JPH0237693B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237693B2 JPH0237693B2 JP59113044A JP11304484A JPH0237693B2 JP H0237693 B2 JPH0237693 B2 JP H0237693B2 JP 59113044 A JP59113044 A JP 59113044A JP 11304484 A JP11304484 A JP 11304484A JP H0237693 B2 JPH0237693 B2 JP H0237693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- cooling
- cooling gas
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、成膜装置やエツチング装置等の真空
処理装置における基板の冷却方法に関するもので
ある。
処理装置における基板の冷却方法に関するもので
ある。
従来の技術
真空処理装置において基板特にウエハのような
機械的強度の弱いものをガスを利用して冷却する
方式は既に提案されている（特願昭58−190836号
参照）。これによれば、基板ホルダ内に冷却ガス
を供給して基板ホルダ自体を冷却し、基板ホルダ
との接触による熱伝導および冷却用ガス自体を介
しての熱伝導によつて基板を冷却している。しか
しながら、この方式では基板へのある一定の熱流
入に対して基板温度をある一定の値より下げて冷
却することはできるが、多数枚の基板に対して再
現性よく同じレベルの温度に冷却することは困難
である。すなわち、基板ホルダの周辺部と基板押
えのギヤツプ、基板の位置関係等が変化するた
め、ガスの排気に対するコンダクタンスが容易に
変化するので基板と基板ホルダの間の圧力が変化
することになる。このため各基板に対して同一レ
ベルでの圧力を保証することは困難である。
機械的強度の弱いものをガスを利用して冷却する
方式は既に提案されている（特願昭58−190836号
参照）。これによれば、基板ホルダ内に冷却ガス
を供給して基板ホルダ自体を冷却し、基板ホルダ
との接触による熱伝導および冷却用ガス自体を介
しての熱伝導によつて基板を冷却している。しか
しながら、この方式では基板へのある一定の熱流
入に対して基板温度をある一定の値より下げて冷
却することはできるが、多数枚の基板に対して再
現性よく同じレベルの温度に冷却することは困難
である。すなわち、基板ホルダの周辺部と基板押
えのギヤツプ、基板の位置関係等が変化するた
め、ガスの排気に対するコンダクタンスが容易に
変化するので基板と基板ホルダの間の圧力が変化
することになる。このため各基板に対して同一レ
ベルでの圧力を保証することは困難である。
一方、最近、特に半導体プロセス等において
は、成膜やエツチング等の処理中、基板を非接触
式で冷却し、しかも冷却の結果基板の達する温度
を一定範囲内に制御する要求が強くなつている。
は、成膜やエツチング等の処理中、基板を非接触
式で冷却し、しかも冷却の結果基板の達する温度
を一定範囲内に制御する要求が強くなつている。
発明が解決しようとする問題点
上記の要求を満足させる、すなわち一定の熱流
入に対して基板を一定の温度に冷却しまたその温
度を可変調節できるようにするためには、冷却ガ
スの圧力を一定の流量に対して一定の範囲に制御
することが必要である。
入に対して基板を一定の温度に冷却しまたその温
度を可変調節できるようにするためには、冷却ガ
スの圧力を一定の流量に対して一定の範囲に制御
することが必要である。
そこで、本発明の目的は、冷却ガスの圧力を一
定の流量に対して一定の範囲に制御し、しかも基
板ホルダの冷却面に対して基板を非接触の状態で
冷却できるようにした真空処理装置における基板
の冷却方法を提供することにある。
定の流量に対して一定の範囲に制御し、しかも基
板ホルダの冷却面に対して基板を非接触の状態で
冷却できるようにした真空処理装置における基板
の冷却方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明による真
空処理装置における基板の冷却方法は、真空処理
装置内に配置される基板ホルダと基板押えとの間
隔を基板の厚さと形成すべき冷却ガス逃しギヤツ
プの高さとの和に設定し、基板と基板ホルダとの
間へ冷却ガスを供給することにより基板と基板ホ
ルダの周辺部との間の全体に渡つて上記冷却ガス
逃しギヤツプを形成維持し、基板と基板ホルダと
の間への冷却ガスの供給状態を制御して基板の温
度を所要のレベルに調整することを特徴としてい
る。
空処理装置における基板の冷却方法は、真空処理
装置内に配置される基板ホルダと基板押えとの間
隔を基板の厚さと形成すべき冷却ガス逃しギヤツ
プの高さとの和に設定し、基板と基板ホルダとの
間へ冷却ガスを供給することにより基板と基板ホ
ルダの周辺部との間の全体に渡つて上記冷却ガス
逃しギヤツプを形成維持し、基板と基板ホルダと
の間への冷却ガスの供給状態を制御して基板の温
度を所要のレベルに調整することを特徴としてい
る。
作 用
このように、本発明においては基板と基板ホル
ダの周辺部の間に設けたギヤツプを通つて冷却ガ
スを積極的に逃しながら差圧を作り出すことによ
り、基板に多少の変形が生じたりしても一定のガ
ス流量に対して冷却ガス圧力をほぼ一定に保つこ
とができ、またガス流量を調整することにより圧
力の調整も行なうことができる。
ダの周辺部の間に設けたギヤツプを通つて冷却ガ
スを積極的に逃しながら差圧を作り出すことによ
り、基板に多少の変形が生じたりしても一定のガ
ス流量に対して冷却ガス圧力をほぼ一定に保つこ
とができ、またガス流量を調整することにより圧
力の調整も行なうことができる。
実施例
以下、添附図面を参照して本発明の方法を実施
している装置について説明する。
している装置について説明する。
図面にはウエハ１に対してその全周にギヤツプ
２を設けてこのギヤツプ２を通つて冷却ガスを流
す場合を示し、第１図において３は基板ホルダ、
４は基板押え、５は冷却ガス供給通路である。冷
却ガス供給通路を通つて導入される冷却ガスは矢
印で示すようにウエハ１と基板ホルダ３との間を
外周に向つて流れ、全周にわたつて設けられたギ
ヤツプ２を通つて流出していく。これによつて生
じる差圧による力でウエハ１は基板押え４側へ押
付けられ、ウエハ１と基板ホルダ３との間にほぼ
一定の間隔ｄのギヤツプ６が形成される。
