JP7154416B2 - 基板処理装置及び処理条件調整方法 - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理装置及び処理条件調整方法に関する。
特許文献１は、ウェハ上に所望の線幅のレジストパターンを均一に形成する基板処理方法が開示されている。この基板処理方法では、露光装置での露光前にウェハ上に形成されたレジスト膜の膜厚分布を取得する。そして、レジスト膜が形成されたウェハに対しパターン露光を行う。次に、パターン露光後のレジスト膜に対して加熱処理を行う。次いで、加熱処理後のレジスト膜の膜厚分布を取得し、露光前の膜厚分布と加熱処理後の膜厚分布から膜厚差データを算出する。続いて、線幅相関データテーブルを参照し、膜厚差データに対応する線幅（推定線幅）をウェハの面内において算出する。算出された推定線幅がウェハの面内においてばらついている場合、レジスト膜に対して再度の加熱処理を行う。この加熱処理の条件は、推定線幅が大きい領域の加熱温度を他の領域の加熱温度よりも高くするように設定される。そして、再度の加熱処理が行われたレジスト膜の現像処理が行われる。
本開示にかかる技術は、レジストパターン形成のために基板に対して行われる処理のうち、少なくとも露光後の加熱処理について、その処理結果が基板面内で均一になるように行い、線幅が面内で均一なレジストパターンを基板上に形成する。
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、基板に対し熱処理を行う熱処理部と、基板を撮像する撮像部と、制御部と、を有し、前記制御部は、基板に対する処理の条件を調整する調整処理を実行するように構成され、前記調整処理は、レジスト膜が形成された未露光の調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する露光前撮像工程と、前記露光前撮像工程の後、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われた前記調整用基板に対し、前記熱処理が行われるよう、前記熱処理部を制御する熱処理工程と、前記熱処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する加熱後撮像工程と、前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む。
本開示によれば、レジストパターン形成のために基板に対して行われる処理のうち、少なくとも露光後の加熱処理について、その処理結果が基板面内で均一になるように行うことができ、線幅が面内で均一なレジストパターンを基板上に形成することができる。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理が含まれる。また、上記一連の処理には、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が含まれる。
ＰＥＢ処理におけるウェハの温度は、最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅に大きな影響を与える。また、レジストパターンはその線幅が面内で均一に形成されることが求められる。そこで、ＰＥＢ処理を行う熱処理装置には、複数の加熱領域が設けられており、各加熱領域は異なる温度を設定可能とされている。
各加熱領域の温度の設定では、従来、実際に、テストウェハに一連のレジストパターン形成処理を行い、レジストパターンの線幅を領域毎に測定し、該測定結果に基づいて、各加熱領域の温度を設定していた。しかし、この方法では、レジストパターンの線幅のウェハ面内での均一性は改善されるものの、ウェハの加熱処理の処理結果を、すなわちウェハの温度を、ウェハ面内で均一にすることができない。レジストパターンの線幅には、パターン露光の処理条件や現像の処理条件等も影響するからである。熱処理装置の各加熱領域の温度の設定に、実際に形成し測定したレジストパターンの線幅を用いるのではなく、特許文献１のように、レジストパターンの推定線幅を用いる場合も同様である。
レジストパターンの線幅の面内での均一性をさらに改善するためには、ウェハの加熱処理を含むレジストパターン形成のための処理それぞれを、その処理結果が基板面内で均一になるように行うことが肝要である。
各加熱領域の温度の設定では、従来、実際に、テストウェハに一連のレジストパターン形成処理を行い、レジストパターンの線幅を領域毎に測定し、該測定結果に基づいて、各加熱領域の温度を設定していた。しかし、この方法では、レジストパターンの線幅のウェハ面内での均一性は改善されるものの、ウェハの加熱処理の処理結果を、すなわちウェハの温度を、ウェハ面内で均一にすることができない。レジストパターンの線幅には、パターン露光の処理条件や現像の処理条件等も影響するからである。熱処理装置の各加熱領域の温度の設定に、実際に形成し測定したレジストパターンの線幅を用いるのではなく、特許文献１のように、レジストパターンの推定線幅を用いる場合も同様である。
レジストパターンの線幅の面内での均一性をさらに改善するためには、ウェハの加熱処理を含むレジストパターン形成のための処理それぞれを、その処理結果が基板面内で均一になるように行うことが肝要である。
そこで、本開示にかかる技術は、レジストパターン形成のために基板に対して行われる処理のうち、少なくとも露光後の加熱処理について、その処理結果が基板面内で均一になるように行い、線幅が面内で均一なレジストパターンの形成を可能とする。
以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び処理条件調整方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理装置１の内部構成の概略を示す、正面図と背面図である。
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理装置１の内部構成の概略を示す、正面図と背面図である。
基板処理装置１は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、レジスト塗布処理やＰＥＢ等の所定の処理を施す複数の各種処理ユニットを備えた処理ステーション３と、を有する。そして、基板処理装置１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、基板処理装置１は、当該基板処理装置１の制御を行う制御部６を有している。
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、基板処理装置１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、基板処理装置１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送ユニット２１が設けられている。ウェハ搬送ユニット２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しユニットとの間でウェハＷを搬送できる。
処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数、例えば第１～第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷを現像処理する現像処理部としての現像処理ユニット３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３１が下からこの順に配置されている。
例えば現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１の数や配置は、任意に選択できる。
これら現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。なお、現像処理ユニット３０の構成については後述する。
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理部としての熱処理ユニット４０や、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４１が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理ユニット４０、周辺露光ユニット４１の数や配置についても、任意に選択できる。なお、熱処理ユニット４０の構成については後述する。
第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０が設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０が設けられ、その上に欠陥検査ユニット６１が設けられている。なお、欠陥検査ユニット６１の構成については後述する。
図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送ユニット７０が配置されている。
ウェハ搬送ユニット７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。ウェハ搬送ユニット７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送ユニット７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送ユニット７１が設けられている。
シャトル搬送ユニット７１は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送ユニット７１は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、同程度の高さの第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０との間でウェハＷを搬送できる。
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送ユニット７２が設けられている。ウェハ搬送ユニット７２は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７２ａを有している。ウェハ搬送ユニット７２は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニット５０にウェハＷを搬送できる。
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送ユニット７３と受け渡しユニット７４が設けられている。ウェハ搬送ユニット７３は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７３ａを有している。ウェハ搬送ユニット７３は、例えば搬送アーム７３ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニット６０、受け渡しユニット７４及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。
上述の制御部６は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送ユニットなどの駆動系の動作を制御して、基板処理装置１における処理条件調整処理を含む、ウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部６にインストールされたものであってもよい。
次に、上述した現像処理ユニット３０の構成について説明する。図４及び図５はそれぞれ、現像処理ユニット３０の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
現像処理ユニット３０は、図４及び図５に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００のウェハ搬送ユニット７０側の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
現像処理ユニット３０は、図４及び図５に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００のウェハ搬送ユニット７０側の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
処理容器１００内の中央部には、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１１０が設けられている。スピンチャック１１０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１１０上に吸着保持できる。
スピンチャック１１０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１１１が設けられている。スピンチャック１１０は、チャック駆動部１１１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１１１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１１０は昇降自在になっている。
