JPS6324411B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6324411B2 JPS6324411B2 JP22300884A JP22300884A JPS6324411B2 JP S6324411 B2 JPS6324411 B2 JP S6324411B2 JP 22300884 A JP22300884 A JP 22300884A JP 22300884 A JP22300884 A JP 22300884A JP S6324411 B2 JPS6324411 B2 JP S6324411B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cooling
- substrate holder
- cooling gas
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 36
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005511 kinetic theory Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、成膜装置やエツチング装置等の真空
処理装置における基板の冷却機構に関するもので
ある。
処理装置における基板の冷却機構に関するもので
ある。
従来の技術
真空処理装置内に配置される基板を、ガスを利
用して冷却する技術は従来種々提案されている。
用して冷却する技術は従来種々提案されている。
例えば、特願昭58−190836号には処理室内に配
置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板
ホルダ自体を冷却し、基板ホルダとの接触による
熱伝導および冷却用ガス自体を介しての熱伝導に
よつて基板を冷却する方法が提案されている。
置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板
ホルダ自体を冷却し、基板ホルダとの接触による
熱伝導および冷却用ガス自体を介しての熱伝導に
よつて基板を冷却する方法が提案されている。
また、特願昭59−113044号には、真空処理装置
内に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間
に予定の寸法の冷却ガス逃がしギヤツプを設け、
基板と基板ホルダとの間への冷却ガスの供給状態
を制御して基板の温度を所要のレベルに調整する
基板の冷却方法が提案されている。
内に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間
に予定の寸法の冷却ガス逃がしギヤツプを設け、
基板と基板ホルダとの間への冷却ガスの供給状態
を制御して基板の温度を所要のレベルに調整する
基板の冷却方法が提案されている。
発明が解決しようとする問題点
上述のような従来の基板の冷却方式において
は、基板ホルダが一体部材で構成されており、基
板ホルダの周辺部も充分冷却されているので、基
板と基板ホルダの周辺部との接触による熱の逃げ
が大きい。そのため冷却効果は充分得られるが、
導入される冷却ガスの圧力を調整することによつ
て得られる基板の温度の制御範囲が狭いという欠
点がある。例えば特願昭59−113044号に提案され
たものにおいて基板に一定の熱入射を与えた場合
の基板・基板ホルダ間の圧力と基板温度との関係
を添附図面の第４図に示す。この図からわかるよ
うに基板と基板ホルダとの間の圧力を0.01Torr
から4Torrまで変化させても約40℃程度の基板の
温度の制御範囲しか取れない。
は、基板ホルダが一体部材で構成されており、基
板ホルダの周辺部も充分冷却されているので、基
板と基板ホルダの周辺部との接触による熱の逃げ
が大きい。そのため冷却効果は充分得られるが、
導入される冷却ガスの圧力を調整することによつ
て得られる基板の温度の制御範囲が狭いという欠
点がある。例えば特願昭59−113044号に提案され
たものにおいて基板に一定の熱入射を与えた場合
の基板・基板ホルダ間の圧力と基板温度との関係
を添附図面の第４図に示す。この図からわかるよ
うに基板と基板ホルダとの間の圧力を0.01Torr
から4Torrまで変化させても約40℃程度の基板の
温度の制御範囲しか取れない。
そこで、本発明の目的は、基板と基板ホルダと
の間に導入される冷却ガスの圧力変化（圧力調
整）に対して基板の温度の制御範囲を大きく取れ
るようにした基板の冷却機構を提供することにあ
る。
の間に導入される冷却ガスの圧力変化（圧力調
整）に対して基板の温度の制御範囲を大きく取れ
