JP6080379B2 - 半導体欠陥分類装置及び半導体欠陥分類装置用のプログラム - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態における半導体欠陥検査システムの全体構成図である。本実施形態における半導体欠陥検査システム1は、欠陥検査装置2と、レビュー装置3と、欠陥データ処理装置4と、設計データベースサーバ5と、欠陥分類装置6とを備える。欠陥検査装置2と、レビュー装置3と、欠陥データ処理装置4と、設計データベースサーバ5と、欠陥分類装置6とは、ネットワーク7によって接続され、互いにデータ送受信が可能なようになっている。
図2は、本発明の一実施形態における画像情報ファイルの一例を示す図である。
画像情報ファイル10は、画像データファイル19に含まれる欠陥画像の画像倍率(低倍率、高倍率)、画像解像度(低倍率、高倍率)、欠陥を含む欠陥領域座標、欠陥領域の重心座標、重ね合わせて当該画像を構成するフレーム画像の枚数などの情報により構成される。
図3は、本発明の一実施形態における設計レイアウト情報ファイルの一例を示す図である。本実施例では、設計レイアウトデータファイル28に含まれるレイアウトデータは、製造工程の各レイヤごと、あるいは、各処理工程(例えば、リソグラフィ工程)ごとに分割されている。設計レイアウト情報ファイル20は、分割されているレイアウトデータの組み合わせの情報や、レイアウトデータのオフセットの情報等を定義している。
図4は、発明の一実施形態における欠陥分類装置の処理の流れを示すフローチャートである。
まず、ステップ40において、レイアウト変換演算部123は、設計レイアウトデータファイル28に含まれるレイアウトデータを取得する。それと同時に、ステップ41において、レイアウト変換演算部123は、欠陥情報データファイル29に含まれる欠陥画像を取得する。そして、レイアウト変換演算部123は、図形変換及びフォーマット変換処理を実行する。
次に、1つの製造工程が、マルチパターニングのように複数の処理工程で定義されている場合の表示処理について説明する。図6は、ある特定のレイヤにおいてマルチパターニングでパターンを生成する工程を示した図である。このレイヤの例では、1回目のパターン生成50を実施した後に、2回目のパターン生成51を実施する。そして、最終的に、目的とするパターン52が生成される。
本実施例において、設計レイアウトデータ9は、各パターン生成工程ごとに分割されて格納されている。ここでは、1つのレイヤが、設計レイアウトデータ1のパターン61と設計レイアウトデータ2のパターン62とで定義されている。ここでは、重ね合わせ情報として、2つのパラメータA(63)及びパラメータB(64)が設定されている。2つのパターン61,62をパラメータA(63)を用いて重ねた結果が、重ね合わせ結果65である。また、2つのパターン61,62をパラメータB(64)を用いて重ねた結果が、重ね合わせ結果66である。
本実施形態によれば、欠陥分類装置6が、記憶部122と、処理演算部121と、表示装置を含むユーザーインターフェース126とを備え、記憶部122は、設計レイアウトデータファイル28と、欠陥情報データファイル29とを格納しており、処理演算部121は、ユーザーインターフェース126の表示装置上に欠陥画像とレイアウトデータとを重ねて表示する。このように、欠陥部分を含むレイヤに対して、欠陥要因となり得る他のレイヤ(例えば、下層のレイヤ)のレイアウト画像を、分割されたレイアウトデータから、適宜選択し、照合し、表示できるようにしたことによって、オペレータは、当該欠陥に対する他のレイヤの影響の有無を確認することが可能になる。例えば、検査対象レイヤがPoly−Siレイヤであった場合、当該欠陥の下層のレイヤが、N型またはP型のアクティブ領域(不純物注入領域)であるのか、または、非アクティブ領域であるのか、などの情報が得ることができるので、その情報に基づき、当該欠陥がシステマティック欠陥に該当するのか、あるいは、該当しないのか、などを判断することが可能になる。また、アクティブ領域や非アクティブ領域のズレの状態(誤差)も把握することができ、欠陥の特性を詳細に分析することができる。また、レイアウトデータに基づいて、セル、周辺回路、ダミーパターンなどの位置情報に基づいて欠陥を分類することもできる。
2 欠陥検査装置
3 レビュー装置
4 欠陥データ処理装置
5 設計データベースサーバ
6 欠陥分類装置
7 ネットワーク
8 クリーンルーム
120 通信部
121 処理演算部
122 記憶部
123 レイアウト変換演算部
124 分類判定定義部
125 欠陥判定部
126 ユーザーインターフェース
Claims (7)
- 半導体ウェハの欠陥を分類する半導体欠陥分類装置であって、
表示部と、
前記半導体ウェハ上の検査対象部分を含む検査画像と、複数の製造工程からなる前記半導体ウェハの設計レイアウト情報と、前記設計レイアウト情報が製造工程毎に分割された複数の第1のレイアウトデータと、前記第1のレイアウトデータに対応する製造工程間の誤差情報を含む第1の重ね合わせ情報とを格納する記憶部と、
前記検査画像と前記設計レイアウト情報とを前記表示部に表示する演算部と
を備え、
前記演算部は、少なくとも1つの第1のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得し、前記第1の重ね合わせ情報を反映させた前記第1のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 請求項1において、
前記第1のレイアウトデータに対応する製造工程が、複数の処理工程を含み、
前記記憶部は、前記第1のレイアウトデータを処理工程毎に更に分割して、複数の第2のレイアウトデータとして格納しており、
前記演算部は、少なくとも1つの第2のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得し、前記第2のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 請求項2において、
前記記憶部が、前記第2のレイアウトデータの重ね合わせに関する第2の重ね合わせ情報を格納しており、
前記演算部は、前記第2の重ね合わせ情報を反映させた前記第2のレイアウトデータと、前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 請求項3において、
前記第2の重ね合わせ情報は、前記第2のレイアウトデータに対応する処理工程によって生成されるパターンの誤差情報と、前記パターンの幅情報との少なくとも1つを含むことを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 請求項1において、
ユーザが前記第1のレイアウトデータを選択するための入力部を更に備え、
前記演算部は、前記入力部によって選択された第1のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 請求項1において、
前記演算部は、検査対象の前記半導体ウェハの次の製造工程に対応する第1のレイアウトデータを取得し、前記次の工程に対応する第1のレイアウトデータを前記検査画像に更に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 表示部と記憶部と演算部とを備える情報処理装置に、半導体ウェハの欠陥を分類するための処理を実行させるためのプログラムであって、
前記記憶部は、前記半導体ウェハ上の検査対象部分を含む検査画像と、複数の製造工程からなる前記半導体ウェハの設計レイアウト情報と、前記設計レイアウト情報が製造工程毎に分割された複数の第1のレイアウトデータと、前記第1のレイアウトデータに対応する製造工程間の誤差情報を含む第1の重ね合わせ情報とを格納しており、
前記演算部により、少なくとも1つの第1のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得する処理と、
前記演算部により、前記第1の重ね合わせ情報を反映させた前記第1のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示する処理と
を実行させるためのプログラム。
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