スピンチャック１１０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１１２が設けられている。カップ１１２の下面には、回収した液体を排出する排出管１１３と、カップ１１２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１１４が接続されている。
図５に示すようにカップ１１２のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール１２０が形成されている。レール１２０は、例えばカップ１１２のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール１２０には、アーム１２１が取り付けられている。
アーム１２１には、図４及び図５に示すように、現像液をウェハＷ上に供給する塗布ノズル１２２が支持されている。アーム１２１は、図５に示すノズル駆動部１２３により、レール１２０上を移動自在である。これにより、塗布ノズル１２２は、カップ１１２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１２４からカップ１１２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１２１は、ノズル駆動部１２３によって昇降自在であり、塗布ノズル１２２の高さを調節できる。
塗布ノズル１２２には、図４に示すように当該塗布ノズル１２２に現像液を供給する供給管１２５が接続されている。供給管１２５は、内部に現像液を貯留する現像液供給源１２６に連通している。また、供給管１２５には、現像液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１２７が設けられている。
なお、レジスト塗布ユニット３１の構成は、上述の現像処理ユニット３０の構成と同様である。ただし、現像処理ユニット３０とレジスト塗布ユニット３１とでは塗布ノズルから供給される処理液が異なる。
続いて、熱処理ユニット４０の構成について説明する。図６及び図７はそれぞれ、熱処理ユニット４０の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
例えば熱処理ユニット４０は、図６及び図７に示すように筐体１３０内に、ウェハＷを加熱処理する加熱部１３１と、ウェハＷを冷却処理する冷却部１３２を備えている。図７に示すように筐体１３０の冷却部１３２近傍の両側面には、ウェハＷを搬入出するための搬入出口１３３が形成されている。
例えば熱処理ユニット４０は、図６及び図７に示すように筐体１３０内に、ウェハＷを加熱処理する加熱部１３１と、ウェハＷを冷却処理する冷却部１３２を備えている。図７に示すように筐体１３０の冷却部１３２近傍の両側面には、ウェハＷを搬入出するための搬入出口１３３が形成されている。
加熱部１３１は、図６に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体１４０と、下側に位置してその蓋体１４０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部１４１を備えている。
蓋体１４０は、下面が開口した略筒形状を有し、後述の熱板１４２上に載置されたウェハＷの被処理面である上面を覆う。蓋体１４０の上面中央部には、排気部１４０ａが設けられている。処理室Ｓ内の雰囲気は、排気部１４０ａから排気される。
また、蓋体１４０には、該蓋体１４０の温度を測定する温度測定部である温度センサ１４３が設けられている。図の例では、温度センサ１４３は蓋体１４０の端部に設けられているが、蓋体１４０の中央部等に設けてもよい。
また、蓋体１４０には、該蓋体１４０の温度を測定する温度測定部である温度センサ１４３が設けられている。図の例では、温度センサ１４３は蓋体１４０の端部に設けられているが、蓋体１４０の中央部等に設けてもよい。
熱板収容部１４１の中央には、ウェハＷが載置され、該載置されたウェハＷを加熱する熱板１４２が設けられている。熱板１４２は、厚みのある略円盤形状を有しており、熱板１４２の上面すなわちウェハＷの搭載面を加熱するヒータ１５０がその内部に設けられている。ヒータ１５０としては、例えば電気ヒータが用いられる。この熱板１４２の構成については後述する。
熱板収容部１４１には、熱板１４２を厚み方向に貫通する昇降ピン１５１が設けられている。昇降ピン１５１は、シリンダなどの昇降駆動部１５２により昇降自在であり、熱板１４２の上面に突出して後述する冷却板１７０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
熱板収容部１４１は、例えば図６に示すように熱板１４２を収容して熱板１４２の外周部を保持する環状の保持部材１６０と、その保持部材１６０の外周を囲む略筒状のサポートリング１６１を有している。
加熱部１３１に隣接する冷却部１３２には、例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板１７０が設けられている。冷却板１７０は、例えば図７に示すように略方形の平板形状を有し、加熱部１３１側の端面が円弧状に湾曲している。冷却板１７０の内部には、例えばペルチェ素子などの図示しない冷却部材が内蔵されており、冷却板１７０を所定の設定温度に調整できる。
冷却板１７０は、例えば図６に示すように支持アーム１７１に支持され、その支持アーム１７１は、加熱部１３１側のＸ方向に向かって延伸するレール１７２に取付けられている。冷却板１７０は、支持アーム１７１に取り付けられた駆動機構１７３によりレール１７２上を移動できる。これにより、冷却板１７０は、加熱部１３１側の熱板１４２の上方まで移動できる。
冷却板１７０には、例えば図７のＸ方向に沿った２本のスリット１７４が形成されている。スリット１７４は、冷却板１７０の加熱部１３１側の端面から冷却板１７０の中央部付近まで形成されている。このスリット１７４により、加熱部１３１側に移動した冷却板１７０と、熱板１４２上の昇降ピン１５１との干渉が防止される。図６に示すように冷却部１３２内に位置する冷却板１７０の下方には、昇降ピン１７５が設けられている。昇降ピン１７５は、昇降駆動部１７６によって昇降できる。昇降ピン１７５は、冷却板１７０の下方から上昇してスリット１７４を通過し、冷却板１７０の上方に突出して、例えば搬入出口１３３から筐体１３０の内部に進入するウェハ搬送ユニット７０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
次に、熱板１４２の構成について詳述する。図８は、熱板１４２の構成の概略を示す平面図である。熱板１４２は、図８に示すように、複数、例えば５個の熱板領域（以下、「チャンネル」と言うことがある。）Ｒ１～Ｒ５に区画されている。熱板１４２は、例えば平面から見て中心部に位置して円形のチャンネルＲ１と、そのチャンネルＲ１の周囲を円弧状に４等分したチャンネルＲ２～Ｒ５とに区画されている。
熱板１４２の各チャンネルＲ１～Ｒ５には、ヒータ１８０が個別に内蔵され、チャンネルＲ１～Ｒ５毎に個別に加熱できる。各チャンネルＲ１～Ｒ５のヒータ１８０の発熱量は、例えば温度制御部１８１により調整されている。温度制御部１８１は、各ヒータ１８０の発熱量を調整して、各チャンネルＲ１～Ｒ５の温度を所定の設定温度に制御できる。温度制御部１８１における温度設定は、制御部６により行われる。
次に、欠陥検査ユニット６１の構成について説明する。図９及び図１０はそれぞれ、欠陥検査ユニット６１の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。欠陥検査ユニット６１は、図９及び図１０に示すようにケーシング１９０を有している。ケーシング１９０内には、ウェハＷを載置する載置台２００が設けられている。この載置台２００は、モータなどの回転駆動部２０１によって、回転、停止が自在である。ケーシング１９０の底面には、ケーシング１９０内の一端側（図１０中のＸ方向負方向側）から他端側（図１０中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール２０２が設けられている。載置台２００と回転駆動部２０１は、ガイドレール２０２上に設けられ、駆動部２０３によってガイドレール２０２に沿って移動できる。
ケーシング１９０内の他端側（図１０のＸ方向正方向側）の側面には、撮像部２１０が設けられている。撮像部２１０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられている。
ケーシング１９０の上部中央付近には、ハーフミラー２１１が設けられている。ハーフミラー２１１は、撮像部２１０と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態から撮像部２１０の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられている。ハーフミラー２１１の上方には、照明部２１２が設けられている。ハーフミラー２１１と照明部２１２は、ケーシング１９０内部の上面に固定されている。照明部２１２からの照明は、ハーフミラー２１１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、照明部２１２の下方にある物体によって反射した光は、ハーフミラー２１１でさらに反射して、撮像部２１０に取り込まれる。すなわち、撮像部２１０は、照明部２１２による照射領域にある物体を撮像することができる。
次に、基板処理装置１を用いたウェハ処理について説明する。
基板処理装置１を用いたウェハ処理では、先ず、ウェハ搬送ユニット２１によって、カセット載置台１２上のカセットＣからウェハＷが取り出され、処理ステーション３の受け渡しユニット５０に搬送される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送ユニット７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト塗布ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理ユニット４０に搬送され、プリベーク処理（ＰＡＢ：Pre-Applied Bake）される。なお、プリベーク処理や後段のＰＥＢ処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理ユニット４０は互いに異なる。
その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４１に搬送され、周辺露光処理される。
次にウェハＷは、露光装置４に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
次にウェハＷは、露光装置４に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
次にウェハＷは、熱処理ユニット４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理ユニット３０に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される。そして、ウェハＷは、欠陥検査ユニット６１に搬送され、ウェハＷの欠陥検査が行われる。欠陥検査では、傷、異物の付着があるかどうか等の検査が行われる。その後、ウェハＷはカセット載置台１２上のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
続いて、ＰＥＢ処理の処理結果をウェハ面内で均一にするための、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理について、図１１及び図１２を用いて説明する。図１１は、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理を説明するためのフローチャートである。図１２は、温度分布推定方法の概念図である。以下の例では、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理において、ＰＥＢ処理時の熱板１４２の各チャンネルＲ１～Ｒ５の設定温度を調整する。なお、上記調整処理は、例えば、基板処理装置１を導入する際や、基板処理装置１のメンテナンスの際等に行われる。
（搬入工程）
ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理では、図１１に示すように、まず、調整用のウェハＷ（以下、「調整用ウェハＷ」という。）が搬入される（ステップＳ１）。具体的には、当該調整処理に際し、作業者により、調整用ウェハＷが収容されたカセットＣがカセット載置台１２に載置されるため、当該カセットＣから調整用ウェハＷが取り出され、次工程のためにレジスト塗布ユニットに搬送される。なお、調整用ウェハＷは、ベアウェハである。
ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理では、図１１に示すように、まず、調整用のウェハＷ（以下、「調整用ウェハＷ」という。）が搬入される（ステップＳ１）。具体的には、当該調整処理に際し、作業者により、調整用ウェハＷが収容されたカセットＣがカセット載置台１２に載置されるため、当該カセットＣから調整用ウェハＷが取り出され、次工程のためにレジスト塗布ユニットに搬送される。なお、調整用ウェハＷは、ベアウェハである。
（レジスト膜形成工程）
次いで、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（ステップＳ２）。具体的には、レジスト塗布ユニット３１において、予め定められた塗布処理条件で、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
次いで、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（ステップＳ２）。具体的には、レジスト塗布ユニット３１において、予め定められた塗布処理条件で、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
（ＰＡＢ処理工程）
その後、調整用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、レジスト膜が形成された調整用ウェハＷが、ＰＡＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送され、予め定められたＰＡＢ処理条件で、ＰＡＢ処理が行われる。
その後、調整用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、レジスト膜が形成された調整用ウェハＷが、ＰＡＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送され、予め定められたＰＡＢ処理条件で、ＰＡＢ処理が行われる。
（露光前撮像工程）
次いで、レジスト膜が形成され、且つ、後述の均一露光処理前の、調整用ウェハＷの撮像が行われる（ステップＳ４）。具体的には、ＰＡＢ処理が行われた調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像される。そして、図１２に示すように、撮像結果Ｆ１におけるウェハＷが例えば４３７個の領域に分割され、各領域において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの輝度値の平均値が算出される。そして、領域（ピクセル）それぞれについて、当該領域の座標と、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの輝度値の平均値とを対応付けたテーブルが作成される。そして、作成されたテーブルに基づいてＲ、Ｇ、Ｂそれぞれについて撮像画像（以下、「露光前撮像画像」という。）Ｉ１が取得される。
次いで、レジスト膜が形成され、且つ、後述の均一露光処理前の、調整用ウェハＷの撮像が行われる（ステップＳ４）。具体的には、ＰＡＢ処理が行われた調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像される。そして、図１２に示すように、撮像結果Ｆ１におけるウェハＷが例えば４３７個の領域に分割され、各領域において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの輝度値の平均値が算出される。そして、領域（ピクセル）それぞれについて、当該領域の座標と、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの輝度値の平均値とを対応付けたテーブルが作成される。そして、作成されたテーブルに基づいてＲ、Ｇ、Ｂそれぞれについて撮像画像（以下、「露光前撮像画像」という。）Ｉ１が取得される。
（均一露光工程）
撮像画像の取得後、調整用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる（ステップＳ５）。具体的には、ステップＳ４の露光前撮像工程で撮像された調整用ウェハＷが、露光装置４に搬送され、ウェハ表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われる。露光装置４では、均一露光処理の際、例えば、露光領域毎に、レチクルを用いずに、同じ露光強度且つ同じ露光時間で、露光が行われる。また、均一露光処理におけるウェハ表面の各領域の露光量は、実処理時すなわちレジストパターンの量産時の露光量未満であり、具体的には、実処理時の露光量の１／２とされる。
撮像画像の取得後、調整用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる（ステップＳ５）。具体的には、ステップＳ４の露光前撮像工程で撮像された調整用ウェハＷが、露光装置４に搬送され、ウェハ表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われる。露光装置４では、均一露光処理の際、例えば、露光領域毎に、レチクルを用いずに、同じ露光強度且つ同じ露光時間で、露光が行われる。また、均一露光処理におけるウェハ表面の各領域の露光量は、実処理時すなわちレジストパターンの量産時の露光量未満であり、具体的には、実処理時の露光量の１／２とされる。
（ＰＥＢ処理工程）
均一露光工程後、調整用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる（ステップＳ６）。具体的には、均一露光処理が行われた調整用ウェハＷが、処理条件の調整対象の、ＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送され、現在設定されているＰＥＢ処理条件で、ＰＥＢ処理が行われる。
均一露光工程後、調整用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる（ステップＳ６）。具体的には、均一露光処理が行われた調整用ウェハＷが、処理条件の調整対象の、ＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送され、現在設定されているＰＥＢ処理条件で、ＰＥＢ処理が行われる。
（ＰＥＢ後撮像工程）
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ７）。具体的には、ＰＥＢ処理が行われ未現像の調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像される。このとき、未現像であるため、撮像部２１０により撮像されるのは、レジストパターンではなくウェハＷ上のレジスト膜に形成された潜像である。そして、撮像結果Ｆ２に基づいて、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれについて撮像画像（以下、「ＰＥＢ後撮像画像」という。）Ｉ２が取得される。
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ７）。具体的には、ＰＥＢ処理が行われ未現像の調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像される。このとき、未現像であるため、撮像部２１０により撮像されるのは、レジストパターンではなくウェハＷ上のレジスト膜に形成された潜像である。そして、撮像結果Ｆ２に基づいて、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれについて撮像画像（以下、「ＰＥＢ後撮像画像」という。）Ｉ２が取得される。
（温度分布推定工程）
次に、制御部６は、露光前撮像工程での撮像結果と、ＰＥＢ後撮像工程での撮像結果とに基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する（ステップＳ８）。具体的には、制御部６は、露光前撮像工程で取得された露光前撮像画像Ｉ１の色情報と、ＰＥＢ後撮像画像Ｉ２の色情報とに基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する。なお、色情報とは、特定の波長（色）の輝度情報である。
より具体的には、制御部６は、まず、露光前撮像工程で取得されたＲ、Ｇ及びＢの露光前撮像画像Ｉ１と、ＰＥＢ後撮像工程で取得されたＲ、Ｇ及びＢのＰＥＢ後撮像画像Ｉ２と、に対し、それぞれシェーディング補正Ｓｈを行う。シェーディング補正Ｓｈにより、撮像条件（撮像素子の感度、光学系、載置台２００の移動速度等）に起因する輝度ムラを除去することができる。
続いて、制御部６は、Ｒ、Ｇ及びＢ毎、且つ、撮像画像におけるピクセル毎に、シェーディング補正された露光前撮像画像Ｉ１´とＰＥＢ後撮像画像Ｉ２´とで、輝度値の差分Δを算出する。
そして、制御部６は、Ｒについての上記差分Δｒと温度との関係を示す検量線Ｌｒと、ピクセル毎に算出されたＲについての上記差分Δｒから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒを取得する。
また、制御部６は、Ｇについての上記差分Δｇと温度との関係を示す検量線Ｌｇと、ピクセル毎に算出されたＧについての上記差分Δｇから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｇを取得する。
さらに制御部６は、Ｂについての上記差分Δｂと温度との関係を示す検量線Ｌｂと、ピクセル毎に算出されたＢについての上記差分Δｂから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｂを取得する。
なお、上記検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂは予め取得されている。その取得方法については後述する。
また、制御部６は、取得された３つのＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂから１つ選択する。例えば、レジスト膜の膜厚に応じた波長すなわち色についての撮像画像に基づいて取得された、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布が選択される。より具体的には、レジスト膜が厚いときは波長が長いＲの撮像画像に基づいて取得された面内温度分布Ｐｒが選択され、レジスト膜が薄いときは波長が短いＢの撮像画像に基づいて取得された面内温度分布Ｐｂが選択される。つまり、制御部６は、レジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する。なお、上述のようにレジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて取得された、上記面内温度分布を選択する場合、他の波長についての撮像画像に基づく面内温度分布の取得は省略してもよい。
次に、制御部６は、露光前撮像工程での撮像結果と、ＰＥＢ後撮像工程での撮像結果とに基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する（ステップＳ８）。具体的には、制御部６は、露光前撮像工程で取得された露光前撮像画像Ｉ１の色情報と、ＰＥＢ後撮像画像Ｉ２の色情報とに基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する。なお、色情報とは、特定の波長（色）の輝度情報である。
より具体的には、制御部６は、まず、露光前撮像工程で取得されたＲ、Ｇ及びＢの露光前撮像画像Ｉ１と、ＰＥＢ後撮像工程で取得されたＲ、Ｇ及びＢのＰＥＢ後撮像画像Ｉ２と、に対し、それぞれシェーディング補正Ｓｈを行う。シェーディング補正Ｓｈにより、撮像条件（撮像素子の感度、光学系、載置台２００の移動速度等）に起因する輝度ムラを除去することができる。
続いて、制御部６は、Ｒ、Ｇ及びＢ毎、且つ、撮像画像におけるピクセル毎に、シェーディング補正された露光前撮像画像Ｉ１´とＰＥＢ後撮像画像Ｉ２´とで、輝度値の差分Δを算出する。
そして、制御部６は、Ｒについての上記差分Δｒと温度との関係を示す検量線Ｌｒと、ピクセル毎に算出されたＲについての上記差分Δｒから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒを取得する。
また、制御部６は、Ｇについての上記差分Δｇと温度との関係を示す検量線Ｌｇと、ピクセル毎に算出されたＧについての上記差分Δｇから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｇを取得する。
さらに制御部６は、Ｂについての上記差分Δｂと温度との関係を示す検量線Ｌｂと、ピクセル毎に算出されたＢについての上記差分Δｂから、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｂを取得する。
なお、上記検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂは予め取得されている。その取得方法については後述する。
また、制御部６は、取得された３つのＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂから１つ選択する。例えば、レジスト膜の膜厚に応じた波長すなわち色についての撮像画像に基づいて取得された、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布が選択される。より具体的には、レジスト膜が厚いときは波長が長いＲの撮像画像に基づいて取得された面内温度分布Ｐｒが選択され、レジスト膜が薄いときは波長が短いＢの撮像画像に基づいて取得された面内温度分布Ｐｂが選択される。つまり、制御部６は、レジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する。なお、上述のようにレジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて取得された、上記面内温度分布を選択する場合、他の波長についての撮像画像に基づく面内温度分布の取得は省略してもよい。
（熱処理条件決定工程）
温度分布推定工程後、制御部６は、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布の推定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定する（ステップＳ９）。
具体的には、制御部６は、温度分布推定工程において選択された、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定する。例えば、制御部６は、以下の式（１）に基づいて、熱板１４２のチャンネルＲ１～Ｒ５それぞれの設定温度を決定し、より具体的には、レジスト膜種毎に定められた基準温度からのずれ量（オフセット量）を熱板１４２のチャンネル毎に決定する。
温度分布推定工程後、制御部６は、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布の推定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定する（ステップＳ９）。
具体的には、制御部６は、温度分布推定工程において選択された、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定する。例えば、制御部６は、以下の式（１）に基づいて、熱板１４２のチャンネルＲ１～Ｒ５それぞれの設定温度を決定し、より具体的には、レジスト膜種毎に定められた基準温度からのずれ量（オフセット量）を熱板１４２のチャンネル毎に決定する。
なお、式（１）において、Ｏは、熱板１４２の各チャンネルのオフセット量を示す行列、Ｔは、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を示す行列、Ａは変換行列である。
上述の式（１）等を用いることにより、調整用ウェハＷにおいて、推定されたＰＥＢ処理時の温度が基準温度より低い領域に対応するチャネルはオフセット量が増加するように、且つ、推定されたＰＥＢ処理時の温度が基準温度より高い領域に対応するオフセット量が低下するように、ＰＥＢ処理の処理条件は決定される。
決定された、ＰＥＢ処理の処理条件は、記憶部（図示せず）に記憶され、その後の実処理時等におけるＰＥＢ処理で用いられる。
上述の式（１）等を用いることにより、調整用ウェハＷにおいて、推定されたＰＥＢ処理時の温度が基準温度より低い領域に対応するチャネルはオフセット量が増加するように、且つ、推定されたＰＥＢ処理時の温度が基準温度より高い領域に対応するオフセット量が低下するように、ＰＥＢ処理の処理条件は決定される。
決定された、ＰＥＢ処理の処理条件は、記憶部（図示せず）に記憶され、その後の実処理時等におけるＰＥＢ処理で用いられる。
（除去工程）
また、調整用ウェハＷに形成されたレジスト膜の除去処理が行われる（ステップＳ１０）。具体的には、ＰＥＢ後撮像工程で撮像された調整用ウェハＷが、除去部としてのレジスト塗布ユニット３１に搬送され、シンナー液を吐出する吐出ノズル（図示せず）からシンナー液を調整用ウェハＷに供給し、当該調整用ウェハＷ上のレジスト膜が剥離される。なお、除去処理用のユニットをレジスト塗布ユニット３１等とは別に設けてもよい。
また、調整用ウェハＷに形成されたレジスト膜の除去処理が行われる（ステップＳ１０）。具体的には、ＰＥＢ後撮像工程で撮像された調整用ウェハＷが、除去部としてのレジスト塗布ユニット３１に搬送され、シンナー液を吐出する吐出ノズル（図示せず）からシンナー液を調整用ウェハＷに供給し、当該調整用ウェハＷ上のレジスト膜が剥離される。なお、除去処理用のユニットをレジスト塗布ユニット３１等とは別に設けてもよい。
（除去後撮像工程）
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ１１）。具体的には、レジスト膜が除去された調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像され、ウェハ表面の状態を示す基板画像が取得される。
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ１１）。具体的には、レジスト膜が除去された調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像され、ウェハ表面の状態を示す基板画像が取得される。
（再利用判定工程）
次に、制御部６は、除去後撮像工程で取得された基板画像に基づいて、調整用ウェハＷが再利用可能であるか否か判定する（ステップＳ１２）。具体的には、制御部６は、除去撮像工程で取得された調整用ウェハＷの基板画像と、予め取得された未処理状態のベアウェハの基板画像とを比較し、比較結果に基づいて、調整用ウェハＷが再利用可能であるか否か判定する。
次に、制御部６は、除去後撮像工程で取得された基板画像に基づいて、調整用ウェハＷが再利用可能であるか否か判定する（ステップＳ１２）。具体的には、制御部６は、除去撮像工程で取得された調整用ウェハＷの基板画像と、予め取得された未処理状態のベアウェハの基板画像とを比較し、比較結果に基づいて、調整用ウェハＷが再利用可能であるか否か判定する。
（報知工程）
再利用可能でない場合（ステップＳ１２、ＮＯの場合）、制御部６は、再利用不可である旨の報知を行わせる（ステップＳ１３）。具体的には、制御部６は、例えば、調整用ウェハＷが再利用不可である旨の警告を表示部（図示せず）に表示させる。
再利用可能でない場合（ステップＳ１２、ＮＯの場合）、制御部６は、再利用不可である旨の報知を行わせる（ステップＳ１３）。具体的には、制御部６は、例えば、調整用ウェハＷが再利用不可である旨の警告を表示部（図示せず）に表示させる。
（搬出工程）
再利用可能である場合（ステップＳ１２、ＹＥＳの場合）、または、ステップＳ１１の報知工程後、制御部６は、調整用ウェハＷを搬出させる（ステップＳ１４）。具体的には、調整用ウェハＷが、ウェハ搬送ユニット２１によって、カセット載置台１２上の元のカセットＣへ戻される。なお、再利用可能でない場合は、別途カセット載置台１２上に載置された廃棄用のカセットＣに調整用ウェハが搬送されるようにしてもよい。
これにより、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理は完了する。
上述のＰＥＢ処理の処理条件の調整処理が完了した後の実処理では、当該調整処理により決定された処理条件でＰＥＢ処理が行われる。
再利用可能である場合（ステップＳ１２、ＹＥＳの場合）、または、ステップＳ１１の報知工程後、制御部６は、調整用ウェハＷを搬出させる（ステップＳ１４）。具体的には、調整用ウェハＷが、ウェハ搬送ユニット２１によって、カセット載置台１２上の元のカセットＣへ戻される。なお、再利用可能でない場合は、別途カセット載置台１２上に載置された廃棄用のカセットＣに調整用ウェハが搬送されるようにしてもよい。
これにより、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理は完了する。
上述のＰＥＢ処理の処理条件の調整処理が完了した後の実処理では、当該調整処理により決定された処理条件でＰＥＢ処理が行われる。
続いて、前述の検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂの取得方法について図１３を用いて説明する。図１３は、検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂの取得方法を説明するためのフローチャートである。
検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂの取得に際し、例えば、まず、複数のＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０のうち、検量線取得のために使用されるものが、ユーザ入力等に応じて決定される（ステップＳ２１）。
（搬入工程）
次いで、検量線取得用のウェハＷ（以下、「検量線取得用ウェハＷ」という。）が、ステップＳ１と同様に搬入される。なお、検量線取得用ウェハＷは、ベアウェハである。
次いで、検量線取得用のウェハＷ（以下、「検量線取得用ウェハＷ」という。）が、ステップＳ１と同様に搬入される。なお、検量線取得用ウェハＷは、ベアウェハである。
（レジスト膜形成工程）
次いで、ステップＳ２と同様に、検量線取得用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
次いで、ステップＳ２と同様に、検量線取得用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
（ＰＡＢ処理工程）
その後、ステップＳ３と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる。
その後、ステップＳ３と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる。
（露光前撮像工程）
次いで、ステップＳ４と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。
次いで、ステップＳ４と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。
（均一露光工程）
次いで、ステップＳ５と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。
次いで、ステップＳ５と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。
（ＰＥＢ処理工程）
均一露光工程後、ステップＳ６と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。なお、ＰＥＢ処理はステップＳ２１で決定された熱処理ユニット４０で行われる。
均一露光工程後、ステップＳ６と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。なお、ＰＥＢ処理はステップＳ２１で決定された熱処理ユニット４０で行われる。
（ＰＥＢ後撮像工程）
次いで、ステップＳ７と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。
次いで、ステップＳ７と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。
（搬出工程）
そして、ステップＳ１４と同様に、検量線取得用ウェハＷが搬出される。
そして、ステップＳ１４と同様に、検量線取得用ウェハＷが搬出される。
上述のステップＳ１の搬入工程からステップＳ１４の搬出工程までの各工程が複数枚（Ｎ枚）の検量線取得用ウェハＷそれぞれに対し行われる。ただし、検量線取得用ウェハＷ毎に、ＰＥＢ処理工程での熱板１４２の温度が異なる。なお、熱板１４２のチャンネルＲ１～Ｒ５それぞれの温度は共通である。
（検量線算出工程）
そして、複数枚の検量線取得用ウェハＷについての、露光前撮像工程で取得された撮像画像と、ＰＥＢ後撮像工程で取得された撮像画像とに基づいて、検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂが算出される。具体的には、検量線Ｌｒの場合、まず、露光前撮像工程での撮像画像におけるウェハ面内での平均のＲ輝度をグレー値Ｉｒ１と、ＰＥＢ後撮像工程の撮像画像におけるウェハ面内での平均のＲ輝度をグレー値Ｉｒ２とし、ＰＥＢ処理工程での熱板１４２の温度毎に、グレー値変化量ΔＩｒ（＝Ｉｒ２－Ｉｒ１）が算出される。そして、説明変数をグレー値変化量、目的変数をＰＥＢ処理工程での熱板１４２の温度として、グレー値変化量に対する上記熱板１４２の温度の近似曲線が取得され、これが検量線Ｌｒとされる。
検量線Ｌｇ、Ｌｂの場合も検量線Ｌｒと同様に取得される。
