JPH0878192A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法Info
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- JPH0878192A JPH0878192A JP6211652A JP21165294A JPH0878192A JP H0878192 A JPH0878192 A JP H0878192A JP 6211652 A JP6211652 A JP 6211652A JP 21165294 A JP21165294 A JP 21165294A JP H0878192 A JPH0878192 A JP H0878192A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関
し、シャワー型ガス吹き出し板の温度の上昇を低減する
ことによりエッチング処理特性の変化を防止し、安定な
プラズマ処理を行う。 【構成】 シャワー型ガス吹き出し板１と温度制御機構
を具備したプレート１１との間の間隙の距離を０．７ｍ
ｍ以下にし、間隙に導入されたプラズマ化されるガスを
シャワー型ガス吹き出し板１の吹き出し口を通して処理
室７に送り込み、処理室７内でガスをプラズマ化して、
発生したプラズマによりウェハ８をプラズマ処理する。
し、シャワー型ガス吹き出し板の温度の上昇を低減する
ことによりエッチング処理特性の変化を防止し、安定な
プラズマ処理を行う。 【構成】 シャワー型ガス吹き出し板１と温度制御機構
を具備したプレート１１との間の間隙の距離を０．７ｍ
ｍ以下にし、間隙に導入されたプラズマ化されるガスを
シャワー型ガス吹き出し板１の吹き出し口を通して処理
室７に送り込み、処理室７内でガスをプラズマ化して、
発生したプラズマによりウェハ８をプラズマ処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置及びプ
ラズマ処理方法に関するのものであり、特に、エッチン
グ工程に用いるプラズマ処理装置自体の処理特性を安定
化させる構造及びその使用方法に関するものである。
ラズマ処理方法に関するのものであり、特に、エッチン
グ工程に用いるプラズマ処理装置自体の処理特性を安定
化させる構造及びその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴って、
半導体装置を製造するためのプロセス、特に、エッチン
グ工程の微細化或いは高精度化が要求されており、それ
を実現するためには、処理装置自体の処理特性の安定化
が重要になっている。
半導体装置を製造するためのプロセス、特に、エッチン
グ工程の微細化或いは高精度化が要求されており、それ
を実現するためには、処理装置自体の処理特性の安定化
が重要になっている。
【０００３】従来、高精度のエッチング加工に際して、
ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ ＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装
置として、シャワー型のガス吹き出し口を有する平行平
板型のＲＩＥ装置が用いられており、シャワー型のガス
吹き出し口を用いることにより、半導体ウェハ面に均一
にガスを当てることができるため、ウェハ面内で均一な
特性で処理を行うことができた。
ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ ＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装
置として、シャワー型のガス吹き出し口を有する平行平
板型のＲＩＥ装置が用いられており、シャワー型のガス
吹き出し口を用いることにより、半導体ウェハ面に均一
にガスを当てることができるため、ウェハ面内で均一な
特性で処理を行うことができた。
【０００４】図７は、この様なＲＩＥ装置を示すもの
で、シャワー型ガス吹き出し板１はリング状のクランプ
機構２により装置本体に取り付けられており、シャワー
型ガス吹き出し板１とガス導入口３との間には１〜２ｃ
ｍ程度の広い空間があった。半導体ウェハ８の載置板を
兼ねる平行平板電極の一方を構成するｒｆ電極４はその
中に冷媒を流す導水管１０を通すことにより冷却する構
成になっている。
で、シャワー型ガス吹き出し板１はリング状のクランプ
機構２により装置本体に取り付けられており、シャワー
型ガス吹き出し板１とガス導入口３との間には１〜２ｃ
ｍ程度の広い空間があった。半導体ウェハ８の載置板を
兼ねる平行平板電極の一方を構成するｒｆ電極４はその
中に冷媒を流す導水管１０を通すことにより冷却する構
成になっている。
【０００５】そして、ガス導入口３から導入されたエッ
チングガスはシャワー型ガス吹き出し板１で均一に拡散
されて処理室（反応室）７に導入される。そのガス圧を
圧力制御バルブ９によって調節しながら、ｒｆ電源から
の電力によりエッチングガスをプラズマ化し、発生した
プラズマにより半導体ウェハ８をエッチング処理し、反
応生成物及び不要なガスを排気口６から排出する。
チングガスはシャワー型ガス吹き出し板１で均一に拡散
されて処理室（反応室）７に導入される。そのガス圧を
圧力制御バルブ９によって調節しながら、ｒｆ電源から
の電力によりエッチングガスをプラズマ化し、発生した
プラズマにより半導体ウェハ８をエッチング処理し、反
応生成物及び不要なガスを排気口６から排出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＲＩＥ
装置においては、プラズマからの熱によりシャワー型ガ
ス吹き出し板１の温度が大きく上昇し、それと共に、プ
ラズマ中のガスの組成が変化し、処理特性が変化するこ
とがあった。
装置においては、プラズマからの熱によりシャワー型ガ
ス吹き出し板１の温度が大きく上昇し、それと共に、プ
ラズマ中のガスの組成が変化し、処理特性が変化するこ
とがあった。
【０００７】図８は、図７に示すＲＩＥ装置を用いてフ
ロロカーボンガスを用いてＳｉＯ2をエッチングした時
の、シャワー型ガス吹き出し板の温度とＳｉＯ2 膜のエ
ッチングレートとの関係を示したグラフである。図に示
すように、シャワー型ガス吹き出し板の温度が上昇する
とエッチングレートが大きく低下することになる。例え
ば、シャワー型ガス吹き出し板の温度が８０℃から１４
０℃に上昇することによりエッチングレートは約２０％
低減する。
ロロカーボンガスを用いてＳｉＯ2をエッチングした時
の、シャワー型ガス吹き出し板の温度とＳｉＯ2 膜のエ
ッチングレートとの関係を示したグラフである。図に示
すように、シャワー型ガス吹き出し板の温度が上昇する
とエッチングレートが大きく低下することになる。例え
ば、シャワー型ガス吹き出し板の温度が８０℃から１４
０℃に上昇することによりエッチングレートは約２０％
低減する。
【０００８】また、図９は、図８と同様な条件で、自動
搬送で自動処理を行うプラズマ処理装置を用いてＳｉＯ
2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレー
トを示したグラフである。連続処理を行うとシャワー型
ガス吹き出し板の温度が次第に上昇するためにエッチン
グ特性が変化し、図に示すように処理特性の安定化を欠
くことになる。例えば、最初の処理と１０枚目の処理と
では、エッチングレートが約２０％異なる。
搬送で自動処理を行うプラズマ処理装置を用いてＳｉＯ
2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレー
トを示したグラフである。連続処理を行うとシャワー型
ガス吹き出し板の温度が次第に上昇するためにエッチン
グ特性が変化し、図に示すように処理特性の安定化を欠
くことになる。例えば、最初の処理と１０枚目の処理と
では、エッチングレートが約２０％異なる。
【０００９】また、従来において、シャワー型ガス吹き
出し板の温度の変化を防止するために、シャワー型ガス
吹き出し板を水冷プレートに接するようにして、積極的
に温度制御することも試みられている（特開昭６３−３
３５７２号公報）が、シャワー型ガス吹き出し板の周辺
部しか水冷プレートに接することができないので、シャ
ワー型ガス吹き出し板の中心部の温度上昇は依然として
大きく、十分な温度制御ができなかった。
出し板の温度の変化を防止するために、シャワー型ガス
吹き出し板を水冷プレートに接するようにして、積極的
に温度制御することも試みられている（特開昭６３−３
３５７２号公報）が、シャワー型ガス吹き出し板の周辺
部しか水冷プレートに接することができないので、シャ
ワー型ガス吹き出し板の中心部の温度上昇は依然として
大きく、十分な温度制御ができなかった。
【００１０】したがって、本発明は、シャワー型ガス吹
き出し板全体の温度の上昇を防止することによってエッ
チングの処理特性の変化を防止し、安定なプラズマエッ
チング処理することを目的とする。
き出し板全体の温度の上昇を防止することによってエッ
チングの処理特性の変化を防止し、安定なプラズマエッ
チング処理することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、シャワー型ガ
ス吹き出し板（図１の１）と温度制御機構を具備したプ
レート（図１の１１）との間隙を０．７ｍｍ以下にし、
前記間隙に導入されたプラズマ化されるガスを前記シャ
ワー型ガス吹き出し板（図１の１）の吹き出し口を通し
て処理室（図１の７）に送り込み、処理室内（図１の
７）でガスをプラズマ化するプラズマ処理装置を特徴と
するものである。
ス吹き出し板（図１の１）と温度制御機構を具備したプ
レート（図１の１１）との間隙を０．７ｍｍ以下にし、
前記間隙に導入されたプラズマ化されるガスを前記シャ
ワー型ガス吹き出し板（図１の１）の吹き出し口を通し
て処理室（図１の７）に送り込み、処理室内（図１の
７）でガスをプラズマ化するプラズマ処理装置を特徴と
するものである。
【００１２】また、プラズマ処理装置の温度制御機構を
具備したプレート（図１の１１）の内部に冷媒の導通管
（図１の１２）を設け、この導通管（図１の１２）に温
度制御された冷媒を流すようにしたことを特徴とし、さ
らに、このプレート（図１の１１）のシャワー型ガス吹
き出し板（図１の１）に対向する面にガスの流路となる
ガス導入溝（図２の１４）を設けたことを特徴とする。
具備したプレート（図１の１１）の内部に冷媒の導通管
（図１の１２）を設け、この導通管（図１の１２）に温
度制御された冷媒を流すようにしたことを特徴とし、さ
らに、このプレート（図１の１１）のシャワー型ガス吹
き出し板（図１の１）に対向する面にガスの流路となる
ガス導入溝（図２の１４）を設けたことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、上記のプラズマ処理装置
を用いたプラズマ処理方法にも特徴があるのであり、特
に、プラズマ処理方法において上記プレート（図１の１
１）とシャワー型ガス吹き出し板（図１の１）との間の
間隙内のガス圧を１Ｔｏｒｒ以上にすることを特徴とす
る。
を用いたプラズマ処理方法にも特徴があるのであり、特
に、プラズマ処理方法において上記プレート（図１の１
１）とシャワー型ガス吹き出し板（図１の１）との間の
間隙内のガス圧を１Ｔｏｒｒ以上にすることを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】図６は、本発明の作用を説明する図であり、シ
ャワー型ガス吹き出し板と温度制御機構を具備したプレ
ート、即ち、冷媒冷却プレートとの距離とシャワー型ガ
ス吹き出し板の温度上昇との関係を示したグラフであ
る。図に示すように約０．７ｍｍ以下の間隙では温度の
上昇度は低いものの、約０．７ｍｍを越えると温度上昇
が急勾配になる。
ャワー型ガス吹き出し板と温度制御機構を具備したプレ
ート、即ち、冷媒冷却プレートとの距離とシャワー型ガ
ス吹き出し板の温度上昇との関係を示したグラフであ
る。図に示すように約０．７ｍｍ以下の間隙では温度の
上昇度は低いものの、約０．７ｍｍを越えると温度上昇
が急勾配になる。
【００１５】したがって、シャワー型ガス吹き出し板と
冷媒冷却プレートとの間隙を０．７ｍｍ以下にすること
により、その間隙内でのガス圧が上昇し、ガスによる熱
の伝導量が大きくなり、シャワー型ガス吹き出し板と冷
媒冷却プレートとが接触していなくともシャワー型ガス
吹き出し板を有効に冷却することができる。
冷媒冷却プレートとの間隙を０．７ｍｍ以下にすること
により、その間隙内でのガス圧が上昇し、ガスによる熱
の伝導量が大きくなり、シャワー型ガス吹き出し板と冷
媒冷却プレートとが接触していなくともシャワー型ガス
吹き出し板を有効に冷却することができる。
【００１６】この結果はシャワー型ガス吹き出し板の面
積とは無関係である。即ち、シャワー型ガス吹き出し板
の面積が大きくなったとしても、それに対応して冷媒冷
却プレートの面積を大きくし、シャワー型ガス吹き出し
板の面積と冷媒冷却プレートの面積との比が変化しない
ようにすることにより、単位面積当たりの冷却効果は何
ら変化することはなく、同様な関係が成立する。
積とは無関係である。即ち、シャワー型ガス吹き出し板
の面積が大きくなったとしても、それに対応して冷媒冷
却プレートの面積を大きくし、シャワー型ガス吹き出し
板の面積と冷媒冷却プレートの面積との比が変化しない
ようにすることにより、単位面積当たりの冷却効果は何
ら変化することはなく、同様な関係が成立する。
【００１７】また、プレートの温度制御機構として、従
来と同様な温度制御された流体の循環を用いるものであ
るので構成が簡単であり、また、プレートのシャワー型
ガス吹き出し板に対向する面にガスの流路となる溝を設
けたので、シャワー型ガス吹き出し板と冷媒冷却プレー
トとの間隙が狭くなっても中心部と周辺部とに均一にガ
スを送ることができる。
来と同様な温度制御された流体の循環を用いるものであ
るので構成が簡単であり、また、プレートのシャワー型
ガス吹き出し板に対向する面にガスの流路となる溝を設
けたので、シャワー型ガス吹き出し板と冷媒冷却プレー
トとの間隙が狭くなっても中心部と周辺部とに均一にガ
スを送ることができる。
【００１８】さらに、シャワー型ガス吹き出し板と冷媒
冷却プレートとの間の間隙内のガス圧を１Ｔｏｒｒ以上
にすることにより、間隙内のガスの熱伝導量が充分な冷
却効果が得られる程度になる。
冷却プレートとの間の間隙内のガス圧を１Ｔｏｒｒ以上
にすることにより、間隙内のガスの熱伝導量が充分な冷
却効果が得られる程度になる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明のプラズマ処理装置を示すも
のであり、図１（ａ）はプラズマ処理装置の要部断面図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の円内を拡大した、プ
ラズマ処理装置のシャワー型ガス吹き出し板の取付け部
の断面図である。
のであり、図１（ａ）はプラズマ処理装置の要部断面図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の円内を拡大した、プ
ラズマ処理装置のシャワー型ガス吹き出し板の取付け部
の断面図である。
【００２０】図１参照 本発明のプラズマ処理装置は、Ｓｉ製または石英製のシ
ャワー型ガス吹き出し板１を０．４ｍｍの厚さのスペー
サ板１３を挟んでリング状のクランプ機構２によって、
冷媒冷却プレート１１に固定されている。この冷媒冷却
プレート１１は、その中に冷媒を流す導通管１２を設け
ることにより、２０℃の温度に制御される。
ャワー型ガス吹き出し板１を０．４ｍｍの厚さのスペー
サ板１３を挟んでリング状のクランプ機構２によって、
冷媒冷却プレート１１に固定されている。この冷媒冷却
プレート１１は、その中に冷媒を流す導通管１２を設け
ることにより、２０℃の温度に制御される。
【００２１】なお、この場合においては、シャワー型ガ
ス吹き出し板１と冷媒冷却プレート１１との間隔は０．
４ｍｍであるが、この間隔はスペーサ板１３により、任
意に変化させることができるものであり、図６について
説明したとおり、０．７ｍｍ以下にすることによりシャ
ワー型ガス吹き出し板１の温度の上昇を低減させること
ができる。
ス吹き出し板１と冷媒冷却プレート１１との間隔は０．
４ｍｍであるが、この間隔はスペーサ板１３により、任
意に変化させることができるものであり、図６について
説明したとおり、０．７ｍｍ以下にすることによりシャ
ワー型ガス吹き出し板１の温度の上昇を低減させること
ができる。
【００２２】一方、この間隔が狭くなりすぎると、ガス
流のコンダクタンスが小さくなり、シャワー型ガス吹き
出し板１の中央部と周辺部とでは処理室に流れ出すガス
の量が不均一になりやすいので、０．１ｍｍ以上の間隔
を有すること、即ち、この間隔を０．１〜０．７ｍｍに
することが望ましい。
流のコンダクタンスが小さくなり、シャワー型ガス吹き
出し板１の中央部と周辺部とでは処理室に流れ出すガス
の量が不均一になりやすいので、０．１ｍｍ以上の間隔
を有すること、即ち、この間隔を０．１〜０．７ｍｍに
することが望ましい。
【００２３】図２参照 図２は、Ｓｉ製シャワー型ガス吹き出し板を用いた本発
明の冷媒冷却プレート１１のシャワー型ガス吹き出し板
１と対向する面の構造を示す図であり、その表面には同
心円状の溝と放射状の溝からなるガス導入溝１４を設け
ている。これらのガス導入溝１４はシャワー型ガス吹き
出し板１と冷媒冷却プレート１１との間隔が狭くなるこ
とに伴って生ずるガス流のコンダクタンスの低下を補う
ものであり、その深さは約１ｍｍであり、その幅は約２
ｍｍである。
明の冷媒冷却プレート１１のシャワー型ガス吹き出し板
１と対向する面の構造を示す図であり、その表面には同
心円状の溝と放射状の溝からなるガス導入溝１４を設け
ている。これらのガス導入溝１４はシャワー型ガス吹き
出し板１と冷媒冷却プレート１１との間隔が狭くなるこ
とに伴って生ずるガス流のコンダクタンスの低下を補う
ものであり、その深さは約１ｍｍであり、その幅は約２
ｍｍである。
【００２４】このプラズマ処理装置を用いてシリコン半
導体ウェハ８上のＳｉＯ2 膜をエッチングする場合に
は、エッチングガス（プラズマ化されるガスで、この場
合は、ＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合ガス）を、ガス導入口３
から導入すると共に、ガスによる熱の伝導量を高めて冷
媒冷却プレート１１を充分冷却するために、シャワー型
ガス吹き出し板１と冷媒冷却プレート１１との間の間隙
におけるガス圧を、１Ｔｏｒｒ以上のガス圧（例えば、
２Ｔｏｒｒ）に設定する。
導体ウェハ８上のＳｉＯ2 膜をエッチングする場合に
は、エッチングガス（プラズマ化されるガスで、この場
合は、ＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合ガス）を、ガス導入口３
から導入すると共に、ガスによる熱の伝導量を高めて冷
媒冷却プレート１１を充分冷却するために、シャワー型
ガス吹き出し板１と冷媒冷却プレート１１との間の間隙
におけるガス圧を、１Ｔｏｒｒ以上のガス圧（例えば、
２Ｔｏｒｒ）に設定する。
【００２５】次いで、このエッチングガスをシャワー型
ガス吹き出し板１のガス吹き出し口を介して処理室７に
導入し、処理室７内の圧力を圧力制御バルブ９により制
御して、例えば、０．２Ｔｏｒｒ程度の圧力に制御し
て、ｒｆ電源５からの１０００Ｗのｒｆ電力をｒｆ電極
４に印加してプラズマを発生させ、発生したプラズマに
よって、ｒｆ電極４上に載置したシリコン半導体ウェハ
８上のＳｉＯ2 膜をエッチングする。
ガス吹き出し板１のガス吹き出し口を介して処理室７に
導入し、処理室７内の圧力を圧力制御バルブ９により制
御して、例えば、０．２Ｔｏｒｒ程度の圧力に制御し
て、ｒｆ電源５からの１０００Ｗのｒｆ電力をｒｆ電極
４に印加してプラズマを発生させ、発生したプラズマに
よって、ｒｆ電極４上に載置したシリコン半導体ウェハ
８上のＳｉＯ2 膜をエッチングする。
【００２６】図３参照 図３は、上記のような条件のプラズマ処理を１０枚のウ
ェハに対して連続的に行った場合の、各ウェハのエッチ
ングレートを示したグラフである。図から明らかなよう
に、１枚目のエッチングにおけるエッチングレートと１
０枚目のエッチングにおけるエッチングレートはほとん
ど変化せず、安定したエッチング処理が行われているこ
とが理解される。
ェハに対して連続的に行った場合の、各ウェハのエッチ
ングレートを示したグラフである。図から明らかなよう
に、１枚目のエッチングにおけるエッチングレートと１
０枚目のエッチングにおけるエッチングレートはほとん
ど変化せず、安定したエッチング処理が行われているこ
とが理解される。
【００２７】図４参照 図４は、石英製シャワー型ガス吹き出し板を用いた本発
明のプラズマ処理装置により連続的にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレートを
示したグラフである。この時のエッチングガスはＣｌ2
であり、処理時のガス圧は０．０２Ｔｏｒｒで、ｒｆ電
力は５００Ｗである。図に示すように、各ウェハのエッ
チングレートはほとんど変化せず、安定したエッチング
処理が行われていることが理解される。
明のプラズマ処理装置により連続的にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレートを
示したグラフである。この時のエッチングガスはＣｌ2
であり、処理時のガス圧は０．０２Ｔｏｒｒで、ｒｆ電
力は５００Ｗである。図に示すように、各ウェハのエッ
チングレートはほとんど変化せず、安定したエッチング
処理が行われていることが理解される。
【００２８】図５参照 図５は、石英製シャワー型ガス吹き出し板を用いた本発
明のプラズマ処理装置により連続的にＡｌ−Ｓｉ膜をエ
ッチングした時の、各ウェハのエッチングレートを示し
たグラフである。この時のエッチングガスはＢＣｌ3 と
Ｃｌ2 の混合ガスであり、処理時のガス圧は０．０５Ｔ
ｏｒｒで、ｒｆ電力は４００Ｗである。図に示すよう
に、この場合にも各ウェハのエッチングレートはほとん
ど変化せず、安定したエッチング処理が行われているこ
とが理解される。
明のプラズマ処理装置により連続的にＡｌ−Ｓｉ膜をエ
ッチングした時の、各ウェハのエッチングレートを示し
たグラフである。この時のエッチングガスはＢＣｌ3 と
Ｃｌ2 の混合ガスであり、処理時のガス圧は０．０５Ｔ
ｏｒｒで、ｒｆ電力は４００Ｗである。図に示すよう
に、この場合にも各ウェハのエッチングレートはほとん
ど変化せず、安定したエッチング処理が行われているこ
とが理解される。
【００２９】なお、本発明のエッチング対象は上記実施
例に限られるものではなく、他の各種の系に対しても有
効であり、本発明のプラズマ処理装置は、例えば、シリ
コン窒化膜等の他の被膜のエッチングにも適用できるも
のである。
例に限られるものではなく、他の各種の系に対しても有
効であり、本発明のプラズマ処理装置は、例えば、シリ
コン窒化膜等の他の被膜のエッチングにも適用できるも
のである。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理装置のシ
ャワー型ガス吹き出し板と冷媒冷却プレートとの距離を
０．７ｍｍ以下にすることにより、シャワー型ガス吹き
出し板の温度の上昇を低減できるので、プラズマ処理を
安定に、且つ、高精度に行うことができる。
ャワー型ガス吹き出し板と冷媒冷却プレートとの距離を
０．７ｍｍ以下にすることにより、シャワー型ガス吹き
出し板の温度の上昇を低減できるので、プラズマ処理を
安定に、且つ、高精度に行うことができる。
【図１】本発明の実施例のプラズマ処理装置の要部断面
図である。
図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置の冷媒冷却プレート
の表面構造を示す図である。
の表面構造を示す図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置により連続的にＳｉ
Ｏ2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレ
ートを示したグラフである。
Ｏ2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレ
ートを示したグラフである。
【図４】本発明のプラズマ処理装置により連続的にｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチ
ングレートを示したグラフである。
ｌｙ−Ｓｉ膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチ
ングレートを示したグラフである。
【図５】本発明のプラズマ処理装置により連続的にＡｌ
−Ｓｉ膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチング
レートを示したグラフである。
−Ｓｉ膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチング
レートを示したグラフである。
【図６】シャワー型ガス吹き出し板と冷媒冷却プレート
との距離とシャワー型ガス吹き出し板の温度上昇との関
係を示したグラフである。
との距離とシャワー型ガス吹き出し板の温度上昇との関
係を示したグラフである。
【図７】従来のシャワー型ガス吹き出し口を有する平行
平板型のＲＩＥ装置の要部断面図である。
平板型のＲＩＥ装置の要部断面図である。
【図８】従来のプラズマ処理装置によりＳｉＯ2 膜をエ
ッチングした時の、シャワー型ガス吹き出し板の温度と
ＳｉＯ2 のエッチングレートとの関係を示したグラフで
ある。
ッチングした時の、シャワー型ガス吹き出し板の温度と
ＳｉＯ2 のエッチングレートとの関係を示したグラフで
ある。
【図９】従来のプラズマ処理装置により連続的にＳｉＯ
2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレー
トを示したグラフである。
2 膜をエッチングした時の、各ウェハのエッチングレー
トを示したグラフである。
１ シャワー型ガス吹き出し板 ２ クランプ機構 ３ ガス導入口 ４ ｒｆ電極 ５ ｒｆ電源 ６ 排気口 ７ 処理室（反応室） ８ ウェハ ９ 圧力制御バルブ １０ 導水管 １１ 冷媒冷却プレート １２ 冷媒導通管 １３ スペーサ板 １４ ガス導入溝
Claims (7)
- 【請求項１】 シャワー型ガス吹き出し板と温度制御機
構を具備したプレートとの間の間隙の距離を０．７ｍｍ
以下にし、前記間隙に導入されたプラズマ化されるガス
を前記シャワー型ガス吹き出し板の吹き出し口を通して
処理室に送り込み、前記処理室内で前記ガスをプラズマ
化することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 上記シャワー型ガス吹き出し板と上記温
度制御機構を具備したプレートとの間の上記間隙の距離
を０．１ｍｍ以上にしたことを特徴とする請求項１記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 上記シャワー型ガス吹き出し板と上記温
度制御機構を具備したプレートとの間の上記間隙の距離
をスペーサ板で制御することを特徴とする請求項１又は
２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 上記温度制御機構を具備したプレートの
内部に冷媒の導通管を設け、前記導通管に温度制御され
た前記冷媒を流すようにしたことを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 上記温度制御機構を具備したプレートの
上記シャワー型ガス吹き出し板に対向する面に上記プラ
ズマ化されるガスの流路となるガス導入溝を設けたこと
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
プラズマ処理装置を用いてウェハをプラズマ処理するこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項７】 上記プラズマ処理において、上記温度制
御機構を具備したプレートと上記シャワー型ガス吹き出
し板との間の間隙における上記プラズマ化されるガスの
圧力を１Ｔｏｒｒ以上にしたことを特徴とする請求項６
記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211652A JPH0878192A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211652A JPH0878192A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878192A true JPH0878192A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16609346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211652A Withdrawn JPH0878192A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878192A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003158120A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JP2013520836A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | ラム リサーチ コーポレーション | イオン発生と処理ガスの解離の独立制御を有するプラズマエッチングのためのシステム、方法、および装置 |
| US9911578B2 (en) | 2009-12-03 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
| US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US10283325B2 (en) | 2012-10-10 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| CN113490765A (zh) * | 2019-03-08 | 2021-10-08 | 应用材料公司 | 用于处理腔室的多孔喷头 |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP6211652A patent/JPH0878192A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9190289B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
| US9735020B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-08-15 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
| US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
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| CN113490765A (zh) * | 2019-03-08 | 2021-10-08 | 应用材料公司 | 用于处理腔室的多孔喷头 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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