JPWO2018225615A1 - 処理条件設定方法、記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2017年6月5日に日本国に出願された特願2017−110817号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
特許文献1はこの点に関し開示や示唆をするものではない。
図1は、第1の実施形態にかかる基板処理システム1の内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3は、各々基板処理システム1の内部構成の概略を示す、正面図と背面図である。
レジスト塗布装置31は、図4及び図5に示すように、内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送装置70側の側面には、ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
例えば熱処理装置40は、図6及び図7に示すように筐体130内に、ウェハWを加熱処理する加熱部131と、ウェハWを冷却処理する冷却部132を備えている。図7に示すように筐体130の冷却部132近傍の両側面には、ウェハWを搬入出するための搬入出口133が形成されている。
また、蓋体140には、該蓋体140の温度を測定する温度測定部である温度センサ143が設けられている。図の例では、温度センサ143は蓋体140の端部に設けられているが、蓋体140の中央部等に設けてもよい。
次にウェハWは、露光装置4に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
前述したように、一連のウェハ処理後にウェハW上に形成されているレジストパターンの線幅をSEMで測定し、該測定結果に基づいてPEB処理時の熱板142の各領域R1〜R5の処理温度を設定すると、長時間を要する。
図11(A)の画像I1と図11(B)の画像I2との間では色の分布が同様であり、また、図11(C)の画像I3と図11(D)の画像I3との間でも色の分布が同様である。このことから、撮像装置210を用いた撮像結果から得られる、ウェハWの表面の状態を示す撮像画像における色の情報すなわちRGBデータと、ウェハW上のレジストパターンの線幅と、に相関があることは明らかである。
本実施形態にかかる上記設定処理では、後述するように、撮像装置210を用いた撮像結果から得られる撮像画像におけるRGBデータの変化量と熱板142の処理温度の変化量との相関を熱板領域R1〜R5毎に示す相関モデルを用いるため、図12に示すように、まず相関モデルが作成される(ステップS1)。
相関モデル作成工程では、例えばまず、複数のPEB処理用の熱処理装置40のうち、相関モデル作成に使用されるものが、ユーザ入力等に応じて決定される。
また、相関モデル作成用のウェハWが、カセット載置台12上のカセットCから取り出され、欠陥検査装置61に搬送される。なお、相関モデル作成用のウェハWは例えばベアウェハである。その後、ウェハWは、その表面が撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。なお、この撮像画像におけるRGBデータが所定の範囲内にない場合、具体的には、例えば撮像画像のいずれかの領域におけるR、G、Bのいずれかの輝度値が所定の範囲内にない場合、ウェハWの表面に傷、異物の付着があることが予測されるため、以後の工程は行われずに、当該ウェハWは、カセットCへ搬出される。
レジスト膜形成前検査工程において、撮像画像におけるRGBが所定の範囲内にあり、ウェハWに問題がない場合、ウェハWは、レジスト塗布装置31に搬送され、予め定められた処理条件でレジスト膜が形成される。その後、ウェハWはPAB処理用の熱処理装置40に搬送され、予め定められた処理条件で熱処理される。
次にウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、レジスト膜が形成されたウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。なお、この撮像画像におけるRGBデータが所定の範囲内にない場合、具体的には、例えば撮像画像のいずれかの領域におけるR、G、Bのいずれかの輝度値が所定の範囲内にない場合、適切なレジスト膜が形成されていないことが予測されるため、以後の工程は行われずに、当該ウェハWは、カセットCへ搬出される。
レジスト膜形成後検査工程において、撮像画像におけるRGBデータが所定の範囲内にあり、ウェハW上のレジスト膜に問題がない場合、ウェハWは、露光装置4に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
その後、ウェハWは、上記熱処理装置決定工程で決定されたPEB処理用の熱処理装置40に搬送され、相関モデル作成のための初期設定条件でPEB処理され、すなわち、熱板142の処理温度を相関モデル作成のための初期設定温度として、PEB処理が行われる。
次にウェハWは、現像処理装置30に搬送されて現像処理される。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、現像処理によりレジストパターンが形成されたウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。そして、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
上記相関モデル作成工程後に、熱板142の各領域R1〜R5の処理温度を設定する際の基準となるウェハ(以下、基準ウェハという)を、上記処理温度の設定に用いる撮像装置210で撮像し、基準ウェハの撮像画像を取得する(ステップS2)。
具体的には、基準ウェハがカセット載置台12上のカセットCから取り出され、欠陥検査装置61に搬送され、基準ウェハの表面が撮像装置210により撮像され、撮像結果に基づいて、基準ウェハの撮像画像が取得される。
基準ウェハは、所望の線幅のレジストパターンが面内に均一に形成されたウェハであり、このウェハは例えば予め基板処理システム1の外部においてSEMを用いた線幅測定結果に基づいて作製することができ、また、本実施形態にかかる設定方法により既に処理温度が適切に設定された別の基板処理システム1で作製することができる。
なお、基準画像所得工程は、相関モデル作成工程前に行われてもよいし、相関モデル作成工程と並行して行われてもよい。
また、複数のPEB処理用の熱処理装置40のうち、設定対象のものが、ユーザ入力等に応じて決定される。この設定対象決定工程は、相関モデル作成工程や基準画像取得工程の前に行われてもよいし、これらの工程と並行して行われてもよい。
相関モデル作成工程、基準画像取得工程及び設定対象決定工程後、処理温度設定対象であるPEB処理用の熱処理装置40でPEB処理されたウェハWの撮像画像が取得される。具体的には、以下の4.1〜4.7の工程が行われる。
<4.2.レジスト膜形成及びPAB工程>
<4.3.レジスト膜形成後検査工程>
<4.4.露光工程>
処理済み画像取得工程では、設定用のウェハWに対して、前述の1.2〜1.5の工程における処理と同様な処理が4.1〜4.4の工程で行われる。これにより設定用のウェハWに対して適切なレジスト膜が形成され、該レジスト膜が所定のパターンで露光処理される。なお、設定用のウェハWは例えばベアウェハである。
その後、ウェハWは、上記設定対象決定工程で決定された設定対象のPEB処理用の熱処理装置40に搬送され、該熱処理装置40において現在設定されている処理温度でPEB処理され、すなわち、熱板142の領域R1〜R5の処理温度をそれぞれ設定用の初期設定温度として、PEB処理が行われる。
次に、PEB処理されたウェハWは、現像処理装置30に搬送されて現像処理される。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送される。そして、初期設定温度でPEB処理され現像処理によりレジストパターンが形成されたウェハWが、撮像装置210により撮像され、撮像画像(以下、処理済みウェハWの撮像画像ということがある)が取得される。その後、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
設定用の初期設定温度が適切でなければ、基準画像取得工程で取得された基準ウェハの撮像画像と、処理済み画像取得工程で取得された処理済みウェハWの撮像画像との間で、RGBデータにズレが生じるので、このRGBデータのズレ量を算出する(ステップS5)。
具体的には、例えば、熱板142の領域毎に、RGBデータのズレ量として、当該領域に含まれる基準ウェハの撮像画像のRGBデータの平均値と、当該領域に含まれる処理済みウェハWの撮像画像のRGBデータの平均値との差が算出される。
そして、相関モデル作成工程で作成された相関モデルと上記RGBデータのズレ量とに基づいて、熱板142の各領域R1〜R5の処理温度の補正量が算出される(ステップS6)。この補正量は、当該補正量に基づいて処理温度を補正してPEB処理を行ったウェハWの撮像画像と基準ウェハの撮像画像との間でRGBデータに差が生じないようなものが算出される。
次に、算出された補正量に基づいて、熱板142の各領域R1〜R5の現在設定されている設定用の初期設定温度を補正し、設定対象の熱処理装置40における熱板142の各領域R1〜R5の処理温度を、補正後の温度に設定する(ステップS7)。
つまり、全てのPEB処理用の熱処理装置40について処理温度の設定が完了するまで、熱処理装置40毎に、処理済み画像取得工程、ズレ量算出工程、補正量算出工程及び処理条件設定工程が行われる。
さらに、本実施形態の処理温度の設定方法では、レジストパターンの線幅の最適化のための熱板142の処理温度の設定を、SEMでの測定結果を用いずに、撮像画像に基づいて行っているため、設定対象の熱処理装置40が複数ある場合でも、短時間で設定を完了することができる。
本実施形態にかかる上記処理条件を設定する処理でも、欠陥検査装置61の撮像装置210での撮像結果に基づく撮像画像を利用する。レジスト膜の膜厚と、上記撮像画像におけるRGBデータとの間には相関があるためである。
レジスト塗布装置31におけるウェハWの処理回転数及びPAB処理時の熱板142の各領域R1〜R5の処理温度の2つの処理条件を設定する処理では、前述と同様の相関モデルを用いるため、まず処理条件ごとに相関モデルが作成される。
<11.1A.処理装置決定工程>
ウェハWの処理回転数設定用の相関モデルの作成の際は、第1〜第3のレジスト塗布装置31と第1〜第3のPAB処理用の熱処理装置40の中から、当該相関モデル作成に使用されるレジスト塗布装置31とPAB処理用の熱処理装置40の組み合わせが、ユーザ入力等に応じて決定される。
また、相関モデル作成用のウェハWが、カセット載置台12上のカセットCから取り出され、欠陥検査装置61に搬送される。その後、ウェハWは、その表面が撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。なお、この撮像画像におけるRGBデータが所定の範囲内にない場合、ウェハWの表面に傷、異物の付着があることが予測されるため、以後の工程は行われずに、当該ウェハWは、カセットCへ搬出される。
検査工程において、撮像画像におけるRGBが所定の範囲内にあり、ウェハWに問題がない場合、ウェハWは、上記処理装置決定工程で選択されたレジスト塗布装置31に搬送され、相関モデル作成のための初期設定条件でレジスト膜が形成される。
その後、ウェハWはPAB処理用の熱処理装置40に搬送され、予め定められた処理条件で熱処理される。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、ウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。そして、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
<11.1B.処理装置決定工程>
PAB処理時の熱板142の処理温度設定用の相関モデルの作成の際は、第1〜第3のレジスト塗布装置31と第1〜第3のPAB処理用の熱処理装置40の中から、当該相関モデル作成に使用されるレジスト塗布装置31とPAB処理用の熱処理装置40の組み合わせが、ユーザ入力等に応じて決定される。なお、上記組み合わせとして、ウェハWの処理回転数設定用の相関モデルの作成の際と同じが用いられる場合は、当該工程は省略することができる。
また、相関モデル作成用のウェハWが、カセット載置台12上のカセットCから取り出され、欠陥検査装置61に搬送される。11.2Aと同様な検査が行われる。
検査工程において、ウェハWに問題がない場合、ウェハWは、上記処理装置決定工程で選択されたレジスト塗布装置31に搬送され、予め定められた処理条件でレジスト膜が形成される。
その後、ウェハWはPAB処理用の熱処理装置40に搬送され、相関モデル作成のための初期設定条件でPAB処理される。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、ウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。そして、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
上記相関モデル作成工程後に、上記2つの処理条件を設定する際の基準となるウェハ(以下、基準ウェハという)を、上記処理温度の設定に用いる撮像装置210で撮像し、基準ウェハの撮像画像を取得する。
本例における基準ウェハは、所望の膜厚であり且つ膜厚が面内において均一なレジスト膜が形成されたウェハであり、このウェハは例えば予め基板処理システム1の外部において断面SEMを用いた膜厚測定結果に基づいて作製することができ、また、本実施形態にかかる設定方法により既に各処理条件が適切に設定された別の基板処理システム1で作製することができる。
なお、基準画像所得工程は、相関モデル作成工程前に行われてもよいし、相関モデル作成工程と並行して行われてもよい。
<13A.熱処理装置決定工程>
第1〜第3のレジスト塗布装置31における処理条件を設定する際は、各レジスト塗布装置31で共通のPAB用の熱処理装置40が第1〜第3の熱処理装置40の中から、ユーザ入力等に応じて選択/決定される。ここで共通の熱処理装置40が決定されるのは、以下の理由からである。すなわち、各レジスト塗布装置31に対するPAB処理用の熱処理装置40が共通でなければ、基準ウェハの撮像画像と、後述の撮像工程で取得される撮像画像とでRGBデータにズレが生じた場合に、このズレが、レジスト塗布装置31の処理条件が適切でないことに起因するものか、熱処理装置40が異なることに起因するものか、判別不能であるからである。
この熱処理装置決定工程は、相関モデル作成工程や基準画像取得工程の前に行われてもよいし、これらの工程と並行して行われてもよい。
また、第1〜第3のレジスト塗布装置31のうち、設定対象のものが、ユーザ入力等に応じて決定される。この設定対象決定工程は、相関モデル作成工程や基準画像取得工程、熱処理装置決定工程の前に行われてもよいし、相関モデル作成工程や基準画像取得工程と並行して行われてもよい。
そして、設定対象決定工程で決定されたレジスト塗布装置31でレジスト膜形成処理が行われ且つ熱処理装置決定工程で決定されたPAB処理用の熱処理装置40でPAB処理が行われたウェハWについて、撮像画像が取得される。具体的には、以下の15.1A〜15.4Aの工程が行われる。
処理済み画像取得工程では、設定用のウェハWに対して、11.2Aと同様な検査が行われる。なお、設定用のウェハWは例えばベアウェハである。
検査工程において、ウェハWに問題がない場合、ウェハWは、上記設定対象決定工程で決定された設定対象のレジスト塗布装置31に搬送される。そして、該レジスト塗布装置31において現在設定されているウェハWの処理回転速度でレジスト膜形成処理が行われ、すなわちウェハWの処理回転速度を設定用の初期設定速度として、レジスト膜形成処理が行われる。
その後、ウェハWは、熱処理装置決定工程で決定されたPAB処理用の熱処理装置40に搬送され、該熱処理装置40で、予め定められた処理条件でPAB処理が行われる。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、ウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。そして、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
設定用の初期設定速度が適切でなければ、基準画像取得工程で取得された基準ウェハの撮像画像と、処理済み画像取得工程で取得された処理済みウェハWの撮像画像との間で、RGBデータにズレが生じるので、このRGBデータのズレ量を算出する。
具体的には、例えば、RGBデータのズレ量として、基準ウェハの撮像画像におけるウェハ全面のRGBデータの平均値と、処理済みウェハWの撮像画像におけるウェハ全面のRGBデータの平均値との差が算出される。
そして、相関モデル作成工程で作成された相関モデルと上記RGBデータのズレ量とに基づいて、レジスト塗布装置31におけるウェハWの処理回転速度の補正量が算出される(ステップS6)。この補正量は、当該補正量に基づいて処理回転速度を補正してレジスト膜形成処理を行ったウェハWの撮像画像と基準ウェハの撮像画像との間でRGBデータに差が生じないようなものが算出される。
次に、算出された補正量に基づいて、ウェハWの処理回転速度として現在設定されている設定用の初期設定速度を補正し、設定対象のレジスト塗布装置31におけるウェハWの処理回転速度を、補正後の速度に設定する。
<13B.レジスト塗布装置決定工程>
第1〜第3の熱処理装置40における処理条件を設定する際は、各熱処理装置40で共通のレジスト塗布装置31が第1〜第3のレジスト塗布装置31の中から、ユーザ入力等に応じて選択/決定される。
この熱処理装置決定工程は、相関モデル作成工程や基準画像取得工程の前に行われてもよいし、これらの工程と並行して行われてもよい。
また、第1〜第3の熱処理装置40のうち、設定対象のものが、ユーザ入力等に応じて決定される。この設定対象決定工程は、相関モデル作成工程や基準画像取得工程、レジスト塗布装置決定工程の前に行われてもよいし、相関モデル作成工程や基準画像取得工程と並行して行われてもよい。
そして、レジスト塗布装置決定工程で決定されたレジスト塗布装置31でレジスト膜形成処理が行われ且つ設定対象決定工程で決定されたPAB処理用の熱処理装置40でPAB処理が行われたウェハWについて、撮像画像が取得される。具体的には、以下の15.1B〜15.4Bの工程が行われる。
処理済み画像取得工程では、設定用のウェハWに対して、11.2Aと同様な検査が行われる。なお、設定用のウェハWは例えばベアウェハである。
検査工程において、ウェハWに問題がない場合、ウェハWは、レジスト塗布装置決定工程で決定されたレジスト塗布装置31に搬送され、該レジスト塗布装置31において予め定められた処理条件でレジスト膜形成処理が行われる。
その後、ウェハWは、設定対象決定工程で決定されたPAB処理用の熱処理装置40に搬送され、該熱処理装置40において現在設定されている処理温度でPAB処理され、すなわち、熱板142の領域R1〜R5の処理温度をそれぞれ設定用の初期設定温度として、PAB処理が行われる。
次に、ウェハWは、欠陥検査装置61に搬送され、ウェハWが撮像装置210により撮像され、撮像画像が取得される。そして、ウェハWはカセット載置台12上のカセットCに搬送される。
<17B.補正量算出工程>
<18B.処理条件設定工程>
処理済み画像取得工程後、PEB処理時の処理温度設定工程における前述の5〜7の工程と同様な処理が16B〜18Bの工程で行われる。これにより、設定対象決定工程で決定されたPAB処理用の熱処理装置40における熱板142の各領域R1〜R5の処理温度が設定される。
さらに、本実施形態の処理条件の設定方法では、処理条件の設定を、断面SEMを利用した測定結果を用いずに、撮像画像に基づいて行っているため、設定対象のレジスト塗布装置31や熱処理装置40が複数ある場合でも、短時間で設定を完了することができる。
言い換えると、本実施形態にかかる処理条件の設定処理は、設定に用いる色情報の色すなわち光の波長を選択する選択工程を含んでもよい。レジスト膜の形成に用いる材料が変わると、レジスト膜からの反射光の波長が変わり、レジストパターンの線幅やレジスト膜の膜厚の変化量に対する輝度情報の変化が大きい色すなわち反射光の波長が変わる。上述の選択工程を含めることにより、レジストパターンの線幅やレジスト膜の膜厚の変化量に対する輝度情報の変化が大きい色すなわち光の波長を選択することができる。したがって、現像画像の色情報に基づく処理条件の設定をより正確に行うことができる。
基板処理システム1に設けられる撮像装置は、図13に示すように、各画素251の前面に1つのプリズム252が設けられ、1つの画素251に到達する光がプリズム252によって分光されている。また、画素251は、プリズム252による分光に対応して、複数の受光部251aに分割されており、プリズム252により分光された各波長の光を各受光部251aで別々に受光する。したがって、本例の撮像装置では、複数の波長の光の輝度情報を画素毎に取得することができる。
図14は、第2の実施形態にかかる基板処理システム1´の構成の概略を模式的に示す平面図である。
第1の実施形態にかかる基板処理システム1は、塗布現像システムとして構成され、PEB処理やレジスト膜形成処理、PAB処理などが行われるが、第2の実施形態にかかる基板処理システム1´では、ウェハW上にTiN膜等の所定の膜を形成する成膜処理、ウェハWに対するエッチング処理などが行われる。
6 制御部
30,305 現像処理装置
31 レジスト塗布装置
40 熱処理装置
41 周辺露光装置
61 欠陥検査装置
142 熱板
210 撮像装置
Claims (10)
- 基板に所定の処理を行う複数の処理装置を備えた基板処理システムにおける前記所定の処理の処理条件を設定する処理条件設定方法であって、
前記基板処理システムは基板の表面側を撮像する撮像装置を備え、
前記処理条件の設定の基準となる基板である基準基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記基準基板の撮像画像を取得する基準画像取得工程と、
現在の前記処理条件で前記所定の処理が行われた基板である処理済み基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記処理済み基板の撮像画像を取得する処理済み画像取得工程と、
前記処理済み基板の撮像画像と前記基準基板の撮像画像との色情報のズレ量を算出するズレ量算出工程と、
前記撮像装置での撮像結果に基づく基板の撮像画像における色情報の変化量と前記処理条件の変化量との相関を示す相関モデルと、前記色情報のズレ量とに基づいて、当該所定の処理の処理条件の補正量を算出する補正量算出工程と、
算出された前記補正量と現在の前記処理条件とに基づいて、当該所定の処理の前記処理条件を設定する設定工程と、を含み、
前記処理装置毎に、前記処理済み画像取得工程、前記ズレ量算出工程、前記補正量算出工程及び前記設定工程を行う。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記所定の処理は、基板上のレジスト膜にパターンの露光を行った後に当該基板を加熱する処理である。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記所定の処理は、基板を回転させながら当該基板に塗布液を供給し、塗布膜を形成する処理である。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記所定の処理は、基板上に塗布膜が形成された後に当該基板を加熱する処理である。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記所定の処理は、基板上に所定の膜を形成する処理である。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記所定の処理は、基板または基板上の所定の膜をエッチングする処理である。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記複数の処理装置のいずれかにおいて複数の処理条件で前記所定の処理を行い、各処理条件で前記所定の処理が行われた基板を前記撮像装置で撮像した結果に基づく撮像画像間での前記色情報の差と、当該撮像画像が得られたときの処理条件の差とから、前記相関モデルを作成する相関モデル作成工程を含む。 - 請求項1に記載の処理条件設定方法において、
前記色情報の色を選択する選択工程を含む。 - 基板に所定の処理を行う複数の処理装置を備えた基板処理システムにおける前記所定の処理の処理条件を設定する処理条件設定方法を当該基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理システムは基板の表面側を撮像する撮像装置を備え、
前記処理条件設定方法は、前記処理条件の設定の基準となる基板である基準基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記基準基板の撮像画像を取得する基準画像取得工程と、
現在の前記処理条件で前記所定の処理が行われた基板である処理済み基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記処理済み基板の撮像画像を取得する処理済み画像取得工程と、
前記処理済み基板の撮像画像と前記基準基板の撮像画像との色情報のズレ量を算出するズレ量算出工程と、
前記撮像装置での撮像結果に基づく基板の撮像画像における色情報の変化量と前記処理条件の変化量との相関を示す相関モデルと、前記色情報のズレ量とに基づいて、当該所定の処理の処理条件の補正量を算出する補正量算出工程と、
算出された前記補正量と現在の前記処理条件とに基づいて、当該所定の処理の前記処理条件を設定する設定工程と、を含み、
前記処理装置毎に、前記処理済み画像取得工程、前記ズレ量算出工程、前記補正量算出工程及び前記設定工程を行う。 - 基板に所定の処理を行う複数の処理装置を備えた基板処理システムであって、
基板の表面側を撮像する撮像装置と、
前記所定の処理の処理条件を設定する制御部と、を備え、
前記制御部の制御によって、
前記処理条件の設定の基準となる基板である基準基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記基準基板の撮像画像を取得する基準画像取得工程と、
現在の前記処理条件で前記所定の処理が行われた基板である処理済み基板を前記撮像装置で撮像し、撮像結果に基づいて、前記処理済み基板の撮像画像を取得する処理済み画像取得工程と、
前記処理済み基板の撮像画像と前記基準基板の撮像画像との色情報のズレ量を算出するズレ量算出工程と、
前記撮像装置での撮像結果に基づく基板の撮像画像における色情報の変化量と前記処理条件の変化量との相関を示す相関モデルと、前記色情報のズレ量とに基づいて、当該所定の処理の処理条件の補正量を算出する補正量算出工程と、
算出された前記補正量と現在の前記処理条件とに基づいて、当該所定の処理の前記処理条件を設定する設定工程と、が行われるものであり、
前記処理装置毎に、前記処理済み画像取得工程、前記ズレ量算出工程、前記補正量算出工程及び前記設定工程が行われる。
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