KR940011708B1 - 기판온도제어기구 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 22
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 제1의 실시예의 단면도.
제2도는 본 발명의 제2의 실시예의 단면도.
제3도는 실시예에 있어서의 기판과 지지판체의 사이의 간격거리와 압력의 관계를 도시한 도.
제4도는 기판을 약 340℃로 가열했을때의 기판의 승온(昇溫) 특성의 그래프.
제5도는 기판을 약 400℃로 가열했을때의 기판의 승온특성의 그래프.
제6도는 기판을 480℃로 가열했을때의 기판의 승온특성의 그래프.
제7도 및 제8도는 종래의 기판온도제어기구의 단면도.
본 발명은 스퍼터링(sputtering)장치, CVD장치, 에칭장치 등의 진공처리장치에 있어서의 처리대상인 기판을 가열 또는 냉각하도록 한 기판온도제어기구에 관한 것이다.
종래, 상기의 스패터링장치, CVD장치, 에칭장치 등의 진공처리장치에 있어서의 처리대상의 기판은, 처리중, 소정의 온도로 유지하게끔 냉각 또는 가열하는 것이 알려져 있다. 기판의 냉각 또는 가열을 하기 위한 기구에는, 여러가지의 구조의 것이 있고, 기판의 이면측에서 온도제어된, 냉각 또는 가열용가스(예컨대 아르곤 등의 불활성가스)를 불어 넣도록 한 기구도 기판온도제어기구로서 알려져 있었다(특개소 58-132937호, 특개소 62-50462호).
온도제어된 가스를 기판의 이면에 불어넣도록 한 기구의 구조는 제7도 및 제8도에 도시한 바와 같이 되어 있었다.
즉 제7도의 기구로는, 처리대상인 기판(1)이 기판호울더(2)로, 누름(3)을 통하여 지지할 수 있도록 되어 있음과 동시에, 기판호울더(2)의 기판(1)과의 대향면에는 소공(小孔)(4)이 뚫려 있어서 도입파이프(5)를 통하여 도입된 가스가 기판(1)의 이면에 불어넣어지도록 되어 있다. 그리고 도입파이프(5)를 통하여 인도되는 가스는 기판 호울더(2)의 외측에 설치된 저항가열유니트(6)로 가열되고, 또는 플랜지(7)에 설치된 순환로(8)에 물, 기타의 냉매를 순환시킴으로써 냉각되도록 되어 있다.
또, 제8도의 기구로는, 기판(1)이 기판호울더(2)로 누름(3)을 통하여 지지할 수 있도록 되어 있음과 동시에, 도입파이프(5)를 통하여 인도되어서, 기판(1)의 이면에 불어넣어지는 가스는 기판호울더(2)에 매설한 시이즈(sheathed)히이터(9)에 의해 가열되고, 또는 기판호울더(2)에 설치된 순환로(8)에 냉매를 흐르게 함으로써 냉각되도록 되어 있다.
제7도 및 제8도에 도시한 바와 같이 종래의 온도제어기구는 신속한 온도제어를 할수 없는 문제점이 있었다.
즉 제7도의 기구로는, 저항가열유니트(6)가 대기측으로 배치되어 있기 때문에 대기측으로의 열의 방출이 큼과 동시에, 저항가열유니는 자체의 열용량도 커서, 기판의 온도를 고속으로 승온, 또는 강온(降溫)시키는 것이 곤란하였다.
또, 제8도의 기구로는 시이지히이터(9)가 기판호울더(2)내에 매설설치되어 있기 때문에, 대기측으로의열의 방산은 방지할 수 있는 것이나, 기판호울더(2)가 대형화하여 열용량이 크게 되어서, 기판의 온도를 고속으로 승온 또는 강온시키는 것이 곤란하였다.
따라서, 기판에 대하여 소요의 처리를 행하는 경우에, 기판의 온도가 소정의 온도에 도달할때까지의 시간이 처리상 손실시간으로서 필요하게 되고, 처리의 능률도 손상되고 있었다. 또, 예컨대 스퍼터처리중에 기판이 열(스퍼터열)등을 받아서 승온한 경우등에 히이터 전원을 제어하여, 기판을 일정의 온도로 유지하는 것이 곤란하였다.
