JP2005203512A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラズマを生成し、高周波電圧を印加することによりウエハ上の被処理材をエッチングするプラズマ処理方法において、エッチング中にウエハ温度を、被処理材のパターン内底部までラジカルが入射できる温度にステップ的に変化させる。メインエッチング中は低温で、オーバーエッチング中は高温で、それぞれエッチングする。
【選択図】 図5
Description
本発明のプラズマ処理方法及び装置の実施例について、図面を用いて説明する。
Claims (11)
- プラズマを生成し、高周波電圧を印加することによりウエハ上の被処理材をエッチングするプラズマ処理方法において、
エッチング中に前記ウエハ温度を、被処理材のパターン内底部までラジカルが入射できる温度にステップ的に変化させることを特徴するプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
上記ウエハ温度を、メインエッチング中は低温で、オーバーエッチング中は高温で、それぞれエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法において、
上記被処理材は、下地膜と被処理膜の多層構造であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記被処理材は、SiO2又はSiNからなることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記被処理材は、SiOC又はSiCからなることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
ArFレジストマスクを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記ウエハの裏面圧力を変化させることによって、ウエハ温度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記ウエハ裏面冷却ガス種を2種類以上使用し、それぞれの流量を変化させることによりウエハ温度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記ウエハに印加するバイアス出力を変化させることによりウエハ温度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - プラズマを生成する手段と、高周波電圧を印加する手段とを備え、ウエハ上の被処理材をエッチングするプラズマ処理装置において、
前記ウエハ裏面に流す冷却ガスを排気する流路もしくは排気装置を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
上記ウエハ裏面に流す冷却ガスを供給する装置を2つ以上有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009064998A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング方法 |
JPWO2010113941A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の冷却方法および被処理体処理装置 |
CN106711033A (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 衬底刻蚀方法 |
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2004
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