CN112735964B - 晶圆表面缺陷检测及表面修复方法 - Google Patents
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Abstract
在本发明提供的一种晶圆表面缺陷检测及表面修复方法，其通过键合至少两个晶圆，以在相邻两个晶圆之间形成键合结构，并在判断出气泡缺陷是由设计结构导致后，破开键合结构以分离至少两个键合后的晶圆，并根据气泡缺陷在晶圆上的位置，确定导致发生气泡缺陷的设计结构，以能够快速检测出导致气泡缺陷的设计结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆表面缺陷检测及表面修复方法。
背景技术
晶圆键合已经成为半导体制造技术集成发展和实用化的关键技术。晶圆键合是指将两片平整的晶圆面对面贴合起来，并施加以一定的压力、温度、电压等外部条件，在原有的两片晶圆间的界面产生原子或者分子间的结合力，如共价键、金属键、分子键等，使两表面间的键合能达到一定强度，而使这两片晶圆结为一体。
然而，在晶圆键合工艺中，固定设置在晶圆上的设计结构(比如标记等)，由于其凸出于晶圆表面，或者凹陷至晶圆内并低于晶圆表面时，在键合时可能会导致气泡缺陷。气泡缺陷会进一步导致气泡所在区域以及气泡附近区域的产量损失，并且气泡在后续的任一制程中都可能发生破裂，而气泡的破裂又会增加其它缺陷。例如，在减薄工艺中对晶圆进行研磨时，气泡破裂产生的残渣会导致晶圆表面刮伤；或者，键合且减薄后的晶圆在继续形成膜层结构时，在沉积工艺的高温作用下气泡破裂产生的残渣会污染机台，从而导致机台中的批量的晶圆表面受到污染，进而导致键合晶圆的批量异常；再或者，在曝光工艺中造成气泡缺陷所在的区域不能准确对焦曝光或者导致其它正常区域散焦。另外，当检测到具有气泡缺陷的键合晶圆后，为了避免对其它正常的键合晶圆产生影响，需要停机清洁保养和/或更换零部件，这样就导致耗费大量的成本。
因此，检测位于晶圆表面上的哪些设计结构会导致气泡缺陷就显得尤其重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆表面缺陷检测及表面修复方法，以解决无法检测出晶圆表面上的哪些设计结构会导致气泡缺陷的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆表面缺陷的检测方法，包括：
提供至少两个晶圆，至少其中之一的所述晶圆上具有至少一个固定设置在所述晶圆上的设计结构，所述设计结构凸出于所述晶圆表面，或者凹陷至所述晶圆内并低于所述晶圆表面；
依次键合所述至少两个晶圆，以在相邻两个所述晶圆之间形成键合结构，所述设计结构位于所述键合结构内；
检测每个所述键合结构是否存在气泡缺陷，并初步判断所述气泡缺陷是否由所述设计结构导致；
若是，则记录所述气泡缺陷在所述晶圆上的位置，并破开所述键合结构以分离相互键合的两个所述晶圆，并根据所述气泡缺陷在所述晶圆上的位置，以最终确定导致发生所述气泡缺陷的所述设计结构并记作缺陷结构。
可选的，形成所述键合结构的方法包括：
分别在相邻两个晶圆相对的表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述设计结构；
键合分别位于相邻两个晶圆上的两个第一介质层以形成所述键合结构。
可选的，所述第一介质层的厚度为
可选的，每个所述晶圆上具有至少两个图形区，每个所述图形区上具有至少一个所述设计结构；
以及，初步判断所述气泡缺陷是否由所述设计结构导致的方法包括：
判断不同图形区内是否均存在有气泡缺陷，且至少两个所述图形区内的所述气泡缺陷在所述图形区上的位置是否相同，以及所述气泡缺陷的大小是否位于预设气泡大小阈值范围内，若是，则判断所述气泡缺陷由所述设计结构导致。
可选的，所述预设气泡大小阈值范围为300um～500um。
为解决上述问题，本发明还提供一种晶圆表面修复方法，包括：
根据上述任意一项所述的晶圆表面检测方法检测以确定所述晶圆的缺陷结构，并提供具有所述缺陷结构的待修复晶圆；
量测所述待修复晶圆上的所述缺陷结构的顶表面与所述晶圆表面的距离差，以筛选出位于同一所述待修复晶圆上，且所述顶点距离差最大的所述缺陷结构，并将对应的所述距离差最大的所述缺陷结构记作目标缺陷结构，以及将所述目标缺陷结构对应的所述距离差记作目标距离差；
可选的，根据如下公式计算以获得所述修复层的厚度：Y＝aX+b，
其中，Y表示：目标距离差；
X表示：修复层的厚度；
a表示：目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数；
b表示：目标距离差与修复层的厚度的线性关系常数。
可选的，获取所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数的方法包括：
提供具有目标缺陷结构的测试晶圆；
在设有所述目标缺陷结构的测试晶圆的表面上，按照预定厚度沉积用于修复的测试层，所述预定厚度大于沉积在所述晶圆上形成键合结构的第一介质层的厚度，且所述预定厚度还小于所述第一介质层厚度的10倍；
研磨所述测试层，以部分去除所述测试层，其中，被去除的所述测试层的设定厚度为所述预定厚度与所述第一介质层的厚度的差值；
量测剩余的所述测试层的最大厚度，并获得剩余的所述测试层的最大厚度与所述第一介质层的厚度的差值，所述差值判定为所述目标缺陷结构被修复的距离差；
获得所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数，其中，所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数，等于所述目标缺陷结构被修复的距离差与用于修复的测试层的预定厚度的商。
可选的，所述测试层的预设厚度为
可选的，若所述目标缺陷结构凸出于所述待修复晶圆表面，则所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数的绝对值为0.03～0.1。
可选的，所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系常数为
在本发明提供的提供晶圆表面检测方法中，通过键合至少两个晶圆，以在相邻两个晶圆之间形成键合结构，并在判断出气泡缺陷是由设计结构导致后，破开键合结构以分离至少两个键合后的晶圆，并根据气泡缺陷在晶圆上的位置，确定导致发生气泡缺陷的设计结构。如此一来，能够快速检测出导致气泡缺陷的设计结构。
附图说明
图1是本发明一实施例的晶圆表面检测方法的流程示意图。
图2是本发明一实施例的晶圆表面检测方法中的晶圆俯视示意图。
图3是图2中沿AA’方向的剖面示意图。
图4是本发明一实施例的晶圆表面检测方法中的晶圆键合后的俯视示意图。
图5是图4中沿BB’方向的剖面示意图。
图6是本发明一实施例的晶圆表面修复方法的流程示意图。
图7是本发明一实施例的晶圆表面修复方法的结构示意图。
其中，附图标记如下：
1-晶圆； 11-图形区；
2-设计结构；
3-第一介质层； 30-键合结构；
4-气泡缺陷；
5-待修复晶圆；
6-修复层；
7-目标缺陷结构。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的晶圆表面缺陷检测及表面修复方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1是本发明一实施例的晶圆表面检测方法的流程示意图；图2是本发明一实施例的晶圆表面检测方法中的晶圆俯视示意图；图3是图2中沿AA’方向的剖面示意图；图4是本发明一实施例的晶圆表面检测方法中的晶圆键合后的俯视示意图；图5是图4中沿BB’方向的剖面示意图。下面结合附图1到图5对本实施例提供的晶圆表面检测方法其各个步骤进行详细说明。
在步骤S10中，如图2和图3所示，提供至少两个晶圆1，至少其中之一的所述晶圆1上具有至少一个固定设置在所述晶圆1上的设计结构2，其中，所述设计结构2凸出于所述晶圆表面，或者凹陷至所述晶圆内并低于所述晶圆表面。
在本实施例中，至少两个晶圆1可以为结构完全相同的至少两个晶圆1，每个所述晶圆1上均具有至少一个设计结构2，其中，所述设计结构2固定设置在所述晶圆1上，且所述设计结构2可以凸出于所述晶圆1的表面，或者凹陷至所述晶圆1内，并低于所述晶圆1的表面。例如，所述设计结构2可以为用于对位或量测的标记，或者固定设计在晶圆1上的元器件固定结构，例如半导体元器件等。
此外，可选的，也可以至少两个所述晶圆1中仅至少一个所述晶圆1或部分所述晶圆1具有上述设计结构2。所述晶圆1上的所述设计结构2的设计在此不做具体限定。
进一步的，在本实施例中，每个所述晶圆1上具有至少两个图形区11，每个所述图形区11上具有至少一个所述设计结构2。在本实施例中，每个所述图形区11内的结构相同，大小相等。
在步骤S20中，继续参图2、图3及图5所示，依次键合所述至少两个晶圆1，以在相邻两个所述晶圆1之间形成键合结构30，且所述设计结构2位于所述键合结构30内。
在本实施例中，形成所述键合结构30的方法包括如下步骤一和步骤二。
在步骤一中，分别在相邻两个晶圆1相对的表面上形成第一介质层3，所述第一介质层3覆盖所述设计结构2。在本实施例中，所述第一介质层3的材质可以为氧化硅或氮化硅。以及，所述第一介质层3的厚度为
在步骤二中，继续参图2和图3并结合参图4和图5所示，键合分别位于相邻两个晶圆1上的两个第一介质层3以形成所述键合结构30。其中，由于所述设计结构2凸出于所述晶圆1表面或凹陷至所述晶圆1内，则在键合至少两个所述晶圆1时，部分凸出于所述晶圆1的表面的所述设计结构2，或者部分凹陷至所述晶圆1内设计结构2会导致键合结构30内出现气泡缺陷4。
在步骤S30中，检测每个所述键合结构30是否存在气泡缺陷4，若是，则记录形成的所述气泡缺陷4在所述晶圆上的位置，并初步判断所述气泡缺陷4是否由所述设计结构2导致。
在本实施例中，可以通过超声波检测，以检测每个所述键合结构30是否存在气泡缺陷4。以及，在检测每个所述键合结构30是否存在气泡缺陷4，记录气泡缺陷4的位置。
具体的，在本实施例中，判断所述气泡缺陷4是否由所述设计结构2导致的方法包括为：判断不同图形区11内是否存在有气泡缺陷4，且至少两个所述图形区11内的所述气泡缺陷4在所述图形区11上的位置是否相同，以及所述气泡缺陷4的大小是否位于预设气泡大小阈值范围内，若是，则判断所述气泡缺陷4由所述设计结构2导致。
在本实施例中，由于每个所述图形区11内均具有至少一个所述设计结构2，且所述设计结构2在同一所述晶圆1上的不同所述图形区11上的位置相同。如此，理论上所述设计结构2导致的所述气泡缺陷4将在不同所述图形区11上的位置相同，而由于晶圆厚度、键合条件等因素影响，不一定所有所述图形区11上的设计结构2均产生气泡缺陷4。因此，定义当不同图形区11内均存在气泡缺陷4，且至少两个所述图形区11内的所述气泡缺陷4在所述图形区11上的位置相同，以及所述气泡缺陷4的大小位于预设气泡大小阈值范围内时，判断所述气泡缺陷4由所述设计结构2导致。在本实施例中，所述预设气泡大小阈值范围为300um～500um。其中，技术人员可以通过人工判断所述气泡缺陷4是否由所述设计结构2导致，或者可以直接在进行超声波检测时进行判断。
在步骤S40中，若是，则记录所述气泡缺陷4在所述晶圆1上的位置，并破开所述键合结构30以分离相互键合的所述晶圆1，并根据所述气泡缺陷4在所述晶圆1上的位置，以最终确定导致发生所述气泡缺陷4的所述设计结构2并记作缺陷结构。
在本实施例中，在使用超声波检测并确定所述设计结构2导致的所述气泡缺陷4在所述晶圆1上的位置时，可在所述晶圆1上做标记。如此，以在破开所述键合结构30之后，使用原子粒显微镜观察以确定导致发生所述气泡缺陷4的所述设计结构2的位置。
在本实施例中，通过键合至少两个所述晶圆1，以在相邻两个所述晶圆1之间形成键合结构30，并在判断出气泡缺陷4是由设计结构2导致后，破开所述键合结构30以分离至少两个键合后的所述晶圆1，并根据所述气泡缺陷4在所述晶圆1上的位置，确定导致发生所述气泡缺陷4的设计结构。如此一来，能够快速检测出导致所述气泡缺陷4的所述设计结构2。
图6是本发明一实施例的晶圆表面修复方法的流程示意图；图7是实施本发明一实施例的晶圆表面修复方法的结构示意图。参图2和图3并结合图6和图7所示。
首先，执行步骤S1，根据上述所述的检测方法检测以确定所述晶圆1上的缺陷结构(图未示)，并提供具有所述缺陷结构(图未示)的待修复晶圆5。
在本实施例中，所述待修复晶圆5可以为通过上述方法检测出的具有所述缺陷结构(图未示)的晶圆1，也可以为具有所述缺陷结构(图未示)的另外的晶圆，在此不做具体限定，以实际情况为准。
之后，执行步骤S2，量测所述待修复晶圆5上的所述缺陷结构(图未示)的顶点与所述晶圆表面的距离差，以筛选出位于同一所述待修复晶圆5上，且所述距离差最大的所述缺陷结构(图未示)，并将对应的所述距离差最大的所述缺陷结构(图未示)记作目标缺陷结构7，以及将所述目标缺陷结构7对应的距离差记作目标距离差Y。在本实施例中，可通过所述原子粒显微镜量测以获得所述目标距离差Y。以及，在本实施例中，不论所述缺陷结构(图未示)为凸起缺陷还是凹陷缺陷，所述缺陷结构(图未示)的顶点均指所述凸起缺陷或所述凹陷缺陷远离所述晶圆表面的最远点。
最后，执行步骤S3，重点参图7所示，在具有所述目标缺陷结构7的所述待修复晶圆5的表面上形成修复层6，以对所述目标缺陷结构7进行修复，其中，所述修复层6的厚度X根据所述目标距离差Y获得，所述目标距离差Y与所述修复层6的厚度X呈线性关系。在本实施例中，对所述目标缺陷结构7进行修复是在所述待修复晶圆5上沉积修复材料以形成初始修复层，之后对所述初始修复层执行研磨工艺以形成修复层6。在本实施例中，在形成所述修复层6之后，所述修复层6的顶表面和所述目标缺陷结构7的顶点之间的距离减小，如此因所述目标缺陷结构7而导致键合时形成的所述气泡缺陷4的大小变小，或所述目标缺陷结构7不再导致键合时产生所述气泡缺陷4，进而使得所述修复层6修复所述目标缺陷结构7。较佳的，所述修复层6的厚度以至少大于恰好修复所述目标缺陷结构7为准，但所述修复层6的厚度不能无穷大。因此，所述修复层6的厚度的设定是晶圆键合过程中一个较难且重要的技术研究方向。发明人经过长期研究发现，可通过如下方式获取所述修复层6的厚度。
在本实施例中，根据如下公式(1)计算以获得所述修复层6的厚度。
Y＝aX+b—公式(1)
其中，Y表示：目标距离差；X表示：修复层的厚度；a表示：目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数；b表示：目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系常数。在本实施例中，所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系常数b与所述修复晶圆5本身结构以及设计相关，根据实际生产过程的经验以获得。其中，所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系常数b的范围为：
进一步的，在本实施例中，获取所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a的方法包括如下步骤。
首先，提供具有目标缺陷结构的测试晶圆(图未示)。
在本实施例中，所述测试晶圆(图未示)可以为与所述待修复晶圆5结构相同的另一晶圆，也可以为所述待修复晶圆5。在此不做具体限定，保证所述测试晶圆(图未示)和所述待修复晶圆5上具有相同的所述目标缺陷结构7即可。
其次，在设有所述目标缺陷结构7的测试晶圆(图未示)的表面上，按照预定厚度H沉积用于修复的测试层(图未示)，所述预定厚度H大于沉积在所述晶圆上形成键合结构30的第一介质层3的厚度，且所述预定厚度H还小于所述第一介质层3的厚度的10倍。较佳的，所述预定厚度H的厚度为所述第一介质层3的厚度的1.5倍～10倍。以及，沉积的所述用于修复的测试层(图未示)的材料与形成所述第一介质层3的材料相同，即为氧化硅或氮化硅。之后，研磨所述测试层，以部分去除所述测试层，其中，被去除的所述测试层的设定厚度为所述预定厚度H与所述第一介质层3的厚度的差值。
然后，量测剩余的所述测试层的最大厚度，并获得剩余的所述测试层的最大厚度与所述第一介质层3的厚度的差值，所述差值判定为所述目标缺陷结构7被修复的距离差Z。其中，在本实施例中，剩余的所述测试层(图未示)的最大厚度指部分所述测试层被研磨去除后，剩余的所述测试层(图未示)的最高点距离所述测试晶圆表面的最大距离。
最后，获得所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a，其中，所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a，等于所述目标缺陷结构7被修复的距离差Z与用于修复的测试层的预定厚度H的商。
即，在本实施例中，根据如下公式(2)计算以获得所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a。
Z＝aH—公式(2)
其中，Z表示：目标缺陷结构7被修复的距离差；H表示：用于修复的测试层的预定厚度；a表示：目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数。即，a＝Z/H。
下面以具体实例以说明本实施例的目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a的获得方法。
例如，若所述目标缺陷结构7为凸起缺陷，则在所述测试晶圆(图未示)上按照预定厚度H沉积所述用于修复的测试层(图未示)时，沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)的厚度，等于沉积在所述测试晶圆(图未示)未设置所述目标缺陷结构7的表面上的厚度。如此，则沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)必然凸出于沉积在所述测试晶圆(图未示)未设置所述目标缺陷7的表面上的所述测试层(图未示)。则在研磨所述测试层(图未示)时，沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)必然先被研磨，且在按照设定厚度研磨去除部分所述测试层时，所述测试层(图未示)的实际的研磨量必然会大于所述设定厚度。
