KR102562020B1 - 기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의, 기판의 검사 방법은, 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하고, 당해 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하고, 각각 상이한 범위의 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부로부터, 제1 기판 화상으로부터 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하고, 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하고, 선택된 검사 레시피와 제2 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함 유무를 판정한다.

Description

기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체
(관련 출원의 상호 참조)
본원은, 2015년 5월 12일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2015-097333호에 기초하여, 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은 기판을 검사하는 방법, 기판 처리 시스템 및 상기 기판의 검사 방법을 실행하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 일련의 처리가 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 기구 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에서 행해지고 있다.
이러한 도포 현상 처리 시스템에는, 웨이퍼에 대해 소위 매크로 결함 검사를 행하는 검사 장치가 설치되어 있다(특허문헌 1). 매크로 결함 검사에 있어서는, 도포 현상 처리 시스템에서 소정의 처리가 실시된 웨이퍼가, 소정의 조명 하에서 예를 들어 CCD 라인 센서 등의 촬상 장치에 의해 촬상되어, 당해 웨이퍼의 촬상 화상이 취득된다. 그리고, 취득된 촬상 화상을 기준이 되는 웨이퍼의 화상과 비교함으로써, 결함의 유무가 판정된다.
일본 특허 공개 2012-104593호 공보
그런데, 상술한 매크로 결함 검사에 있어서는, 기준이 되는 웨이퍼의 화상이나, 조명의 조도, 촬상 속도와 같은 검사 레시피가 설정되어 있다. 그러나, 포토리소그래피 공정에 있어서는 웨이퍼 표면에 다양한 막이 형성되기 때문에, 웨이퍼 표면의 반사율 등의 표면 상태는, 공정마다 상이하다. 그로 인해, 웨이퍼의 표면 상태에 따라, 매크로 결함 검사의 정밀도가 변동된다는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 검사를 적정하게 행하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의, 기판의 검사 방법이며, 상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하여, 상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하고, 각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부로부터, 상기 제1 기판 화상으로부터 추출된 상기 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하고, 상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하고, 상기 선택된 검사 레시피와 상기 제2 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함 유무를 판정한다.
본 발명에 따르면, 먼저 처리 스테이션에서 처리되기 전의 기판을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하고, 당해 제1 기판 화상의 특징량에 기초하여 검사 레시피를 선택하므로, 최적의 검사 레시피에 기초하여, 제2 기판 화상에 있어서의 결함의 유무를 적정하게 판정할 수 있다. 따라서, 기판의 표면 상태와 상관없이, 항상 최적의 검사를 행하고, 매크로 결함 검사의 정밀도의 불균일을 억제할 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명은 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템이며, 상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하는 제1 촬상 장치와, 상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하는 특징량 추출부와, 각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부와, 상기 기억부에 기억된 상기 검사 레시피에서, 상기 특징량 추출부에서 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하는 레시피 선택부와, 상기 선택된 검사 레시피에 기초하여, 상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하는 제2 촬상 장치와, 상기 제2 기판 화상에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 결함 판정부를 구비한 검사 장치를 갖는다.
다른 관점에 따른 본 발명은 상기의 기판의 검사 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 검사를 적정하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 2는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 정면도.
도 3은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 배면도.
도 4는 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도.
도 5는 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도.
도 6은 제어 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 블록도.
도 7은 화소값과 검사 레시피의 관계를 나타내는 설명도.
도 8은 웨이퍼의 결함 검사의 공정 개략을 나타내는 흐름도.
도 9는 화소값과 검사 레시피의 관계를 나타내는 설명도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는, 정면도와 배면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템(1)이 웨이퍼(W)에 대해 도포 현상 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템인 경우를 예로 하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속시킨 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 재치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때에 카세트(C)를 재치하는 카세트 재치판(21)이 복수 설치되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 수수 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향의 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향의 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향의 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.
예를 들어 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 순서대로 배치되어 있다.
예를 들어 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 3개 배열하여 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 도포액을 도포하는 스핀코팅이 행해진다. 스핀코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.
예를 들어 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열처리를 행하는 열처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드비젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열하여 설치되어 있다. 이들 열처리 장치(40), 어드비젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어 제3 블록(G3)에는, 처리 스테이션(11)에서 처리되기 전의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(50)와, 복수의 수수 장치(51, 52, 53, 54, 55) 및 처리 스테이션(11)에서 처리된 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(56)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 수수 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 검사 장치(50, 56)의 구성에 대해서는 후술한다.