るようにした基板の冷却機構を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明による真
空処理装置における基板の冷却機構は、真空処理
装置内に配置される基板を支持する基板ホルダ
を、熱伝導率の高い冷却体部とこの冷却体部より
低い熱伝導率をもつ周囲部とで構成し、基板ホル
ダの冷却体部と基板の裏面との間に冷却ガス通路
を設け、この冷却ガス通路への冷却ガスの一定の
圧力変化に対して基板の温度制御範囲を大きく選
択できるようにしたことを特徴としている。
空処理装置における基板の冷却機構は、真空処理
装置内に配置される基板を支持する基板ホルダ
を、熱伝導率の高い冷却体部とこの冷却体部より
低い熱伝導率をもつ周囲部とで構成し、基板ホル
ダの冷却体部と基板の裏面との間に冷却ガス通路
を設け、この冷却ガス通路への冷却ガスの一定の
圧力変化に対して基板の温度制御範囲を大きく選
択できるようにしたことを特徴としている。
好ましくは、基板ホルダの周囲部は等間隔に放
射状に配置された冷却ガス逃がし通路を備えるこ
とができる。
射状に配置された冷却ガス逃がし通路を備えるこ
とができる。
作 用
このように構成することによつて本発明による
基板の冷却機構は、基板ホルダの周囲部を構成し
ている材質、形状（厚さや幅等）を選定すること
により一定の熱入射に対する基板の温度制御範囲
を、基板と基板ホルダとの間の一定の圧力変化範
囲に対して大きく選択することができる。
基板の冷却機構は、基板ホルダの周囲部を構成し
ている材質、形状（厚さや幅等）を選定すること
により一定の熱入射に対する基板の温度制御範囲
を、基板と基板ホルダとの間の一定の圧力変化範
囲に対して大きく選択することができる。
例えば、基板ホルダの熱伝導率の高い冷却体部
の材質をCu（Ｋ＝390W／ｍ・ｋ常温）として場
合、周囲部の材質としては基板の温度制御範囲に
応じてSiO2（1.4W／ｍ・ｋ）、SUS（15W／ｍ・
ｋ）、グラフアイト（170W／ｍ・ｋ）、Al
（238W／ｍ・ｋ）等を選択することができる。
の材質をCu（Ｋ＝390W／ｍ・ｋ常温）として場
合、周囲部の材質としては基板の温度制御範囲に
応じてSiO2（1.4W／ｍ・ｋ）、SUS（15W／ｍ・
ｋ）、グラフアイト（170W／ｍ・ｋ）、Al
（238W／ｍ・ｋ）等を選択することができる。
実施例
以下本発明を添附図面の第１〜３図を参照して
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図には本発明による一実施例による基板の
冷却機構を示し、１は基板ホルダで、冷却体部１
ａおよびその外側の周囲部１ｂから成つている。
基板２は基板ホルダ１の周囲部１ｂ上にのめら
れ、基板押え３によつて保持される。基板ホルダ
１の冷却体部１ａと基板２との間には冷却ガス通
路４が形成され、この冷却ガス通路４は一方では
基板ホルダ１の冷却体部１ａに設けられた冷却ガ
ス供給通路５を通つて冷却ガス供給源（図示して
いない）に連結され、また他方では周囲部１ｂに
等間隔に放射状に設けられた冷却ガス逃がしスリ
ツト（又はギヤツプ）６（一つだけを示す）に連
通している。この場合、基板ホルダ１の周囲部１
ｂの寸法、形状は基板２の要求された冷却特性に
応じて任意に設定され得る。
冷却機構を示し、１は基板ホルダで、冷却体部１
ａおよびその外側の周囲部１ｂから成つている。
基板２は基板ホルダ１の周囲部１ｂ上にのめら
れ、基板押え３によつて保持される。基板ホルダ
１の冷却体部１ａと基板２との間には冷却ガス通
路４が形成され、この冷却ガス通路４は一方では
基板ホルダ１の冷却体部１ａに設けられた冷却ガ
ス供給通路５を通つて冷却ガス供給源（図示して
いない）に連結され、また他方では周囲部１ｂに
等間隔に放射状に設けられた冷却ガス逃がしスリ
ツト（又はギヤツプ）６（一つだけを示す）に連
通している。この場合、基板ホルダ１の周囲部１
ｂの寸法、形状は基板２の要求された冷却特性に
応じて任意に設定され得る。
第２図には本発明の別の実施例を示し、この場
合には基板ホルダ１０の冷却体部１０ａとこの冷
却体部１０ａの上縁段部に設けられた周囲部１０
ｂとから成つている。その他の構成は第１図の場
合と同じであり、第１図に対応した部分は同じ符
号で示す。また第２図においては基板２を受ける
基板ホルダ１０の周囲部１０ｂは環状であるが、
必要ならば複数個の扇形の部材で構成することも
できる。
合には基板ホルダ１０の冷却体部１０ａとこの冷
却体部１０ａの上縁段部に設けられた周囲部１０
ｂとから成つている。その他の構成は第１図の場
合と同じであり、第１図に対応した部分は同じ符
号で示す。また第２図においては基板２を受ける
基板ホルダ１０の周囲部１０ｂは環状であるが、
必要ならば複数個の扇形の部材で構成することも
できる。
第２図による冷却機構における基板２と基板ホ
ルダ１０との間に供給される冷却ガスの圧力と基
板２の温度（冷却効果）との関係を第３図に示
す。
ルダ１０との間に供給される冷却ガスの圧力と基
板２の温度（冷却効果）との関係を第３図に示
す。
第３図に示す特性は次のような条件の下で得ら
れた。すなわち、第２図に示す装置において、基
板２として直径４インチのシリコンウエハを用
い、基板押え３はSUS−304で構成し、基板ホル
ダ１０の冷却体部１０ａはCu製のペデスタルを
使用し、基板ホルダ１０の周囲部１０ｂは厚さ２
mm、幅５mmのSiO2リングで構成し、このSiO2リ
ング１０ｂの表面には冷却ガス逃しスリツト６を
成す幅１mm、長さ５mm、深さ0.1mmの溝を等間隔
に三つ設け、そして基板ホルダ１０を成すCu製
のペデスタルをCu製のバツキングプレート上に
固定し、このバツキングプレートを約22℃の温度
に水冷した。また、シリコンウエハはSiO2リン
グ１０ｂ上に基板押え３に設けたSUS製のばね
部材により押さえ付け、冷却されたCu製のペデ
スタルの表面から熱絶縁し、シリコンウエハの裏
面とCu製のペデスタルの表面との間の隙間すな
わち冷却ガス通路４は間隔を0.1mmとした。そし
てCu製のペデスタルに設けた冷却ガス供給通路
５に連通させて溶接した直径１／４インチの
SUS製のパイプを介してArガスを導入し、この
パイプに取り付けたピラニーゲージを用いてAr
ガスの圧力を0.01Torrから4Torrの範囲で測定し
た。
れた。すなわち、第２図に示す装置において、基
板２として直径４インチのシリコンウエハを用
い、基板押え３はSUS−304で構成し、基板ホル
ダ１０の冷却体部１０ａはCu製のペデスタルを
使用し、基板ホルダ１０の周囲部１０ｂは厚さ２
mm、幅５mmのSiO2リングで構成し、このSiO2リ
ング１０ｂの表面には冷却ガス逃しスリツト６を
成す幅１mm、長さ５mm、深さ0.1mmの溝を等間隔
に三つ設け、そして基板ホルダ１０を成すCu製
のペデスタルをCu製のバツキングプレート上に
固定し、このバツキングプレートを約22℃の温度
に水冷した。また、シリコンウエハはSiO2リン
グ１０ｂ上に基板押え３に設けたSUS製のばね
部材により押さえ付け、冷却されたCu製のペデ
スタルの表面から熱絶縁し、シリコンウエハの裏
面とCu製のペデスタルの表面との間の隙間すな
わち冷却ガス通路４は間隔を0.1mmとした。そし
てCu製のペデスタルに設けた冷却ガス供給通路
５に連通させて溶接した直径１／４インチの
SUS製のパイプを介してArガスを導入し、この
パイプに取り付けたピラニーゲージを用いてAr
ガスの圧力を0.01Torrから4Torrの範囲で測定し
た。
一方、第４図に示す従来装置の特性は、上記構
成においてSiO2リングを除去し、Cu製のペデス
タルとして周囲５mmを残して0.1mmの落し込みを
設けたものを用い、この周囲５mmの部分に幅１
mm、長さ５mm、深さ0.1mmの溝を等間隔に三つ設
けた点を除いて上記の本発明の場合と同じ条件の
下で測定した。
成においてSiO2リングを除去し、Cu製のペデス
タルとして周囲５mmを残して0.1mmの落し込みを
設けたものを用い、この周囲５mmの部分に幅１
mm、長さ５mm、深さ0.1mmの溝を等間隔に三つ設
けた点を除いて上記の本発明の場合と同じ条件の
下で測定した。
なお、冷却ガスの温度を変化させることにより
基板の温度が変化することについては気体の分子
運動論に基づいて説明でき、一般に平行二平面間
における気体の実質的な熱伝導率は平行二平面間
の間隔が平均自由工程にほぼ等しいかまたはそれ
より小さい時には、気体の圧力に応じて変化する
ことが知られている。このことから、基板２に一
定のパワーが入射し、基板ホルダ（冷却面）の温
度が一定ならば、基板２と基板ホルダ（冷却面）
との間を流れる気体の圧力に応じて基板の温度は
変化することになる。そこで本発明では基板２を
基板ホルダの熱伝導率の低い周囲部で受け、これ
により直接基板ホルダを介しての熱伝導の影響を
低く抑えることによつて基板と基板ホルダとの間
に流す冷却ガスの圧力による基板の温度制御範囲
を大きく取れるようにしている。
基板の温度が変化することについては気体の分子
運動論に基づいて説明でき、一般に平行二平面間
における気体の実質的な熱伝導率は平行二平面間
の間隔が平均自由工程にほぼ等しいかまたはそれ
より小さい時には、気体の圧力に応じて変化する
ことが知られている。このことから、基板２に一
定のパワーが入射し、基板ホルダ（冷却面）の温
度が一定ならば、基板２と基板ホルダ（冷却面）
との間を流れる気体の圧力に応じて基板の温度は
