係設置有晶圓搬送裝置72。晶圓搬送裝置72，係例如具有在前後方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂72a。晶圓搬送裝置72，係於支撐有晶圓W的狀態下，上下地移動，並可將晶圓W搬送至第3區塊G3內的各收授裝置50。
在介面站5，係設置有晶圓搬送裝置73與收授裝置74。晶圓搬送裝置73，係例如具有在Y方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂73a。晶圓搬送裝置73，係例如將晶圓W支撐於搬送臂73a，且可在第4區塊G4內的各收授裝置60、收授裝置74及曝光裝置4之間搬送晶圓W。
上述之控制部6，係例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，係儲存有程式，該程式，係控制上述之各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系統之動作，且控制包含基板處理系統1中之處理條件設定處理之晶圓W的處理。另外，前述程式，係例如亦可為被記錄於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的電腦可讀取之記憶媒體H者，且亦可為從該記憶媒體H安裝於控制部6者。
其次，說明關於上述之光阻塗佈裝置31的構成。圖4及圖5，係分別表示光阻塗佈裝置31之構成之概略的縱剖面圖及橫剖面圖。 　　光阻塗佈裝置31，係如圖4及圖5所示般，具有可密封內部的處理容器100。在處理容器100之晶圓搬送裝置70側的側面，係形成有晶圓W之搬入搬出口(未圖示)，在該搬入搬出口，係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器100內之中央部，係設置有保持晶圓W且使其旋轉的旋轉夾盤110。旋轉夾盤110，係具有水平的上面，在該上面，係例如設置有吸引晶圓W之吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口之吸引，可將晶圓W吸附保持於旋轉夾盤110上。
在旋轉夾盤110之下方，係例如設置有具備了馬達等的轉軸驅動部111。旋轉夾盤110，係藉由轉軸驅動部111，可旋轉預定速度。又，在轉軸驅動部111，係例如設置有汽缸等的升降驅動源，旋轉夾盤110，係升降自如。
在旋轉夾盤110之周圍，係設置有接取並回收從晶圓W飛散或落下之液體的罩杯112。在罩杯112之下方，係連接有：排出管113，排出所回收的液體；及排氣管114，對罩杯112內之氛圍進行抽真空且排氣。
如圖5所示般，在罩杯112之X方向負方向(圖5中之下方向)側，係形成有沿著Y方向(圖5中之左右方向)延伸的導軌120。導軌120，係例如從罩杯112之Y方向負方向(圖5中之左方向)側的外方起形成至Y方向正方向(圖5中之右方向)側的外方。在導軌120，係安裝有支臂121。
在支臂121，係如圖4及圖5所示般，支撐有將光阻液供給至晶圓W上的塗佈噴嘴122。支臂121，係藉由圖5所示之噴嘴驅動部123，在導軌120上移動自如。藉此，塗佈噴嘴122，係可從被設置於罩杯112之Y方向正方向側的外方之待機部124移動至罩杯112內之晶圓W的中心部上方，並可進一步在該晶圓W上，沿晶圓W之徑方向移動。又，支臂121，係藉由噴嘴驅動部123升降自如，可調節塗佈噴嘴122之高度。
在塗佈噴嘴122，係如圖4所示般，連接有將光阻液供給至該塗佈噴嘴122的供給管125。供給管125，係與將光阻液儲存於內部之光阻液供給源126連通。又，在供給管125，係設置有包含控制光阻液之流動的閥或流量調節部等的供給機器群127。
另外，顯像處理裝置30之構成，係與上述之光阻塗佈裝置31的構成相同。但是，顯像處理裝置30與光阻塗佈裝置31中，從塗佈噴嘴所供給的處理液並不同。
接著，說明關於熱處理裝置40之構成。圖6及圖7，係分別表示光阻塗佈裝置31之構成之概略的縱剖面圖及橫剖面圖。 　　例如熱處理裝置40，係如圖6及圖7所示般，在殼體130內具備有：加熱部131，加熱處理晶圓W；及冷卻部132，冷卻處理晶圓W。如圖7所示般，在殼體130之冷卻部132附近的兩側面，係形成有用以搬入搬出晶圓W的搬入搬出口133。
加熱部131，係如圖6所示般，具備有：蓋體140，位於上側且上下動作自如；及熱板收容部141，位於下側且與其蓋體140成為一體而形成處理室S。
蓋體140，係具有下面呈開口的大致筒形狀，覆蓋被載置於後述之熱板142上的晶圓W之被處理面即上面。在蓋體140之上面中央部，係設置有排氣部140a。處理室S內之氛圍，係從排氣部140a予以排氣。 　　又，在蓋體140，係設置有測定該蓋體140之溫度的溫度測定部即溫度感測器143。圖例中，溫度感測器143，雖係被設置於蓋體140之端部，但亦可被設置於蓋體140之中央部等。
在熱板收容部141之中央，係設置有熱板142，該熱板142，係載置有晶圓W，並加熱該載置的晶圓W。熱板142，係具有某厚度之大致圓盤形狀，在其內部設置有加熱熱板142之上面亦即晶圓W之搭載面的加熱器150。作為加熱器150，係例如使用電熱器。關於該熱板142之構成，係如後述。
在熱板收容部141中，係設置有於厚度方向貫通熱板142的升降銷151。升降銷151，係藉由汽缸等的升降驅動部152升降自如，可突出於熱板142之上面，且在與後述的冷卻板170之間進行晶圓W之收授。
熱板收容部141，係例如如圖6所示般，具有：環狀之保持構件160，收容熱板142且保持熱板142的外周部；及大致筒狀之支撐環161，包圍其保持構件160的外周。
在鄰接於加熱部131的冷卻部132中，係例如設置有載置晶圓W而進行冷卻的冷卻板170。冷卻板170，係例如如圖7所示，具有大致方形的平板形狀，加熱部131側之端面彎曲成圓弧狀。在冷卻板170的內部，係內建有例如泊耳帖元件等之未圖示的冷卻構件，可將冷卻板170調整成預定的設定溫度。
冷卻板170，係例如如圖6所示，予以支撐於支撐臂171，其支撐臂171，係安裝於朝向加熱部131側之X方向延伸的導軌172。冷卻板170，係可藉由安裝於支撐臂171的驅動機構173，在導軌172上移動。藉此，冷卻板170，係可移動至加熱部131側之熱板142的上方。
在冷卻板170，係例如形成有沿著圖7之X方向的2條狹縫174。狹縫174，係自冷卻板170之加熱部131側的端面起形成至冷卻板170之中央部附近。藉由該縫隙174，防止移動至加熱部131側之冷卻板170與熱板142上之升降銷151的干涉。如圖6所示般，在位於冷卻部132內之冷卻板170的下方，係設置有升降銷175。升降銷175，係可藉由升降驅動部176進行升降。升降銷175，係從冷卻板170之下方上升而通過縫隙174並突出於冷卻板170的上方，例如可在與從搬入搬出口133進入殼體130之內部的晶圓搬送裝置70之間進行晶圓W之收授。
其次，詳細敍述熱板142之構成。圖8，係表示熱板142之構成之概略的平面圖。熱板142，係如圖8所示般，被區隔成複數個例如5個熱板區域R1~R5。熱板142，係例如被區隔成：圓形之熱板區域R1，從平面觀之，位於中心部；及熱板區域R2~R5，將其熱板區域R1之周圍4等分成圓弧狀。
在熱板142之各熱板區域R1~R5，係個別地內建有加熱器180，可對每個熱板區域R1~R5各別地進行加熱。各熱板區域R1~R5之加熱器180的發熱量，係例如藉由溫度控制裝置181加以調整。溫度控制裝置181，係可調整各加熱器180之發熱量，且將各熱板區域R1~R5之處理溫度控制成預定的設定溫度。溫度控制裝置181中之溫度設定，係藉由控制部6加以進行。
其次，說明關於缺陷檢查裝置61之構成。圖9及圖10，係分別表示缺陷檢查裝置61之構成之概略的縱剖面圖及橫剖面圖。缺陷檢查裝置61，係如圖9及圖10所示般，具有殼體190。在殼體190內，係設置有載置晶圓W之載置台200。該載置台200，係藉由馬達等的旋轉驅動部201而旋轉、停止自如。在殼體190之底面，係設置有導引軌202，該導引軌202，係從殼體190內之一端側(圖10中之X方向負方向側)延伸至另一端側(圖10中之X方向正方向側)。載置台200與旋轉驅動部201，係被設置於導引軌202上，可藉由驅動裝置203沿著導引軌202移動。
在殼體190內之另一端側(圖10之X方向正方向側)的側面，係設置有拍攝裝置210。在拍攝裝置210，係例如使用廣角型的CCD攝像機。
在殼體190之上部中央附近，係設置有半透鏡211。半透鏡211，係在與拍攝裝置210對向的位置，設置成從鏡面朝向垂直下方的狀態向拍攝裝置210之方向往上方45度傾斜的狀態。在半透鏡211之上方，係設置有照明裝置212。半透鏡211與照明裝置212，係被固定於殼體190內部之上面。來自照明裝置212之照明，係通過半透鏡211向下方照射。因此，藉由位於照明裝置212的下方之物體所反射的光，係被半透鏡211再度反射，射入拍攝裝置210。亦即，拍攝裝置210，係可拍攝位於照明裝置212所致之照射區域的物體。
其次，說明關於使用了基板處理系統1之晶圓處理。
使用了基板處理系統1的晶圓處理中，係首先，藉由晶圓搬送裝置21，從匣盒載置台12上之匣盒C取出晶圓W而搬送至處理站3的收授裝置50。
其次，晶圓W，係藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第2區塊G2的熱處理裝置40，進行溫度調節處理。其後，晶圓W，係被搬送至第1區塊G1之光阻塗佈裝置31，在晶圓W上形成光阻膜。其後，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行預烘烤處理(PAB: Pre-Applied Bake)。另外，預烘烤處理或後段之PEB處理、後烘烤處理中，係進行相同的熱處理。但是，用於各熱處理之熱處理裝置40，係彼此不同。
其後，晶圓W，係被搬送至周邊曝光裝置41，進行周邊曝光處理。 　　其後，晶圓W，係被搬送至曝光裝置4，以預定圖案進行曝光處理。
其次，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行PEB處理。其後，晶圓W，係例如被搬送至顯像處理裝置30，進行顯像處理。顯像處理結束後，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行後烘烤處理。而且，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，進行晶圓W之缺陷檢查。缺陷檢查中，係進行是否存在有傷痕、異物之附著等的檢查。其後，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C，一連串的光微影工程完成。
接著，當導入基板處理系統1之際，為了在面內均勻地形成所期望之線寬的光阻圖案，而說明設定PEB處理之處理條件的方法，具體而言，係說明設定PEB處理時之熱板142的各區域R1~R5之處理溫度的方法。 　　如前述般，一連串的晶圓處理後，以SEM測定被形成於晶圓W上之光阻圖案的線寬，若根據該測定結果，設定PEB處理時之熱板142的各區域R1~R5之處理溫度，則需要長時間。
因此，經本發明者反覆深入研究的結果發現，由於晶圓W上之光阻圖案的線寬與使用了缺陷檢查裝置61之拍攝裝置210的拍攝結果之間存在有相關性，因此，想到根據上述拍攝結果，設定PEB處理時之熱板142的處理溫度。
圖11，係表示晶圓W上之光阻圖案的線寬與使用了缺陷檢查裝置61之拍攝裝置210的拍攝結果之間存在有相關性的圖。另外，圖11(A)~(D)中，各圖像I1~I4雖以灰階表示，但實際為彩色圖像。
圖11(A)及圖11(C)之圖像I1、I3，係如以下般取得。亦即，將晶圓W分割成437個區域，在各區域中，藉由SEM測定該區域上之光阻圖案的線寬，並對每個區域算出線寬之平均值。又，將所算出之線寬的平均值變換成RGB資料。RGB資料，係指包含R(紅)、G(綠)、B(藍)各自之畫素值/亮度值的資料。而且，對每個區域，製作將該區域之座標與從線寬之平均值所變換之RGB資料建立對應關係的表格。根據該表格，取得表示如圖11(A)及圖11(C)所示般之光阻圖案之線寬的分布之RGB圖像I1、I3。
圖11(B)與圖11(D)之圖像I2、I4，係如以下般獲得。亦即，使用缺陷檢查裝置61之拍攝裝置210，拍攝形成有光阻圖案的晶圓W整體。而且，將晶圓W分割成437個區域，在各區域中，算出該區域所含有的像素中之R、G、B各自之畫素值的平均值。而且，對每個區域，製作將該區域之座標與上述畫素值之平均值亦即RGB資料之平均值建立對應關係的表格。而且，依照缺陷檢查裝置61中之光學系統等，校正該表格。根據經校正之表格，取得如圖11(B)及(D)所示般的RGB圖像I2、I4。以下，係除非特別敍明，否則將從拍攝裝置210之拍攝結果以上述般所取得的圖像稱為「拍攝圖像」。
另外，對晶圓W之處理條件(亦包含所使用之各種處理裝置)，係在圖11(A)與圖11(B)中相同，在圖11(C)與圖11(D)中亦相同。但是，對晶圓W之處理條件，係在圖11(A)與圖11(C)中不同。 　　在圖11(A)的圖像I1與圖11(B)的圖像I2之間，係顏色的分布相同，又，在圖11(C)的圖像I3與圖11(D)的圖像I3之間，係顏色的分布亦相同。由此可明顯得知，由使用了拍攝裝置210的拍攝結果所獲得之表示晶圓W的表面之狀態的拍攝圖像中之顏色的資訊亦即RGB資料與晶圓W上之光阻圖案的線寬存在有相關性。
因此，本實施形態中，PEB處理時之熱板142的處理溫度之設定，係根據拍攝圖像中之RGB資料加以進行。
以下，說明本實施形態之PEB處理時之熱板142的處理溫度之設定處理。圖12，係用以說明上述設定處理之一例的流程圖。
＜1.相關模型製作工程＞ 　　本實施形態之上述設定處理中，係如後述般，為了使用「對每個區域R1~R5表示由使用了拍攝裝置210之拍攝結果所獲得的拍攝圖像中之RGB資料的變化量與熱板142之處理溫度的變化量之相關性」的相關模型，而如圖12所示般，首先製作相關模型(步驟S1)。
＜1.1.熱處理裝置決定工程＞ 　　相關模型製作工程，係在複數個PEB處理用之熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，決定使用於製作相關模型者。
＜1.2.光阻膜形成前檢查工程＞ 　　又，相關模型製作用之晶圓W從匣盒載置台12上的匣盒C被取出並搬送至缺陷檢查裝置61。另外，相關模型製作用之晶圓W，係例如裸晶圓。其後，藉由拍攝裝置210，對晶圓W其表面進行拍攝，取得拍攝圖像。另外，當該拍攝圖像中之RGB資料不處於預定範圍內的情況下，具體而言，係例如當拍攝圖像的任一區域中之R、G、B的任一亮度值不處於預定範圍內的情況下，由於預測晶圓W的表面存在有傷痕、異物之附著，因此，不進行後續工程，將該晶圓W搬出至匣盒C。
＜1.3.光阻膜形成及PAB工程＞ 　　在光阻膜形成前檢查工程中，當拍攝圖像中之RGB處於預定範圍內且晶圓W沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至光阻塗佈裝置31，並以預先設定的處理條件形成光阻膜。其後，晶圓W，係被搬送至PAB處理用之熱處理裝置40，以預先設定的處理條件進行熱處理。
＜1.4.光阻膜形成後檢查工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對形成有光阻膜之晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。另外，當該拍攝圖像中之RGB資料不處於預定範圍內的情況下，具體而言，係例如當拍攝圖像的任一區域中之R、G、B的任一亮度值不處於預定範圍內的情況下，由於預測未形成適當的光阻膜，因此，不進行後續工程，將該晶圓W搬出至匣盒C。
＜1.5.曝光工程＞ 　　在光阻膜形成後檢查工程中，當拍攝圖像中之RGB資料處於預定範圍內而晶圓W上之光阻膜沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至曝光裝置4，以預定圖案進行曝光處理。
＜1.6.PEB工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至由上述熱處理裝置決定工程所決定的PEB處理用之熱處理裝置40，並以用於製作相關模型的初始設定條件進行PEB處理，亦即將熱板142之處理溫度設成為用於製作相關模型的初始設定溫度，進行PEB處理。
＜1.7.顯像工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至顯像處理裝置30，進行顯像處理。
＜1.8.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對以顯像處理形成有光阻圖案之晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。而且，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
其後，重複複數次上述1.2~1.8之工程。但是，以使每次PEB工程中之熱板142的處理溫度不同的方式，重複複數次。藉此，取得熱板142之各區域R1~R5的處理溫度之複數個資訊，而且，在以各處理溫度進行PEB處理後，取得由上述1.8之拍攝工程所取得的拍攝圖像。而且，對每個區域R1~R5，算出拍攝圖像間之RGB資料的差與獲得了該拍攝圖像時之熱板142之處理溫度的差。從該算出結果製作相關模型，該相關模型，係對每個區域R1~R5，表示由使用了拍攝裝置210之拍攝結果所獲得的拍攝圖像中之RGB資料的變化量與熱板142之處理溫度的變化量之相關性。另外，製作相關模型所使用之區域R1的拍攝圖像間之RGB資料的差，係指例如對應於區域R1之位置所含有之拍攝圖像的RGB資料之平均值的差，並可根據前述表格算出。區域R2~R5的拍攝圖像間之RGB資料的差亦相同。
如上述般，上述相關模型，係在複數個PEB用之熱處理裝置40的任一者中，以複數個處理溫度進行PEB處理，並從基於藉由拍攝裝置210拍攝以各處理溫度進行了PEB處理之基板的結果之拍攝圖像間之RGB資料的差與獲得該拍攝圖像時之處理溫度的差所製作。
返回到PEB處理時之熱板142的處理溫度之設定處理的說明。
＜2.基準圖像取得工程＞ 　　在上述相關模型製作工程後，藉由用於設定上述處理溫度之拍攝裝置210，對成為設定熱板142之各區域R1~R5的處理溫度之際之基準的晶圓(以下，稱為基準晶圓)進行拍攝，並取得基準晶圓之拍攝圖像(步驟S2)。 　　具體而言，係基準晶圓從匣盒載置台12上之匣盒C被取出並搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對基準晶圓之表面進行拍攝，並根據拍攝結果，取得基準晶圓的拍攝圖像。 　　基準晶圓，係指在面內均勻地形成有所期望之線寬的光阻圖案之晶圓，該晶圓，係例如可預先在基板處理系統1之外部，根據使用了SEM的線寬測定結果加以製作，又，能以「已藉由本實施形態之設定方法而適當地設定處理溫度」的其他基板處理系統1加以製作。 　　另外，基準圖像取得工程，係亦可在相關模型製作工程之前進行，或亦可與相關模型製作工程並行地進行。
＜3.設定對象決定工程＞ 　　又，在複數個PEB處理用之熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，決定設定對象。該設定對象決定工程，係亦可在相關模型製作工程或基準圖像取得工程之前進行，或亦可與該些工程並行地進行。
＜4.處理完畢圖像取得工程＞ 　　在相關模型製作工程、基準圖像取得工程及設定對象決定工程後，取得「以處理溫度設定對象即PEB處理用之熱處理裝置40進行了PEB處理」之晶圓W的拍攝圖像。具體而言，係進行以下的4.1~4.7之工程。
＜4.1.光阻膜形成前檢查工程＞ ＜4.2.光阻膜形成及PAB工程＞ ＜4.3.光阻膜形成後檢查工程＞ ＜4.4.曝光工程＞ 　　處理完畢圖像取得工程中，係以4.1~4.4之工程，對設定用之晶圓W進行與前述1.2~1.5的工程中之處理相同的處理。藉此，對設定用之晶圓W形成適當的光阻膜，並以預定圖案對該光阻膜進行曝光處理。另外，設定用之晶圓W，係例如裸晶圓。
＜4.5.PEB工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至由上述設定對象決定工程所決定的設定對象之PEB處理用之熱處理裝置40，並以當前在該熱處理裝置40中所設定的處理溫度進行PEB處理，亦即將熱板142之區域R1~R5的處理溫度分別設成為設定用之初始設定溫度，進行PEB處理。
＜4.6.顯像工程＞ 　　其次，經PEB處理之晶圓W，係被搬送至顯像處理裝置30，進行顯像處理。
＜4.7.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61。而且，藉由拍攝裝置210，對以初始設定溫度進行PEB處理且藉由顯像處理而形成有光阻圖案之晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像(以下，有時稱為處理完畢晶圓W的拍攝圖像)。其後，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
＜5.偏差量算出工程＞ 　　若設定用之初始設定溫度不適當，則在由基準圖像取得工程所取得之基準晶圓的拍攝圖像與由處理完畢圖像取得工程所取得之處理完畢晶圓W的拍攝圖像之間，由於RGB資料產生偏差，因此，算出該RGB資料之偏差量(步驟S5)。 　　具體而言，係例如對熱板142之每個區域，算出「該區域所含有的基準晶圓之拍攝圖像的RGB資料之平均值與該區域所含有的處理完畢晶圓W之拍攝圖像的RGB資料之平均值」的差，以作為RGB資料之偏差量。
＜6.修正量算出工程＞ 　　而且，根據由相關模型製作工程所製作的相關模型與上述RGB資料的偏差量，算出熱板142之各區域R1~R5的處理溫度之修正量(步驟S6)。該修正量，係根據該修正量修正處理溫度，算出「在進行了PEB處理之晶圓W的拍攝圖像與基準晶圓的拍攝圖像之間，RGB資料不會產生差」者。
＜7.處理條件設定工程＞ 　　其次，根據所算出之修正量，修正當前在熱板142之各區域R1~R5所設定設定用之初始設定溫度，並將設定對象的熱處理裝置40中之熱板142之各區域R1~R5的處理溫度設定成修正後的溫度(步驟S7)。
而且，針對所有的PEB處理用之熱處理裝置40判定處理溫度之設定是否已結束(步驟S8)，在未結束的情況下(NO的情況下)，重複步驟S3~步驟S7。另一方面，在步驟S8中結束的情況下(YES的情況下)，設定處理則結束。 　　亦即，對每個熱處理裝置40進行處理完畢圖像取得工程、偏差量算出工程、修正量算出工程及處理條件設定工程，直至針對所有的PEB處理用之熱處理裝置40完成處理溫度的設定為止。
藉此，可在晶圓上獲得所期望之線寬的光阻圖案而無需測定光阻圖案之線寬，又，可減少線寬之熱處理裝置40間的差亦即線寬之晶圓間的差與線寬的面內偏差。 　　而且，由於本實施形態之處理溫度的設定方法中，係不使用SEM之測定結果而是根據拍攝圖像進行用以使光阻圖案的線寬最佳化之熱板142的處理溫度之設定，因此，即便為設定對象之熱處理裝置40存在有複數個的情況下，亦可在短時間內完成設定。
另外，在以上中，作為對光阻圖案之線寬造成影響的基板處理系統1中之處理條件，舉出使用於PEB處理之熱處理裝置40的熱板之各區域R1~R5的處理溫度，並設定該處理溫度。但是，本實施形態之處理條件的設定方法，係亦可應用於對光阻圖案之線寬造成影響的基板處理系統1中之其他處理條件(例如，顯像處理裝置30中之顯像處理條件)的設定。
接著，當導入基板處理系統1之際，為了在晶圓W的面內以所期望之膜厚來形成均勻的光阻膜，而說明設定基板處理系統1中之處理條件的處理，具體而言，係說明設定光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉數及PAB處理時之熱板142的各區域R1~R5之處理溫度的處理。 　　即便為設定本實施形態之上述處理條件的處理，亦利用基於缺陷檢查裝置61的拍攝裝置210之拍攝結果的拍攝圖像。此係因為光阻膜的膜厚與上述拍攝圖像中的RGB資料之間存在有相關性之緣故。
另外，在以下的例子，係為了方便說明，設成為基板處理系統1分別具備有3個光阻塗佈裝置31及PAB處理用之熱處理裝置40者，並將3個光阻塗佈裝置31分別記載為第1~第3光阻塗佈裝置31，將3個PAB處理用之熱處理裝置40記載為第1~第3熱處理裝置40。
＜11.相關模型製作工程＞ 　　設定「光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉數及PAB處理時的熱板142之各區域R1~R5的處理溫度之2個處理條件」的處理中，係由於使用與前述相同的相關模型，因此，對各個處理條件製作相關模型。
[晶圓W的處理旋轉數設定用之相關模型的製作] ＜11.1A.處理裝置決定工程＞ 　　當製作晶圓W的處理旋轉數設定用之相關模型之際，係從第1~第3光阻塗佈裝置31與第1~第3PAB處理用之熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，決定使用於製作該相關模型之光阻塗佈裝置31與PAB處理用之熱處理裝置40的組合。
＜11.2A.檢查工程＞ 　　又，相關模型製作用之晶圓W從匣盒載置台12上的匣盒C被取出並搬送至缺陷檢查裝置61。其後，藉由拍攝裝置210，對晶圓W其表面進行拍攝，取得拍攝圖像。另外，當該拍攝圖像中之RGB資料不處於預定範圍內的情況下，由於預測晶圓W的表面存在有傷痕、異物之附著，因此，不進行後續工程，將該晶圓W搬出至匣盒C。
＜11.3A.光阻膜形成工程＞ 　　在檢查工程中，當拍攝圖像中之RGB處於預定範圍內且晶圓W沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至由上述處理裝置決定工程所選擇之光阻塗佈裝置31，並以用於製作相關模型的初始設定條件形成光阻膜。
＜11.4A.PAB處理工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至PAB處理用之熱處理裝置40，以預先設定的處理條件進行熱處理。
＜11.5A.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。而且，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
其後，重複複數次上述11.2A~11.5A之工程。但是，以使每次光阻膜工程中之晶圓W的處理旋轉速度不同的方式，重複複數次。藉此，取得晶圓W的處理旋轉速度之複數個資訊，而且，在以各處理旋轉速度進行處理後，取得由上述11.5A之拍攝工程所取得的拍攝圖像。而且，算出拍攝圖像之RGB資料的差與獲得了該拍攝圖像時之晶圓W之旋轉速度的差。從該算出結果製作相關模型，該相關模型，係表示由使用了拍攝裝置210之拍攝結果所獲得的拍攝圖像中之RGB資料的變化量與晶圓W之處理旋轉速度的變化量之相關性。另外，製作相關模型所使用之拍攝圖像之RGB資料的差，係指例如晶圓W整面之拍攝圖像的RGB資料之平均值的差，並可根據前述表格算出。
[PAB處理時之熱板142的處理溫度設定用之相關模型的製作] ＜11.1B.處理裝置決定工程＞ 　　當製作PAB處理時之熱板142的處理溫度設定用之相關模型之際，係從第1~第3光阻塗佈裝置31與第1~第3PAB處理用之熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，決定使用於製作該相關模型之光阻塗佈裝置31與PAB處理用之熱處理裝置40的組合。另外，作為上述組合，使用與製作晶圓W之處理旋轉數設定用之相關模型之際相同的情況下，係可省略該工程。
＜11.2B.檢查工程＞ 　　又，相關模型製作用之晶圓W從匣盒載置台12上的匣盒C被取出並搬送至缺陷檢查裝置61。進行與11.2A相同的檢查。
＜11.3B.光阻膜形成工程＞ 　　在檢查工程中，當晶圓W沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至由上述處理裝置決定工程所選擇之光阻塗佈裝置31，並以預先設定的處理條件形成光阻膜。
＜11.4B.PAB處理工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至PAB處理用之熱處理裝置40，並以用於製作相關模型的初始設定條件進行PAB處理。
＜11.5B.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。而且，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
其後，重複複數次上述11.2B~11.5B之工程。但是，以使每次PAB工程中之熱板142的處理溫度不同的方式，重複複數次。藉此，取得熱板142之各區域R1~R5的處理溫度之複數個資訊，而且，在以各處理溫度進行PAB處理後，取得由上述11.5B之拍攝工程所取得的拍攝圖像。而且，對每個區域R1~R5，算出拍攝圖像間之RGB資料的差與獲得了該拍攝圖像時之熱板142之處理溫度的差。從該算出結果製作相關模型，該相關模型，係對每個區域R1~R5，表示由使用了拍攝裝置210之拍攝結果所獲得的拍攝圖像中之RGB資料的變化量與熱板142之處理溫度的變化量之相關性。
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＜12.基準圖像取得工程＞ 　　在上述相關模型製作工程後，藉由用於設定上述處理溫度之拍攝裝置210，對設定上述2個處理條件之際之基準的晶圓(以下，稱為基準晶圓)進行拍攝，並取得基準晶圓之拍攝圖像。 　　本例中之基準晶圓，係指在面內形成有所期望之膜厚且膜厚為均勻的光阻膜之晶圓，該晶圓，係例如可預先在基板處理系統1之外部，根據使用了剖面SEM的膜厚測定結果加以製作，又，能以「已藉由本實施形態之設定方法而適當地設定各處理條件」的其他基板處理系統1加以製作。 　　另外，基準圖像取得工程，係亦可在相關模型製作工程之前進行，或亦可與相關模型製作工程並行地進行。
本實施形態之設定處理中，係從由第1~第3光阻塗佈裝置31所構成的裝置群與由第1~第3熱處理裝置40所構成的裝置群中之任一方的裝置群，加以設定該裝置中之處理條件。以下，係設成為先從由第1~第3光阻塗佈裝置31所構成的裝置群加以設定者。但是，亦可先設定由第1~第3熱處理裝置40所構成的裝置群。
[光阻塗佈裝置處理條件設定] ＜13A.熱處理裝置決定工程＞ 　　當設定第1~第3光阻塗佈裝置31中的處理條件之際，係從第1~第3熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，選擇/決定各光阻塗佈裝置31所共用的PAB用之熱處理裝置40。在此，決定共用之熱處理裝置40的理由，係如以下所示。亦即，若相對於各光阻塗佈裝置31的PAB處理用之熱處理裝置40不是共用，則因為在基準晶圓的拍攝圖像與由後述之拍攝工程所取得的拍攝圖像之間，當RGB資料產生偏差的情況下，無法判別該偏差是否起因於光阻塗佈裝置31的處理條件不適當或起因於熱處理裝置40不同。 　　該熱處理裝置決定工程，係亦可在相關模型製作工程或基準圖像取得工程之前進行，或亦可與該些工程並行地進行。
＜14A.設定對象決定工程＞ 　　又，在第1~第3光阻塗佈裝置31中，因應使用者輸入等，決定設定對象。該設定對象決定工程，係亦可在相關模型製作工程或基準圖像取得工程、熱處理裝置決定工程之前進行，或亦可與相關模型製作工程或基準圖像取得工程並行地進行。
＜15A.處理完畢圖像取得工程＞ 　　而且，針對「以由設定對象決定工程所決定的光阻塗佈裝置31進行光阻膜形成處理，且以由熱處理裝置決定工程所決定的PAB處理用之熱處理裝置40進行PAB處理」的晶圓W，取得拍攝圖像。具體而言，係進行以下的15.1A~15.4A之工程。
＜15.1A.檢查工程＞ 　　處理完畢圖像取得工程中，係對設定用之晶圓W進行與11.2A相同的檢查。另外，設定用之晶圓W，係例如裸晶圓。
＜15.2A.光阻膜形成工程＞ 　　在檢查工程中，當晶圓W沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至由上述設定對象決定工程所決定之設定對象的光阻塗佈裝置31，並以當前在該光阻塗佈裝置31中所設定之晶圓W的處理旋轉速度進行光阻膜形成處理，亦即將晶圓W的處理旋轉速度設成為設定用之初始設定速度，進行光阻膜形成處理。
＜15.3A.PAB處理工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至由熱處理裝置決定工程所決定的PAB處理用之熱處理裝置40，並藉由該熱處理裝置40，以預先設定的處理條件進行PAB處理。
＜15.4A.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。而且，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
＜16A.偏差量算出工程＞ 　　若設定用之初始設定速度不適當，則在由基準圖像取得工程所取得之基準晶圓的拍攝圖像與由處理完畢圖像取得工程所取得之處理完畢晶圓W的拍攝圖像之間，由於RGB資料產生偏差，因此，算出該RGB資料之偏差量。 　　具體而言，係例如算出「基準晶圓的拍攝圖像中之晶圓整面的RGB資料之平均值與處理完畢晶圓W的拍攝圖像中之晶圓整面的RGB資料之平均值」的差，以作為RGB資料之偏差量。
＜17A.修正量算出工程＞ 　　而且，根據由相關模型製作工程所製作的相關模型與上述RGB資料的偏差量，算出光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉速度之修正量(步驟S6)。該修正量，係根據該修正量修正處理旋轉速度，算出「在進行了光阻膜形成處理之晶圓W的拍攝圖像與基準晶圓的拍攝圖像之間，RGB資料不會產生差」者。
＜18A.處理條件設定工程＞ 　　其次，根據所算出之修正量，將當前所設定的設定用之初始設定速度修正為晶圓W的處理旋轉速度，並將設定對象的光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉速度設定成修正後的速度。