そして、複数枚の検量線取得用ウェハＷについての、露光前撮像工程で取得された撮像画像と、ＰＥＢ後撮像工程で取得された撮像画像とに基づいて、検量線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂが算出される。具体的には、検量線Ｌｒの場合、まず、露光前撮像工程での撮像画像におけるウェハ面内での平均のＲ輝度をグレー値Ｉｒ１と、ＰＥＢ後撮像工程の撮像画像におけるウェハ面内での平均のＲ輝度をグレー値Ｉｒ２とし、ＰＥＢ処理工程での熱板１４２の温度毎に、グレー値変化量ΔＩｒ（＝Ｉｒ２－Ｉｒ１）が算出される。そして、説明変数をグレー値変化量、目的変数をＰＥＢ処理工程での熱板１４２の温度として、グレー値変化量に対する上記熱板１４２の温度の近似曲線が取得され、これが検量線Ｌｒとされる。
検量線Ｌｇ、Ｌｂの場合も検量線Ｌｒと同様に取得される。
以上のように、本実施形態にかかるＰＥＢ処理条件の調整処理は、レジスト膜が形成された、均一露光処理前の調整用ウェハＷの撮像を行う露光前撮像工程と、露光前撮像工程の後、均一露光処理が行われた調整用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理を行うＰＥＢ処理工程と、ＰＥＢ処理された調整用ウェハＷを撮像するＰＥＢ後撮像工程と、露光前撮像工程での撮像結果と、ＰＥＢ後撮像工程での撮像結果とに基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハの面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、調整用ウェハの面内温度分布の推定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定するＰＥＢ処理条件決定工程と、を含む。したがって、本実施形態では、レジストパターンの線幅の面内温度分布ではなく、現在設定されている処理条件でＰＥＢ処理を実際に行い、その処理後の撮像結果から推定される調整用ウェハＷの面内温度分布に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件を決定している。そのため、本実施形態によれば、ＰＥＢ処理を、その処理結果（すなわちウェハＷの温度）がウェハ面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
また、本実施形態によれば、ＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０それぞれについて、ウェハ面内においてウェハＷの温度を、レジスト膜種毎に設定されている基準温度で、均一にすることができる。したがって、ＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０間でのウェハＷの温度のばらつきを抑えることができる。
さらに、本実施形態では、制御部６が、上述のように、取得した３つのＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂから、レジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて取得された、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を選択する。つまり、制御部６が、レジスト膜の膜厚に応じた１つの波長についての撮像画像に基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定する。したがって、ＰＥＢ処理時の面内温度分布をより正確に推定することができ、ＰＥＢ処理結果をウェハ面内でより均一にすることができる。
なお、制御部６が、３つのＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂから１つ選択する際、以下のようにしてもよい。例えば、熱板１４２に対して温度センサを設けておき、当該温度センサでの測定結果と、当該温度センサの配設位置に対応するピクセルの推定温度とが最も近い面内温度分布が選択されるようにしてもよい。
また、制御部６が、以下の式（２）を用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての撮像画像に基づいて、１つのＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定するようにしてもよい。
温度感度行列に膜厚依存性がある場合は、制御部６が、以下の式（３）を用いてＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を推定するようにしてもよい。
さらにまた、本実施形態では、均一露光処理におけるウェハ表面の各領域の露光量を、実処理時の露光量未満で、例えば１／２とされる。そのため、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理の際に、ＰＥＢ処理を行ったときに、ＰＥＢ処理結果の相違によって、ＰＥＢ処理前後でのレジスト膜の膜厚の変化量が大きくなる。その結果、ＰＥＢ処理結果の相違によって、ＰＥＢ処理前後での、撮像画像における輝度の変化量が大きくなる。つまり、ＰＥＢ処理結果の相違がわずかであっても、露光前撮像画像とＰＥＢ後撮像画像との間の輝度の差は大きくなる。したがって、露光前撮像画像とＰＥＢ後撮像画像に基づいて、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布を高精度に推定することができる。なお、実処理時の露光量の１／２は、レジストパターンのエッジ部分に照射される露光量に相当する。
また、本実施形態では、除去後撮像工程で取得された基板画像に基づいて、レジスト膜が除去された調整用ウェハＷが再利用可能であるか否か判定している。したがって、処理条件の調整精度を損なわずに、調整用ウェハＷの消費量を抑えることができる。
なお、本実施形態では、調整用ウェハＷとしてベアウェハを用いている。したがって、ＰＥＢ処理の処理条件を適切に決定することができる。
（第２実施形態）
図１４は、第２実施形態にかかる処理条件の調整処理を説明するためのフローチャートである。
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件を調整したのに対し、本実施形態では、現像処理の処理条件を調整する。現像処理の処理条件の調整処理は、例えば、ＰＥＢ処理の処理条件の調整後に続いて行われる。なお、ＰＥＢ処理の処理条件の調整が前述のように基板処理装置１を導入する際等に行われるため、現像処理の処理条件の調整処理も、同タイミングで行われることとなる。ただし、ＰＥＢ処理の処理条件の調整を行わずに、現像処理の処理条件の調整処理を行うことは可能ではある。
図１４は、第２実施形態にかかる処理条件の調整処理を説明するためのフローチャートである。
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件を調整したのに対し、本実施形態では、現像処理の処理条件を調整する。現像処理の処理条件の調整処理は、例えば、ＰＥＢ処理の処理条件の調整後に続いて行われる。なお、ＰＥＢ処理の処理条件の調整が前述のように基板処理装置１を導入する際等に行われるため、現像処理の処理条件の調整処理も、同タイミングで行われることとなる。ただし、ＰＥＢ処理の処理条件の調整を行わずに、現像処理の処理条件の調整処理を行うことは可能ではある。
（搬入工程）
現像処理の処理条件の調整処理では、まず、前述のステップＳ１と同様に、調整用ウェハＷが搬入される。
現像処理の処理条件の調整処理では、まず、前述のステップＳ１と同様に、調整用ウェハＷが搬入される。
（レジスト膜形成工程）
次いで、前述のステップＳ２と同様に、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
次いで、前述のステップＳ２と同様に、調整用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
（ＰＡＢ処理工程）
その後、前述のステップＳ３と同様に、調整用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる（ステップＳ３）。
その後、前述のステップＳ３と同様に、調整用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる（ステップＳ３）。
（均一露光工程）
次いで、前述のステップＳ５と同様に、調整用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。現像処理の処理条件の調整処理でも、均一露光処理における、ウェハ表面の各領域の露光量は、実処理時の露光量未満で、例えば１／２とされる。
次いで、前述のステップＳ５と同様に、調整用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。現像処理の処理条件の調整処理でも、均一露光処理における、ウェハ表面の各領域の露光量は、実処理時の露光量未満で、例えば１／２とされる。
（ＰＥＢ処理工程）
均一露光工程後、前述のステップＳ６と同様に、調整用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。ただし、ＰＥＢ処理の処理条件の調整後であれば、調整後のＰＥＢ処理条件でＰＥＢ処理が行われる。
均一露光工程後、前述のステップＳ６と同様に、調整用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。ただし、ＰＥＢ処理の処理条件の調整後であれば、調整後のＰＥＢ処理条件でＰＥＢ処理が行われる。
（現像処理工程）
その後、調整用ウェハＷに対し、現像処理が行われる（ステップＳ３１）。具体的には、ＰＥＢ処理が行われた調整用ウェハＷが、処理条件の調整対象の、現像処理ユニット３０に搬送され、現在設定されている現像処理条件で、現像処理が行われる。
その後、調整用ウェハＷに対し、現像処理が行われる（ステップＳ３１）。具体的には、ＰＥＢ処理が行われた調整用ウェハＷが、処理条件の調整対象の、現像処理ユニット３０に搬送され、現在設定されている現像処理条件で、現像処理が行われる。
（現像後撮像工程）
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ３２）。具体的には、現像処理が行われた調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像され、撮像画像（以下、「現像後撮像画像」という。）Ｉ３が取得される。
次いで、調整用ウェハＷの撮像が再度行われる（ステップＳ３２）。具体的には、現像処理が行われた調整用ウェハＷが、欠陥検査ユニット６１に搬送され、その表面が撮像部２１０により撮像され、撮像画像（以下、「現像後撮像画像」という。）Ｉ３が取得される。
（残膜厚量分布推定工程）
次に、制御部６は、現像後撮像工程での撮像結果に基づいて、調整用ウェハＷにおける、現像処理後のレジスト膜の膜厚（以下、「レジスト膜の残膜厚量」という。）の面内分布を推定する（ステップＳ３３）。
具体的には、制御部６は、Ｂ（青）についての現像後撮像画像Ｉ３の色情報に基づいて、調整用ウェハＷのレジスト膜の残膜厚量の面内分布を算出すなわち推定する。
より具体的には、制御部６は、Ｂについての現像後撮像画像Ｉ３におけるピクセル毎に、輝度と、予め取得された検量線Ｌｄｅｖとに基づいて、レジスト膜の残膜厚量を算出し、上記残膜厚量の面内分布を取得する。
なお、検量線Ｌｄｅｖは、Ｂについての現像後撮像画像Ｉ３における輝度とレジスト膜の残膜厚量との関係を示すものである。検量線Ｌｄｅｖの取得方法については後述する。
ここでは、Ｂについての撮像画像に基づいて上記残膜厚量の面内分布を算出していたが、Ｇについての撮像画像や、Ｒについての撮像画像に基づいて上記残膜厚量の面内分布を算出してもよい。また、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布の推定と同様、レジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて推定するようにしてもよい。
次に、制御部６は、現像後撮像工程での撮像結果に基づいて、調整用ウェハＷにおける、現像処理後のレジスト膜の膜厚（以下、「レジスト膜の残膜厚量」という。）の面内分布を推定する（ステップＳ３３）。
具体的には、制御部６は、Ｂ（青）についての現像後撮像画像Ｉ３の色情報に基づいて、調整用ウェハＷのレジスト膜の残膜厚量の面内分布を算出すなわち推定する。
より具体的には、制御部６は、Ｂについての現像後撮像画像Ｉ３におけるピクセル毎に、輝度と、予め取得された検量線Ｌｄｅｖとに基づいて、レジスト膜の残膜厚量を算出し、上記残膜厚量の面内分布を取得する。
なお、検量線Ｌｄｅｖは、Ｂについての現像後撮像画像Ｉ３における輝度とレジスト膜の残膜厚量との関係を示すものである。検量線Ｌｄｅｖの取得方法については後述する。
ここでは、Ｂについての撮像画像に基づいて上記残膜厚量の面内分布を算出していたが、Ｇについての撮像画像や、Ｒについての撮像画像に基づいて上記残膜厚量の面内分布を算出してもよい。また、ＰＥＢ処理時の調整用ウェハＷの面内温度分布の推定と同様、レジスト膜の膜厚に応じた波長についての撮像画像に基づいて推定するようにしてもよい。
（現像処理条件決定工程）
残膜厚量分布推定工程後、制御部６は、レジスト膜の残膜厚量の面内分布の推定結果に基づいて、現像処理の処理条件を決定する（ステップＳ３４）。
具体的には、制御部６は、例えば、調整用ウェハＷ上のレジスト膜の残膜厚量の面内分布に基づいて、現像処理の処理条件としての現像液の供給時間を決定し補正する。
より具体的には、制御部６は、調整用ウェハＷにおいて、レジスト膜の残膜厚量がウェハ中央部では目標量に近く適正でありウェハ外周部では目標量より大きい場合、ウェハ外周部への現像液の供給が追加されるよう、現像処理の処理条件を決定する。ウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔは、例えば、現像液の供給時間と残膜厚量との関係を示す補正曲線Ｌａｍｄから、算出される。
なお、上記補正曲線Ｌａｍｄは予め取得されている。その取得方法については後述する。
このように、ウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔを設定することにより、ウェハ外周部におけるレジスト膜の残膜厚量も目標量に近い適正な値にすることができる。
なお、算出されたウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔ、すなわち、決定された現像処理の処理条件は、記憶部（図示せず）に記憶され、その後の実処理時等における現像処理で用いられる。
残膜厚量分布推定工程後、制御部６は、レジスト膜の残膜厚量の面内分布の推定結果に基づいて、現像処理の処理条件を決定する（ステップＳ３４）。
具体的には、制御部６は、例えば、調整用ウェハＷ上のレジスト膜の残膜厚量の面内分布に基づいて、現像処理の処理条件としての現像液の供給時間を決定し補正する。
より具体的には、制御部６は、調整用ウェハＷにおいて、レジスト膜の残膜厚量がウェハ中央部では目標量に近く適正でありウェハ外周部では目標量より大きい場合、ウェハ外周部への現像液の供給が追加されるよう、現像処理の処理条件を決定する。ウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔは、例えば、現像液の供給時間と残膜厚量との関係を示す補正曲線Ｌａｍｄから、算出される。
なお、上記補正曲線Ｌａｍｄは予め取得されている。その取得方法については後述する。
このように、ウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔを設定することにより、ウェハ外周部におけるレジスト膜の残膜厚量も目標量に近い適正な値にすることができる。
なお、算出されたウェハ外周部への現像液の追加供給時間の長さΔｔ、すなわち、決定された現像処理の処理条件は、記憶部（図示せず）に記憶され、その後の実処理時等における現像処理で用いられる。
また、前述のステップＳ１０～ステップＳ１４と同様な工程が行われ、これにより、現像処理の処理条件の調整処理は完了する。
続いて、前述の検量線Ｌｄｅｖ及び補正曲線Ｌａｍｄの取得方法について図１５を用いて説明する。図１５は、検量線Ｌｄｅｖ及び補正曲線Ｌａｍｄの取得方法を説明するためのフローチャートである。
検量線Ｌｄｅｖの取得に際し、まず、複数の現像処理ユニット３０のうち、検量線及び補正曲線取得のために使用されるものが、ユーザ入力等に応じて決定される（ステップＳ４１）。
（搬入工程）
次いで、検量線及び補正曲線取得用のウェハＷ（以下、「検量線取得用ウェハＷ」という。）が、ステップＳ１と同様に搬入される。なお、この検量線取得用ウェハＷも、ベアウェハである。
次いで、検量線及び補正曲線取得用のウェハＷ（以下、「検量線取得用ウェハＷ」という。）が、ステップＳ１と同様に搬入される。なお、この検量線取得用ウェハＷも、ベアウェハである。
（レジスト膜形成工程）
次いで、ステップＳ２と同様に、検量線取得用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
次いで、ステップＳ２と同様に、検量線取得用ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
（ＰＡＢ処理工程）
その後、ステップＳ３と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる。
その後、ステップＳ３と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が行われる。
（均一露光工程）
次いで、ステップＳ５と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。
次いで、ステップＳ５と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、均一露光処理が行われる。
（ＰＥＢ処理工程）
均一露光工程後、ステップＳ６と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。
均一露光工程後、ステップＳ６と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が行われる。
（現像処理工程）
その後、ステップＳ３１と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、現像処理が行われる。なお、現像処理はステップＳ４１で決定された現像処理ユニット３０で行われ、現像液のスピンコーティング中、現像液は塗布ノズル１２２からウェハ中央部へのみ供給される。
その後、ステップＳ３１と同様に、検量線取得用ウェハＷに対し、現像処理が行われる。なお、現像処理はステップＳ４１で決定された現像処理ユニット３０で行われ、現像液のスピンコーティング中、現像液は塗布ノズル１２２からウェハ中央部へのみ供給される。
（現像後撮像工程）
次いで、ステップＳ３２と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。これにより少なくともＢについての撮像画像が取得される。
次いで、ステップＳ３２と同様に、検量線取得用ウェハＷの撮像が行われる。これにより少なくともＢについての撮像画像が取得される。
（搬出工程）
そして、ステップＳ１４と同様に、検量線取得用ウェハＷが搬出される。
そして、ステップＳ１４と同様に、検量線取得用ウェハＷが搬出される。
（残膜厚量測定工程）
その後、検量線取得用ウェハＷのレジスト膜の残膜厚量が取得される（ステップＳ４２）。具体的には、例えば、ＰＥＢ処理が行われた検量線取得用ウェハＷは、外部の膜厚測定装置（図示せず）に搬送され、ウェハ中央部のレジスト膜の残膜厚量が測定される。なお、残膜厚量の測定は、膜厚測定装置を基板処理装置１に設けておき、当該膜厚測定装置で行うようにしてもよい。
その後、検量線取得用ウェハＷのレジスト膜の残膜厚量が取得される（ステップＳ４２）。具体的には、例えば、ＰＥＢ処理が行われた検量線取得用ウェハＷは、外部の膜厚測定装置（図示せず）に搬送され、ウェハ中央部のレジスト膜の残膜厚量が測定される。なお、残膜厚量の測定は、膜厚測定装置を基板処理装置１に設けておき、当該膜厚測定装置で行うようにしてもよい。
（検量線及び補正曲線算出工程）
そして、複数枚の検量線取得用ウェハＷについての、現像後撮像工程で取得された検量線取得用ウェハＷの撮像画像に基づいて、検量線Ｌｐｅｂ及び補正曲線Ｌａｍｄが算出される（ステップＳ４３）。具体的には、検量線Ｌｐｅｂの場合、説明変数を現像後撮像工程での札号座図におけるＢ輝度、目的変数を残膜厚量測定工程で取得されたレジスト膜の残膜厚量として、Ｂ輝度値変化量に対する上記残膜厚量の近似曲線が取得され、これが検量線Ｌｐｅｂとされる。また、補正曲線Ｌａｍｄの場合、説明変数を現像工程での現像液の供給時間、目的変数を残膜厚量測定工程で取得されたレジスト膜の残膜厚量として、現像液の供給時間に対するレジスト膜の残膜厚量の近似曲線が取得され、これが補正曲線Ｌａｍｄとされる。
そして、複数枚の検量線取得用ウェハＷについての、現像後撮像工程で取得された検量線取得用ウェハＷの撮像画像に基づいて、検量線Ｌｐｅｂ及び補正曲線Ｌａｍｄが算出される（ステップＳ４３）。具体的には、検量線Ｌｐｅｂの場合、説明変数を現像後撮像工程での札号座図におけるＢ輝度、目的変数を残膜厚量測定工程で取得されたレジスト膜の残膜厚量として、Ｂ輝度値変化量に対する上記残膜厚量の近似曲線が取得され、これが検量線Ｌｐｅｂとされる。また、補正曲線Ｌａｍｄの場合、説明変数を現像工程での現像液の供給時間、目的変数を残膜厚量測定工程で取得されたレジスト膜の残膜厚量として、現像液の供給時間に対するレジスト膜の残膜厚量の近似曲線が取得され、これが補正曲線Ｌａｍｄとされる。
以上のように、本実施形態では、現在設定されている処理条件で現像処理を実際に行い、その処理結果から推定される現像処理後のレジスト膜の膜厚の面内分布に基づいて、現像処理の処理条件を決定している。そのため、本実施形態によれば、現像処理を、その処理結果がウェハ面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
また、本実施形態では、均一露光処理におけるウェハ表面の各領域の露光量を、実処理時の露光量未満で、例えば１／２とされる。そのため、現像処理の処理条件の調整処理の際に、現像処理を行ったときに、現像処理結果の相違によって、現像処理後のレジスト膜の膜厚が大きく異なるようになる。その結果、現像処理結果の相違によって、現像処理後の撮像画像における輝度が大きく異なるようになる。つまり、現像処理結果の相違がわずかであっても、現像後撮像画像における輝度は大きく異なってくる。したがって、現像後撮像画像に基づいて、現像処理後のレジスト膜の膜厚の面内分布を高精度に推定することができる。
（第３実施形態）
図１６は、第３実施形態にかかる基板処理装置１ａの内部構成の概略を示す、正面図である。
第１実施形態では、均一露光処理は、基板処理装置１に隣接し、実処理時に露光を行う外部の露光装置４で行っていた。それに対し、本実施形態では、図１６に示すように、基板処理装置１ａが、露光装置４とは独立した露光ユニット６２を有している。そして、露光ユニット６２が、調整用ウェハＷに対し均一露光処理を行う。
この構成により、処理条件の調整処理を、外部の露光装置を用いずに、基板処理装置１内で完結させることができる。
なお、露光ユニット６２は、例えば、第４のブロックＧ４における欠陥検査ユニット６１の上に設けられる。
図１６は、第３実施形態にかかる基板処理装置１ａの内部構成の概略を示す、正面図である。
第１実施形態では、均一露光処理は、基板処理装置１に隣接し、実処理時に露光を行う外部の露光装置４で行っていた。それに対し、本実施形態では、図１６に示すように、基板処理装置１ａが、露光装置４とは独立した露光ユニット６２を有している。そして、露光ユニット６２が、調整用ウェハＷに対し均一露光処理を行う。
この構成により、処理条件の調整処理を、外部の露光装置を用いずに、基板処理装置１内で完結させることができる。
なお、露光ユニット６２は、例えば、第４のブロックＧ４における欠陥検査ユニット６１の上に設けられる。
（第４実施形態）
図１７は、第４実施形態にかかる基板処理装置が有する熱処理ユニット４０ａの構成の概略を示す縦断面図である。
本実施形態にかかる熱処理ユニット４０ａは、蓋体１４０の温度を調節する温度調節機構としてのヒータ１４０ｂが当該蓋体１４０に設けられている。
図１７は、第４実施形態にかかる基板処理装置が有する熱処理ユニット４０ａの構成の概略を示す縦断面図である。
本実施形態にかかる熱処理ユニット４０ａは、蓋体１４０の温度を調節する温度調節機構としてのヒータ１４０ｂが当該蓋体１４０に設けられている。
前述の第１実施形態等では、熱板１４２の各チャンネルのオフセット量といった実処理におけるＰＥＢ処理時の熱板１４２の条件を調整しているものの、熱板１４２の条件を調整しただけでは、上記ＰＥＢ処理時のウェハ温度が全体的に所望の温度より低い場合や高い場合がある。これらの場合において、本実施形態のように、蓋体１４０の温度を調節するヒータ１４０ｂを設けることにより、実処理時のＰＥＢ処理時のウェハＷの温度を所望の温度にすることができる。ウェハＷは、蓋体１４０の輻射熱の影響を受けるからである。
また、本実施形態とは異なり、ヒータ１４０ｂを設けないと、例えば、ＰＥＢ処理時の熱板の条件の調整処理時と実処理時とで、ＰＥＢ処理時の蓋体１４０の温度が異なる場合がある。ヒータ１４０ｂを設けることにより、上記調整処理時と実処理時とで、ＰＥＢ処理時の蓋体１４０の温度を同様にすることができる。ウェハＷは前述のように蓋体１４０の輻射熱の影響を受けるので、上記調整処理時と実処理時とでＰＥＢ処理時の蓋体１４０の温度が異なる場合より同様の場合の方が、調整後の実処理時におけるＰＥＢ処理結果のウェハ面内均一性を向上させることができる。
（第１実施形態の変形例）
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理が完了した後の実処理では、当該調整処理により決定された処理条件に基づいて、すなわち、上記調整処理により決定された熱板１４２の各チャンネルのオフセット量に基づいて、ＰＥＢ処理が行われる。
一方、本変形例では、ＰＥＢ処理の際、上記調整処理により決定された上記オフセット量は、温度センサ１４３による熱処理ユニット４０の蓋体１４０の測温結果に基づいて補正されて用いられる。ウェハＷは前述のように蓋体１４０の輻射熱の影響を受けるからである。
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理が完了した後の実処理では、当該調整処理により決定された処理条件に基づいて、すなわち、上記調整処理により決定された熱板１４２の各チャンネルのオフセット量に基づいて、ＰＥＢ処理が行われる。
一方、本変形例では、ＰＥＢ処理の際、上記調整処理により決定された上記オフセット量は、温度センサ１４３による熱処理ユニット４０の蓋体１４０の測温結果に基づいて補正されて用いられる。ウェハＷは前述のように蓋体１４０の輻射熱の影響を受けるからである。
（第１実施形態の変形例）
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理は、基板処理装置１を導入する際や基板処理装置１のメンテナンスの際に行われていた。ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは、上記に限られない。例えば、制御部６が、実処理時に形成されたレジスト膜の膜厚を測定し、その測定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。具体的には、測定された、レジスト膜の膜厚のウェハ面内におけるばらつきや、当該膜厚のウェハ面内での平均値が閾値を超えた場合に、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。
なお、レジスト膜の膜厚の測定は、以下のようにして行うことができる。すなわち、実処理時におけるＰＥＢ処理後の、レジスト膜が形成されたウェハＷを、欠陥検査ユニット６１の撮像部２１０で撮像し、その撮像結果から取得される撮像画像に基づいて、レジスト膜の膜厚の測定／推定を行うことができる。
第１実施形態では、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理は、基板処理装置１を導入する際や基板処理装置１のメンテナンスの際に行われていた。ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは、上記に限られない。例えば、制御部６が、実処理時に形成されたレジスト膜の膜厚を測定し、その測定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。具体的には、測定された、レジスト膜の膜厚のウェハ面内におけるばらつきや、当該膜厚のウェハ面内での平均値が閾値を超えた場合に、ＰＥＢ処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。
なお、レジスト膜の膜厚の測定は、以下のようにして行うことができる。すなわち、実処理時におけるＰＥＢ処理後の、レジスト膜が形成されたウェハＷを、欠陥検査ユニット６１の撮像部２１０で撮像し、その撮像結果から取得される撮像画像に基づいて、レジスト膜の膜厚の測定／推定を行うことができる。
（第１～第４実施形態の変形例）
ＰＥＢ処理や現像処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは以下のようにしてもよい。すなわち、例えば、制御部６が、実処理時に形成されたレジストパターンの線幅を推定し、その推定結果に基づいて、ＰＥＢ処理や現像処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。具体的には、推定された、線幅のウェハ面内におけるばらつきや、線幅のウェハ面内での平均値が閾値を超えた場合に、処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。
なお、レジストパターンの線幅の推定は、以下のようにして行うことができる。すなわち、実処理時における現像処理後の、レジストパターンが形成されたウェハＷを、欠陥検査ユニット６１の撮像部２１０で撮像し、その撮像結果から取得される撮像画像に基づいて、レジストパターンの線幅の推定行うことができる。
また、調整用ウェハＷは、処理条件の調整時に、作業者がカセットＣ内に収納した状態でカセット載置台１２に置くようにしていたが、基板処理装置１内の容器に格納するようにしてもよい。
ＰＥＢ処理や現像処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは以下のようにしてもよい。すなわち、例えば、制御部６が、実処理時に形成されたレジストパターンの線幅を推定し、その推定結果に基づいて、ＰＥＢ処理や現像処理の処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。具体的には、推定された、線幅のウェハ面内におけるばらつきや、線幅のウェハ面内での平均値が閾値を超えた場合に、処理条件の調整処理を開始するようにしてもよい。
なお、レジストパターンの線幅の推定は、以下のようにして行うことができる。すなわち、実処理時における現像処理後の、レジストパターンが形成されたウェハＷを、欠陥検査ユニット６１の撮像部２１０で撮像し、その撮像結果から取得される撮像画像に基づいて、レジストパターンの線幅の推定行うことができる。
また、調整用ウェハＷは、処理条件の調整時に、作業者がカセットＣ内に収納した状態でカセット載置台１２に置くようにしていたが、基板処理装置１内の容器に格納するようにしてもよい。
（第５実施形態）
図１８は、第５実施形態にかかる基板処理装置１ｂの内部構成の概略を示す、正面図である。
図示するように、基板処理装置１ｂは、検査ユニット６３を有する。欠陥検査ユニット６１は、検査のためにウェハＷの表面全面を撮像するものであるのに対し、検査ユニット６３は、検査のためにウェハＷの周縁部のみを撮像する。
本実施形態では、制御部６が、周辺露光ユニット４１による周辺露光処理の処理条件の調整処理を実行する。また、周辺露光処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは以下のように決定される。すなわち、実処理時の周辺露光処理後に、ウェハＷの周縁部を検査ユニット６３の撮像部（図示せず）で撮像し、その撮像結果に基づいて、周辺露光処理の処理条件の調整処理を開始する。例えば、撮像結果に基づき、周辺露光処理による周辺露光幅を推定し、推定された周辺露光幅に異常があるときに、周辺露光処理の処理条件の調整処理を開始する。
ウェハＷの周縁部の撮像結果に基づいて開始する、処理条件の調整処理は、周辺露光処理の処理条件の調整処理に限られず、ウェハの周縁部に対する他の処理の処理条件の調整処理であってもよい。ウェハの周縁部に対する他の処理とは、例えば、ＥＢＲ処理（ウェハＷの外周縁部の膜を除去する処理）やエッジコート処理（ウェハＷの周縁部のみを被覆する処理）である。周辺露光処理、ＥＢＲ処理及びエッジコート処理の処理条件の調整処理では、例えば、各処理の原点位置が調整される。
図１８は、第５実施形態にかかる基板処理装置１ｂの内部構成の概略を示す、正面図である。
図示するように、基板処理装置１ｂは、検査ユニット６３を有する。欠陥検査ユニット６１は、検査のためにウェハＷの表面全面を撮像するものであるのに対し、検査ユニット６３は、検査のためにウェハＷの周縁部のみを撮像する。
本実施形態では、制御部６が、周辺露光ユニット４１による周辺露光処理の処理条件の調整処理を実行する。また、周辺露光処理の処理条件の調整処理の実行タイミングは以下のように決定される。すなわち、実処理時の周辺露光処理後に、ウェハＷの周縁部を検査ユニット６３の撮像部（図示せず）で撮像し、その撮像結果に基づいて、周辺露光処理の処理条件の調整処理を開始する。例えば、撮像結果に基づき、周辺露光処理による周辺露光幅を推定し、推定された周辺露光幅に異常があるときに、周辺露光処理の処理条件の調整処理を開始する。
ウェハＷの周縁部の撮像結果に基づいて開始する、処理条件の調整処理は、周辺露光処理の処理条件の調整処理に限られず、ウェハの周縁部に対する他の処理の処理条件の調整処理であってもよい。ウェハの周縁部に対する他の処理とは、例えば、ＥＢＲ処理（ウェハＷの外周縁部の膜を除去する処理）やエッジコート処理（ウェハＷの周縁部のみを被覆する処理）である。周辺露光処理、ＥＢＲ処理及びエッジコート処理の処理条件の調整処理では、例えば、各処理の原点位置が調整される。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を処理する基板処理装置であって、
基板に対し熱処理を行う熱処理部と、
基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、基板に対する処理の条件を調整する調整処理を実行するように構成され、
前記調整処理は、
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われた前記調整用基板に対し、前記熱処理が行われるよう、前記熱処理部を制御する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、基板処理装置。
前記（１）によれば、熱処理を実際に行い、その処理後の撮像結果から推定される調整用基板の面内温度分布に基づいて、熱処理の処理条件を決定している。そのため、本実施形態によれば、熱処理を、その処理結果（すなわち基板の温度）が基板面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
（１）基板を処理する基板処理装置であって、
基板に対し熱処理を行う熱処理部と、
基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、基板に対する処理の条件を調整する調整処理を実行するように構成され、
前記調整処理は、
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われた前記調整用基板に対し、前記熱処理が行われるよう、前記熱処理部を制御する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、基板処理装置。
前記（１）によれば、熱処理を実際に行い、その処理後の撮像結果から推定される調整用基板の面内温度分布に基づいて、熱処理の処理条件を決定している。そのため、本実施形態によれば、熱処理を、その処理結果（すなわち基板の温度）が基板面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
（２）実処理時に露光処理を行う外部の露光装置とは異なる、前記均一露光処理を行う露光部を有する、前記（１）に記載の基板処理装置。
前記（２）によれば、処理条件の調整処理を、外部の露光装置を用いずに、基板処理装置内で完結させることができる。
前記（２）によれば、処理条件の調整処理を、外部の露光装置を用いずに、基板処理装置内で完結させることができる。
（３）前記均一露光処理は、実処理時に露光処理を行う外部の露光装置により行われる、前記（１）に記載の基板処理装置。
（４）前記一定の露光量は、実処理時の露光量未満である、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（５）前記露光前撮像工程及び前記加熱後撮像工程はそれぞれ、複数の波長それぞれについて、撮像画像を取得し、
前記温度分布推定工程は、前記レジスト膜の膜厚に応じた前記波長についての前記撮像画像に基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（５）によれば、熱処理時の面内温度分布をより正確に推定することができ、熱処理結果を基板面内でより均一にすることができる。
前記温度分布推定工程は、前記レジスト膜の膜厚に応じた前記波長についての前記撮像画像に基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（５）によれば、熱処理時の面内温度分布をより正確に推定することができ、熱処理結果を基板面内でより均一にすることができる。
（６）基板に対し現像処理を行う現像処理部を有し、
前記調整処理は、
前記加熱後撮像工程の後、前記調整用基板に対し前記現像処理が行われるよう、前記現像処理部を制御する現像処理工程と、
前記現像処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する現像後撮像工程と、
前記熱処理工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板における、前記現像処理後の前記レジスト膜の膜厚の面内分布を推定する膜厚分布推定工程と
前記膜厚の面内分布の推定結果に基づいて、前記現像処理の処理条件を決定する現像処理条件決定工程と、を含む、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（６）によれば、現像処理を、その処理結果が基板面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
前記調整処理は、
前記加熱後撮像工程の後、前記調整用基板に対し前記現像処理が行われるよう、前記現像処理部を制御する現像処理工程と、
前記現像処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する現像後撮像工程と、
前記熱処理工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板における、前記現像処理後の前記レジスト膜の膜厚の面内分布を推定する膜厚分布推定工程と
前記膜厚の面内分布の推定結果に基づいて、前記現像処理の処理条件を決定する現像処理条件決定工程と、を含む、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（６）によれば、現像処理を、その処理結果が基板面内で均一になるように行うことができる。したがって、線幅の面内均一性がより高いレジストパターンを形成することができる。
（７）基板に対し前記レジスト膜の除去処理を行う除去部を有し、
前記調整処理は、
前記調整用基板に形成された前記レジスト膜が除去されるよう、前記除去部を制御する除去工程と、
前記除去工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する除去後撮像工程と、
前記除去後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板を再利用するか否か判定する判定工程と、を含む、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（７）によれば、処理条件の調整精度を損なわずに、調整用基板の消費量を抑えることができる。
前記調整処理は、
前記調整用基板に形成された前記レジスト膜が除去されるよう、前記除去部を制御する除去工程と、
前記除去工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する除去後撮像工程と、
前記除去後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板を再利用するか否か判定する判定工程と、を含む、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（７）によれば、処理条件の調整精度を損なわずに、調整用基板の消費量を抑えることができる。
（８）前記制御部は、
実処理時に基板に形成されたレジストパターンの線幅の推定結果に基づいて、前記調整処理を開始するように構成されている、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
実処理時に基板に形成されたレジストパターンの線幅の推定結果に基づいて、前記調整処理を開始するように構成されている、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（９）前記制御部は、
実処理時の基板の周縁部の撮像結果に基づいて、前記基板の周縁部に対する処理の処理条件の調整処理を開始するように構成されている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
実処理時の基板の周縁部の撮像結果に基づいて、前記基板の周縁部に対する処理の処理条件の調整処理を開始するように構成されている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記熱処理部は、
基板が載置される熱板と、
前記熱板上の基板を覆う蓋体と、
前記蓋体の温度を調整する温度調整機構と、を有する、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。
基板が載置される熱板と、
前記熱板上の基板を覆う蓋体と、
前記蓋体の温度を調整する温度調整機構と、を有する、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）基板に対する処理の条件を調整する処理条件調整方法であって、
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板を撮像する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、前記調整用基板に対し、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理を行う均一露光工程と、
前記均一露光工程の後、前記調整用基板に対し、熱処理を行う熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板を撮像する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理時の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、処理条件調整方法。
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板を撮像する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、前記調整用基板に対し、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理を行う均一露光工程と、
前記均一露光工程の後、前記調整用基板に対し、熱処理を行う熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板を撮像する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理時の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、処理条件調整方法。
１、１ａ、１ｂ 基板処理装置
６ 制御部
４０、４０ａ 熱処理ユニット
２１０ 撮像部
Ｆ１ 撮像結果
Ｆ２ 撮像結果
Ｗ ウェハ
６ 制御部
４０、４０ａ 熱処理ユニット
２１０ 撮像部
Ｆ１ 撮像結果
Ｆ２ 撮像結果
Ｗ ウェハ
Claims (15)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板に対し熱処理を行う熱処理部と、
基板を撮像する撮像部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、基板に対する処理の条件を調整する調整処理を実行するように構成され、
前記調整処理は、
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理が行われた前記調整用基板に対し、前記熱処理が行われるよう、前記熱処理部を制御する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、基板処理装置。 - 実処理時に露光処理を行う外部の露光装置とは異なる、前記均一露光処理を行う露光部を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記均一露光処理は、実処理時に露光処理を行う外部の露光装置により行われる、請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記一定の露光量は、実処理時の露光量未満である、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
- 前記露光前撮像工程及び前記加熱後撮像工程はそれぞれ、複数の波長それぞれについて、撮像画像を取得し、
前記温度分布推定工程は、前記レジスト膜の膜厚に応じた前記波長についての前記撮像画像に基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 基板に対し現像処理を行う現像処理部を有し、
前記調整処理は、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板に対し前記現像処理が行われるよう、前記現像処理部を制御する現像処理工程と、
前記現像処理工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する現像後撮像工程と、
前記現像後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板における、前記現像処理後の前記レジスト膜の膜厚の面内分布を推定する膜厚分布推定工程と
前記膜厚の面内分布の推定結果に基づいて、前記現像処理の処理条件を決定する現像処理条件決定工程と、を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 基板に対し前記レジスト膜の除去処理を行う除去部を有し、
前記調整処理は、
前記調整用基板に形成された前記レジスト膜が除去されるよう、前記除去部を制御する除去工程と、
前記除去工程の後、前記調整用基板が撮像されるよう、前記撮像部を制御する除去後撮像工程と、
前記除去後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板を再利用するか否か判定する判定工程と、を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
実処理時に基板に形成されたレジストパターンの線幅の推定結果に基づいて、前記調整処理を開始するように構成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
実処理時の基板の周縁部の撮像結果に基づいて、前記基板の周縁部に対する処理の処理条件の調整処理を開始するように構成されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記熱処理部は、
基板が載置される熱板と、
前記熱板上の基板を覆う蓋体と、
前記蓋体の温度を調整する温度調整機構と、を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 基板に対する処理の条件を調整する処理条件調整方法であって、
レジスト膜が形成された未露光の調整用基板を撮像する露光前撮像工程と、
前記露光前撮像工程の後、前記調整用基板に対し、基板表面の各領域を一定の露光量で露光する均一露光処理を行う均一露光工程と、
前記均一露光工程の後、前記調整用基板に対し、熱処理を行う熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記調整用基板を撮像する加熱後撮像工程と、
前記露光前撮像工程での撮像結果と、前記加熱後撮像工程での撮像結果とに基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する温度分布推定工程と、
前記調整用基板の面内温度分布の推定結果に基づいて、前記熱処理時の処理条件を決定する熱処理条件決定工程と、を含む、処理条件調整方法。 - 前記一定の露光量は、実処理時の露光量未満である、請求項１１に記載の処理条件調整方法。
- 前記露光前撮像工程及び前記加熱後撮像工程はそれぞれ、複数の波長それぞれについて、撮像画像を取得し、
前記温度分布推定工程は、前記レジスト膜の膜厚に応じた前記波長についての前記撮像画像に基づいて、前記熱処理時の前記調整用基板の面内温度分布を推定する、請求項１１または１２に記載の処理条件調整方法。 - 前記熱処理工程の後、前記調整用基板に対し現像処理を行う現像処理工程と、
前記現像処理工程の後、前記調整用基板を撮像する現像後撮像工程と、
前記現像後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板における、前記現像処理後の前記レジスト膜の膜厚の面内分布を推定する膜厚分布推定工程と、
前記膜厚の面内分布の推定結果に基づいて、前記現像処理の処理条件を決定する現像処理条件決定工程と、
を含む、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の処理条件調整方法。 - 前記調整用基板に形成された前記レジスト膜を除去する除去工程と、
前記除去工程の後、前記調整用基板を撮像する除去後撮像工程と、
前記除去後撮像工程での撮像結果に基づいて、前記調整用基板を再利用するか否か判定する判定工程と、
を含む、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の処理条件調整方法。
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