JP2001323364A - 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法 - Google Patents
真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法Info
- Publication number
- JP2001323364A JP2001323364A JP2000141232A JP2000141232A JP2001323364A JP 2001323364 A JP2001323364 A JP 2001323364A JP 2000141232 A JP2000141232 A JP 2000141232A JP 2000141232 A JP2000141232 A JP 2000141232A JP 2001323364 A JP2001323364 A JP 2001323364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- temperature
- vacuum
- vapor deposition
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクの材質や、形状にとらわれず、マスク
の温度変化による伸縮を防止し、微細パターンの成膜を
精度よく行える真空マスク蒸着装置を提供する。 【解決手段】 排気手段を備えた真空容器と、該真空容
器内に設けられた蒸着源及び基板上に微細パターンを成
膜するためのマスクとを有する真空マスク蒸着装置にお
いて、前記マスクの温度を制御する温度制御手段を有す
る真空マスク蒸着装置。
の温度変化による伸縮を防止し、微細パターンの成膜を
精度よく行える真空マスク蒸着装置を提供する。 【解決手段】 排気手段を備えた真空容器と、該真空容
器内に設けられた蒸着源及び基板上に微細パターンを成
膜するためのマスクとを有する真空マスク蒸着装置にお
いて、前記マスクの温度を制御する温度制御手段を有す
る真空マスク蒸着装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、有機ＥＬ
ディスプレーなど真空中で微細加工されたマスクによる
パターン成膜が必要な成膜に用いることができる真空マ
スク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法に関するものであ
る。
ディスプレーなど真空中で微細加工されたマスクによる
パターン成膜が必要な成膜に用いることができる真空マ
スク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、真空蒸着（真空蒸着、スパッ
タリング、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティングな
ど）は、面に一様に成膜することを目的に設計されてお
り、微細パターンのマスクのパターンずれを防止する構
造にはなっていない。
タリング、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティングな
ど）は、面に一様に成膜することを目的に設計されてお
り、微細パターンのマスクのパターンずれを防止する構
造にはなっていない。
【０００３】また、光磁気ディスクの製造方法は、マス
クを使用した成膜方法（スパッタリング）として知られ
ているが、ディスクの内周と外周に取り付けたマスクで
あり、マスキングする精度は要求されておらず、微細パ
ターンのマスクでは無いため、マスクの熱による伸縮防
止対策は、施されていない。
クを使用した成膜方法（スパッタリング）として知られ
ているが、ディスクの内周と外周に取り付けたマスクで
あり、マスキングする精度は要求されておらず、微細パ
ターンのマスクでは無いため、マスクの熱による伸縮防
止対策は、施されていない。
【０００４】また、従来の真空蒸着装置において、防着
部材の温度制御をする場合があるが、例えば特開平１０
−１５４３３０号公報では、樹脂防着部材の損傷を防ぐ
ための冷却機構を付加させるものであり、特開平５−１
７９４３６号公報、特開平５−２５９０９０号公報で
は、防着部材の温度変化での伸縮による堆積膜剥離防止
（パーティクル対策）を目的とするものであり、基板に
接触する微細パターンマスクのパターンずれを防止する
ためのものではない。
部材の温度制御をする場合があるが、例えば特開平１０
−１５４３３０号公報では、樹脂防着部材の損傷を防ぐ
ための冷却機構を付加させるものであり、特開平５−１
７９４３６号公報、特開平５−２５９０９０号公報で
は、防着部材の温度変化での伸縮による堆積膜剥離防止
（パーティクル対策）を目的とするものであり、基板に
接触する微細パターンマスクのパターンずれを防止する
ためのものではない。
【０００５】ところで、有機ＥＬなどのディスプレーの
製作にはマスク成膜技術によるパターニングが必須であ
る。さらに、ディスプレーなどのデバイスは、高精細化
が求められており、マスクパターンの高密度化が進んで
いる。
製作にはマスク成膜技術によるパターニングが必須であ
る。さらに、ディスプレーなどのデバイスは、高精細化
が求められており、マスクパターンの高密度化が進んで
いる。
【０００６】マスク成膜での問題点としては、パターン
ずれの発生があり、パターンずれは、蒸発源からの輻射
熱による温度変化でのマスクの伸縮が主原因となってい
る。例えば、有機ＥＬディスプレーでは、有機材料を三
乃至四層、配線材料を一層成膜するが、配線材料のアル
ミの蒸着では、ＳＵＳ３０４のマスク温度が約８０℃上
昇する（２０℃から１００℃まで）ため、１００ｍｍ角
のディスプレーを製作しようとすれば、マスクが、基板
中心を基準にして約６６μｍ伸びることになり、この伸
びは、素子ピッチの約１個分に相当する。従って、輻射
熱による温度上昇によりパターンずれが発生してしま
う。
ずれの発生があり、パターンずれは、蒸発源からの輻射
熱による温度変化でのマスクの伸縮が主原因となってい
る。例えば、有機ＥＬディスプレーでは、有機材料を三
乃至四層、配線材料を一層成膜するが、配線材料のアル
ミの蒸着では、ＳＵＳ３０４のマスク温度が約８０℃上
昇する（２０℃から１００℃まで）ため、１００ｍｍ角
のディスプレーを製作しようとすれば、マスクが、基板
中心を基準にして約６６μｍ伸びることになり、この伸
びは、素子ピッチの約１個分に相当する。従って、輻射
熱による温度上昇によりパターンずれが発生してしま
う。
【０００７】即ち、有機ＥＬディスプレイのような微細
パターンを成膜しなければならないプロセスでは、マス
クの温度変化による伸縮を無視することはできない。現
在の真空蒸着法のような、高温になっている蒸発源か
ら、マスク及び基板が直接輻射熱を受ける成膜方法で
は、蒸着中にマスクの温度が徐々に上昇することは、避
けられない。今後、パターンの高精細化が進み、かつ基
板が大型化していけば、よりマスクの温度変化による伸
縮を無視することはできなくなる。このように、蒸着中
に徐々にマスクの温度が変化し蒸着パターンがずれてし
まうことが問題となっている。
パターンを成膜しなければならないプロセスでは、マス
クの温度変化による伸縮を無視することはできない。現
在の真空蒸着法のような、高温になっている蒸発源か
ら、マスク及び基板が直接輻射熱を受ける成膜方法で
は、蒸着中にマスクの温度が徐々に上昇することは、避
けられない。今後、パターンの高精細化が進み、かつ基
板が大型化していけば、よりマスクの温度変化による伸
縮を無視することはできなくなる。このように、蒸着中
に徐々にマスクの温度が変化し蒸着パターンがずれてし
まうことが問題となっている。
【０００８】マスクの温度上昇の対策として考えられる
一つの手段としては、マスクの材質を伸縮し難いものに
することが挙げられる。しかし、マスクの製作はエッチ
ングなどの方法で製作されるため、微細パターンをエッ
チングできる材質を使用しなければならず、例えば３６
％Ｎｉなどのエッチングし難い材質は使用できない、ま
た、腐食することにより表面積が増大し水分などの吸着
が大きくなるため、デバイスの特性上腐食しやすい材質
は使用できないという問題がある。
一つの手段としては、マスクの材質を伸縮し難いものに
することが挙げられる。しかし、マスクの製作はエッチ
ングなどの方法で製作されるため、微細パターンをエッ
チングできる材質を使用しなければならず、例えば３６
％Ｎｉなどのエッチングし難い材質は使用できない、ま
た、腐食することにより表面積が増大し水分などの吸着
が大きくなるため、デバイスの特性上腐食しやすい材質
は使用できないという問題がある。
【０００９】また、他に考えられる手段として、マスク
の熱容量を大きくすることが挙げられる。しかし、マス
クの熱容量を大きくするために、マスクの厚さを厚くす
ると、微細パターンの加工がし難く、成膜時に影になる
部分ができやすく成膜されたパターンの精度も悪くなる
という問題がある。
の熱容量を大きくすることが挙げられる。しかし、マス
クの熱容量を大きくするために、マスクの厚さを厚くす
ると、微細パターンの加工がし難く、成膜時に影になる
部分ができやすく成膜されたパターンの精度も悪くなる
という問題がある。
【００１０】従って、マスク自体の改良で、温度変化に
よる伸縮に対する対応をとることは難しいというのが現
状である。
よる伸縮に対する対応をとることは難しいというのが現
状である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点に鑑み、マスクの材質や、形状にとらわれず、マ
スクの温度変化による伸縮を防止し、微細パターンの成
膜を精度よく行える真空マスク蒸着装置及び真空マスク
蒸着方法を提供することを目的とする。
問題点に鑑み、マスクの材質や、形状にとらわれず、マ
スクの温度変化による伸縮を防止し、微細パターンの成
膜を精度よく行える真空マスク蒸着装置及び真空マスク
蒸着方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の真空マス
ク蒸着装置は、少なくとも、排気手段を備えた真空容器
と、該真空容器内に設けられた蒸着源及び基板上に微細
パターンを成膜するためのマスクとを有する真空マスク
蒸着装置において、前記マスクの温度を制御する温度制
御手段を有することを特徴とする。
ク蒸着装置は、少なくとも、排気手段を備えた真空容器
と、該真空容器内に設けられた蒸着源及び基板上に微細
パターンを成膜するためのマスクとを有する真空マスク
蒸着装置において、前記マスクの温度を制御する温度制
御手段を有することを特徴とする。
【００１３】本発明の真空マスク蒸着装置において、前
記温度制御手段が、温媒または冷媒を有すること、或い
は伝導加熱ヒーターまたは輻射加熱ヒーターを有するこ
とが好ましい。
記温度制御手段が、温媒または冷媒を有すること、或い
は伝導加熱ヒーターまたは輻射加熱ヒーターを有するこ
とが好ましい。
【００１４】また、本発明の真空マスク蒸着方法は、微
細パターンを有するマスクを基板と接触させて微細パタ
ーンを成膜する真空蒸着方法において、蒸発源の輻射熱
による前記マスクの温度変化を防止する温度制御手段に
より蒸着中の前記マスクの温度を制御することを特徴と
する。
細パターンを有するマスクを基板と接触させて微細パタ
ーンを成膜する真空蒸着方法において、蒸発源の輻射熱
による前記マスクの温度変化を防止する温度制御手段に
より蒸着中の前記マスクの温度を制御することを特徴と
する。
【００１５】本発明の真空マスク蒸着方法においては、
温媒または冷媒を用いて、前記マスクの温度を制御する
こと、或いは伝導加熱ヒーターまたは輻射加熱ヒーター
を用いて、前記マスクの温度を制御することが好まし
い。
温媒または冷媒を用いて、前記マスクの温度を制御する
こと、或いは伝導加熱ヒーターまたは輻射加熱ヒーター
を用いて、前記マスクの温度を制御することが好まし
い。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の真空マスク蒸着装置の一
実施形態を示す概略図であり、温媒または冷媒を用いて
マスクの温度を制御する例を示すものである。
実施形態を示す概略図であり、温媒または冷媒を用いて
マスクの温度を制御する例を示すものである。
【００１８】図１において、１は基板、２は温媒または
冷媒を通過させマスク３の温度調節をする温度調節機
構、３は、例えば図４に示されるような、基板１に微細
パターンを蒸着するためのマスク、４は成膜材料を蒸発
させるための蒸発源、５は蒸発源４が蒸発可能な圧力を
維持するための真空容器、６は不要な部分への着膜を防
ぐための防着板、７は温媒または冷媒を温度調節するた
めの温度調節器、８は成膜時間を管理するためのシャッ
ター、９は真空容器５を排気するための排気装置を示
す。
冷媒を通過させマスク３の温度調節をする温度調節機
構、３は、例えば図４に示されるような、基板１に微細
パターンを蒸着するためのマスク、４は成膜材料を蒸発
させるための蒸発源、５は蒸発源４が蒸発可能な圧力を
維持するための真空容器、６は不要な部分への着膜を防
ぐための防着板、７は温媒または冷媒を温度調節するた
めの温度調節器、８は成膜時間を管理するためのシャッ
ター、９は真空容器５を排気するための排気装置を示
す。
【００１９】図１においては、温度調節機構２及び温度
調節器７により、温度制御機構を構成している。即ち、
温度調節機構２と温度調節器７の間で、水等の温媒また
は冷媒を循環させ、チラーユニット、温水器等の温度調
節器７で、温媒または冷媒の温度を一定に保つことによ
り、蒸着中のマスク３の温度を制御し、温度変化による
マスク３の伸縮を防止する。この際、蒸着中にマスクの
温度を検知し、その結果に基づいて、温媒または冷媒の
温度を変化させることによりマスク３の温度を制御して
もよい。
調節器７により、温度制御機構を構成している。即ち、
温度調節機構２と温度調節器７の間で、水等の温媒また
は冷媒を循環させ、チラーユニット、温水器等の温度調
節器７で、温媒または冷媒の温度を一定に保つことによ
り、蒸着中のマスク３の温度を制御し、温度変化による
マスク３の伸縮を防止する。この際、蒸着中にマスクの
温度を検知し、その結果に基づいて、温媒または冷媒の
温度を変化させることによりマスク３の温度を制御して
もよい。
【００２０】図２、図３は、本発明の真空マスク蒸着装
置の他の一実施形態を示す概略図であり、図２は赤外線
ヒーター等の輻射加熱ヒーターを使用し、図３は、シー
スヒーター等の伝導加熱ヒーターを使用し、マスクの温
度を制御する例を示すものである。
置の他の一実施形態を示す概略図であり、図２は赤外線
ヒーター等の輻射加熱ヒーターを使用し、図３は、シー
スヒーター等の伝導加熱ヒーターを使用し、マスクの温
度を制御する例を示すものである。
【００２１】図２、図３において、１０はヒーター１２
の電力を調整するための温度調節器、１１は放熱を防ぐ
ための反射板、１２はマスク３の温度を制御するための
ヒーターを示す。尚、図２，図３において、図１と同一
部材には同一符号を付したので、説明は省略する。
の電力を調整するための温度調節器、１１は放熱を防ぐ
ための反射板、１２はマスク３の温度を制御するための
ヒーターを示す。尚、図２，図３において、図１と同一
部材には同一符号を付したので、説明は省略する。
【００２２】図２，図３においては、ヒーター１２及び
温度調節器１０により、温度制御機構を構成している。
即ち電源等の温度調節器１０によりヒーター１２の温度
を一定に保つことにより、蒸着中のマスク３の温度を制
御し、温度変化によるマスク３の伸縮を防止する。この
際、蒸着中にマスクの温度を検知し、その結果に基づい
て、ヒーター１２の温度を変化させることによりマスク
３の温度を制御してもよい。
温度調節器１０により、温度制御機構を構成している。
即ち電源等の温度調節器１０によりヒーター１２の温度
を一定に保つことにより、蒸着中のマスク３の温度を制
御し、温度変化によるマスク３の伸縮を防止する。この
際、蒸着中にマスクの温度を検知し、その結果に基づい
て、ヒーター１２の温度を変化させることによりマスク
３の温度を制御してもよい。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２４】（実施例１）図１に示す装置を用いて蒸着
を行い、素子形状の精度、素子ピッチの精度の２点につ
いて評価行った。マスク３としては、図４に示す、穴は
５０μｍ角、穴間隔は５０μｍのパターニングがされて
いるものを用いた。
を行い、素子形状の精度、素子ピッチの精度の２点につ
いて評価行った。マスク３としては、図４に示す、穴は
５０μｍ角、穴間隔は５０μｍのパターニングがされて
いるものを用いた。
【００２５】マスク温度調節機構２に、温媒温度調節器
７としてのチラーユニットで１８℃に温度管理された水
を流し、真空容器５の圧力を１×１０-4Ｐａ以下に排気
装置９で排気した後、蒸発源４（クヌーセンセルを使用
した）を昇温させアルミニュームを蒸発させる。水晶式
膜厚モニターにより蒸発速度が約２ｎｍ／ｓに安定する
ことを確認し、シャッター３を開き成膜を開始する。水
晶式膜厚モニターで０．３μｍの膜厚が着膜されたこと
を確認しシャッター３を閉じる。
７としてのチラーユニットで１８℃に温度管理された水
を流し、真空容器５の圧力を１×１０-4Ｐａ以下に排気
装置９で排気した後、蒸発源４（クヌーセンセルを使用
した）を昇温させアルミニュームを蒸発させる。水晶式
膜厚モニターにより蒸発速度が約２ｎｍ／ｓに安定する
ことを確認し、シャッター３を開き成膜を開始する。水
晶式膜厚モニターで０．３μｍの膜厚が着膜されたこと
を確認しシャッター３を閉じる。
【００２６】蒸着中、熱電対によりマスクの温度をモニ
ターをしたが、マスクの温度は１８℃から２０℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
ターをしたが、マスクの温度は１８℃から２０℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
【００２７】（実施例２）温度調節器７として、温水器
を用い、水温を８０℃にコントロールした以外は実施例
１と同様にして蒸着を行った。
を用い、水温を８０℃にコントロールした以外は実施例
１と同様にして蒸着を行った。
【００２８】蒸着中、熱電対によりマスクの温度をモニ
ターをしたが、マスクの温度は７８℃から８０℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
ターをしたが、マスクの温度は７８℃から８０℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
【００２９】（実施例３）図２に示す装置において、ヒ
ーター１２として赤外線ヒーターを用い、マスク温度を
ヒーター１２により約８０℃にコントロールした以外
は、実施例１と同様にして蒸着を行った。
ーター１２として赤外線ヒーターを用い、マスク温度を
ヒーター１２により約８０℃にコントロールした以外
は、実施例１と同様にして蒸着を行った。
【００３０】蒸着中、熱電対によりマスクの温度をモニ
ターをしたが、マスクの温度は７８℃から７９℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
ターをしたが、マスクの温度は７８℃から７９℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
【００３１】（実施例４）図３に示す装置において、ヒ
ーター１２としてシースーヒーターを用い、マスク温度
をヒーター１２により約８０℃にコントロールした以外
は、実施例１と同様にして蒸着を行った。
ーター１２としてシースーヒーターを用い、マスク温度
をヒーター１２により約８０℃にコントロールした以外
は、実施例１と同様にして蒸着を行った。
【００３２】蒸着中、熱電対によりマスクの温度をモニ
ターをしたが、マスクの温度は８０℃から８１℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
ターをしたが、マスクの温度は８０℃から８１℃に変化
した。評価結果を表１に示す。
【００３３】（比較例）マスク温度をヒーター１２によ
りコントロールしない以外は、実施例４と同様にして蒸
着を行った。
りコントロールしない以外は、実施例４と同様にして蒸
着を行った。
【００３４】蒸着中、熱電対によりマスクの温度をモニ
ターをしたが、マスクの温度は約２０℃から約１００℃
に変化した。評価結果を表１に示す。
ターをしたが、マスクの温度は約２０℃から約１００℃
に変化した。評価結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクの温度を制御することにより以下に示す効果が得
られる。 １）パターン形状、及びパターンピッチの精度が向上す
る。 ２）マスクの材質の選択範囲が広くなる。 ３）マスクを薄く製作する事が可能で、パターン精度が
向上する。
マスクの温度を制御することにより以下に示す効果が得
られる。 １）パターン形状、及びパターンピッチの精度が向上す
る。 ２）マスクの材質の選択範囲が広くなる。 ３）マスクを薄く製作する事が可能で、パターン精度が
向上する。
【図１】本発明の真空マスク蒸着装置の一実施態様を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】本発明の真空マスク蒸着装置の他の実施態様を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】本発明の真空マスク蒸着装置の他の実施態様を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図４】本発明の実施例に使用したテストマスクを示す
説明図である。
説明図である。
１ 基板 ２ マスク温度調節機構 ３ マスク ４ 蒸発源 ５ 真空容器 ６ 防着板 ７ 温媒温度調節器 ８ シャッター ９ 排気装置 １０ 温度調節器 １１ 反射板 １２ ヒーター
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも、排気手段を備えた真空容器
と、該真空容器内に設けられた蒸着源及び基板上に微細
パターンを成膜するためのマスクとを有する真空マスク
蒸着装置において、前記マスクの温度を制御する温度制
御手段を有することを特徴とする真空マスク蒸着装置。 - 【請求項２】 前記温度制御手段が、温媒または冷媒を
有することを特徴とする請求項１に記載の真空マスク蒸
着装置。 - 【請求項３】 前記温度制御手段が、伝導加熱ヒーター
または輻射加熱ヒーターを有することを特徴とする請求
項１に記載の真空マスク蒸着装置。 - 【請求項４】 微細パターンを有するマスクを基板と接
触させて微細パターンを成膜する真空蒸着方法におい
て、蒸発源の輻射熱による前記マスクの温度変化を防止
する温度制御手段により蒸着中の前記マスクの温度を制
御することを特徴とする真空マスク蒸着方法。 - 【請求項５】 温媒または冷媒を用いて、前記マスクの
温度を制御することを特徴とする請求項４に記載の真空
マスク蒸着方法。 - 【請求項６】 伝導加熱ヒーターまたは輻射加熱ヒータ
ーを用いて、前記マスクの温度を制御することを特徴と
する請求項４に記載の真空マスク蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000141232A JP2001323364A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000141232A JP2001323364A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001323364A true JP2001323364A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18648376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000141232A Pending JP2001323364A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001323364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008024956A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Ulvac Japan Ltd | アライメント装置及びアライメント方法 |
| JP2019104952A (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | 蒸着装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767166A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Mask supporting frame |
| JPH11189862A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Nippon Paint Co Ltd | 有機着色薄膜の製造法 |
-
2000
- 2000-05-15 JP JP2000141232A patent/JP2001323364A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767166A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Mask supporting frame |
| JPH11189862A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Nippon Paint Co Ltd | 有機着色薄膜の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008024956A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Ulvac Japan Ltd | アライメント装置及びアライメント方法 |
| JP2019104952A (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | 蒸着装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Betz et al. | Thin films engineering of indium tin oxide: Large area flat panel displays application | |
| US6063710A (en) | Method and apparatus for dry etching with temperature control | |
| US4339300A (en) | Process for smoothing surfaces of crystalline materials | |
| CN100449687C (zh) | 制造图案化的铁电介质的方法 | |
| JPH06209038A (ja) | 低熱膨張クランプ機構 | |
| JPH09260474A (ja) | 静電チャックおよびウエハステージ | |
| US20150181650A1 (en) | Graphene microheater and method of manufacturing the same | |
| JP2011258953A (ja) | 適応熱導体を有するプラズマ処理チャンバ部品 | |
| JP2001323364A (ja) | 真空マスク蒸着装置及び真空マスク蒸着方法 | |
| JP2005320590A5 (ja) | コンビナトリアル成膜方法とそれに用いる成膜装置 | |
| JPH088232A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US20040099217A1 (en) | Uniform temperature workpiece holder | |
| JP7558062B2 (ja) | 能動的温度制御機能を有する蒸着処理システム及び関連する方法 | |
| KR101573638B1 (ko) | 그래핀과 육방정계 질화붕소 이종 적층구조를 이용한 마이크로 히터 및 그 제조방법 | |
| US6406637B1 (en) | Thin film-planar structure and method for producing the same | |
| JPH0586477B2 (ja) | ||
| JP3066673B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3453032B2 (ja) | 異種成分基板表面に均質な層を塗布するための方法 | |
| JP3353296B2 (ja) | 低温エッチング方法 | |
| CN113707574B (zh) | 冷却装置、基板处理装置、冷却方法及基板处理方法 | |
| JP2004281618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002004043A (ja) | 曲面を有する構造体及びその製造方法 | |
| JPH04142742A (ja) | 温度分布制御方法 | |
| JPS6324411B2 (ja) | ||
| KR20110137331A (ko) | 고온의 회전가능한 타겟을 가진 증착 장치와 그 작동 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090501 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101102 |