而且，對每個光阻塗佈裝置31進行處理完畢圖像取得工程、偏差量算出工程、修正量算出工程及處理條件設定工程，直至針對所有的第1~第3光阻塗佈裝置31完成處理旋轉速度的設定為止。
[PAB用熱處理裝置處理條件設定] ＜13B.光阻塗佈裝置決定工程＞ 　　當設定第1~第3熱處理裝置40中的處理條件之際，係從第1~第3光阻塗佈裝置31中，因應使用者輸入等，選擇/決定各熱處理裝置40所共用的光阻塗佈裝置31。 　　該熱處理裝置決定工程，係亦可在相關模型製作工程或基準圖像取得工程之前進行，或亦可與該些工程並行地進行。
＜14B.設定對象決定工程＞ 　　又，在第1~第3熱處理裝置40中，因應使用者輸入等，決定設定對象。該設定對象決定工程，係亦可在相關模型製作工程或基準圖像取得工程、光阻塗佈裝置決定工程之前進行，或亦可與相關模型製作工程或基準圖像取得工程並行地進行。
＜15B.處理完畢圖像取得工程＞ 　　而且，針對「以由光阻塗佈裝置決定工程所決定的光阻塗佈裝置31進行光阻膜形成處理，且以由設定對象決定工程所決定的PAB處理用之熱處理裝置40進行PAB處理」的晶圓W，取得拍攝圖像。具體而言，係進行以下的15.1B~15.4B之工程。
＜15.1B.檢查工程＞ 　　處理完畢圖像取得工程中，係對設定用之晶圓W進行與11.2A相同的檢查。另外，設定用之晶圓W，係例如裸晶圓。
＜15.2B.光阻膜形成工程＞ 　　在檢查工程中，當晶圓W沒有問題的情況下，晶圓W，係被搬送至由光阻塗佈裝置決定工程所決定之光阻塗佈裝置31，並在該光阻塗佈裝置31中，以預先設定的處理條件進行光阻膜形成處理。
＜15.3B.PAB處理工程＞ 　　其後，晶圓W，係被搬送至由設定對象決定工程所決定的PAB處理用之熱處理裝置40，並以當前在該熱處理裝置40中所設定的處理溫度進行PAB處理，亦即將熱板142之區域R1~R5的處理溫度分別設成為設定用之初始設定溫度，進行PAB處理。
＜15.4B.拍攝工程＞ 　　其次，晶圓W，係被搬送至缺陷檢查裝置61，藉由拍攝裝置210，對晶圓W進行拍攝，取得拍攝圖像。而且，晶圓W，係被搬送至匣盒載置台12上之匣盒C。
＜16B.偏差量算出工程＞ ＜17B.修正量算出工程＞ ＜18B.處理條件設定工程＞ 　　在處理完畢圖像取得工程後，以16B~17B之工程，進行與PEB處理時之處理溫度設定工程中的前述5~7之工程相同的處理。藉此，設定由設定對象決定工程所決定的PAB處理用之熱處理裝置40中之熱板142之各區域R1~R5的處理溫度。
而且，對每個熱處理裝置40進行處理完畢圖像取得工程、偏差量算出工程、修正量算出工程及處理條件設定工程，直至針對所有的第1~第3熱處理裝置40完成熱板142之各區域之處理溫度的設定為止。
如以上般，設定光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉速度與PAB處理用之熱處理裝置40中之熱板142的各區域R1~R5之處理溫度，藉此，可不測定光阻膜的膜厚，而在晶圓上形成所期望之膜厚且膜厚為面內均勻的良好光阻膜。又，不受限於用以形成光阻膜之光阻塗佈裝置31或熱處理裝置40，可形成上述良好的光阻膜。 　　而且，由於本實施形態之處理條件的設定方法中，係不使用利用了剖面SEM之測定結果而是根據拍攝圖像進行處理條件的設定，因此，即便為設定對象之光阻塗佈裝置31或熱處理裝置40存在有複數個的情況下，亦可在短時間內完成設定。
另外，在以上中，作為對光阻膜之膜厚造成影響的基板處理系統1中之處理條件，舉出光阻塗佈裝置31中之晶圓W的處理旋轉速度與PAB處理用之熱處理裝置40中之熱板142的各區域R1~R5之處理溫度，並設定該些處理條件。但是，本實施形態之處理條件的設定方法，係亦可應用於對光阻膜之膜厚造成影響的基板處理系統1中之其他處理條件(例如，光阻塗佈裝置31中之晶圓W的旋轉時間)的設定。
又，以上的說明中，雖係使用了拍攝圖像的RGB資料作為與光阻圖案之線寬或光阻膜之膜厚存在有相關性者，但與光阻圖案之線寬或光阻膜之膜厚存在有相關性的顏色資訊，係不限於RGB資料。另外，顏色資訊，係指特定之波長的光之亮度資訊。上述顏色資訊，係亦可為R、G、B之任一顏色的亮度資訊，或亦可為除了R、G、B以外之顏色的亮度資訊。
另外，在以上中，雖係在導入基板處理系統1時，使用前述的相關模型來設定處理條件，但即便在量產時，亦觀察預定處理後之晶圓之拍攝圖像的顏色資訊與成為基準之拍攝圖像的顏色資訊之間是否產生差，當產生了差的情況下，係亦可使用相同的相關模型，反饋控制處理條件。
又，亦可在基板處理系統1內之拍攝裝置中，對每個像素事先取得可見光區域所含有之複數個波長的光之亮度資訊，並使用從複數個波長中所選擇之波長的光亦即顏色的亮度資訊，設定處理條件。 　　換言之，本實施形態之處理條件的設定處理，係亦可包含有：選擇工程，選擇用於設定之顏色資訊的顏色亦即光的波長。當改變用於形成光阻膜的材料時，則來自光阻膜之反射光的波長發生變化，從而導致「亮度資訊相對於光阻圖案之線寬或光阻膜之膜厚的變化量之變化」較大的顏色亦即反射光的波長發生變化。藉由包含上述之選擇工程的方式，可選擇「亮度資訊相對於光阻圖案之線寬或光阻膜之膜厚的變化量之變化」較大的顏色亦即光的波長。因此，可更正確地進行基於顯像圖像的顏色資訊之處理條件的設定。
另外，亦可使用除了可見光區域以外的光(例如，紅外光域的光)之亮度資訊，設定處理條件。
圖13，係用以說明設置於基板處理系統1之拍攝裝置之其他例的圖。 　　設置於基板處理系統1之拍攝裝置，係如圖13所示般，在各像素251的前面設置有1個稜鏡252，到達1個像素251的光藉由稜鏡252所分光。又，像素251，係對應於稜鏡252所致之分光，被分割成複數個受光部251a，以各受光部251a分別接收藉由稜鏡252所分光之各波長的光。因此，本例之拍攝裝置中，係可對每個像素取得複數個波長的光之亮度資訊。
(第2實施形態) 　　圖14，係示意地表示第2實施形態之基板處理系統1’之構成之概略的平面圖。 　　第1實施形態之基板處理系統1，雖係被構成為塗佈顯像系統，進行PEB處理或光阻膜形成處理、PAB處理等，但第2實施形態之基板處理系統1’中，係進行在晶圓W上形成TiN膜等的預定膜之成膜處理、對於晶圓W之蝕刻處理等。
基板處理系統1’，係如圖14所示般，具有：匣盒站300，將收容有複數片晶圓W之匣盒C搬入搬出；共通搬送部301，進行晶圓W之搬送；TiN成膜裝置302，在晶圓W上形成TiN膜；間隔物成膜裝置303，在晶圓W上形成間隔物膜；蝕刻裝置304，對晶圓W上之預定膜進行蝕刻；拍攝裝置305，對晶圓W之表面進行拍攝；及控制部6，進行該基板處理系統1’之控制。
TiN成膜裝置302與間隔物成膜裝置303，係分別例如使用了電漿之CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置。又，在蝕刻裝置304，係使用RIE(Reactive Ion Etching)裝置。另外，該些TiN成膜裝置302、間隔物成膜裝置303、蝕刻裝置304，係可分別使用習知的裝置。又，作為拍攝裝置305，係可使用與前述的拍攝裝置210相同者。
匣盒站300，係具有搬送室311，該搬送室311，係在內部設置有搬送晶圓W的晶圓搬送裝置310。晶圓搬送裝置310，係具有大致水平地保持晶圓W的2根搬送臂310a、310b，且成為藉由該些搬送臂310a、310b之任一來一面保持晶圓W一面進行搬送的構成。在搬送室311之側方，係配置有匣盒載置台312，該匣盒載置台312，係載置有可並排收容複數片晶圓W的匣盒C。在圖示之例中，在匣盒載置台312，係可載置複數個例如3個匣盒C。
搬送室311與共通搬送部301，係經由可抽真空之2個承載裝置313a、313b而相互連結。
共通搬送部301，係例如具有被形成為從上方觀看呈大致多角形狀(圖示中之例中，係六角形狀)之可密閉的構造之搬送室腔室314。在搬送室腔室314內，係設置有搬送晶圓W的晶圓搬送裝置315。晶圓搬送裝置315，係具有大致水平地保持晶圓W的2根搬送臂315a、315b，且成為藉由該些搬送臂315a、315b之任一來一面保持晶圓W一面進行搬送的構成。
在搬送室腔室314之外側，係以包圍搬送室腔室314之周圍的方式，配置有TiN成膜裝置302、間隔物成膜裝置303、蝕刻裝置304、拍攝裝置305、承載裝置313b、313a。TiN成膜裝置302、間隔物成膜裝置303、蝕刻裝置304、拍攝裝置305、承載裝置313b、313a，係例如被配置為從上方觀看，於順時針旋轉方向上依序排列，又，相對於搬送室腔室314的6個側面部分別對向。
本發明之處理條件的設定方法，係可用於設定基板處理系統1’中之在晶圓W上形成TiN膜等的預定膜之成膜處理的處理條件或蝕刻晶圓W之處理的處理條件。又，亦可用於設定蝕刻被形成於基板上的預定膜之處理的處理條件。
以上，雖參閱附加圖面說明了關於本發明之適當的實施形態，但本發明並不限定於該例。若為本發明所屬技術領域中具有通常知識者，顯然可在申請專利範圍所記載之思想範疇內思及各種變更例或修正例，並了解關於該些當然亦屬於本發明的技術性範圍。 [產業上之可利用性]
本發明，係在對晶圓進行各種處理之基板處理系統中設定處理條件的技術上有效。
1，1’‧‧‧基板處理系統
6‧‧‧控制部
30，305‧‧‧顯像處理裝置
31‧‧‧光阻塗佈裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧周邊曝光裝置
61‧‧‧缺陷檢查裝置
142‧‧‧熱板
210‧‧‧拍攝裝置
[圖1]表示本發明之第1實施形態之基板處理系統之構成之概略的平面圖。 　　[圖2]表示本發明之第1實施形態之基板處理系統之構成之概略的正視圖。 　　[圖3]表示本發明之第1實施形態之基板處理系統之構成之概略的後視圖。 　　[圖4]表示光阻塗佈裝置之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖5]表示光阻塗佈裝置之構成之概略的橫剖面圖。 　　[圖6]表示熱處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖7]表示熱處理裝置之構成之概略的橫剖面圖。 　　[圖8]表示熱處理裝置之熱板之構成之概略之平面圖。 　　[圖9]表示缺陷檢查裝置之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖10]表示缺陷檢查裝置之構成之概略的橫剖面圖。 　　[圖11]表示晶圓上之光阻圖案的線寬與使用了拍攝裝置的拍攝結果之間存在有相關性的圖。 　　[圖12]用以說明PEB處理時之熱板之處理溫度之設定處理之一例的流程圖。 　　[圖13]用以說明設置於基板處理系統之拍攝裝置之其他例的圖。 　　[圖14]表示本發明之第2實施形態之基板處理系統之構成之概略的平面圖。

Claims (1)

  1. 一種處理條件設定方法，係設定基板處理系統(該基板處理系統，係具備有對基板進行預定處理之複數個處理裝置)中之前述預定處理的處理條件， 　　前述基板處理系統，係具備有：拍攝裝置，對基板之表面側進行拍攝， 　　該處理條件設定方法，其特徵係，包含有：
TW107117334A 2017-06-05 2018-05-22 基板處理系統之處理條件設定方法、基板處理系統及記憶媒體 TWI786116B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

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