도 1에 도시된 바와 같이 제1 블록(G1) 내지 제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 갖는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하고, 제3 블록(G3)의 수수 장치(52)와 제4 블록(G4)의 수수 장치(62)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하고, 제3 블록(G3) 내의 각 수수 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 수수 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하고, 제4 블록(G4) 내의 각 수수 장치, 수수 장치(101) 및 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이어서, 상술한 검사 장치(50)의 구성에 대해 설명한다. 검사 장치(50)는, 도 4에 도시된 바와 같이 케이싱(150)을 가지고 있다. 케이싱(150) 내에는, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 척(151)이 설치되어 있다. 케이싱(150)의 저면에는, 케이싱(150) 내의 일단부측(도 4 중의 X 방향의 부방향측)으로부터 타단부측(도 4 중의 X 방향의 정방향측)까지 연장되는 가이드 레일(152)이 설치되어 있다. 가이드 레일(152) 상에는, 웨이퍼 척(151)을 회전시킴과 함께, 가이드 레일(152)을 따라 이동 가능한 구동부(153)가 설치되어 있다.
케이싱(150) 내의 타단부측(도 4의 X 방향의 정방향측)의 측면에는, 제1 촬상 장치로서의 촬상부(160)가 설치되어 있다. 촬상부(160)로서는, 예를 들어 광각형의 CCD 카메라가 이용된다. 케이싱(150)의 상부 중앙 부근에는, 하프 미러(161)가 설치되어 있다. 하프 미러(161)는, 촬상부(160)와 대향하는 위치에, 경면이 연직 하방을 향한 상태로부터 촬상부(160)의 방향을 향하여 45도 상방으로 경사진 상태로 설치되어 있다. 하프 미러(161)의 상방에는, 조명 장치(162)가 설치되어 있다. 하프 미러(161)와 조명 장치(162)는, 케이싱(150) 내부의 상면에 고정되어 있다. 조명 장치(162)로부터의 조명은, 하프 미러(161)를 통과하여 하방을 향하여 비추어진다. 따라서, 조명 장치(162)의 하방에 있는 물체에 의해 반사된 광은, 하프 미러(161)로 또 반사되어, 촬상부(160)로 들어간다. 즉, 촬상부(160)는, 조명 장치(162)에 의한 조사 영역에 있는 물체를 촬상할 수 있다. 그리고, 검사 장치(50)의 촬상부(160)에서 촬상된 웨이퍼(W)의 화상(제1 기판 화상)은, 후술하는 제어 장치(200)에 입력된다.
검사 장치(56)는, 검사 장치(50)와 동일한 구성을 갖고 있으므로, 검사 장치(56)에 관한 설명은 생략한다. 또한, 검사 장치(56)의 촬상부(160)는, 본 발명의 제2 촬상 장치로서 기능하고, 검사 장치(56)의 촬상부(160)에서 촬상된 웨이퍼(W)의 화상(제2 기판 화상)도, 마찬가지로 제어 장치(200)에 입력된다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 제어 장치(200)가 설치되어 있다. 제어 장치(200)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되어, 프로그램 저장부(도시되지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 검사 장치(50, 56)에서 촬상된 기판 화상에 기초하여 행해지는 웨이퍼(W)의 검사를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 이외에도, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하고, 기판 처리 시스템(1)의 소정의 작용, 즉 웨이퍼(W)에의 레지스트액의 도포, 현상, 가열 처리, 웨이퍼(W)의 수수, 각 유닛의 제어 등을 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(200)에 인스톨된 것이어도 된다.
또한, 제어 장치(200)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 검사 장치(50)의 촬상부(160)에서 촬상된 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하는 특징량 추출부(210)와, 소정 범위의 특징량에 대응하여 설정된 검사 레시피가 복수 기억된 기억부(211)와, 기억부(211)에 기억된 복수의 검사 레시피로, 특징량 추출부(210)에서 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하는 레시피 선택부(212)와, 선택된 검사 레시피와, 검사 장치(56)의 촬상부(160)에서 촬상된 제2 기판 화상에 기초하여 결함의 유무를 판정하는 결함 판정부(213)를 가지고 있다. 또한, 제어 장치(200)에는, 촬상부(160)에서 촬상된 제1 기판 화상 및 제2 기판 화상을 보관한 화상 보관부(214), 화상 보관부(214)에 보관된 제1 기판 화상을, 특징량 추출부(210)에서 추출된 특징량에 기초하여, 복수의 그룹으로 분류하는 화상 분류부(215)와, 화상 분류부(215)에서 각 그룹으로 분류된 복수의 제1 기판 화상에 대응하는 제2 기판 화상을 합성하고, 기준 화상을 생성하는 기준 화상 생성부(216)와, 기준 화상 생성부(216)에서 생성된 기준 화상에 기초하여 검사 레시피를 생성하여, 기억부(211)에 기억시키는 검사 레시피 생성부(217)가 더 설치되어 있다.
특징량 추출부(210)에서 추출되는 특징량은, 본 실시 형태에서는 예를 들어 기판 화상의 화소값이다. 그리고, 특징량 추출부(210)에서는, 예를 들어 기판 화상의 전체면의 화소값에 대해 평균값을 산출하고, 당해 평균값을 그 기판 화상의 특징량으로서 구한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 화상이, 예를 들어 256 계조(0 내지 255)의 8bit 화상인 경우를 예로 들어 설명한다.
기억부(211)에는, 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이, 다른 범위의 화소값에 대응하여 설정된, 예를 들어 3종류의 검사 레시피(230, 231, 232)가 기억되어 있다. 검사 레시피(230)는, 예를 들어 제1 기판 화상의 특징량(화소값의 평균값)이 「10 내지 70」인 범위였을 경우에 사용되는 것이며, 검사 레시피(231, 232)는, 각각 특징량이 「90 내지 140」, 「200 내지 240」이었던 경우에 사용되는 것이다. 각 검사 레시피(230, 231, 232)에는, 예를 들어 각 촬상부(160)에서 촬상할 때의 촬상 조건이나, 결함 검사의 기준이 되는 기준 화상 등에 의해 구성되어 있다. 또한, 기억부(211)에 기억되는 검사 레시피의 수나 검사 레시피가 커버하는 범위는 임의로 설정이 가능하고, 본 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니다.
레시피 선택부(212)에서는, 특징량 추출부(210)에서 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피가 기억부(211)로부터 선택된다. 예를 들어 임의의 로트의 웨이퍼(W)를 검사 장치(50)에서 촬상하여 취득된 제1 기판 화상의 특징량이 「60」이었을 경우, 레시피 선택부(212)에서는, 기억부(211)로부터 특징량 「10 내지 70」의 기판 화상에 대응하는 검사 레시피(230)를 선택한다.
결함 판정부(213)에서는, 이 검사 레시피(230)와 제2 기판 화상에 기초하여 결함의 유무가 판정된다. 구체적으로는, 제1 기판 화상의 특징량이 「60」이었던 웨이퍼(W)가 처리 스테이션(11)에서 소정의 처리를 종료하면, 검사 장치(56)의 촬상부(160)에서 촬상되어 제2 기판 화상이 취득된다. 그리고, 결함 판정부(213)에서는, 제1 기판 화상의 특징량 「60」에 기초하여 선택된 검사 레시피(230)에 의해, 동일한 웨이퍼(W)의 제2 기판 화상에 대해 결함의 유무를 판정한다. 또한, 다른 화상 보관부(214), 화상 분류부(215), 기준 화상 생성부(216), 검사 레시피 생성부(217)의 기능에 대해서는, 후술한다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법 및 웨이퍼(W)의 검사 방법에 대해 설명한다. 도 8은, 이러한 웨이퍼(W)의 검사 방법의 주된 공정의 예를 나타내는 흐름도이며, 검사 방법에 대해서는 이 도 8에 기초하여 설명한다.
먼저, 동일 로트의 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되어, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 제3 블록(G3)의 검사 장치(50)로 반송되어, 제1 기판 화상이 취득된다(도 8의 공정 S1). 계속해서, 특징량 추출부(210)에서는, 이 제1 기판 화상으로부터 특징량을 추출한다(도 8의 공정 S2). 그리고, 제1 기판 화상의 특징량에 대응하는 검사 레시피가 기억부(211)에 존재하면, 레시피 선택부(212)에 의해 소정의 검사 레시피가 선택된다(도 8의 공정 S3, S4). 구체적으로는, 예를 들어 특징량으로서의 화소값의 평균값이 「60」이었던 경우에는, 레시피 선택부(212)에 의해 기억부(211)로부터, 특징량 「60」에 대응하는 검사 레시피(230)가 선택된다. 또한, 예를 들어 특징량이 「150」이며, 기억부(211) 내에 대응하는 검사 레시피가 존재하지 않는 경우는(도 8의 공정 S3의 NO), 특징량이 「150」인 제1 기판 화상은, 화상 보관부(214)에 보관됨(도 8의 공정 S5)과 함께, 미리 정해진 검사 레시피가 선택된다(도 8의 공정 S4). 화상 보관부(214)에 제1 기판 화상이 보관된 후의 처리에 대해서는, 후술한다. 여기서, 미리 정해진 검사 레시피란, 예를 들어 기억부(211)에 기억된 복수의 검사 레시피 중 임의의 검사 레시피이면 되고, 예를 들어 본 실시 형태에서는, 검사 레시피(231)가 미리 정해진 검사 레시피인 것으로서 설명한다. 즉, 제1 기판 화상의 특징량이 「150」이었을 경우, 기억부(211) 내에 대응하는 검사 레시피가 존재하지 않으므로, 미리 정해진 검사 레시피(231)가 선택된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들어 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열처리되어, 온도 조절된다.
이어서 웨이퍼(W)는 어드비젼 장치(41)로 반송되어, 어드비젼 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다.
웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성되면, 다음에 웨이퍼(W)는, 제1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 가열처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)로 반송되어, 주변 노광 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 수수 장치(52)로 반송되어, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 수수 장치(62)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(12)로 반송되고, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이킹 처리된다. 이에 의해, 레지스트막의 노광부에서 발생된 산에 의해 탈보호 반응시킨다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상 처리가 행해진다.
현상 처리의 종료 후, 웨이퍼(W)는 열처리 장치(40)로 반송되어, 포스트 베이킹 처리된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 의해 온도 조정된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 검사 장치(56)로 반송되어, 촬상부(160)에 의해 제2 기판 화상이 취득된다(도 8의 공정 S6).
계속해서, 제어 장치(200)의 결함 판정부(213)에서는, 예를 들어 특징량 「60」에 대응하여 선택된 검사 레시피(230)에 기초하여, 제2 기판 화상 중의 결함의 유무를 판정한다. 결함 유무의 판정은, 예를 들어 검사 레시피(230) 중의 기준 화상과 제2 기판 화상을 비교하여, 예를 들어 기준 화상과 제2 기판 화상 사이의 화소값에 규정값 이상의 차이가 있는 경우에는 결함 있음과, 차이가 규정값보다 작으면 결함 없음으로 판정된다(도 8의 공정 S7). 마찬가지로, 제1 기판 화상의 특징량이 「150」이었을 경우에도, 선택된 검사 레시피(231)와 제2 기판 화상에 기초하여 결함의 유무가 판정된다.
웨이퍼(W)의 결함 검사가 종료되면, 당해 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(23)를 통해 소정의 카세트 재치판(21)의 카세트(C)로 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다. 그리고, 이 일련의 포토리소그래피 공정이, 동일 로트의 후속 웨이퍼(W)에 대해서도 실시된다.
이어서, 공정 S5에서 화상 보관부(214)에 제1 기판 화상이 보관된 후의 처리에 대해 설명한다. 예를 들어, 로트의 선두 웨이퍼(W)의 제1 기판 화상에 있어서, 검사 레시피(230, 231, 232)의 어느 쪽에도 해당하지 않는 특징량 「150」이 추출되면, 후속 웨이퍼(W)에 대해서도, 대략 특징량은 「150」전후의 값이 된다. 이러한 경우, 예를 들어 도 9에 점선으로 나타낸 바와 같이, 검사 레시피(230, 231, 232)에 대응하지 않는 제1 기판 화상은 화상 보관부(214)에 상당수, 즉, 상기의 로트에 포함되는 웨이퍼(W)의 수만큼 기억된다. 또한, 도 9의 파선 종축은, 기억부(211)에 보관되는 기판 화상의 수를 나타내고 있다.
그리고, 검사 레시피(230, 231, 232)의 어느 쪽에도 해당하지 않는 제1 기판 화상을 화상 보관부(214)에 축적해 간 결과, 예를 들어 도 9에 도시된 바와 같이, 예를 들어 화소값이 75 내지 85인 범위와, 145 내지 160인 범위에 상당수 존재하는 경우, 예를 들어 화상 분류부(215)에서, 화소값이 75 내지 85인 범위의 기판 화상을 제1 그룹으로, 화소값이 145 내지 160인 범위의 기판 화상을 제2 그룹으로 분류한다(도 8의 공정 S8).
그리고, 기준 화상 생성부(216)에서는, 제1 그룹에 속하는 제1 기판 화상에 대응하는 웨이퍼(W)의 제2 기판 화상을 합성하고, 이 제1 그룹에 대응하는 기준 화상을 생성한다(도 8의 공정 S9). 마찬가지로, 제2 그룹에 대응하는 기준 화상도 생성한다. 계속해서, 검사 레시피 생성부(217)에서는, 이 생성된 기준 화상에 기초하여 각 그룹에 대응하는 레시피를 생성하고, 기억부(211)에 새로운 검사 레시피로서 기억시킨다(도 8의 공정 S10).
그리고, 후속 로트에 있어서의 제1 기판 화상의 특징량이, 새로운 검사 레시피에 대응되는 것이면, 공정 S4에서, 이 새로운 검사 레시피가 선택되고, 웨이퍼(W)의 결함 검사가 행해진다.
이상의 실시 형태에 따르면, 먼저 처리 스테이션(11)에서 처리되기 전의 웨이퍼(W)를 검사 장치(50)의 촬상부(160)에서 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하고, 당해 제1 기판 화상의 특징량에 기초하여 검사 레시피를 선택하므로, 최적의 검사 레시피에 기초하여, 제2 기판 화상에 있어서의 결함의 유무를 적정하게 판정할 수 있다. 그래서, 웨이퍼(W)의 표면 상태가, 예를 들어 로트마다 상이한 경우에도, 항상 최적의 검사를 행하고, 매크로 결함 검사의 정밀도의 불균일을 억제할 수 있다.
또한, 제1 기판 화상의 특징량에 대응하는 검사 레시피가 기억부(211)에 존재하지 않는 경우에도, 제1 기판 화상을 화상 보관부(214)에 일단 기억하고, 소정수를 갖는 그룹으로 분류된 시점에서 새로운 검사 레시피를 생성하므로, 기억부(211)에 기억되는 검사 레시피가 서서히 증가한다. 그로 인해, 기판 처리 시스템(1)로 웨이퍼(W)처리를 계속함으로써, 대부분의 제1 기판 화상이 기억부(211)에 기억된 검사 레시피에 대응하게 되기 때문에, 매크로 결함 검사의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
특히, 검사 레시피를 제작하는 과정에서는, 작업원이 복수의 기판 화상을 선택하고, 선택된 기판 화상을 합성하여 기준 화상을 작성할 필요가 있지만, 이 기준 화상의 제작에는 상당한 노동력을 가짐과 함께, 작업원의 숙련도에 의해 기준 화상의 품질에 불균일이 발생한다는 문제가 있었다. 이 점, 본 실시 형태와 같이, 화상 분류부(215)에서 기판 화상을 그룹으로 분류하고, 당해 분류된 기판 화상에 기초하여 새로운 레시피를 생성하므로, 작업원의 숙련도에 의하지 않고, 또한 상당한 노력을 들이지 않고, 적정하게 검사 레시피를 생성할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 기억부(211)에 미리 복수의 검사 레시피(230, 231, 232)가 기억되어 있었지만, 기억부(211)에는, 최저한 하나의 검사 레시피가 기억되어 있으면 된다. 즉, 기판 처리 시스템(1)의 운용 초기 상태에 있어서는, 이 하나의 검사 레시피에 의해 검사가 행하여지지만, 상술한 바와 같이 더 한층 검사 레시피를 순차 생성하고, 기억부(211)에 기억되는 검사 레시피를 증가시킴으로써, 기판 처리 시스템(1)에 반입되는 대부분의 모든 웨이퍼(W)에 대응하여 매크로 결함 검사를 행하는 것이 가능해진다.
특히, 기판 처리 시스템(1)로 반송되는 웨이퍼(W)의 표면 상태는, 예를 들어 기판 처리 시스템(1)을 포함한, 클린 룸 내 등에 설치된 다른 처리 장치로의 처리 레시피에 의해 변화하는 것이지만, 웨이퍼(W)의 표면 상태를 차례대로 기판 처리 시스템(1)에 입력하기 위해서는, 기판 처리 시스템(1)이나 그 외의 처리 장치를 일괄 관리하는, 소위 호스트 컴퓨터의 부하 증대에 연결된다. 이 점, 본 발명과 같이, 순차 기판 화상에 기초하여 새로운 검사 레시피를 생성하고, 처리 스테이션(11)에서 처리가 행하여지기 전의 웨이퍼(W)를 검사 장치(50)의 촬상부(160)에서 촬상하여 표면 상태를 확인함으로써, 호스트 컴퓨터와의 교환을 행하지 않고, 항상 웨이퍼(W)의 표면 상태에 따른 결함의 검사를 행할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 공정 S3에서 「아니요」라고 판정된 제1 기판 화상에 대해서만 화상 보관부(214)에 보관했지만, 공정 S3에 있어서 「예」라고 판정된 제1 기판 화상에 대해서도, 화상 보관부(214)에 보관해도 된다.
또한, 모든 제1 기판 화상을 보관한 경우, 예를 들어 화상 보관부(214)에 보관된 제1 기판 화상 중 동일 로트의 선두 웨이퍼(W)를 기준 화상으로 하여 채용하고, 검사 레시피 생성부(217)에서 이 기준 화상에 기초하여 잠정적인 검사 레시피를 생성하도록 해도 된다. 또한, 동일 로트의 선두 웨이퍼(W)를 기준 화상으로 하여 채용하여 검사 레시피 생성부(217)에서 잠정적인 검사 레시피를 생성하는 경우, 기억부(211)에는, 반드시 미리 검사 레시피를 기억시켜 둘 필요는 없다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 기준 화상 생성부(216)에 있어서 제2 기판 화상을 합성하여 기준 화상을 생성했지만, 기준 화상으로 하여 어떤 기판 화상을 사용하는지에 대해서는 본 실시 형태의 내용에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제어 장치(200)에, 제1 기판 화상과 제2 기판 화상의 차분 화상을 생성하는 차분 화상 생성부(218)를 설치하고, 화상 보관부(214)에 이 차분 화상을 복수 보관하고, 복수의 차분 화상에 기초하여, 기준 화상 생성부(216)에서 기준 화상을 생성하도록 해도 된다. 그리고, 검사 레시피 생성부(217)에서는, 이 차분 화상에 기초하는 기준 화상을 사용하여 검사 레시피가 생성된다.
그리고, 차분 화상에 기초하는 기준 화상을 사용하여 생성된 검사 레시피를 사용하는 경우, 결함 검사가 대상이 되는 웨이퍼(W)의 차분 화상을 차분 화상 생성부(218)로 생성하고, 결함 판정부(213)에 있어서는, 당해 생성된 차분 화상과, 차분 화상에 기초하여 생성된 상기의 검사 레시피에 기초하여, 웨이퍼(W)의 결함 유무가 판정된다. 이 경우, 제1 기판 화상과 제2 기판 화상에 대해서도, 화상 보관부(214)에 보관해 두는 것이 바람직하다.
그리고, 이와 같이 차분 화상을 기준 화상으로 함으로써, 결함 판정부(213)에서 결함 있음이라고 판정된 경우에, 그 결함이 기판 처리 시스템(1)에 기인하는 것이라고 판단하는 것이 가능해진다. 즉, 검사 대상이 되는 웨이퍼(W)에, 처리 스테이션(11)에서의 처리 이전에 결함이 존재하고 있는 경우, 그 결함은 제1 기판 화상과 제2 기판 화상의 양쪽에 존재하게 되지만, 제1 기판 화상과 제2 기판 화상의 차분 화상을 생성함으로써, 당해 차분 화상으로부터 처리 스테이션(11)에서의 처리 이전에 존재하고 있던 그것들의 결함을 제거할 수 있다. 따라서, 차분 화상 상의 결함은 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하는 것이라고 판단할 수 있다. 또한, 결함의 원인에 의하지 않고, 기판 처리 시스템(1)로부터 반출되는 모든 웨이퍼(W)에 대해 결함의 유무를 판정할 필요가 있는 경우는, 예를 들어 화상 보관부(214)에 보관된 제1 기판 화상 또는 제2 기판 화상 중 적어도 어느 것에 대해 결함의 유무를 확인하고, 차분 화상에 결함이 존재하지 않는 경우에도, 제1 기판 화상이나 제2 기판 화상에 결함이 존재하는 경우는, 그 웨이퍼(W)에는 결함이 있다고 판정하도록 해도 된다. 제1 기판 화상 또는 제2 기판 화상으로부터 결함이 검출된 경우, 그 결함은 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하지 않는 것으로 판단할 수 있다.
또한, 기준 화상 생성부(216)에서 차분 화상에 기초하여 기준 화상을 생성 하는 데 있어서는, 검사 장치(50)의 촬상부(160)에 의해 취득된 제1 기판 화상에 대해서도 결함의 유무를 판정하고, 결함 있음으로 판정된 제1 기판 화상에 대해서는, 화상 보관부(214)에 보관하지 않거나, 혹은, 기준 화상 생성부(216)에서 기준 화상을 생성할 때에, 제외하는 것이 바람직하다. 결함을 포함한 기판 화상을 합성하여 기준 화상을 생성한 경우, 기준 화상에 포함된 결함을 검출할 수 없게 될 가능성이 있지만, 기준 화상을 생성할 때에 결함을 포함하는 화상을 제외함으로써, 보다 정확한 결함의 검사를 행할 수 있다.
또한, 결함이 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하는지 여부를 판단할 때에는 반드시 차분 화상을 사용할 필요는 없고, 예를 들어 제1 기판 화상과 제2 기판 화상 각각에 대해 결함의 판정을 행하고, 그러한 판정 결과를 비교하게 해도 된다. 구체적으로는, 이미 설명한 바와 같이 제2 기판 화상에 기초하여 웨이퍼(W)의 결함 유무를 판정하고, 결함 있음으로 판정된 경우는, 제1 기판 화상의 결함 판정 결과와 비교한다. 그리고, 제2 기판 화상에 존재하는 결함이, 이 제1 기판 화상에도 존재하는 경우에는, 당해 결함은 처리 스테이션(11)에서의 처리 이전에 존재하고 있던 것이라고 판단할 수 있다. 그 한편, 제2 기판 화상에 존재하는 결함이, 제1 기판 화상에 존재하지 않는 경우에는, 당해 결함은 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하는 것이라고 판단할 수 있다. 또한 이와 같이, 결함이 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인할지 여부를 판단하는 경우에는, 반드시 제1 기판 화상과 제2 기판 화상 그 자체를 모두 보관해 둘 필요는 없고, 예를 들어 결함 검사의 판정 결과만을 보관해 두고, 그 판정 결과끼리를 비교하게 해도 된다. 그렇게 함으로써, 화상을 보관하기 위한 제어 장치(200)의 부하를 저감할 수 있다.
또한, 예를 들어 처리 스테이션(11)에서 처리된 후의 웨이퍼(W)를 검사 장치(56)로 검사한 결과, 결함 있음으로 판정된 웨이퍼(W)에 대해서는, 기판 처리 시스템(1)으로부터 반출된 후, 리워크에 의해 결함을 수정하여 다시 기판 처리 시스템(1)에 반입되는 경우가 있지만, 그 결함이 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하는 것이 아닐 경우, 리워크를 행해도 당해 결함이 해소되지 않는다. 이러한 경우, 생산에 기여하지 않는 웨이퍼(W)를 반복하여 기판 처리 시스템(1)으로 처리하게 되어, 결과적으로 생산성이 저하되게 되지만, 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하지 않는 결함을 갖는 웨이퍼(W)에 대해서는, 재차 기판 처리 시스템(1)에 반입되지 않도록 함으로써, 그러한 사태를 피할 수 있다.
또한, 처리 스테이션(11)에서의 처리에 기인하여 결함이 발생했다고 판정된 경우, 예를 들어 결함 있음으로 판정된 웨이퍼(W)의 후속 웨이퍼(W)에 있어서, 처리 스테이션(11) 내에서의 반송 루트를 변경하고, 변경 후의 루트에서 처리한 웨이퍼(W)에 대해 결함의 판정을 행함으로써, 어느 루트에서 결함이 발생했는지를 검지할 수 있다. 즉, 변경 후의 루트에 있어서도 결함이 발생하고 있는 경우, 변경 전의 루트와 변경 후의 루트 중 루트가 중복되는 부분이 존재하면, 그 중복하는 부분에서 결함이 발생하고 있다고 판단할 수 있다. 그 반대로, 변경 후의 루트에 있어서 결함이 발생되지 않는 경우, 중복되는 부분은 결함의 원인은 아니라고 판단할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 결함을 검사하는 데 있어서, 처리 스테이션(11)에서 처리 전의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(50)와, 처리 스테이션(11)에서 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(56)를 사용했지만, 검사 장치(50)와 검사 장치(56)에서의 각 기기의 사양은 동일한 것이 바람직하다. 즉, 검사 장치(50)와 검사 장치(56)에서 각 기기의 사양이 동일하면, 그 사양의 차에 기인하여 제1 기판 화상과 제2 기판 화상 사이에 차가 발생되어 버리는 것을 피할 수 있다. 그 결과, 보다 정확한 매크로 결함 검사나 차분 화상의 생성이 가능해진다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 제1 기판 화상과 제2 기판 화상을 각각 상이한 검사 장치(50, 56)로 취득했지만, 제1 기판 화상과 제2 기판 화상은 반드시 다른 검사 장치로 취득할 필요는 없고, 동일한 검사 장치로 취득하도록 해도 된다. 단, 웨이퍼(W)의 반송 루트의 간섭이나, 스루풋의 관점에서는, 처리 스테이션(11)에서 처리되기 전의 웨이퍼(W)와, 처리 후의 웨이퍼(W)는 별개 독립된 검사 장치로 촬상하는 것이 바람직하다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 본 예에 한정되지 않고, 다양한 형태를 채용할 수 있다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토 마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판일 경우에도 적용할 수 있다
1: 기판 처리 시스템
30: 현상 처리 장치
31: 하부 반사 방지막 형성 장치
32: 레지스트 도포 장치
33: 상부 반사 방지막 형성 장치
40: 열처리 장치
41: 어드비젼 장치
42: 주변 노광 검사 장치
70: 웨이퍼 반송 장치
110: 처리 용기
150: 촬상부
200: 제어 장치
210: 특징량 추출부
211: 기억부
212: 레시피 선택부
213: 결함 판정부
214: 화상 보관부
215: 화상 분류부
216: 기준 화상 생성부
217: 검사 레시피 생성부
218: 차분 화상 생성부
230, 231, 232: 검사 레시피
W: 웨이퍼

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 검사 방법이며,
    상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하고,
    상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하고,
    각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부로부터, 상기 제1 기판 화상으로부터 추출된 상기 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하고,
    상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하고,
    상기 선택된 검사 레시피와 상기 제2 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함 유무를 판정하고,
    상기 기억부 내에, 상기 제1 기판 화상의 특징량에 대응하는 검사 레시피가 존재하지 않을 때는, 상기 제1 기판 화상 및 상기 제2 기판 화상을 화상 보관부에 보관하고,
    상기 화상 보관부에 보관된 복수의 상기 제1 기판 화상을, 당해 제1 기판 화상의 특징량에 기초하여, 복수의 그룹으로 분류하고,
    상기 각 그룹으로 분류된 복수의 상기 제1 기판 화상에 대응하는 복수의 상기 제2 기판 화상을 합성하여, 결함 검사의 기준이 되는 기준 화상을 생성하고,
    상기 생성된 기준 화상에 기초하여 검사 레시피를 생성하여, 상기 기억부에 당해 생성된 검사 레시피를 기억시키고,
    상기 기판의 결함 유무 판정은, 미리 정해진 검사 레시피와 상기 제2 기판 화상에 기초하여 행해지는, 기판의 검사 방법.
  3. 삭제
  4. 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 검사 방법이며,
    상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하고,
    상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하고,
    각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부로부터, 상기 제1 기판 화상으로부터 추출된 상기 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하고,
    상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하고,
    상기 선택된 검사 레시피와 상기 제2 기판 화상에 기초하여, 기판의 결함 유무를 판정하고,
    상기 제1 기판 화상과, 당해 제1 기판 화상에 대응하는 상기 제2 기판 화상의 차분 화상을 생성하고,
    상기 기판의 결함 유무 판정은, 상기 선택된 검사 레시피와 상기 차분 화상에 기초하여 행해지고,
    상기 기억부에 기억된 검사 레시피는, 상기 차분 화상에 기초하여 기판의 결함 유무를 판정하는 것이고,
    상기 기억부 내에, 상기 제1 기판 화상의 특징량에 대응하는 검사 레시피가 존재하지 않을 때는, 상기 제1 기판 화상, 상기 제2 기판 화상 및 상기 차분 화상을 화상 보관부에 보관하고,
    상기 화상 보관부에 보관된 복수의 상기 제1 기판 화상을, 당해 제1 기판 화상의 특징량에 기초하여, 복수의 그룹으로 분류하고,
    상기 각 그룹으로 분류된 복수의 상기 제1 기판 화상에 대응하는 복수의 상기 차분 화상을 합성하여, 결함 검사의 기준이 되는 기준 화상을 생성하고,
    상기 생성된 기준 화상에 기초하여 검사 레시피를 생성하여, 상기 기억부에 당해 생성된 검사 레시피를 기억시키고,
    상기 기판의 결함 유무 판정은, 미리 정해진 검사 레시피와 상기 차분 화상에 기초하여 행해지는, 기판의 검사 방법.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 소정의 특징량은, 상기 제1 기판 화상의 화소값인, 기판의 검사 방법.
  6. 삭제
  7. 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템이며,
    상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하는 제1 촬상 장치와,
    상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하는 특징량 추출부와,
    각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부와,
    상기 기억부에 기억된 상기 검사 레시피에서, 상기 특징량 추출부에서 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하는 레시피 선택부와,
    상기 선택된 검사 레시피에 기초하여, 상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하는 제2 촬상 장치와, 상기 제2 기판 화상에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 결함 판정부를 구비한 검사 장치와,
    상기 제1 기판 화상 및 상기 제2 기판 화상을 보관하는 화상 보관부와,
    상기 화상 보관부에 보관된 상기 제1 기판 화상을, 상기 특징량 추출부에서 추출된 특징량에 기초하여, 복수의 그룹으로 분류하는 화상 분류부와,
    상기 각 그룹으로 분류된 복수의 상기 제1 기판 화상에 대응하는 복수의 상기 제2 기판 화상을 합성하여, 결함 검사의 기준이 되는 기준 화상을 생성하는 기준 화상 생성부와,
    상기 기준 화상 생성부에서 생성된 기준 화상에 기초하여 검사 레시피를 생성하고, 상기 기억부에 기억시키는 검사 레시피 생성부를 갖는, 기판 처리 시스템.
  8. 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템이며,
    상기 처리 장치에서 처리되기 전의 기판 표면을 촬상하여 제1 기판 화상을 취득하는 제1 촬상 장치와,
    상기 제1 기판 화상으로부터 소정의 특징량을 추출하는 특징량 추출부와,
    각각 상이한 범위의 상기 특징량에 대응하여 설정된 복수의 검사 레시피가 기억된 기억부와,
    상기 기억부에 기억된 상기 검사 레시피에서, 상기 특징량 추출부에서 추출된 특징량에 대응하는 검사 레시피를 선택하는 레시피 선택부와,
    상기 선택된 검사 레시피에 기초하여, 상기 처리 장치에서 처리된 후의 기판의 표면을 촬상하여 제2 기판 화상을 취득하는 제2 촬상 장치와, 상기 제2 기판 화상에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 결함 판정부를 구비한 검사 장치와,
    상기 제1 기판 화상과, 당해 제1 기판 화상에 대응하는 상기 제2 기판 화상의 차분 화상을 생성하는 차분 화상 생성부와,
    상기 제1 기판 화상, 상기 제2 기판 화상 및 상기 차분 화상을 보관한 화상 보관부와,
    상기 화상 보관부에 보관된 상기 제1 기판 화상을, 상기 특징량 추출부에서 추출된 특징량에 기초하여, 복수의 그룹으로 분류하는 화상 분류부와,
    상기 각 그룹으로 분류된 복수의 상기 제1 기판 화상에 대응하는 복수의 상기 차분 화상을 합성하여, 결함 검사의 기준이 되는 기준 화상을 생성하는 기준 화상 생성부와,
    상기 기준 화상 생성부에서 생성된 기준 화상에 기초하여 검사 레시피를 생성하고, 상기 기억부에 기억시키는 검사 레시피 생성부를 갖고,
    상기 결함 판정부에서는, 상기 제2 기판 화상에 대응하는 차분 화상에 기초하여, 기판의 결함 유무를 판정하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 소정의 특징량은, 상기 제1 기판 화상의 화소값인, 기판 처리 시스템.
  10. 제2항 또는 제4항에 기재된 기판의 검사 방법을, 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 소정의 특징량은, 상기 제1 기판 화상의 화소값인, 컴퓨터 기억 매체.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
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