変化することになる。そこで本発明では基板２を
基板ホルダの熱伝導率の低い周囲部で受け、これ
により直接基板ホルダを介しての熱伝導の影響を
低く抑えることによつて基板と基板ホルダとの間
に流す冷却ガスの圧力による基板の温度制御範囲
を大きく取れるようにしている。
第３図に示す特性は第４図に示す上述の従来例
の場合と同じ一定の熱入射に対して測定したもの
であり、第４図では上述のように冷却ガスの圧力
を0.01Torrから4Torrまで変化させた場合に基板
の温度の制御範囲は単に40℃程度であるのに対し
て、第２図に示す本発明による冷却機構では約
110℃の温度制御範囲の得られることが認められ
る。従つて基板の温度の制御範囲を冷却ガスの一
定の圧力変化範囲に対して大きくとることができ
る。
の場合と同じ一定の熱入射に対して測定したもの
であり、第４図では上述のように冷却ガスの圧力
を0.01Torrから4Torrまで変化させた場合に基板
の温度の制御範囲は単に40℃程度であるのに対し
て、第２図に示す本発明による冷却機構では約
110℃の温度制御範囲の得られることが認められ
る。従つて基板の温度の制御範囲を冷却ガスの一
定の圧力変化範囲に対して大きくとることができ
る。
効 果
以上説明してきたように、本発明による基板の
冷却機構においては、基板ホルダを熱伝導率の高
い冷却体部とこの冷却体部と異なる熱伝導率の周
囲部との分割構造としているので、基板ホルダの
周囲部の材質、形状等を適当に選択することによ
つて一定の熱入射に対する基板の温度の制御範囲
は冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して大きく
取ることができ、従つて成膜等のプロセスにおけ
る基板の温度制御に対して有効である。
冷却機構においては、基板ホルダを熱伝導率の高
い冷却体部とこの冷却体部と異なる熱伝導率の周
囲部との分割構造としているので、基板ホルダの
周囲部の材質、形状等を適当に選択することによ
つて一定の熱入射に対する基板の温度の制御範囲
は冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して大きく
取ることができ、従つて成膜等のプロセスにおけ
る基板の温度制御に対して有効である。
第１図および第２図は本発明の異なる実施例を
示す概略断面図、第３図は第２図の冷却機構にお
ける基板の温度の制御特性を示すグラフ、第４図
は従来の装置における基板の温度の制御特性を示
すグラフである。 図中、１，１０：基板ホルダ、１ａ，１０ａ：
冷却体部、１ｂ，１０ｂ：周囲部、２：基板、
４：冷却ガス通路、５：冷却ガス供給通路。
示す概略断面図、第３図は第２図の冷却機構にお
ける基板の温度の制御特性を示すグラフ、第４図
は従来の装置における基板の温度の制御特性を示
すグラフである。 図中、１，１０：基板ホルダ、１ａ，１０ａ：
冷却体部、１ｂ，１０ｂ：周囲部、２：基板、
４：冷却ガス通路、５：冷却ガス供給通路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空処理装置内に配置される基板を支持する
基板ホルダを、熱伝導率の高い冷却体部とこの冷
却体部より低い熱伝導率をもつ周囲部とで構成
し、基板ホルダの冷却体部と基板の裏面との間に
冷却ガス通路を設け、この冷却ガス通路への冷却
ガスの一定の圧力変化に対して基板の温度制御範
囲を大きく選択できるようにしたことを特徴とす
る真空処理装置における基板の冷却機構。 ２ 基板ホルダの周囲部が等間隔に放射状に配列
された冷却ガス逃し通路を備えている特許請求の
範囲第１項に記載の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300884A JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300884A JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103531A JPS61103531A (ja) | 1986-05-22 |
| JPS6324411B2 true JPS6324411B2 (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=16791379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22300884A Granted JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103531A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713960B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1995-02-15 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
| JPS63170468U (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | ||
| FR2628985B1 (fr) * | 1988-03-22 | 1990-12-28 | Labo Electronique Physique | Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots |
| JP2002050809A (ja) | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Anelva Corp | 基板処理装置及び方法 |
| WO2011043063A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板冷却装置、スパッタリング装置および電子デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22300884A patent/JPS61103531A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61103531A (ja) | 1986-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0160510B1 (ko) | 다구역 평면 히이터 어셈블리 및 그의 운전 방법 | |
| TWI725979B (zh) | 承載器及基板處理裝置 | |
| US4612077A (en) | Electrode for plasma etching system | |
| US7248456B2 (en) | Electrostatic chuck | |
| US5675471A (en) | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity | |
| JP4149002B2 (ja) | 静電チャックおよび物体の温度をプラズマ処理中制御する方法 | |
| JP3176305B2 (ja) | 基板冷却装置及び化学蒸気反応装置並びに基板の温度制御制御方法 | |
| KR100880132B1 (ko) | 작업편 지지체의 표면을 가로지르는 공간 온도 분포를제어하기 위한 방법 및 장치 | |
| US8921740B2 (en) | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support | |
| TWI481297B (zh) | 控制空間溫度分布之方法及裝置 | |
| JP4554075B2 (ja) | 熱処理チャンバ用基板支持体及び熱処理チャンバ用基板支持体の形成方法 | |
| GB2114813A (en) | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet | |
| US20030089457A1 (en) | Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber | |
| JP2004282047A (ja) | 静電チャック | |
| JPS6324411B2 (ja) | ||
| JP4418484B2 (ja) | 静電チャック及びそれを用いたワークの冷却方法 | |
| JP3021264B2 (ja) | 基板加熱・冷却機構 | |
| KR20010101007A (ko) | 반도체 기판 열처리용 장치 및 방법 | |
| CN112144033B (zh) | 基座组件及半导体加工设备 | |
| JPH0237693B2 (ja) | ||
| JPH0878192A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH04150022A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2522402B2 (ja) | ウェハ―加熱装置 | |
| JPS60102742A (ja) | 処理装置 | |
| JPH07109033B2 (ja) | 基板温度コントロール機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |