TWI723577B

TWI723577B - 排列多個晶圓的方法、欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法及晶片的製造方法

Info

Publication number: TWI723577B
Application number: TW108136857A
Authority: TW
Inventors: 田鴻立; 陳東朋; 陳亮欽; 吳翰宗
Original assignee: 環球晶圓股份有限公司
Priority date: 2019-10-14
Filing date: 2019-10-14
Publication date: 2021-04-01
Also published as: TW202115806A

Abstract

一種排列多個晶圓的方法，其包括以下步驟。提供第一晶圓。第一晶圓具有第一正面及相對於第一正面的第一背面。提供第二晶圓。第二晶圓具有第二正面及相對於第二正面的第二背面。對第一晶圓的第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值。對第二晶圓的第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值。將第一缺陷數值或第二缺陷數值的至少其中之一與正面缺陷門檻值進行比較，其中若第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一小於或等於正面缺陷門檻值，則不使第一晶圓的第一背面面向第二晶圓的第二背面排列。

Description

排列多個晶圓的方法、欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法及晶片的製造方法

本發明是有關於一種清洗晶圓的方法，且特別是有關於一種清洗多個晶圓的方法。

晶圓的製造過程可以包括切片（slicing）、研磨（lapping）或蝕刻（etching）、拋光（polishing）及清洗（cleaning）等步驟。切片步驟可以將晶圓柱切成片狀的晶圓。研磨或蝕刻步驟可以移除或減少晶圓的切痕（如：刮傷（scratch））。拋光為使用拋光墊（pad）和拋光漿料（slurry），以在晶圓表面上去除薄薄的一層，以產生表面幾乎沒有損傷的晶圓片。在一般情況下，晶圓僅需進行正面拋光，而12英吋或更大尺寸的晶圓可能需雙面拋光。被拋光的表面可以如鏡面一般具有低粗糙度，而可以在前述的被拋光表面上進行半導體製程，以形成晶片。拋光後，晶圓要藉由清洗以欲去除晶圓表面上的表面顆粒或殘留物。

因此，晶圓的拋光及拋光後的清洗對於晶圓的品質相當的重要。

本發明提供一種排列多個晶圓的方法，其可使晶圓的製造品質提升。

本發明的一種排列多個晶圓的方法包括以下步驟。提供第一晶圓。第一晶圓具有第一正面及相對於第一正面的第一背面。提供第二晶圓。第二晶圓具有第二正面及相對於第二正面的第二背面。對第一晶圓的第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值。對第二晶圓的第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值。將第一缺陷數值或第二缺陷數值的至少其中之一與正面缺陷門檻值進行比較，其中若第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一小於或等於正面缺陷門檻值，則不使第一晶圓的第一背面面向第二晶圓的第二背面排列。

基於上述，本發明的一種排列多個晶圓的方法，可以降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷，在後續步驟（如：清洗步驟）中可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染。因此，晶圓的品質可以提升。

本發明提供一種欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法，其可使晶圓的製造品質提升。

本發明的一種欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法包括以下步驟。提供第一晶圓。第一晶圓具有第一正面及相對於第一正面的第一背面。提供第二晶圓。第二晶圓具有第二正面及相對於第二正面的第二背面。對第一晶圓的第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值。對第二晶圓的第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值。判斷第一缺陷數值及第二缺陷數值是否大於正面缺陷門檻值，其中若第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一小於或等於正面缺陷門檻值，則使第一晶圓的第一正面面向第二晶圓的第二正面排列、使第一晶圓的第一背面面向第二晶圓的第二正面排列或使第一晶圓的第一正面面向第二晶圓的第二背面排列，且對第一晶圓及第二晶圓進行清洗步驟。

基於上述，本發明的一種欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法包括本發明的一種排列多個晶圓的方法。因此，可以在對多個晶圓進行清洗的步驟中，降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染。因此，晶圓的品質可以提升。

本發明提供一種晶片的製造方法，其可提升晶片製造的良率。

本發明的一種晶片的製造方法包括以下步驟。提供第一晶圓。第一晶圓具有第一正面及相對於第一正面的第一背面。提供第二晶圓。第二晶圓具有第二正面及相對於第二正面的第二背面。對第一晶圓的第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值。對第二晶圓的第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值。判斷第一缺陷數值及第二缺陷數值是否大於正面缺陷門檻值，其中若第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一小於或等於正面缺陷門檻值，則使第一晶圓的第一正面面向第二晶圓的第二正面排列、使第一晶圓的第一背面面向第二晶圓的第二正面排列或使第一晶圓的第一正面面向第二晶圓的第二背面排列，且對第一晶圓及第二晶圓進行清洗步驟。於進行清洗步驟之後，於第一晶圓的第一正面上或第二晶圓的第二正面上進行半導體製程，以形成至少一晶片。

基於上述，本發明的一種晶片的製造方法包括本發明的一種排列多個晶圓的方法。因此，可以在對多個晶圓進行清洗的步驟中，降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染，而可以提升晶片製造的良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在以下詳細描述中，為了說明而非限制，闡述揭示特定細節之示例性實施例以提供對本發明之各種原理之透徹理解。然而，本領域一般技術者將顯而易見的是，得益於本揭示案，可在脫離本文所揭示特定細節的其他實施例中實踐本發明。此外，可省略對熟知裝置、方法及材料之描述以免模糊對本發明之各種原理之描述。最後，在適用時，相同元件符號指示相同元件。

關於文中所使用「基本上」、「大致上」、「約」等等用語，可以是包含可接受的公差範圍（tolerance range）。

關於文中所使用之方向術語（例如：上、下、右、左、前、後、頂部、底部）僅參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。

關於文中所使用的術語「第一」和「第二」等可以用於描述不同的元素，但這些元素不應被這些術語限制。這些術語僅用於將元素彼此區分。例如，第一元素可以被稱為第二元素，並且，類似地，第二元素可以被稱為第一元素而不背離本發明構思的保護範圍。

除非另有明確規定，否則本文所述任何方法絕不意欲被解釋為要求按特定順序執行其步驟。因此，在方法請求項實際上未列舉方法步驟遵循之順序或未在申請專利範圍或描述中另外明確規定步驟受限於特定順序的情況下，絕不意欲在任何態樣中推斷順序。此對任何可能之未表達解釋基礎均適用，包括：關於步驟或操作流程設置的邏輯問題；來自語法組織或標點的通常含義；說明書中所描述實施例之數目或類型。

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。圖1B是依照本發明的一實施例的一種第一晶圓的側視示意圖。圖1C是依照本發明的一實施例的一種第二晶圓的側視示意圖。圖1D是依照本發明的一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。圖1E是依照本發明的另一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。圖1F是依照本發明的又一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。

請參照圖1A，排列多個晶圓的方法可以包括步驟S111、步驟S112、步驟S121、步驟S122、步驟S131及步驟S132的至少其中之一、步驟S140以及步驟S150。

請參照圖1A及圖1B，於步驟S111中，提供第一晶圓101，其中第一晶圓101具有第一正面101a及第一背面101b。第一背面101b相對於第一正面101a。

在一實施例中，第一正面101a的粗糙度基本上小於第一背面101b的粗糙度。換句話說，若第一晶圓101為矽晶圓，則在後續的製程中，可以在第一晶圓101的第一正面101a上進行半導體製程，以形成至少一個晶片。

在一實施例中，第一晶圓101為無法再藉由機械方法（如：破碎、剪、切、鋸、磨等方式）將元件拆離成不同的單一材料的均質材料。換句話說，第一晶圓101的第一正面101a上及第一背面101b上，基本上皆不具有任何的膜層（如：矽膜層、氧化矽膜層、氮化矽膜層、金屬膜層、光阻層或其他半導體製程中可能會使用到的膜層（film layer））或局部摻雜（如：P型局部摻雜、N型局部摻雜或其他類似的局部摻雜（local implantation）區）。

在一實施例中，第一晶圓101可以為矽晶圓，但本發明不限於此。舉例而言，第一晶圓101可以是12英吋或更大尺寸的矽晶圓。

請參照圖1A及圖1B，於完成步驟S111後，進行步驟S121。於步驟S121中，對第一晶圓101的第一正面101a進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值。

在一實施例中，進行第一預掃描的方式可以藉由一般半導體檢測常用的光學式表面缺陷檢測儀（Optical Surface Defect Analyzer）或其他類似的檢測設備進行一般半導體檢測常用的預掃描（pre-scan）。光學式表面缺陷檢測儀例如是KLA-Tencor公司的雷射掃描圖案化晶圓缺陷檢測系統，但本發明不限於此。

在一實施例中，進行第一預掃描的方式可以針對第一晶圓101的第一正面101a上，可能在後續步驟（如：清洗步驟）中轉移至其他晶圓（如：第二晶圓102）的缺陷（defect）進行缺陷掃描（defect scan）。可能在後續步驟中轉移至其他晶圓的缺陷例如是表面顆粒（如：小顆粒、片狀顆粒、球狀顆粒、金屬顆粒等）、殘留物（如：拋光漿料殘留物）、其他藉由庫倫力、靜電力或液體濕潤而附著於晶圓上的缺陷。也就是說，在前述的預掃描中，基本上可以排除不會在後續步驟中轉移至其他晶圓的缺陷（如：刮傷（scratch）、豎坑（pit）、磊晶堆疊缺陷（extrinsic stacking fault；ESF）或凸起（bump）），但本發明不限於此。

在一實施例中，可以對第一晶圓101的整個第一正面101a進行預掃描，以獲得整體晶圓面（full wafer map）的第一缺陷數值，但本發明不限於此。在另一實施例中，可以對第一晶圓101的部分第一正面101a進行預掃描，再藉由比例推算的方式以獲得歸一化（normalized）的第一缺陷數值。

請參照圖1A及圖1B，於完成步驟S121後，可以進行步驟S131。於步驟S131中，將第一缺陷數值與正面缺陷門檻值進行比較。

在一實施例中，正面缺陷門檻值可以依據後續步驟（如：清洗步驟）的需求、晶圓的規格（如：種類或尺寸）或其他適宜的條件而定立，但本發明不限於此。

在一實施例中，若第一缺陷數值大於正面缺陷門檻值，則可能是第一晶圓101的第一正面101a上的缺陷數量過多。

在一實施例中，若第一缺陷數值小於或等於正面缺陷門檻值，則可能是第一晶圓101的第一正面101a上的缺陷數量為製程裕度（process window）上可以接受的範圍。

在一實施例中，正面缺陷門檻值可以儲存在資料庫中，且比較第一缺陷數值與正面缺陷門檻值的步驟S131可以藉由前述的檢測設備或與前述的檢測設備訊號相連的設備（如：另一台處理器）進行。

請參照圖1A及圖1C，於步驟S112中，提供第二晶圓102，其中第二晶圓102具有第二正面102a及第二背面102b。第二背面102b相對於第二正面102a。

在本實施例中，第二晶圓102可以相同或相似於第一晶圓101，故對於第二晶圓102的詳細描述可以相同或相似於對於第一晶圓101的詳細描述。

在一實施例中，第二正面102a的粗糙度基本上小於第二背面102b的粗糙度。換句話說，若第二晶圓102為矽晶圓，則在後續的製程中，可以在第二晶圓102的第二正面102a上進行半導體製程，以形成至少一個晶片。

在一實施例中，第二晶圓102為無法再藉由機械方法將元件拆離成不同的單一材料的均質材料。換句話說，第二晶圓102的第二正面102a上及第二背面102b上，基本上皆不具有任何的膜層或局部摻雜。

在一實施例中，第二晶圓102可以為矽晶圓，但本發明不限於此。舉例而言，第二晶圓102可以是12英寸或更大尺寸的矽晶圓。

請參照圖1A及圖1C，於完成步驟S112後，進行步驟S112。於步驟S112中，對第二晶圓102的第二正面102a進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值。

在本實施例中，進行第二預掃描以獲得第二缺陷數值的方式可以相同或相似於進行第一預掃描以獲得第一缺陷數值的方式，故對於進行第二預掃描以獲得第二缺陷數值的方式的詳細描述可以相同或相似於進行第一預掃描以獲得第一缺陷數值的方式。

在一實施例中，進行第二預掃描的方式可以藉由一般半導體檢測常用的光學式表面缺陷檢測儀或其他類似的檢測設備進行一般半導體檢測常用的預掃描。

在一實施例中，進行第二預掃描的方式可以針對第二晶圓102的第二正面102a上，可能在後續步驟（如：清洗步驟）中轉移至其他晶圓（如：第一晶圓101）的缺陷進行缺陷掃描。可能在後續步驟中轉移至其他晶圓的缺陷例如是表面顆粒、殘留物、其他藉由庫倫力、靜電力或液體濕潤而附著於晶圓上的缺陷。

在一實施例中，可以對第二晶圓102的整個第二正面102a進行預掃描，以獲得整體晶圓面的第二缺陷數值，但本發明不限於此。在另一實施例中，可以對第二晶圓102的部分第二正面102a進行預掃描，再藉由比例推算的方式以獲得歸一化的第二缺陷數值。

請參照圖1A及圖1C，於完成步驟S112後，可以進行步驟S132。於步驟S132中，將第二缺陷數值與正面缺陷門檻值進行比較。

在一實施例中，用於與第二缺陷數值相比較的正面缺陷門檻相同於用於與第一缺陷數值相比較的正面缺陷門檻。

在一實施例中，若第二缺陷數值大於正面缺陷門檻值，則可能是第二晶圓102的第二正面102a上的缺陷數量過多。

在一實施例中，若第二缺陷數值小於或等於正面缺陷門檻值，則可能是第二晶圓102的第二正面102a上的缺陷數量為製程裕度（process window）上可以接受的範圍。

請參照圖1A，在完成步驟S131與步驟S132的其中之一後，可以進行步驟S140。於步驟S140中，判斷第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一是否小於或等於正面缺陷門檻值。

請參照圖1A，於步驟S140中，若判斷出的結果為：第一缺陷數值或第二缺陷數值的其中之一是小於或等於正面缺陷門檻值，則可以進行步驟S180。於步驟S180中，不使第一晶圓101的第一背面101b面向第二晶圓102的第二背面102b排列。舉例來說，於步驟S180中，可以包括以下使第一晶圓101與第二晶圓102彼此相鄰且重疊的其中之一種排列方式：如圖1D所示地使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二正面102a排列；如圖1E所示地使第一晶圓101的第一背面101b面向第二晶圓102的第二正面102a排列；或如圖1F所示地使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二背面102b排列。

在一實施例中，第一晶圓101及第二晶圓102可以排列於支撐架中，但本發明不限於此。前述的支撐架例如可以用於清洗步驟或一般半導體製程可能會用到的步驟中。

圖2是依照本發明的第二實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。第二實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程與第一實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程相同或相似，其相同或相似的步驟以相同的標號表示，且具有相同或相似的操作方式、施行對象或物件使用，並省略描述。

請參照圖2，在完成步驟S131與步驟S132之後，可以進行步驟S240。於步驟S240中，判斷第一缺陷數值及第二缺陷數值是否皆小於或等於正面缺陷門檻值。

請參照圖2，於步驟S240中，若判斷出的結果為：第一缺陷數值及第二缺陷數值皆是小於或等於正面缺陷門檻值，則可以進行步驟S280。於步驟S280中，使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二正面102a地彼此相鄰且重疊排列（如圖1D所示）。

圖3是依照本發明的第三實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。第三實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程與第一實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程相同或相似，其相同或相似的步驟以相同的標號表示，且具有相同或相似的操作方式、施行對象或物件使用，並省略描述。

請參照圖3，在完成步驟S131與步驟S132之後，可以進行步驟S340。於步驟S340中，判斷第一缺陷數值是否小於或等於正面缺陷門檻值，且判斷第二缺陷數值是否大於正面缺陷門檻值。

請參照圖3，於步驟S340中，若判斷出的結果為：第一缺陷數值是小於或等於正面缺陷門檻值，且第二缺陷數值是大於正面缺陷門檻值，則可以進行步驟S380。於步驟S380中，使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二背面102b地彼此相鄰且重疊排列（如圖1F所示）。

圖4是依照本發明的第四實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。第四實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程與第三實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程相同或相似，其相同或相似的步驟以相同的標號表示，且具有相同或相似的操作方式、施行對象或物件使用，並省略描述。

請參照圖4，於步驟S340中，若判斷出的結果為：第一缺陷數值是小於或等於正面缺陷門檻值，且第二缺陷數值是大於正面缺陷門檻值，則可以進行步驟S450。於步驟S450中，對第二晶圓102的第二背面102b進行第三預掃描，以獲得第三缺陷數值。

在本實施例中，進行第三預掃描以獲得第三缺陷數值的方式可以相同或相似於進行第一預掃描以獲得第一缺陷數值的方式，故對於進行第三預掃描以獲得第三缺陷數值的方式的詳細描述可以相同或相似於進行第一預掃描以獲得第一缺陷數值的方式。

在一實施例中，進行第三預掃描的方式可以藉由一般半導體檢測常用的光學式表面缺陷檢測儀或其他類似的檢測設備進行一般半導體檢測常用的預掃描。

在一實施例中，進行第三預掃描的方式可以針對第二晶圓102的第二背面102b上，可能在後續步驟（如：清洗步驟）中轉移至其他晶圓（如：第一晶圓101）的缺陷進行缺陷掃描。可能在後續步驟中轉移至其他晶圓的缺陷例如是表面顆粒、殘留物、其他藉由庫倫力、靜電力或液體濕潤而附著於晶圓上的缺陷。

在一實施例中，可以對第二晶圓102的整個第二背面102b進行預掃描，以獲得整體晶圓面的第三缺陷數值，但本發明不限於此。在另一實施例中，可以對第二晶圓102的部分第二背面102b進行預掃描，再藉由比例推算的方式以獲得歸一化的第三缺陷數值。

請參照圖4，於完成步驟S450後，可以進行步驟S460。於步驟S460中，將第三缺陷數值與背面缺陷門檻值進行比較。

在一實施例中，背面缺陷門檻值可以依據後續步驟（如：清洗步驟）的需求、晶圓的規格（如：種類或尺寸）或其他適宜的條件而定立，但本發明不限於此。

在一實施例中，若第三缺陷數值大於背面缺陷門檻值，則可能是第二晶圓102的第二背面102b上的缺陷數量過多。

在一實施例中，若第三缺陷數值小於或等於背面缺陷門檻值，則可能是第二晶圓102的第二背面102b上的缺陷數量為製程裕度上可以接受的範圍。

在一實施例中，背面缺陷門檻值可以儲存在資料庫中，且比較第三缺陷數值與背面缺陷門檻值的步驟S460可以藉由前述的檢測設備或與前述的檢測設備訊號相連的設備（如：另一台處理器）進行。

請參照圖4，在完成步驟S460之後，可以進行步驟S470。於步驟S470中，判斷第三缺陷數值是否小於或等於背面缺陷門檻值。

請參照圖4，於步驟S470中，若判斷出的結果為：第三缺陷數值是小於或等於背面缺陷門檻值，則可以進行步驟S480。於步驟S480中，使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二背面102b地彼此相鄰且重疊排列（如圖1F所示）。

基於上述，藉由以上實施例的排列多個晶圓的方法，可以降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷，在後續步驟（如：清洗步驟）中可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染。因此，晶圓的品質可以提升。

值得注意的是，以上實施例的僅示例性地繪示或描述了排列多個晶圓的方法的部分流程或步驟。其他未繪示或描述的其他部分流程或步驟可以依據需求進行調整。舉例而言，若判斷出的結果為：第一缺陷數值及第二缺陷數值皆大於正面缺陷門檻值，則可對操作方式、施行對象或物件進行檢查或修理。

再值得注意的是，以上實施例的僅示例性地繪示或描述了排列多個（即，兩個以上）晶圓中相鄰的其中兩個晶圓（即，第一晶圓101及第二晶圓102）的方法。換句話說，其他未繪示的晶圓可以依據以上實施例的僅示例性地繪示或描述進行適應性的調整。

圖5A是依照本發明的一實施例的一種欲對多個晶圓進行清洗的方法的部分流程圖。圖5B是依照本發明的一實施例的一種對多個晶圓進行清洗的方法的部分側視示意圖。本實施例的欲對多個晶圓進行清洗的方法的部分流程與前數實施例的排列多個晶圓的方法的部分流程相同或相似，其相同或相似的步驟以相同的標號表示，且具有相同或相似的操作方式、施行對象或物件使用，並省略描述。

請參照圖5A，於步驟S580中，使第一晶圓101與第二晶圓102具有以下彼此相鄰且重疊的其中之一種排列方式：如圖1D所示地使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二正面102a排列；如圖1E所示地使第一晶圓101的第一背面101b面向第二晶圓102的第二正面102a排列；或如圖1F所示地使第一晶圓101的第一正面101a面向第二晶圓102的第二背面102b排列。

在本實施例中，可以依據前述實施例所提及的排列多個晶圓的方法排列第一晶圓101與第二晶圓102，故於此不加以贅述。

在一實施例中，第一晶圓101及第二晶圓102可以排列於用於後續的清洗步驟中可能會用到的支撐架中，但本發明不限於此。

請參照圖5A，在完成步驟S580之後，可以進行步驟S590。於步驟S590中，對第一晶圓101及第二晶圓102進行清洗步驟。

如圖5B所示，對第一晶圓101及第二晶圓102進行清洗步驟的方式例如是將第一晶圓101及第二晶圓102置於裝有晶圓洗劑520的清洗槽510內進行清洗。

值得注意的是，於圖5B中，第一晶圓101及第二晶圓102為示例性地使用了圖1D所示的排列方式，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，可以依據第一缺陷數值及/或第二缺陷數值的判斷結果，而使第一晶圓101及第二晶圓102可以為圖1E或圖1F所示的排列方式。

基於上述，藉由以上實施例的排列多個晶圓的方法，可以在對多個晶圓進行清洗的步驟中，降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染。因此，晶圓的品質可以提升。

圖6是依照本發明的一實施例的一種晶片的製造方法的部分上視示意圖。在本實施例中，可以依據前述實施例所提及的對多個晶圓進行清洗的方法清洗第一晶圓101與第二晶圓102，故於此不加以贅述。

在本實施例中，於進行前述實施例所提及的對多個晶圓進行清洗的清洗步驟之後，可以於第一晶圓101的第一正面101a上進行一般的半導體製程，且/或於第二晶圓102的第二正面102a上進行一般的半導體製程，以形成至少一晶片。

值得注意的是，於圖6中僅示例性的繪示了已進行部分的半導體製程後的未切割晶圓。而未切割晶圓上的元件區610在經由適當的步驟（如：切割步驟）後可形成對應的晶片。本發明對於一般的半導體製程並未加以贅述。

基於上述，藉由以上實施例的排列多個晶圓的方法，可以在對多個晶圓進行清洗的步驟中，降低在晶圓表面上可以相互轉移的缺陷可能會造成的晶圓與晶圓之間的缺陷汙染，而可以提升晶片製造的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

S111、S112、S121、S122、S131、S132、S140、S180、S240、S280、S340、S380、S450、S460、S470、S480、S580、S590:步驟 101:第一晶圓 101a:第一正面 101b:第一背面 102:第二晶圓 102a:第二正面 102b:第二背面 510:清洗槽 520:晶圓洗劑 610:元件區

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。圖1B是依照本發明的一實施例的一種第一晶圓的側視示意圖。圖1C是依照本發明的一實施例的一種第二晶圓的側視示意圖。圖1D是依照本發明的一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。圖1E是依照本發明的另一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。圖1F是依照本發明的又一實施例的一種多個晶圓的排列方式的側視示意圖。圖2是依照本發明的第二實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。圖3是依照本發明的第三實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。圖4是依照本發明的第四實施例的一種排列多個晶圓的方法的部分流程圖。圖5A是依照本發明的一實施例的一種欲對多個晶圓進行清洗的方法的部分流程圖。圖5B是依照本發明的一實施例的一種對多個晶圓進行清洗的方法的部分側視示意圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種晶片的製造方法的部分上視示意圖。

S111、S112、S121、S122、S131、S132、S140、S180:步驟

Claims

一種排列多個晶圓的方法，包括：提供第一晶圓，具有第一正面及相對於所述第一正面的第一背面；提供第二晶圓，具有第二正面及相對於所述第二正面的第二背面；對所述第一晶圓的所述第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值；對所述第二晶圓的所述第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值；以及將所述第一缺陷數值或所述第二缺陷數值的至少其中之一與正面缺陷門檻值進行比較，其中若所述第一缺陷數值或所述第二缺陷數值的其中之一小於或等於所述正面缺陷門檻值，則不使所述第一晶圓的所述第一背面面向所述第二晶圓的所述第二背面排列。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中若所述第一缺陷數值及所述第二缺陷數值小於或等於所述正面缺陷門檻值，則使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中若所述第一缺陷數值及所述第二缺陷數值的其中之一小於或等於所述正面缺陷門檻值，且所述第一缺陷數值及所述第二缺陷數值的其中另一大於所述正面缺陷門檻值，則不使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列。
如申請專利範圍第3項所述的排列多個晶圓的方法，若所述第一缺陷數值小於或等於所述正面缺陷門檻值，且所述第二缺陷數值大於所述正面缺陷門檻值，則使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二背面排列。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中若所述第一缺陷數值小於或等於所述正面缺陷門檻值，且所述第二缺陷數值大於所述正面缺陷門檻值，則所述排列多個晶圓的方法更包括：對所述第二晶圓的所述第二背面進行第三預掃描，以獲得第三缺陷數值；以及比較所述第三缺陷數值及背面缺陷門檻值，其中若所述第三缺陷數值小於或等於所述背面缺陷門檻值，則使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二背面排列。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中：所述第一正面的粗糙度基本上小於所述第一背面的粗糙度；且/或所述第二正面的粗糙度基本上小於所述第二背面的粗糙度。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中：於對所述第一晶圓的所述第一正面進行所述第一預掃描的步驟包括對對所述第一晶圓的所述第一正面進行表面顆粒及/或殘留物的缺陷掃描；且/或於對所述第二晶圓的所述第二正面進行所述第二預掃描的步驟包括對對所述第二晶圓的所述第二正面進行表面顆粒及/或殘留物的缺陷掃描。
如申請專利範圍第1項所述的排列多個晶圓的方法，其中所述第一晶圓為均質材料，且所述第二晶圓為均質材料。
一種欲對多個晶圓進行清洗步驟的方法，包括：提供第一晶圓，具有第一正面及相對於所述第一正面的第一背面；提供第二晶圓，具有第二正面及相對於所述第二正面的第二背面；對所述第一晶圓的所述第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值；對所述第二晶圓的所述第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值；以及判斷所述第一缺陷數值及所述第二缺陷數值是否大於正面缺陷門檻值，其中若所述第一缺陷數值或所述第二缺陷數值的其中之一小於或等於所述正面缺陷門檻值，則使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列、使所述第一晶圓的所述第一背面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列或使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二背面排列，且對所述第一晶圓及所述第二晶圓進行清洗步驟。
一種晶片的製造方法，包括：提供第一晶圓，具有第一正面及相對於所述第一正面的第一背面；提供第二晶圓，具有第二正面及相對於所述第二正面的第二背面；對所述第一晶圓的所述第一正面進行第一預掃描，以獲得第一缺陷數值；對所述第二晶圓的所述第二正面進行第二預掃描，以獲得第二缺陷數值；判斷所述第一缺陷數值及所述第二缺陷數值是否大於正面缺陷門檻值，其中若所述第一缺陷數值或所述第二缺陷數值的其中之一小於或等於所述正面缺陷門檻值，則使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列、使所述第一晶圓的所述第一背面面向所述第二晶圓的所述第二正面排列或使所述第一晶圓的所述第一正面面向所述第二晶圓的所述第二背面排列，且對所述第一晶圓及所述第二晶圓進行清洗步驟；以及於進行所述清洗步驟之後，於所述第一晶圓的所述第一正面上或所述第二晶圓的所述第二正面上進行半導體製程，以形成至少一晶片。