例如，所述第一介质层3的厚度为则可在设有所述目标缺陷结构7的所述测试晶圆(图未示)上沉积预定厚度H为/>的测试层(图未示)。那么沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)的厚度与沉积在所述测试晶圆(图未示)未设置所述目标缺陷结构7的表面上的厚度相等，即均为/>被去除的所述测试层的设定厚度为所述预定厚度H与所述第一介质层3的厚度的差值，例如为：/>而在研磨去除部分所述测试层(图未示)时，所述测试层(图未示)实际被去除的所述测试层的厚度必然将大于被去除的所述测试层的设定厚度。例如所述测试层(图未示)实际被去除的所述测试层的厚度例如为/>此时，量测剩余的位于所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)的最大厚度为/>则，剩余的所述测试层(图未示)的最大厚度与所述第一介质层3的厚度的差值即为：/>所述差值即为所述目标缺陷结构7被修复的距离差Z。如此，则所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数/>
或者，若所述目标缺陷结构7为凹陷缺陷，则在所述测试晶圆(图未示)上按照预定厚度H沉积所述用于修复的测试层(图未示)时，沉积在所述目标缺陷结构7内的所述测试层(图未示)的厚度，等于沉积在所述测试晶圆(图未示)未设置所述目标缺陷结构7的表面上的厚度。如此，则沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)的顶表面必然低于沉积在所述测试晶圆(图未示)上的所述测试层(图未示)的顶表面。则在研磨所述测试层(图未示)时，沉积在未设置所述目标缺陷结构7的所述测试晶圆(图未示)上的所述测试层(图未示)必然先被研磨，而设置所述目标缺陷结构7上方的所述测试层(图未示)将不会被研磨。同时由于所述凹陷缺陷的存在，则不仅研磨后的所述测试层(图未示)对应于所述目标缺陷结构7的部分将低于所述测试层(图未示)未对应于所述目标缺陷结构7的部分，而且所述测试层(图未示)实际的研磨量必然会小于所述设定厚度。
例如，所述第一介质层3的厚度为则可在设有所述目标缺陷结构7的所述测试晶圆(图未示)上沉积预定厚度H为/>的测试层(图未示)。那么沉积在所述目标缺陷结构7上的所述测试层(图未示)的厚度与沉积在所述测试晶圆(图未示)未设置所述目标缺陷结构7的表面上的厚度相等，均为/>被去除的所述测试层的设定厚度为所述预定厚度H与所述第一介质层3的厚度的差值，例如为：/>而在研磨去除部分所述测试层(图未示)时，所述测试层(图未示)实际的研磨量小于所述设定厚度。例如所述测试层(图未示)实际被去除的所述测试层(图未示)的厚度例如为/>那么剩余的所述测试层的最大厚度即为/>此时，剩余的所述测试层(图未示)的最大厚度与所述第一介质层3的厚度的差值即为：/>所述差值即为所述目标缺陷结构7被修复的距离差Z。如此，则所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数
综上，即若所述目标缺陷结构凸出于所述晶圆表面，则所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a为负数。而若所述目标缺陷结构凹陷至所述晶圆内并低于所述晶圆表面时，所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a为正数。
可选的，在本实施例中，若所述目标缺陷结构7凸出于所述待修复晶圆表面，则所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a为-0.03～-0.1；或者，若所述目标缺陷结构凹陷至所述待修复晶圆内并低于所述待修复晶圆表面，则所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a为0.1～0.03。即所述目标距离差Y与修复层6的厚度X的线性关系系数a的绝对值为0.03～0.1。以及，所述测试层的预设厚度为
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提供至少两个晶圆，至少其中之一的所述晶圆上具有至少一个固定设置在所述晶圆上的设计结构，所述设计结构凸出于所述晶圆表面，或者凹陷至所述晶圆内并低于所述晶圆表面，每个所述晶圆上具有至少两个图形区，每个所述图形区上具有至少一个所述设计结构；
依次键合所述至少两个晶圆，以在相邻两个所述晶圆之间形成键合结构，所述设计结构位于所述键合结构内；
检测每个所述键合结构是否存在气泡缺陷，并初步判断所述气泡缺陷是否由所述设计结构导致；
若是，则记录所述气泡缺陷在所述晶圆上的位置，并破开所述键合结构以分离相互键合的两个所述晶圆，并根据所述气泡缺陷在所述晶圆上的位置，以最终确定导致发生所述气泡缺陷的所述设计结构并记作缺陷结构；
其中，初步判断所述气泡缺陷是否由所述设计结构导致的方法包括：
判断不同图形区内是否均存在有气泡缺陷，且至少两个所述图形区内的所述气泡缺陷在所述图形区上的位置是否相同，以及所述气泡缺陷的大小是否位于预设气泡大小阈值范围内，若是，则判断所述气泡缺陷由所述设计结构导致。
2.如权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，形成所述键合结构的方法包括：
分别在相邻两个晶圆相对的表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述设计结构；
键合分别位于相邻两个晶圆上的两个第一介质层以形成所述键合结构。
3.如权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为
4.如权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述预设气泡大小阈值范围为300um～500um。
5.一种晶圆表面修复方法，其特征在于，包括：
根据如权利要求1到4任意一项所述的晶圆表面缺陷的检测方法检测以确定所述晶圆的缺陷结构，并提供具有所述缺陷结构的待修复晶圆；
量测所述待修复晶圆上的所述缺陷结构的顶点与所述晶圆表面的距离差，以筛选出位于同一所述待修复晶圆上，且所述距离差最大的所述缺陷结构，并将对应的所述距离差最大的所述缺陷结构记作目标缺陷结构，以及将所述目标缺陷结构对应的所述距离差记作目标距离差；
在具有所述目标缺陷结构的待修复晶圆上形成修复层，以对所述目标缺陷结构进行修复，其中，所述修复层的厚度根据所述目标距离差获得，所述目标距离差与所述修复层的厚度呈线性关系。
6.如权利要求5所述的晶圆表面修复方法，其特征在于，根据如下公式计算以获得所述修复层的厚度：Y＝aX+b，
其中，Y表示：目标距离差；
X表示：修复层的厚度；
a表示：目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数；
b表示：目标距离差与修复层的厚度的线性关系常数。
7.如权利要求6所述的晶圆表面修复方法，其特征在于，获取所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数的方法包括：
提供具有目标缺陷结构的测试晶圆；
在设有所述目标缺陷结构的测试晶圆的表面上，按照预定厚度沉积用于修复的测试层，所述预定厚度大于沉积在所述晶圆上形成键合结构的第一介质层的厚度，且所述预定厚度还小于所述第一介质层厚度的10倍；
研磨所述测试层，以部分去除所述测试层，其中，被去除的所述测试层的设定厚度为所述预定厚度与所述第一介质层的厚度的差值；
量测剩余的所述测试层的最大厚度，并获得剩余的所述测试层的最大厚度与所述第一介质层的厚度的差值，所述差值判定为所述目标缺陷结构被修复的距离差；
获得所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数，其中，所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数，等于所述目标缺陷结构被修复的距离差与用于修复的测试层的预定厚度的商。
8.如权利要求7所述的晶圆表面修复方法，其特征在于，所述测试层的预设厚度为
9.如权利要求6所述的晶圆表面修复方法，其特征在于，所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系系数的绝对值为0.03～0.1。
10.如权利要求6所述的晶圆表面修复方法，其特征在于，所述目标距离差与修复层的厚度的线性关系常数为
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