본 발명은 이상과 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것이고 가열원의 열적손실을 없게 한 기판온도제어기구를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
또, 본 발명은 가열원의 열용량을 작게 한 기판온도제어기구를 제공하는 것도 목적으로 하고 있다.
또한, 본 발명은 기판에 대한 소요의 처리가 고속으로 능률좋게 될 수 있도록 한 기판온도제어기구를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 기판온도제어기구는, 진공용기의 통로(opening)를 막는 플랜지반체(盤體)의 내측면에 설치된 기판의 지지부와, 상기 플랜지반체를 통하여 기판의 지지부로 인도되어서 기판의 이면에 불어넣어지는 가스의 도입수단과 상기 지지부와 대향하도록, 플랜지반체에 부착된 가열용의 전등가열기와, 상기 플랜지반체내에, 상기 전등가열기의 설치영역에 대향시켜서 설치된 냉각매체의 순환로를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 전등가열기로서는, 예컨대 적외선 전등이 사용된다.
본 발명의 기판온도제어기구에 있어서는, 기판의 이면에 불어넣어지는 가스의 가열원을 전등가열기로 하고, 또한 대기측으로 노출되지 않도록 설치하였기 때문에, 열적손실이 적고, 또한 열용량도 작게 구성되고, 기판의 온도를 고속으로 승온시킬 수가 있다. 또, 기판의 온도를 강온시키는 경우도, 냉각매체의 순환로를 전등가열기의 설치영역에 대향시켜서 설치한 구조와 열용량이 작은 전등가열기의 구조가 함께 어울려서 고속으로 변환시킬 수가 있다. 또, 이와 같이 기판의 온도를 고속으로 승온 또는 강온할 수가 있기 때문에, 스퍼터열 등, 기판이 외부에서 열을 받는 경우에도, 전등가열기의 전원을 제어하여 기판의 온도를 일정하게 유지하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시예를 제1도를 참조하여 설명한다.
도면중 1은 기판이고, 진공용기(11)의 통로(12)를 막는 플랜지반체(13)의 내측면에 설치된 기판지지부(14)에 누름(3)을 통하여 부착할 수 있도록 되어 있다. 상기 기판지지부(14)는, 플랜지반체(13)의 내측에 팽팽하게 설치한 간막이판(15)에 미(微)간극(16)을 유지하여 중합설치한 지지판체(17)에 의해 구성되어 있고 지지판체(17)의 둘레가장자리에는 환형상돌출부(18)가 설치되고, 누름(3)으로 지지된 기판(1)과 지지판체(17)의 사이에도 미간극(19)이 유지되도록 되어 있다.
상기 간막이판(15)의 중앙부에는 플랜지반체(13)의 중앙에 형성한 관통구멍(20)을 통하여 도입한 도입파이프(21)의 선단부가 연결되어서 상기 미간극(16)과 도입파이프(21)가 연이어 통하고 있다. 그리고 상기 지지판체(7)의 중앙부에도 소구멍(22)이 뚫려 설치되어 있고, 도입파이프(21)를 통하여 도입된 가스는 미간극(16)에 달한후, 소구멍(22)에서 더 한쪽이 미간극(19)에 달하고, 기판(1)의 이면에 불어넣어지도록 되어 있다.
상기 플랜지반체(13)와 간막이판(15)에 의해 둘러싸인 공간(28)에는, 간막이판(15)과 대향하도록 복수의 적외선램프(23)가 설치되어 있음과 동시에, 플랜지반체(13)내에는 적외선램프(23)을 설치한 영역에 걸친 공동(空洞)(24)이 형성되어 있다. 그리고 공동(4)에는 플랜지반체(13)를 관통하여 설치한 2개의 파이프(25, 26)를 연이어 통하게 하여, 냉각매체(예컨대 물)의 순환로(27)를 구성하고 있다.
상기 실시예에 있어서, 도입파이프(21)를 통하여, 가스를 급송하면 가스는 미간극(16)에 있어서 간막이판(15)을 통하여 적외선램프(23)의 열에 의해 가열된후, 또는 간막이판(15)을 통하여 순환로(27)를 유통하는 냉각매체에 의해 냉각된 후, 소구멍(22)에서 기판(1)의 이면으로 불어넣어진다. 따라서 기판(1)을 가열 또는 냉각하고, 소망의 온도로 제어할 수가 있다.
가열원은, 플랜지반체(13)와 간막이판(15)의 사이에 설치한 적외선램프(23)로 하였기 때문에, 대기측으로 방산되는 열량을 작게하여, 가열을 유효하게 행할 수가 있다. 또, 가열원의 열용량도 작아서, 승온을 고속화할 수가 있다. 한편, 냉각매체의 순환로(27)가 가열원으로 한 적외선램프(23)의 설치영역에 대향시켜서 설치되어 있어, 냉각의 효율이 좋고, 가열원의 적은 열용량과 함께 냉각을 고속화할 수도 있다.
이 결과, 기판(1)의 온도제어를 신속하게 행할 수가 있고, 처리에 있어서의 손실시간을 적게할 수 있음과 동시에, 기판(1)이 외부에서 열적영향(스퍼터열)을 받는 경우도, 적외선램프(23)에 주는 전원을 제어하여 기판(1)의 온도가 일정하게 되도록 제어할 수도 있다.
다음에 기판(1)을 고온으로 가열하는 경우에 바람직한 실시예에 대하여, 제2도 이하를 참조하여 설명한다.
이 실시예에서는 간막이판(15)과 플랜지반체(13)의 사이에 환형상의 열절연 단열부재(31)를 개재시켜서, 물 기타의 냉각매체로 냉각되는 플랜지반체(13)와의 접촉면적을 적게 하고 있다. 상기 간막이판(15)은, 둘레가장자리부에, 열절연 단열부재(31)에 대신하여 한형상돌출부를 설치하도록 하여도 좋다. 또, 간막이판(15)과 지지판체(17)와는 둘레가장자리부와 중앙맞닿는부에 있어서 납땜에 의해 접합되어 있음과 동시에, 플랜지반체(13)를 관통시켜서 도입한 가스도입파이프(32)의 선단부는, 간막이판(15)에 형성한 투공(透孔)(33)으로 끼워넣고, 이 부분도 납땜에 의해 접합되어 있다. 그리하여 간막이판(15)과 지지판체(17)의 사이에 형성된 미간극(16)이 밀폐타입으로 되어 있다. 또 간막이판(15)과 지지판체(17)의 중앙맞닿기부의 납땜은 하지 않아도 좋다.
지지판체(17)의 둘레가장자리부에는 상기 실시예와 같이 환형상돌출부(18)가 형성되어서, 기판(1)과의 사이에 미간극(19)이 유지되도록 되어 있다. 이 미간극(19)에 대하여는, 간격의 거리가 작아지면 작아질수록, 또 지지판체(17)와 기판(1) 사이의 기체 압력이 높아지면 질수록 열전도율이 좋아지는 것이 일반에 알려져있다. 따라서, 환형상 돌출부(18)의 높이는, 대단히 낮게 하는 것이 바람직하다. 그러나 기판(1)이 지지판체(17)에 부분적으로 접촉하게 되면, 접촉하고 있는 부분과 접촉하고 있지않는 부분에 온도차가 생기게 되다. 따라서 환형상돌출부(18)의 높이는 기판(1)이 지지판체(17)에 접촉하지 않는 한도로 가능한 한 낮게 형성하고 있다.
이 실시예에 의하면, 미간극(16)을 밀폐타입으로 하였기 때문에 전열매체인 가스의 누설을 없게할 수가 있고, 가스를 유효하게 가열 또는 냉각할 수가 있다. 또, 간막이판(15)과 플랜지반체(13)의 사이에 열절연 단열부재(31)를 개재시켰기 때문에 간막이판(15)의 가열효율이 향상하고, 기판(1)을 고온(예컨대 약 500~600℃ 부근)으로 가열하는 온도조절이 신속하게 될 수 있도록 된다.
이들의 것을 확인하는 실험을 행하였다. 제3도는 가스도입 파이프(21,32)를 통하여 아르곤가스를 일정의 유량을 흘렸을때의 간격거리와 미간극(19)의 압력의 관계이다. 도면중 a는 제1도에 도시한 구조로서 미간극을 0.8㎜로 했을때, b는 제2도에 도시한 구조로서 미간극을 0.8㎜로 했을때, c는 같은 미간극을 0.2㎜로 했을때, d는 같은 미간극을 0㎜, 즉 기판(1)과 지지판체(17)가 맞닿도록 했을때이다.
이 도면에 도시한 결과에서, 제2도에 도시한 밀폐형의 구조가 제1도에 도시한 구조에 비하여 미간극(19)의 압력을 높게할 수 있고, 지지판체(17)와 기판(1)의 사이의 전열특성을 향상할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 제2도의 구조에 있어서 미간극(19)의 간격거리가 짧을수록, 전열특성을 향상할 수 있는 것을 알 수 있다.
다음에, 기판(1)을 가열하는 경우의 승온특성에 대하여 측정하였다. 기판(1)으로서 실리콘 웨이퍼를 사용하고, 실리콘 웨이퍼에 크로멜-알로멜 열전쌍(chromel-almel thermo couple)을 붙여서 온도를 측정하고, 간막이판(15)의 온도는 제2도에 도시한 크로멜-알루멜 열전쌍(38)으로 측정하였다. 도입하는 가스는 아르곤가스로 하였다.
제4도는 6인치의 실리콘웨이퍼의 승온특성이다. 도면중의 a,b,c,d는 상기와 같다. 제3도에 도시한 전열특성의 차가 여기에서 나타나 있는 것을 알 수 있다.
제5도는 타입 a와 c의 승온특성이다. 타입 a는 기판(1)의 포화온도(약 380℃)의 95%에 도달하는데 270초를 요하며 타입 c로는, 포화온도(약 400℃)의 95%에 도달하는데 60초로 되어 있고, 제2도의 밀폐타입이 제1도의 구조에 비하여 승온속도를 약 4배로 향상할 수 있는 것을 알았다.
제6도는 타입 c에 있어서의 4인치의 실리콘 웨이퍼의 승온특성이다. 포화온도를 480℃로 할 수가 있었다.
상기 간막이판(15)은 동판으로 구성되어있고, 적외선 램프(23)와 대향하는 면에는 특별한 처리를 시행하고 있지 않다. 그러나 이 대향면을, 적외선램프(23)의 복사열을 효율좋게 흡수할 수 있도록 처리하면, 또한 기판(1)의 가열특성을 향상할 수 있는 것을 기대할 수 있다. 예컨대 용사(溶射)에 의해 산화크롬막이나 세라믹막(TiO2와 Al2O3의 혼합막)에 의한 흑색피막처리가 바람직하다.
현재의 반도체장치의 알루미늄 배선기술에 있어서 높은 애스팩트비(구멍의 직경과 깊이의 비)의 콘택트부를 제공하기 위해서 알루미늄박막이 증착될때 스텝 커버리지(step coverage, 계단상의 부분에 박막을 형성한 경우의 표면피복율)가 문제로 되고 있다. 이 대책으로서, 400℃ 이상의 고온으로 웨이퍼를 가열하여 알루미늄 스퍼터링을 행하는 것으로 스텝 커버리지가 일정해지는 것이 가능하다고 말하여지고 있다. 따라서, 본 발명의 기판온도제어기구(특히 제2도의 실시예)는, 이와 같은 기술에 있어서 유효하다고 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판의 온도 제어를 고속화할 수 있어 스퍼터링, CVD, 에칭 등의 처리를 능률좋게 신속하게 행할 수 있는 효과가 있음과 동시에, 기판의 온도를 소망의 온도로 올바르게 제어하는 것도 가능하기 때문에 열적 손해를 받는 일없이 처리할 수 있는 등의 효과가 있다. 상기와 같은 각종의 처리에 있어서는, 기판의 온도가 처리특성에 대하여 중요한 인자로 되는 것이지만, 본 발명에 의하면 기판의 온도를 바르게 제어할 수 있기 때문에 소망의 처리를 행하는데 유효하다.
Claims (11)
- 진공용기의 개구부를 막는 플랜지반체의 내측면에 설치된 기판의 지지부와, 상기 플랜지 반체를 통하여 기판의 지지부로 인도되고, 기판의 이면에 불어넣어지는 가스의 도입수단과, 상기 지지부와 대향하도록 플랜지반체에 부착된 가열용의 전등 가열기와, 상기 플랜지반체내에, 상기 전등가열기의 설치영역에 대향시켜서 설치한 냉각 매체의 순환로를 가지는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제1항에 있어서, 기판의 지지부는 전등가열기에 대항하여 설치한 간막이판과, 기판과 대향하는 지지판체로 구성되어 있고, 가스의 도입수단은 간막이판과 지지판체의 사이의 미간극으로 열려 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제2항에 있어서, 지지판체는, 기판과 대향하는 소구멍이 형성되고, 간막이판과 지지판체 사이의 미간극으로 도입된 가스가 상기 소구멍을 통하여 기판에 불어넣어지도록 하고 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구
- 제2항에 있어서, 간막이판은, 플랜지반체와 맞닿는 면에 열절연 단열부재를 끼워설치한 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구
- 제4항에 있어서, 열절연 단열부재는 플랜지반체의 둘레가장자리부에 설치한 환형상 돌출부로 한 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구
- 제2항에 있어서, 간막이판과 지지판체의 사이의 미간극은 기체밀봉수단에 의해 밀폐형 공간으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제2항에 있어서, 지지판체는, 기판과 대향하는 면의 가장자리부에 기판과 지지판체의 사이에 미간극을 유지하기 위한 환형상돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제6항에 있어서, 기체밀봉수단은 납땜이고, 간막이판과 지지판체의 둘레가장자리부 및 간막이판과 가스도입수단의 연결부가 납땜에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제2항에 있어서, 간막이판은 전등가열기와 대향하는 면에 전등가열기의 복사열을 효율좋게 흡수하기 위한 처리가 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제9항에 있어서, 복사열을 효율좋게 흡수하기 위한 처리는 산화크롬막, 세라믹막, 기타의 흑색막처리로 한 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
- 제10항에 있어서, 세라믹막은, TiO2와 Al2O3의 혼합막으로 한 것을 특징으로 하는 기판온도제어기구.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-37890 | 1990-04-09 | ||
| JP3789090 | 1990-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910019164A KR910019164A (ko) | 1991-11-30 |
| KR940011708B1 true KR940011708B1 (ko) | 1994-12-23 |
Family
ID=12510136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005462A KR940011708B1 (ko) | 1990-04-09 | 1991-04-04 | 기판온도제어기구 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5113929A (ko) |
| EP (1) | EP0451740A3 (ko) |
| KR (1) | KR940011708B1 (ko) |
| CA (1) | CA2039844A1 (ko) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5181556A (en) * | 1991-09-20 | 1993-01-26 | Intevac, Inc. | System for substrate cooling in an evacuated environment |
| JP3604706B2 (ja) * | 1992-07-23 | 2004-12-22 | キヤノン株式会社 | 成膜方法 |
| DE4338506A1 (de) * | 1993-11-11 | 1995-05-18 | Daimler Benz Ag | Anordnung zur thermischen Behandlung von Halbleitersubstraten |
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| US5551985A (en) * | 1995-08-18 | 1996-09-03 | Torrex Equipment Corporation | Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition |
| US5796074A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
| US5697427A (en) * | 1995-12-22 | 1997-12-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for cooling a substrate |
| US5834068A (en) * | 1996-07-12 | 1998-11-10 | Applied Materials, Inc. | Wafer surface temperature control for deposition of thin films |
| US6309971B1 (en) | 1996-08-01 | 2001-10-30 | Cypress Semiconductor Corporation | Hot metallization process |
| US5811762A (en) * | 1996-09-25 | 1998-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Heater assembly with dual temperature control for use in PVD/CVD system |
| US5960158A (en) | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Ag Associates | Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber |
| US6014082A (en) * | 1997-10-03 | 2000-01-11 | Sony Corporation | Temperature monitoring and calibration system for control of a heated CVD chuck |
| FR2769923B1 (fr) * | 1997-10-17 | 2001-12-28 | Cypress Semiconductor Corp | Procede ameliore de metallisation a chaud |
| JP3909944B2 (ja) | 1998-01-12 | 2007-04-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 情報記録ディスク用基板の冷却機構及びこの冷却機構を備えた基板処理装置 |
| US5970214A (en) | 1998-05-14 | 1999-10-19 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US5930456A (en) | 1998-05-14 | 1999-07-27 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US6210484B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-04-03 | Steag Rtp Systems, Inc. | Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers |
| WO2000031777A1 (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Steag Rtp Systems, Inc. | Fast heating and cooling apparatus for semiconductor wafers |
| US6771895B2 (en) * | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
| FR2792084A1 (fr) * | 1999-04-12 | 2000-10-13 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de chauffage et de refroidissement integre dans un reacteur de traitement thermique d'un substrat |
| US7037797B1 (en) | 2000-03-17 | 2006-05-02 | Mattson Technology, Inc. | Localized heating and cooling of substrates |
| KR100436841B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-06-23 | 화광 교역 주식회사 | 유기 이엘 표시장치 |
| US6744017B2 (en) | 2002-05-29 | 2004-06-01 | Ibis Technology Corporation | Wafer heating devices for use in ion implantation systems |
| US7712434B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing |
| US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
| US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
| US7941039B1 (en) | 2005-07-18 | 2011-05-10 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal heat transfer and temperature control |
| KR20080047371A (ko) * | 2006-03-01 | 2008-05-28 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| US7960297B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-06-14 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
| US8052419B1 (en) | 2007-11-08 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
| US8033771B1 (en) | 2008-12-11 | 2011-10-11 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
| TWI445065B (zh) * | 2009-12-18 | 2014-07-11 | J E T Co Ltd | Substrate processing device |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| WO2013103594A1 (en) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Novellus Systems, Inc. | Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| CN112509963B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-03-22 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种多孔真空吸盘的自洁性检测装置及其检测方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4282924A (en) * | 1979-03-16 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface |
| US4756815A (en) * | 1979-12-21 | 1988-07-12 | Varian Associates, Inc. | Wafer coating system |
| US4512391A (en) * | 1982-01-29 | 1985-04-23 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet |
| US4508161A (en) * | 1982-05-25 | 1985-04-02 | Varian Associates, Inc. | Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer |
| US4527620A (en) * | 1984-05-02 | 1985-07-09 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
| US4535834A (en) * | 1984-05-02 | 1985-08-20 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
| JPS60257512A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Ulvac Corp | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
| JPS6250462A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| US4609037A (en) * | 1985-10-09 | 1986-09-02 | Tencor Instruments | Apparatus for heating and cooling articles |
| US4671204A (en) * | 1986-05-16 | 1987-06-09 | Varian Associates, Inc. | Low compliance seal for gas-enhanced wafer cooling in vacuum |
| EP0252667B1 (en) * | 1986-06-30 | 1996-03-27 | Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapour deposition methods |
-
1991
- 1991-04-04 KR KR1019910005462A patent/KR940011708B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-04-05 US US07/680,939 patent/US5113929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-05 CA CA002039844A patent/CA2039844A1/en not_active Abandoned
- 1991-04-06 EP EP19910105469 patent/EP0451740A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2039844A1 (en) | 1991-10-10 |
| EP0451740A3 (en) | 1991-12-27 |
| KR910019164A (ko) | 1991-11-30 |
| US5113929A (en) | 1992-05-19 |
| EP0451740A2 (en) | 1991-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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