２を設けてこのギヤツプ２を通つて冷却ガスを流
す場合を示し、第１図において３は基板ホルダ、
４は基板押え、５は冷却ガス供給通路である。冷
却ガス供給通路を通つて導入される冷却ガスは矢
印で示すようにウエハ１と基板ホルダ３との間を
外周に向つて流れ、全周にわたつて設けられたギ
ヤツプ２を通つて流出していく。これによつて生
じる差圧による力でウエハ１は基板押え４側へ押
付けられ、ウエハ１と基板ホルダ３との間にほぼ
一定の間隔ｄのギヤツプ６が形成される。
冷却効果は冷却ガスの圧力とウエハ１と基板ホ
ルダ３との間のギヤツプの寸法に関係することが
見い出されたので、上記各実施例では冷却ガスの
圧力並びにギヤツプ２の長さおよび高さを適当に
選択調整しガス流量を調整することによつてウエ
ハ１を所望の温度に冷却することができる。
ルダ３との間のギヤツプの寸法に関係することが
見い出されたので、上記各実施例では冷却ガスの
圧力並びにギヤツプ２の長さおよび高さを適当に
選択調整しガス流量を調整することによつてウエ
ハ１を所望の温度に冷却することができる。
発明の効果
以上説明してきたように、本発明による方法で
は、冷却すべき基板と基板ホルダの周辺部との間
に所定の寸法のガス逃し通路を設けて基板と基板
ホルダとの間に導入される冷却ガスの供給を制御
するようにすることによつて次のような効果が得
られる。
は、冷却すべき基板と基板ホルダの周辺部との間
に所定の寸法のガス逃し通路を設けて基板と基板
ホルダとの間に導入される冷却ガスの供給を制御
するようにすることによつて次のような効果が得
られる。
(1) 基板の表面に直接固体を接触させずに冷却す
ることができる。
ることができる。
(2) 単にプロセス中の基板の温度をある特定の温
度以下に下げることだけでなく、一つのパラメ
ータ例えばガス圧力、ガス流量を変えることに
より、他のプロセス条件を同一にでき、基板の
温度を特定の温度付近で制御し、また制御する
レベルを変えることができる。
度以下に下げることだけでなく、一つのパラメ
ータ例えばガス圧力、ガス流量を変えることに
より、他のプロセス条件を同一にでき、基板の
温度を特定の温度付近で制御し、また制御する
レベルを変えることができる。
(3) 基板の変形等が多少生じても冷却効果の再現
性を向上させることができる。
性を向上させることができる。
(4) ガス逃し通路の寸法を変えることにより必要
なガス流量を調節でき、それにより一定の熱の
流入に対する基板冷却温度を制御したり一定の
冷却効果を得ることができる。
なガス流量を調節でき、それにより一定の熱の
流入に対する基板冷却温度を制御したり一定の
冷却効果を得ることができる。
(5) スパツタ、CVD、エツチング等ガスを使用
するプロセスに適用することができる。
するプロセスに適用することができる。
図面は本発明の一実施例を示す概略断面図であ
る。 図中、１：ウエハ、２：ギヤツプ、３：基板ホ
ルダ、５：冷却ガス供給通路、６：ギヤツプ。
る。 図中、１：ウエハ、２：ギヤツプ、３：基板ホ
ルダ、５：冷却ガス供給通路、６：ギヤツプ。
Claims (1)
- １ 真空処理装置内に配置される基板ホルダと基
板押えとの間隔を基板の厚さと形成すべき冷却ガ
ス逃しギヤツプの高さとの和に設定し、基板と基
板ホルダとの間へ冷却ガスを供給することにより
基板と基板ホルダの周辺部との間の全体に渡つて
上記冷却ガス逃しギヤツプを形成維持し、基板と
基板ホルダとの間への冷却ガスの供給を制御して
基板の温度を所要のレベルに調整することを特徴
とする真空処理装置における基板の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304484A JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304484A JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257512A JPS60257512A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0237693B2 true JPH0237693B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=14602063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11304484A Granted JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257512A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689444B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1994-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JP2682190B2 (ja) * | 1989-09-01 | 1997-11-26 | 富士電機株式会社 | 乾式成膜装置 |
| KR940011708B1 (ko) * | 1990-04-09 | 1994-12-23 | 니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤 | 기판온도제어기구 |
| JP2656658B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 試料温度制御方法及び真空処理装置 |
| JPH05182930A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-07-23 | Nichiden Mach Ltd | ウェーハ冷却装置 |
| JP2002050809A (ja) | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Anelva Corp | 基板処理装置及び方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11304484A patent/JPS60257512A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60257512A (ja) | 1985-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |