CN114127903A - 基片处理装置和处理条件调节方法 - Google Patents

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山村健太郎
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Abstract

本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。

Description

基片处理装置和处理条件调节方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和处理条件调节方法。
背景技术
专利文献1公开了在晶片上均匀地形成所需的线宽的抗蚀剂图案的基片处理方法。在该基片处理方法中，在曝光装置中的曝光前取得形成在晶片上的抗蚀剂膜的膜厚分布。然后，对形成有抗蚀剂膜的晶片进行图案曝光。接着，对图案曝光后的抗蚀剂膜进行加热处理。接着，取得加热处理后的抗蚀剂膜的膜厚分布，根据曝光前的膜厚分布和加热处理后的膜厚分布计算膜厚差数据。接着，参照线宽相关数据表，在晶片的面内计算与膜厚差数据对应的线宽(推测线宽)。在计算出的推测线宽在晶片的面内存在偏差的情况下，对抗蚀剂膜再次进行加热处理。该加热处理的条件设定为使推测线宽大的区域的加热温度比其他区域的加热温度高。然后，进行再次进行了加热处理的抗蚀剂膜的显影处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-28086号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的技术，对于为了形成抗蚀剂图案而对基片进行的处理中的、至少曝光后的加热处理，以其处理结果在基片面内均匀的方式进行，在基片上形成线宽在面内均匀的抗蚀剂图案。
用于解决课题的手段
本发明的一个方式是对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
发明效果
根据本发明，对于为了形成抗蚀剂图案而对基片进行的处理中的、至少曝光后的加热处理，能够以其处理结果在基片面内变得均匀的方式进行，能够在基片上形成线宽在面内均匀的抗蚀剂图案。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的主视图。
图3是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的后视图。
图4是表示显影处理单元的概略结构的纵截面图。
图5是表示显影处理单元的概略结构的横截面图。
图6是表示热处理单元的概略结构的纵截面图。
图7是表示热处理单元的概略结构的横截面图。
图8是表示热处理单元的热板的概略结构的俯视图。
图9是表示缺陷检查单元的概略结构的纵截面图。
图10是表示缺陷检查单元的概略结构的横截面图。
图11是用于说明PEB处理的处理条件的调节处理的流程图。
图12是温度分布推测方法的概念图。
图13是用于说明关于PEB处理时的晶片温度的校准曲线的取得方法的流程图。
图14是用于说明第二实施方式的处理条件的调节处理的流程图。
图15是用于说明用于确定关于显影处理后的抗蚀剂膜的膜厚的校准曲线和显影处理条件的修正曲线的取得方法的流程图。
图16是表示第三实施方式的基片处理装置的内部结构的概要的主视图。
图17是表示第四实施方式的基片处理装置所具有的热处理单元的概略结构的纵截面图。
图18是表示第五实施方式的基片处理装置的内部结构的概要的主视图。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中的光刻步骤中，为了在半导体晶片(以下，称为“晶片”)上形成规定的抗蚀剂图案而进行一系列的处理。在上述一系列的处理中，例如包括向晶片上供给抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理。另外，在上述一系列的处理中，包括在曝光后促进抗蚀剂膜内的化学反应的加热处理(PEB(Post Exposure Bake)处理)、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等。
PEB处理中的晶片的温度对最终在晶片上形成的抗蚀剂图案的线宽造成很大影响。另外，要求抗蚀剂图案的线宽在面内均匀地形成。因此，在进行PEB处理的热处理装置中设置有有多个加热区域，各加热区域能够设定不同的温度。
在各加热区域的温度的设定中，现有技术实际上对测试晶片进行一系列的抗蚀剂图案形成处理，按每个区域测量抗蚀剂图案的线宽，基于该测量结果，设定各加热区域的温度。但是，在该方法中，虽然改善了抗蚀剂图案的线宽在晶片面内的均匀性，但是无法使晶片的加热处理的处理结果、即晶片的温度在晶片面内均匀。这是因为，图案曝光的处理条件、显影的处理条件等也会影响抗蚀剂图案的线宽。在热处理装置的各加热区域的温度的设定中，不使用实际形成并测量出的抗蚀剂图案的线宽，如专利文献1那样使用抗蚀剂图案的推测线宽的情况下也是同样的。
为了进一步改善抗蚀剂图案的线宽在面内的均匀性，重要的是将包含晶片的加热处理的用于形成抗蚀剂图案的处理分别以其处理结果在基片面内均匀的方式进行。
于是，本发明的技术中，为了形成抗蚀剂图案而对基片进行的处理中的、至少曝光后的加热处理，以其处理结果在基片面内均匀的方式进行，能够形成线宽在面内均匀的抗蚀剂图案。
以下，参照附图对本实施方式的基片处理装置和处理条件调节方法进行说明。在本说明书和附图中，具有基本相同的功能和结构的部件用相同的附图标记表示，并且省略对这些部件的重复说明。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的基片处理装置1的内部结构的概要的说明图。图2和图3分别是表示基片处理装置1的内部结构的概要的主视图和后视图。
如图1所示，基片处理装置1例如具有：盒装卸站2，在其与外部之间送入送出盒C；和处理站3，其具有实施抗蚀剂涂敷处理、PEB等规定处理的多个各种处理单元。基片处理装置1具有将盒装卸站2、处理站3、和在与邻接于处理站3的曝光装置4之间进行晶片W的交接的接口站5一体地连接的结构。另外，基片处理装置1具有进行该基片处理装置1的控制的控制部6。
盒装卸站2例如分为盒送入送出部10和晶片运送部11。例如，盒送入送出部10设置在基片处理装置1的Y方向的负方向(图1的左方向)侧的端部。在盒送入送出部10设置有盒载置台12。在盒载置台12上设置有多个例如4个载置板13。载置板13在水平方向的X方向(图1的上下方向)上排成一排地设置。在这些载置板13上，在相对于基片处理装置1的外部送入送出盒C时，能够载置盒C。
如图1所示，在晶片运送部11设置有在沿X方向延伸的运送路径20上可移动的晶片运送单元21。晶片运送单元21在上下方向可移动，并且也能够绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各载置板13上的盒C与后述的处理站3的第三区块G3的交接单元之间运送晶片W。
在处理站3设置有具有各种单元的多个例如第一～第四的4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。另外，在处理站3的盒装卸站2侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站3的接口站5侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
在第一区块G1中，如图2所示，从下方依次配置有多个液体处理单元、例如作为对晶片W进行显影处理的显影处理部的显影处理单元30、在晶片W上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元31。
例如，显影处理单元30、抗蚀剂涂敷单元31分别在水平方向上排列配置有3个。其中，这些显影处理单元30、抗蚀剂涂敷单元31的数量/配置能够任意地选择。
在这些显影处理单元30、抗蚀剂涂敷单元31中，例如进行在晶片W上涂敷规定的处理液的旋转涂敷。在旋转涂敷中，例如从涂敷喷嘴向晶片W上排出处理液，并且使晶片W旋转，使处理液扩散到晶片W的表面。显影处理单元30的结构在后面叙述。
例如在第二区块G2中，如图3所示，在上下方向和水平方向上排列设置有作为进行晶片W的加热、冷却这样的热处理的热处理部的热处理单元40、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光单元41。这些热处理单元40、周边曝光单元41的数量/配置也能够任意选择。另外，关于热处理单元40的结构在后面叙述。
在第三区块G3设置有多个交接单元50。另外，在第四区块G4设置有多个交接单元60，在其上设置有缺陷检查单元61。关于缺陷检查单元61的结构在后面叙述。
如图1所示，在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域形成有晶片运送区域D。在晶片运送区域D配置有例如晶片运送单元70。
晶片运送单元70具有例如在Y方向、前后方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂70a。晶片运送单元70在晶片运送区域D内移动，能够将晶片W运送至周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定的单元。晶片运送单元70例如如图3所示在上下配置有多台，例如能够将晶片W运送到各区块G1～G4的相同程度的高度的规定的单元。
另外，在晶片运送区域D设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地运送晶片W的穿梭运送单元71。
穿梭运送单元71例如在图3的Y方向上可直线移动。穿梭运送单元71在支承晶片W的状态下在Y方向上移动，能够在相同程度的高度的第三区块G3的交接单元50与第四区块G4的交接单元60之间运送晶片W。
如图1所示，在第三区块G3的X方向正方向侧设置有晶片运送单元72。晶片运送单元72例如具有在前后方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂72a。晶片运送单元72在支承晶片W的状态下上下移动，能够将晶片W运送至第三区块G3内的各交接单元50。
在接口站5设置有晶片运送单元73和交接单元74。晶片运送单元73例如具有在Y方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂73a。晶片运送单元73例如能够在运送臂73a支承晶片W，在第四区块G4内的各交接单元60、交接单元74和曝光装置4之间运送晶片W。
上述控制部6例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有程序，该程序对上述各种处理单元、输送单元等驱动系统的动作进行控制，对包括基片处理装置1中的处理条件调节处理在内的晶片W的处理进行控制。此外，上述程序记录在计算机可读取的存储介质H中，也可以从该存储介质H安装到控制部6中。
接着，对上述显影处理单元30的结构进行说明。图4和图5分别是表示显影处理单元30的概略结构的纵截面图和横截面图。
如图4和图5所示，显影处理单元30具有能够将内部密闭的处理容器100。在处理容器100的晶片运送单元70侧的侧面形成有晶片W的送入送出口(未图示)，在该送入送出口设置有开闭闸门(未图示)。
在处理容器100内的中央部设置有保持晶片W并使其旋转的旋转卡盘110。旋转卡盘110具有水平的上表面，在该上表面设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。通过从该吸引口的吸引，能够将晶片W吸附保持在旋转卡盘110上。
在旋转卡盘110的下方设置有例如具有电机等的卡盘驱动部111。旋转卡盘110能够利用卡盘驱动部111以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动部111设置有例如气缸等升降驱动源，旋转卡盘110可升降。
在旋转卡盘110的周围设置有承接从晶片W飞散或落下的液体并将其回收的杯状部112。在杯状部112的下表面连接有将回收的液体排出的排出管113和对杯状部112内的气氛进行抽真空而排气的排气管114。
如图5所示，在杯状部112的X方向负方向(图5中的下方向)侧形成有沿着Y方向(图5中的左右方向)延伸的轨道120。轨道120例如从杯状部112的Y方向负方向(图5中的左方向)侧的外侧形成到Y方向正方向(图5中的右方向)侧的外侧。在轨道120安装有臂121。
如图4和图5所示，在臂121支承有将显影液供给到晶片W上的涂敷喷嘴122。臂121利用图5所示的喷嘴驱动部123能够在轨道120上移动。由此，涂敷喷嘴122能够从在杯状部112的Y方向正方向侧的外侧设置的待机部124移动至杯状部112内的晶片W的中心部上方，进而能够在该晶片W上沿晶片W的径向移动。另外，臂121利用喷嘴驱动部123可升降，能够调节涂敷喷嘴122的高度。
如图4所示，在涂敷喷嘴122连接有向该涂敷喷嘴122供给显影液的供给管125。供给管125与在内部贮存显影液的显影液供给源126连通。另外，在供给管125设置有包含控制显影液的流动的阀、流量调节部等的供给设备组127。
另外，抗蚀剂涂敷单元31的结构与上述的显影处理单元30的结构相同。但是，在显影处理单元30和抗蚀剂涂敷单元31中，从涂敷喷嘴供给的处理液不同。
接着，对热处理单元40的结构进行说明。图6和图7分别是表示热处理单元40的概略结构的纵截面图和横截面图。
例如，如图6和图7所示，热处理单元40在壳体130内具有对晶片W进行加热处理的加热部131和对晶片W进行冷却处理的冷却部132。如图7所示，在壳体130的冷却部132附近的两侧面形成有用于送入送出晶片W的送入送出口133。
如图6所示，加热部131具有位于上侧且可上下移动的盖体140，和位于下侧且与该盖体140成为一体地形成处理室S的热板收纳部141。
盖体140具有下面开口的大致筒形状，覆盖载置于后述的热板142上的晶片W的被处理面即上表面。在盖体140的上表面中央部设置有排气部140a。处理室S内的气氛从排气部140a排气。
另外，在盖体140设置有作为测量该盖体140的温度的温度测量部的温度传感器143。在图的例子中，温度传感器143设置在盖体140的端部，但也可以设置在盖体140的中央部等。
在热板收纳部141的中央载置有晶片W，设置有对该载置的晶片W进行加热的热板142。热板142形成为具有厚度的大致圆盘形状，在其内部设置有对热板142的上表面即晶片W的搭载面进行加热的加热器150。作为加热器150，例如使用电加热器。关于该热板142的结构在后面叙述。
在热板收纳部141设置有在厚度方向上贯通热板142的升降销151。升降销151利用气缸等升降驱动部152可升降，能够向热板142的上表面突出并在与后述的冷却板170之间进行晶片W的交接。
例如，如图6所示，热板容纳部141具有容纳热板142并保持热板142的外周部的环状的保持部件160，和包围该保持部件160的外周的大致筒状的支承环161。
在与加热部131相邻的冷却部132设置有例如载置晶片W并进行冷却的冷却板170。冷却板170例如如图7所示具有大致方形的平板形状，加热部131侧的端面弯曲成圆弧状。在冷却板170的内部内置有例如珀尔帖元件等未图示的冷却部件，能够将冷却板170调节为规定的设定温度。
冷却板170例如如图6所示被支承臂171支承，该支承臂171安装于向加热部131侧的X方向延伸的轨道172。冷却板170能够利用安装于支承臂171的驱动机构173在导轨172上移动。由此，冷却板170能够移动至加热部131侧的热板142的上方。
在冷却板170例如形成有沿着图7的X方向的2条隙缝174。隙缝174从冷却板170的加热部131侧的端面形成至冷却板170的中央部附近。利用该隙缝174，防止向加热部131侧移动的冷却板170与热板142上的升降销151的干涉。如图6所示，在位于冷却部132内的冷却板170的下方设置有升降销175。升降销175能够利用升降驱动部176进行升降。升降销175从冷却板170的下方上升并通过隙缝174，向冷却板170的上方突出，例如能够在与从送入送出口133进入壳体130的内部的晶片运送单元70之间进行晶片W的交接。
接着，对热板142的结构进行详细叙述。图8是表示热板142的概略结构的俯视图。如图8所示，热板142被划分为多个例如5个热板区域(以下，有时称为“通道”)R1～R5。热板142例如被划分为从平面观察时位于中心部的圆形的通道R1和将该通道R1的周围圆弧状地4等分的通道R2～R5。
在热板142的各通道R1～R5中分别内置有加热器180，能够对每个通道R1～R5单独地进行加热。各通道R1～R5的加热器180的发热量例如由温度控制部181调节。温度控制部181能够调节各加热器180的发热量，将各通道R1～R5的温度控制在规定的设定温度。温度控制部181中的温度设定由控制部6进行。
接着，对缺陷检查单元61的结构进行说明。图9和图10分别是表示缺陷检查单元61的概略结构的纵截面图和横截面图。如图9和图10所示，缺陷检查单元61具有外壳190。在外壳190内设置有载置晶片W的载置台200。该载置台200利用电机等旋转驱动部201可旋转、停止。在外壳190的底面设置有从外壳190内的一端侧(图10中的X方向负方向侧)延伸至另一端侧(图10中的X方向正方向侧)的导轨202。载置台200和旋转驱动部201设置在导轨202上，能够利用驱动部203沿着导轨202移动。
在外壳190内的另一端侧(图10的X方向正方向侧)的侧面设置有拍摄部210。拍摄部210例如使用广角型的CCD拍摄机。
在外壳190的上部中央附近设置有半透明反射镜211。半反射镜211在与拍摄部210相对的位置，设置成从镜面朝向铅垂下方的状态向拍摄部210的方向向45度上方倾斜的状态。在半透明反射镜211的上方设置有照明部212。半透明反射镜211和照明部212固定于外壳190内部的上表面。来自照明部212的照明通过半透明反射镜211向下方照射。由此，被位于照明部212的下方的物体反射的光被半透明反射镜211进一步反射，被取入到拍摄部210。即，拍摄部210能够拍摄位于照明部212的照射区域的物体。
接着，对使用了基片处理装置1的晶片处理进行说明。
在使用了基片处理装置1的晶片处理中，首先，利用晶片运送单元21从盒载置台12上的盒C取出晶片W，运送到处理站3的交接单元50。
接着，晶片W被晶片运送单元70运送到第二区块G2的热处理单元40，进行温度调节处理。之后，晶片W被运送至第一区块G1的抗蚀剂涂敷单元31，在晶片W上形成抗蚀剂膜。然后，晶片W被输送到热处理单元40，进行预烘烤处理(PAB：Pre-Applied Bake)。另外，在预烘烤处理、后级的PEB处理、后烘烤处理中，进行同样的热处理。但是，用于进行各热处理的热处理单元40互不相同。
然后，晶片W被输送到周边曝光单元41，进行周边曝光处理。
接着，晶片W被运送到曝光装置4，以规定的图案进行曝光处理。
接着，晶片W被运送到热处理单元40，进行PEB处理。然后，晶片W例如被输送到显影处理单元30进行显影处理。显影处理结束后，晶片W被运送至热处理单元40，进行后烘烤处理。然后，晶片W被输送到缺陷检查单元61，进行晶片W的缺陷检查。在缺陷检查中，进行是否有损伤、异物的附着等的检查。之后，晶片W被输送到盒载置台12上的盒C，一系列的光刻步骤完成。
接着，使用图11和图12对用于使PEB处理的处理结果在晶片面内均匀的、PEB处理的处理条件的调节处理进行说明。图11是用于说明PEB处理的处理条件的调节处理的流程图。图12是温度分布推测方法的概念图。在以下的例子中，在PEB处理的处理条件的调节处理中，调节PEB处理时的热板142的各通道R1～R5的设定温度。另外，上述调节处理例如在导入基片处理装置1时、或基片处理装置1的维护时等进行。
(送入步骤)
在PEB处理的处理条件的调节处理中，如图11所示，首先，送入调节用的晶片W(以下，称为“调节用晶片W”)(步骤S1)。具体而言，在该调节处理时，由作业者将收纳有调节用晶片W的盒C载置于盒载置台12，因此从该盒C取出调节用晶片W，为了下一步骤而运送至抗蚀剂涂敷单元。另外，调节用晶片W是裸晶圆。
(抗蚀剂膜形成步骤)
接着，在调节用晶片W上形成抗蚀剂膜(步骤S2)。具体而言，在抗蚀剂涂敷单元31中，在预先决定的涂敷处理条件下，在调节用晶片W上形成抗蚀剂膜。
(PAB处理步骤)
之后，对调节用晶片W进行PAB处理(步骤S3)。具体而言，形成有抗蚀剂膜的调节用晶片W被运送到PAB处理用的热处理单元40，在预先决定的PAB处理条件下进行PAB处理。
(曝光前拍摄步骤)
接着，形成抗蚀剂膜，且进行后述的均匀曝光处理前的调节用晶片W的拍摄(步骤S4)。具体而言，进行了PAB处理的调节用晶片W被运送到缺陷检查单元61，其表面被拍摄部210拍摄。然后，如图12所示，将拍摄结果F1中的晶片W分割成例如437个区域，在各区域中，计算R(红)、G(绿)、B(蓝)各自的亮度值的平均值。然后，针对各个区域(像素)，制作将该区域的坐标与R、G、B各自的亮度值的平均值建立对应的表。然后，基于所生成的表，对R、G、B分别获取拍摄图像(以下，称为“曝光前拍摄图像”)I1。
(均匀曝光步骤)
在取得拍摄图像后，对调节用晶片W进行均匀曝光处理(步骤S5)。具体而言，在步骤S4的曝光前拍摄步骤中拍摄到的调节用晶片W被输送到曝光装置4，进行以一定的曝光量对晶片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理。在曝光装置4中，在均匀曝光处理时，例如，在每个曝光区域，不使用光罩(reticule)，以相同的曝光强度且相同的曝光时间进行曝光。另外，均匀曝光处理中的晶片表面的各区域的曝光量小于实际处理时即抗蚀剂图案的量产时的曝光量，具体而言，设为实际处理时的曝光量的1/2。
(PEB处理步骤)
在均匀曝光步骤后，对调节用晶片W进行PEB处理(步骤S6)。具体而言，进行了均匀曝光处理的调节用晶片W被运送到作为处理条件的调节对象的、PEB处理用的热处理单元40，在当前设定的PEB处理条件下进行PEB处理。
(PEB后拍摄步骤)
接着，再次进行调节用晶片W的拍摄(步骤S7)。具体而言，进行了PEB处理、未显影的调节用晶片W被运送到缺陷检查单元61，其表面被拍摄部210拍摄。此时，因为是未显影，所以由拍摄部210拍摄的不是抗蚀剂图案而是在晶片W上的抗蚀剂膜形成的潜像。然后，基于拍摄结果F2，对R、G、B分别获取拍摄图像(以下，称为“PEB后拍摄图像”)I2。
(温度分布推测步骤)
接着，控制部6基于曝光前拍摄步骤中的拍摄结果和PEB后拍摄步骤中的拍摄结果，推测PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布(步骤S8)。具体而言，控制部6基于在曝光前拍摄步骤中取得的曝光前拍摄图像I1的颜色信息和PEB后拍摄图像I2的颜色信息，推测PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。颜色信息是特定的波长(颜色)的亮度信息。
更具体而言，控制部6首先对在曝光前拍摄步骤中取得的R、G和B的曝光前拍摄图像I1和在PEB后拍摄步骤中取得的R、G和B的PEB后拍摄图像I2，分别进行浓淡补偿Sh。通过浓淡补偿Sh，能够去除由拍摄条件(拍摄元件的灵敏度、光学系统、载置台200的移动速度等)引起的亮度不均。
接着，控制部6对每个R、G和B、并且按照拍摄图像中的每个像素，利用进行了浓淡补偿的曝光前拍摄图像I1’和PEB后拍摄图像I2’，计算亮度值的差值Δ。
然后，控制部6根据表示关于R的上述差值Δr与温度的关系的校准曲线Lr和对每个像素计算出的关于R的上述差值Δr，取得PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pr。
另外，控制部6根据表示关于G的上述差值Δg与温度的关系的校准曲线Lg和对每个像素计算出的关于G的上述差值Δg，取得PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pg。
进而，控制部6根据表示关于B的上述差值Δb与温度的关系的校准曲线Lb和对每个像素计算出的关于B的上述差值Δb，获取PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pb。
另外，预先取得上述校准曲线Lr、Lg、Lb。关于其取得方法在后面叙述。
另外，控制部6从取得的3个PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pr、Pg、Pb中选择1个。例如，选择基于关于与抗蚀剂膜的膜厚对应的波长即颜色的拍摄图像而取得的、PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。更具体而言，在抗蚀剂膜较厚时，选择基于波长较长的R的拍摄图像而取得的面内温度分布Pr，在抗蚀剂膜较薄时，选择基于波长短的B的拍摄图像而取得的面内温度分布Pb。即，控制部6基于关于与抗蚀剂膜的膜厚相应的波长的拍摄图像，估算(推测)PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。此外，在如上述那样选择基于关于与抗蚀剂膜的膜厚相应的波长的拍摄图像而取得的上述面内温度分布时，也可以省略基于关于其他波长的拍摄图像进行面内温度分布的取得。
(热处理条件决定步骤)
在温度分布推测步骤后，控制部6基于PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布的推测结果，决定PEB处理的处理条件(步骤S9)。
具体而言，控制部6基于在温度分布推测步骤中选择的PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布，决定PEB处理的处理条件。例如，控制部6基于以下的式(1)来决定热板142的通道R1～R5各自的设定温度，更具体而言，对热板142的每个通道决定从按每个抗蚀剂膜种类决定的基准温度的偏移量(off set)。
[式1]
O＝A·T…(1)
Figure BDA0003466434760000131
Figure BDA0003466434760000132
Figure BDA0003466434760000133
其中，在式(1)中，O是表示热板142的各通道的偏移量的矩阵，T是表示PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布的矩阵，A是变换矩阵。
通过使用上述的式(1)等，以使得在调节用晶片W中，与推测出的PEB处理时的温度低于基准温度的区域对应的通道的偏移量增加，且与推测出的PEB处理时的温度高于基准温度的区域对应的偏移量降低的方式，决定PEB处理的处理条件。
所决定的PEB处理的处理条件存储在存储部(未图示)中，在之后的实际处理时等的PEB处理中使用。
(除去步骤)
另外，进行形成于调节用晶片W的抗蚀剂膜的除去处理(步骤S10)。具体而言，在PEB后拍摄步骤中拍摄到的调节用晶片W被运送到作为除去部的抗蚀剂涂敷单元31，从排出稀释液的排出喷嘴(未图示)向调节用晶片W供给稀释液，该调节用晶片W上的抗蚀剂膜被剥离。另外，也可以将用于除去处理的单元与抗蚀剂涂敷单元31等分开设置。
(除去后拍摄步骤)
接着，再次进行调节用晶片W的拍摄(步骤S11)。具体而言，除去了抗蚀剂膜的调节用晶片W被运送到缺陷检查单元61，其表面被拍摄部210拍摄，取得表示晶片表面的状态的基片图像。
(再利用判断步骤)
接着，控制部6基于在除去后拍摄步骤中取得的基片图像，判断调节用晶片W是否能够再利用(步骤S12)。具体而言，控制部6对在除去拍摄步骤中取得的调节用晶片W的基片图像与预先取得的未处理状态的裸晶片的基片图像进行比较，基于比较结果，判断调节用晶片W是否能够再利用。
(通知步骤)
在不能够再利用的情况下(步骤S12，“否”的情况下)，控制部6进行表示不可再利用的消息的报告(步骤S13)。具体而言，控制部6例如使显示部(未图示)显示表示调节用晶片W不可再利用的消息的警告。
(送出步骤)
在能够再利用的情况下(步骤S12：“是”的情况)，或者在步骤S11的报告步骤后，控制部6使调节用晶片W被送出(步骤S14)。具体而言，调节用晶片W利用晶片运送单元21使晶片返回到盒载置台12上的原来的盒C。另外，在不能够再利用的情况下，也可以另行向载置在盒载置台12上的废弃用的盒C中运送调节用晶片。
由此，PEB处理的处理条件的调节处理完成。
在上述PEB处理的处理条件的调节处理完成后的实际处理中，在通过该调节处理决定的处理条件下进行PEB处理。
接着，使用图13对上述的校准曲线Lr、Lg、Lb的取得方法进行说明。图13是用于说明校准曲线Lr、Lg、Lb的取得方法的流程图。
在获取校准曲线Lr、Lg、Lb时，例如，首先，根据用户输入等来决定多个PEB处理用的热处理单元40中的用于校准曲线取得的单元(步骤S21)。
(送入步骤)
接着，与步骤S1同样地送入用于取得校准曲线的晶片W(以下，称为“校准曲线取得用晶片W”)。另外，校准曲线取得用晶片W是裸晶片。
(抗蚀剂膜形成步骤)
接着，与步骤S2同样地，在校准曲线取得用晶片W上形成抗蚀剂膜。
(PAB处理步骤)
之后，与步骤S3同样地，对校准曲线取得用晶片W进行PAB处理。
(曝光前拍摄步骤)
接着，与步骤S4同样地进行校准曲线取得用晶片W的拍摄。
(均匀曝光步骤)
接着，与步骤S5同样地，对校准曲线取得用晶片W进行均匀曝光处理。
(PEB处理步骤)
均匀曝光步骤后，与步骤S6同样地，对校准曲线取得用晶片W进行PEB处理。另外，PEB处理在由步骤S21决定的热处理单元40中进行。
(PEB后拍摄步骤)
接着，与步骤S7同样地进行校准曲线取得用晶片W的拍摄。
(送出步骤)
然后，与步骤S14同样地，送出校准曲线取得用晶片W。
对多个(N个)校准曲线取得用晶片W分别进行从上述步骤S1的送入步骤到步骤S14的送出步骤的各步骤。但是，对于每个校准曲线取得用晶片W，PEB处理步骤中的热板142的温度不同。另外，热板142的通道R1～R5各自的温度是共通的。
(校准曲线计算步骤)
然后，基于对多个校准曲线取得用晶片W的、在曝光前拍摄步骤中取得的拍摄图像和在PEB后拍摄步骤中取得的拍摄图像，计算校准曲线Lr、Lg、Lb。具体而言，在校准曲线Lr的情况下，首先，将曝光前拍摄步骤中的拍摄图像中的晶片面内的平均的R亮度设为灰度值Ir1，将PEB后拍摄步骤的拍摄图像中的晶片面内的平均的R亮度设为灰度值Ir2，对PEB处理步骤中的热板142的每个温度，计算灰度值变化量ΔIr(＝Ir2-Ir1)。然后，将说明变量设为灰度值变化量，将目标变量设为PEB处理步骤中的热板142的温度，取得上述热板142的温度相对于灰度变化量的近似曲线，将其作为校准曲线Lr。
校准曲线Lg、Lb也与校准曲线Lr同样地获取。
如上所述，本实施方式的PEB处理条件的调节处理包括：曝光前拍摄步骤，进行形成有抗蚀剂膜的均匀曝光处理前的调节用晶片W的拍摄；PEB处理步骤，在曝光前拍摄步骤之后，对进行了均匀曝光处理的调节用晶片W进行PEB处理；PEB后拍摄步骤，拍摄PEB处理后的调节用晶片W；温度分布推测步骤，基于曝光前拍摄步骤中的拍摄结果和PEB后拍摄步骤中的拍摄结果，推测PEB处理时的调节用晶片的面内温度分布；PEB处理条件决定步骤，基于调节用晶片的面内温度分布的推测结果，决定PEB处理的处理条件。因此，在本实施方式中，不是根据抗蚀剂图案的线宽的面内温度分布，而是在当前设定的处理条件下实际进行PEB处理，基于根据该处理后的拍摄结果推测的调节用晶片W的面内温度分布，决定PEB处理的处理条件。因此，根据本实施方式，能够以PEB处理的处理结果(即晶片W的温度)在晶片面内变得均匀的方式进行PEB处理。因此，能够形成线宽的面内均匀性更高的抗蚀剂图案。
另外，根据本实施方式，对于各个PEB处理用的热处理单元40，能够在晶片面内使晶片W的温度为按每个抗蚀剂膜种类设定的基准温度而实现均匀。因此，能够抑制PEB处理用的热处理单元40间的晶片W的温度的偏差。
进而，在本实施方式中，如上所述，控制部6根据所取得的3个PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pr、Pg、Pb，选择基于关于与抗蚀剂膜的膜厚相应的波长的拍摄图像而取得的、PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。即，控制部6基于关于与抗蚀剂膜的膜厚相应的1个波长的拍摄图像，估计PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。由此，能够更准确地推测PEB处理时的面内温度分布，能够在晶片面内使PEB处理结果更均匀。
另外，控制部6在从3个PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布Pr、Pg、Pb中选择1个时，也可以如下进行选择。例如，也可以预先对热板142设置温度传感器，选择该温度传感器的测量结果和与该温度传感器的配设位置对应的像素的推测温度最接近的面内温度分布。
另外，控制部6也可以使用以下的式(2)，基于R、G、B全部的拍摄图像，推测1个PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。
[式2]
t＝Si·L+C…(2)
Figure BDA0003466434760000171
Si＝[SiR SiG SiB]
t＝推测温度
J＝曝光前拍摄图像的亮度值
K＝PEB后拍摄图像的亮度值
L＝亮度值变化量
Si＝温度灵敏度矩阵
L＝K-JC＝常数
在温度灵敏度矩阵具有膜厚依赖性的情况下，控制部6也可以使用以下的式(3)来推测PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。
[式3]
t＝(Si·(Sif·f))·L+C…(3)
Figure BDA0003466434760000181
f＝Sf·J+C
Sf＝[SfR SfG SfB]
f＝膜厚
Sf＝膜厚灵敏度矩阵
Sif＝温度灵敏度的膜厚灵敏度矩阵
另外，在本实施方式中，使均匀曝光处理中的晶片表面的各区域的曝光量小于实际处理时的曝光量，例如为1/2。因此，在PEB处理的处理条件的调节处理时，在进行PEB处理时，由于PEB处理结果的不同，PEB处理前后的抗蚀剂膜的膜厚的变化量变大。其结果，由于PEB处理结果的不同，PEB处理前后的、拍摄图像中的亮度的变化量变大。即，即使PEB处理结果的差异很小，曝光前拍摄图像与PEB后拍摄图像之间的亮度的差也变大。由此，能够基于曝光前拍摄图像和PEB后拍摄图像，高精度地推测PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布。另外，实际处理时的曝光量的1/2相当于照射到抗蚀剂图案的边缘部分的曝光量。
另外，在本实施方式中，基于在除去后拍摄步骤中取得的基片图像，判断除去了抗蚀剂膜的调节用晶片W是否能够再利用。因此，能够不损害处理条件的调节精度地抑制调节用晶片W的消耗量。
另外，在本实施方式中，使用裸晶片作为调节用晶片W。因此，能够适当地决定PEB处理的处理条件。
(第二实施方式)
图14是用于说明第二实施方式的处理条件的调节处理的流程图。
在第一实施方式中调节PEB处理的处理条件，与此不同，本实施方式中调节显影处理的处理条件。显影处理的处理条件的调节处理例如在PEB处理的处理条件的调节后接着进行。另外，PEB处理的处理条件的调节如前述那样在导入基片处理装置1等时进行，因此显影处理的处理条件的调节处理也在同一时机进行。但是，也能够不进行PEB处理的处理条件的调节而进行显影处理的处理条件的调节处理。
(送入步骤)
在显影处理的处理条件的调节处理中，首先，与前述的步骤S1同样地送入调节用晶片W。
(抗蚀剂膜形成步骤)
接着，与前述的步骤S2同样地在调节用晶片W上形成抗蚀剂膜。
(PAB处理步骤)
之后，与前述的步骤S3同样地对调节用晶片W进行PAB处理(步骤S3)。
(均匀曝光步骤)
接着，与上述的步骤S5同样地对调节用晶片W进行均匀曝光处理。在显影处理的处理条件的调节处理中，均匀曝光处理中的晶片表面的各区域的曝光量也小于实际处理时的曝光量，例如设为1/2。
(PEB处理步骤)
均匀曝光步骤后，与上述的步骤S6同样地对调节用晶片W进行PEB处理。但是，如果是PEB处理的处理条件的调节后，则在调节后的PEB处理条件下进行PEB处理。
(显影处理步骤)
然后，对调节用晶片W进行显影处理(步骤S31)。具体而言，进行了PEB处理的调节用晶片W被运送到处理条件的调节对象的显影处理单元30，在当前设定的显影处理条件下进行显影处理。
(显影后拍摄步骤)
接着，再次进行调节用晶片W的拍摄(步骤S32)。具体而言，进行了显影处理的调节用晶片W被运送到缺陷检查单元61，其表面被拍摄部210拍摄，取得拍摄图像(以下，称为“显影后拍摄图像”)I3。
(剩余膜厚度分布推测步骤)
接着，控制部6基于显影后拍摄步骤中的拍摄结果，推测调节用晶片W中的显影处理后的抗蚀剂膜的膜厚(以下，称为“抗蚀剂膜的剩余膜厚度”)的面内分布(步骤S33)。
具体而言，控制部6基于关于B(蓝)的显影后拍摄图像I3的颜色信息，计算即推测调节用晶片W的抗蚀剂膜的剩余膜厚度的面内分布。
更具体而言，控制部6对关于B的显影后拍摄图像I3中的每个像素，基于亮度和预先取得的校准曲线Ldev，计算抗蚀剂膜的剩余膜厚度，取得上述剩余膜厚度的面内分布。
另外，校准曲线Ldev表示关于B的显影后拍摄图像I3中的亮度与抗蚀剂膜的剩余膜厚度的关系。关于校准曲线Ldev的获取方法在后面叙述。
在此，基于关于B的拍摄图像计算出上述剩余膜厚度的面内分布，但也可以基于关于G的拍摄图像、关于R的拍摄图像来计算上述剩余膜厚度的面内分布。另外，也可以与PEB处理时的调节用晶片W的面内温度分布的推测同样地，基于关于与抗蚀剂膜的膜厚相应的波长的拍摄图像来进行推测。
(显影处理条件决定步骤)
在剩余膜厚度分布推测步骤之后，控制单元6基于抗蚀剂膜的剩余膜厚度的面内分布的推测结果，来确定显影处理的处理条件(步骤S34)。
具体而言，控制部6例如基于调节用晶片W上的抗蚀剂膜的剩余膜厚度的面内分布，决定作为显影处理的处理条件的显影液的供给时间并进行修正。
更具体而言，控制部6决定显影处理的处理条件，使得在调节用晶片W中，在抗蚀剂膜的剩余膜厚度在晶片中央部是接近目标量的适当的值、且在晶片外周部大于目标量的情况下，增加向晶片外周部的显影液的供给。显影液向晶片外周部的增加供给时间的长度Δt例如由表示显影液的供给时间与剩余膜厚度的关系的修正曲线Lamd计算得出。
另外，预先取得上述修正曲线Lamd。关于其取得方法在后面叙述。
这样，通过设定显影液向晶片外周部的增加供给时间的长度Δt，晶片外周部的抗蚀剂膜的剩余膜厚度也能够成为接近目标量的适当的值。
另外，计算出的显影液向晶片外周部的增加供给时间的长度Δt、即所决定的显影处理的处理条件，存储于存储部(未图示)，在之后的实际处理等时的显影处理中使用。
另外，进行与前述的步骤S10～步骤S14同样的步骤，由此，显影处理的处理条件的调节处理完成。
接着，使用图15对前述的校准曲线Ldev和修正曲线Lamd的获取方法进行说明。图15是用于说明校准曲线Ldev和修正曲线Lamd的获取方法的流程图。
在获取校准曲线Ldev时，首先，根据用户输入等来决定多个显影处理单元30中的用于获取校准曲线和修正曲线的单元(步骤S41)。
(送入步骤)
接着，用于获得校准曲线和修正曲线的晶片W(以下，称为“校准曲线取得用晶片W”)与步骤S1同样地被送入。另外，该校准曲线取得用晶片W也是裸晶片。
(抗蚀剂膜形成步骤)
接着，与步骤S2同样地在校准曲线取得用晶片W上形成抗蚀剂膜。
(PAB处理步骤)
之后，与步骤S3同样地对校准曲线取得用晶片W进行PAB处理。
(均匀曝光步骤)
接着，与步骤S5同样地对校准曲线取得用晶片W进行均匀曝光处理。
(PEB处理步骤)
均匀曝光步骤后，与步骤S6同样地对校准曲线取得用晶片W进行PEB处理。
(显影处理步骤)
之后，与步骤S31同样地对校准曲线取得用晶片W进行显影处理。另外，显影处理在步骤S41中决定的显影处理单元30中进行，在显影液的旋转涂敷中，显影液仅从涂敷喷嘴122向晶片中央部供给。
(显影后拍摄步骤)
接着，与步骤S32同样地进行校准曲线取得用晶片W的拍摄。由此，至少取得关于B的拍摄图像。
(送出步骤)
然后，与步骤S14同样地送出校准曲线取得用晶片W。
(剩余膜厚度测量步骤)
然后，取得校准曲线取得用晶片W的抗蚀剂膜的剩余膜厚度(步骤S42)。具体而言，例如，进行了PEB处理的校准曲线取得用晶片W被运送到外部的膜厚测量装置(未图示)，测量晶片中央部的抗蚀剂膜的剩余膜厚度。另外，也可以预先将膜厚测量装置设置于基片处理装置1，利用该膜厚测量装置进行剩余膜厚度的测量。
(校准曲线和修正曲线计算步骤)
然后，基于针对多张校准曲线取得用晶片W的、在显影后拍摄步骤中取得的校准曲线取得用晶片W的拍摄图像，计算校准曲线Lpeb和修正曲线Lamd(步骤S43)。具体而言，在校准曲线Lpeb的情况下，将说明变量设为显影后拍摄步骤中的拍摄图像(札号座图)中的B亮度，将目标变量设为在剩余膜厚度测量步骤中取得的抗蚀剂膜的剩余膜厚度，取得上述剩余膜厚度相对于B亮度值变化量的近似曲线，将其作为校准曲线Lpeb。另外，在修正曲线Lamd的情况下，将说明变量设为显影步骤中的显影液的供给时间，将目标变量设为在剩余膜厚度量测量步骤中取得的抗蚀剂膜的剩余膜厚度，取得抗蚀剂膜的剩余膜厚度相对于显影液的供给时间的近似曲线，将其作为修正曲线Lamd。
如上所述，在本实施方式中，在当前设定的处理条件下实际进行显影处理，基于根据该处理结果推测出的显影处理后的抗蚀剂膜的膜厚的面内分布，决定显影处理的处理条件。因此，根据本实施方式，能够以其处理结果在晶片面内变得均匀的方式进行显影处理。因此，能够形成线宽的面内均匀性更高的抗蚀剂图案。
另外，在本实施方式中，使均匀曝光处理中的晶片表面的各区域的曝光量小于实际处理时的曝光量，例如为1/2。因此，在显影处理的处理条件的调节处理时，在进行了显影处理时，由于显影处理结果的不同，显影处理后的抗蚀剂膜的膜厚大幅不同。其结果，根据显影处理结果的不同，显影处理后的拍摄图像中的亮度较大地不同。即，即使显影处理结果不同很小，显影后拍摄图像中的亮度也会有很大差异。因此，基于显影后拍摄图像，能够高精度地推测显影处理后的抗蚀剂膜的膜厚的面内分布。
(第三实施方式)
图16是表示第三实施方式的基片处理装置1a的内部结构的概要的主视图。
在第一实施方式中，均匀曝光处理由与基片处理装置1邻接、在实际处理时进行曝光的外部的曝光装置4进行。与此不同，在本实施方式中，如图16所示，基片处理装置1a具有与曝光装置4独立的曝光单元62。曝光单元62对调节用晶片W进行均匀曝光处理。
根据该结构，能够不使用外部的曝光装置，使处理条件的调节处理在基片处理装置1内完成。
另外，曝光单元62例如设置在第四区块G4中的缺陷检查单元61上。
(第四实施方式)
图17是表示第四实施方式的基片处理装置所具有的热处理单元40a的概略结构的纵截面图。
本实施方式的热处理单元40a在盖体140设置有作为调节该盖体140的温度的温度调节机构的加热器140b。
在前述的第一实施方式等中，调节了热板142的各通道的偏移量等的实际处理中的PEB处理时的热板142的条件，但是仅调节热板142的条件的话，有时上述PEB处理时的晶片温度整体低于所需的温度。在这些情况下，如本实施方式那样，通过设置调节盖体140的温度的加热器140b，能够使实际处理时的PEB处理时的晶片W的温度成为所需的温度。这是因为晶片W受到盖体140的辐射热的影响。
另外，与本实施方式不同，如果不设置加热器140b，PEB处理时的盖体140的温度，例如在PEB处理时的热板的条件的调节处理时与实际处理时会有所不同。通过设置加热器140b，能够使PEB处理时的盖体140的温度在上述调节处理时与实际处理时是相同的。晶片W如上所述受到盖体140的辐射热的影响，因此与PEB处理时的盖体140的温度在上述调节处理时与实际处理时不同的情况相比，能够提高调节后的实际处理时的PEB处理结果的晶片面内均匀性。
(第一实施方式的变形例)
在第一实施方式中，在PEB处理的处理条件的调节处理完成后的实际处理中，基于通过该调节处理决定的处理条件，即基于通过上述调节处理决定的热板142的各通道的偏移量，进行PEB处理。
另一方面，在本变形例中，在PEB处理时，基于温度传感器143得到的热处理单元40的盖体140的测温结果，对通过上述调节处理决定的上述偏移量进行修正而使用。这是因为晶片W如上所述受到盖体140的辐射热的影响。
(第一实施方式的变形例)
在第一实施方式中，PEB处理的处理条件的调节处理在导入基片处理装置1时、或基片处理装置1的维护时进行。PEB处理的处理条件的调节处理的执行时机不限于此。例如，控制部6也可以测量实际处理时形成的抗蚀剂膜的膜厚，基于该测量结果，开始PEB处理的处理条件的调节处理。具体而言，也可以在测量出的抗蚀剂膜的膜厚在晶片面内的偏差、该膜厚的晶片面内的平均值超过阈值的情况下，开始PEB处理的处理条件的调节处理。
需要说明的是，抗蚀剂膜的膜厚的测量可以如下进行。即，能够利用缺陷检查单元61的拍摄部210对实际处理时的PEB处理后的、形成有抗蚀剂膜的晶片W进行拍摄，根据从该拍摄结果取得的拍摄图像，进行抗蚀剂膜的膜厚的测量/推测。
(第一～第四实施方式的变形例)
PEB处理、显影处理的处理条件的调节处理的执行时机也可以如下决定。即，例如，控制部6也可以推测实际处理时形成的抗蚀剂图案的线宽，并基于该推测结果，开始PEB处理、显影处理的处理条件的调节处理。具体而言，也可以在推测出的线宽在晶片面内的偏差、线宽在晶片面内的平均值超过阈值的情况下，开始处理条件的调节处理。
另外，抗蚀剂图案的线宽的推测可以如下进行。即，能够利用缺陷检查单元61的拍摄部210对实际处理时的显影处理后的形成有抗蚀剂图案的晶片W进行拍摄，基于根据该拍摄结果而取得的拍摄图像，来进行抗蚀剂图案的线宽的推测。
另外，调节用晶片W在处理条件的调节时，作业者在将其收纳在盒C内的状态下放置在盒载置台12上，但也可以收纳在基片处理装置1内的容器中。
(第五实施方式)
图18是表示第五实施方式的基片处理装置1b的内部结构的概要的主视图。
如图所示，基片处理装置1b具有检查单元63。缺陷检查单元61是为了检查而对晶片W的整个表面进行拍摄的单元，与此不同，检查单元63为了检查仅对晶片W的周缘部进行拍摄。
在本实施方式中，控制部6执行周边曝光单元41对周边曝光处理的处理条件的调节处理。另外，周边曝光处理的处理条件的调节处理的执行时机如以下那样决定。即，在实际处理时的周边曝光处理后，利用检查单元63的拍摄部(未图示)拍摄晶片W的周缘部，基于该拍摄结果，开始周边曝光处理的处理条件的调节处理。例如，基于拍摄结果，推测周边曝光处理得到的周边曝光宽度，在推测出的周边曝光宽度存在异常时，开始周边曝光处理的处理条件的调节处理。
基于晶片W的周缘部的拍摄结果而开始的处理条件的调节处理不限于周边曝光处理的处理条件的调节处理，也可以是对晶片的周缘部的其他处理的处理条件的调节处理。对晶片的周缘部的其他处理例如是EBR处理(除去晶片W的外周缘部的膜的处理)、边缘涂敷处理(仅覆盖晶片W的周缘部的处理)。在周边曝光处理、EBR处理和边缘涂层处理的处理条件的调节处理中，例如调节各处理的原点位置。
应当理解本发明的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。上述的实施方式可以在不脱离本发明主旨的情况下以各种方式进行省略、置换、变更。
此外，以下的结构也属于本发明的技术范围。
(1)一种对基片进行处理的基片处理装置，其包括：
对基片进行热处理的热处理部；
拍摄基片的拍摄部；和
控制部，
所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，
所述调节处理包括：
曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；
热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；
加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；
温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和
热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
根据上述(1)，实际进行热处理，基于根据该处理后的拍摄结果推测的调节用基片的面内温度分布，决定热处理的处理条件。因此，根据本实施方式，能够以热处理的处理结果(即基片的温度)在基片面内变得均匀的方式进行热处理。因此，能够形成线宽的面内均匀性更高的抗蚀剂图案。
(2)如上述(1)记载的基片处理装置，其具有曝光部，该曝光部与在实际处理时进行曝光处理的外部的曝光装置是不同的装置，用于进行所述均匀曝光处理。
根据上述(2)，能够不使用外部的曝光装置地使处理条件的调节处理在基片处理装置内完成。
(3)如上述(1)记载的基片处理装置，其中，所述均匀曝光处理由在实际处理时进行曝光处理的外部的曝光装置进行。
(4)如上述(1)至(3)中任一项记载的基片处理装置，其中，所述一定的曝光量小于实际处理时的曝光量。
(5)如上述(1)至(4)中任一项记载的基片处理装置，其中，所述曝光前拍摄步骤和所述加热后拍摄步骤分别对多个波长的各个波长取得拍摄图像，
所述温度分布推测步骤基于关于与所述抗蚀剂膜的膜厚相应的所述波长的所述拍摄图像，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布。
根据上述(5)，能够更准确地推测热处理时的面内温度分布，能够使热处理结果在基片面内变得更均匀。
(6)如上述(1)至(5)中任一项记载的基片处理装置，其具有对基片进行显影处理的显影处理部，
所述调节处理包括：
显影处理步骤，在所述加热后拍摄步骤之后，控制所述显影处理部，对所述调节用基片进行所述显影处理；
显影后拍摄步骤，在所述显影处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；
膜厚分布推测步骤，根据所述热处理步骤的拍摄结果，推测所述调节用基片中的所述显影处理后的所述抗蚀剂膜的膜厚的面内分布；和
显影处理条件决定步骤，基于所述膜厚的面内分布的推测结果，决定所述显影处理的处理条件。
根据所述(6)，能够以显影处理的处理结果在基片面内变得均匀的方式进行显影处理。由此，能够形成线宽的面内均匀性更高的抗蚀剂图案。
(7)如上述(1)至(6)中任一项记载的基片处理装置，其具有对基片进行所述抗蚀剂膜的除去处理的除去部，
所述调节处理包括：
除去步骤，控制所述除去部，除去形成于所述调节用基片的所述抗蚀剂膜；
除去后拍摄步骤，在所述除去步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；和
判断步骤，基于所述除去后拍摄步骤的拍摄结果，判断是否再次利用所述调节用基片。
根据上述(7)，能够在不损害处理条件的调节精度的情况下抑制调节用基片的消耗量。
(8)如所述(1)至(7)中任一项记载的基片处理装置，其中，所述控制部构成为，基于在实际处理时形成于基片的抗蚀剂图案的线宽的推测结果，开始所述调节处理。
(9)如所述(1)至(8)中任一项记载的基片处理装置，其中，所述控制部构成为，基于实际处理时的基片的周缘部的拍摄结果，开始对所述基片的周缘部的处理的处理条件的调节处理。
(10)如上述(1)至(9)中任一项记载的基片处理装置，其中，所述热处理部包括：
载置基片的热板；
覆盖所述热板上的基片的盖体；和
调节所述盖体的温度的温度调节机构。
(11)一种调节对基片的处理的条件的处理条件调节方法，其包括：
对形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片进行拍摄的曝光前拍摄步骤；
均匀曝光步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，对所述调节用基片进行以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理；
在所述均匀曝光步骤之后，对所述调节用基片进行热处理的热处理步骤；
在所述热处理步骤之后，对所述调节用基片进行拍摄的加热后拍摄步骤；
温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和
热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理时的处理条件。
附图标记说明
1、1a、1b 基片处理装置
6 控制部
40、40a 热处理单元
210 拍摄部
F1 拍摄结果
F2 拍摄结果
W 晶片。

Claims (11)

1.一种对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片进行热处理的热处理部；
拍摄基片的拍摄部；和
控制部，
所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，
所述调节处理包括：
曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；
热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；
加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；
温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和
热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
具有曝光部，该曝光部与在实际处理时进行曝光处理的外部的曝光装置是不同的装置，用于进行所述均匀曝光处理。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述均匀曝光处理由在实际处理时进行曝光处理的外部的曝光装置进行。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述一定的曝光量小于实际处理时的曝光量。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述曝光前拍摄步骤和所述加热后拍摄步骤分别对多个波长的各个波长取得拍摄图像，
所述温度分布推测步骤基于关于与所述抗蚀剂膜的膜厚相应的所述波长的所述拍摄图像，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有对基片进行显影处理的显影处理部，
所述调节处理包括：
显影处理步骤，在所述加热后拍摄步骤之后，控制所述显影处理部，对所述调节用基片进行所述显影处理；
显影后拍摄步骤，在所述显影处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；
膜厚分布推测步骤，根据所述显影后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述调节用基片中的所述显影处理后的所述抗蚀剂膜的膜厚的面内分布；和
显影处理条件决定步骤，基于所述膜厚的面内分布的推测结果，决定所述显影处理的处理条件。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有对基片进行所述抗蚀剂膜的除去处理的除去部，
所述调节处理包括：
除去步骤，控制所述除去部，除去形成于所述调节用基片的所述抗蚀剂膜；
除去后拍摄步骤，在所述除去步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；和
判断步骤，基于所述除去后拍摄步骤的拍摄结果，判断是否再次利用所述调节用基片。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部构成为，基于在实际处理时形成于基片的抗蚀剂图案的线宽的推测结果，开始所述调节处理。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部构成为，基于实际处理时的基片的周缘部的拍摄结果，开始对所述基片的周缘部的处理的处理条件的调节处理。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理部包括：
载置基片的热板；
覆盖所述热板上的基片的盖体；和
调节所述盖体的温度的温度调节机构。
11.一种调节对基片的处理的条件的处理条件调节方法，其包括：
对形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片进行拍摄的曝光前拍摄步骤；
均匀曝光步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，对所述调节用基片进行以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理；
在所述均匀曝光步骤之后，对所述调节用基片进行热处理的热处理步骤；
在所述热处理步骤之后，对所述调节用基片进行拍摄的加热后拍摄步骤；
温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤中的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤中的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和
热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理时的处理条件。
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