JPS60257512A - 真空処理装置における基板の冷却方法 - Google Patents
真空処理装置における基板の冷却方法Info
- Publication number
- JPS60257512A JPS60257512A JP11304484A JP11304484A JPS60257512A JP S60257512 A JPS60257512 A JP S60257512A JP 11304484 A JP11304484 A JP 11304484A JP 11304484 A JP11304484 A JP 11304484A JP S60257512 A JPS60257512 A JP S60257512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cooling gas
- cooling
- gap
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、成膜装置やエツチング装置等の真空処理装置
における基板の冷却方法に関するものである。
における基板の冷却方法に関するものである。
真空処理装置において基板特にウェハのような機械的強
度の弱いものをガスを利用して冷却する方式は既に提案
されている（特願昭［−７２０１８号参照）。これによ
れば、基板ホルダ内に冷却ガスを供給して基板ホルダ自
体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導および冷
却用ガス自体を介しての熱伝導によって基板を冷却して
いる。しかしながら、この方式では基板へのちる一定の
熱流入に対して基板温度をある一定の値より下げて冷却
することはできるが、多数枚の基板に対して再現性よく
同じレベルの温度に冷却することは困難である。すなわ
ち、基板ホルダの周辺部と基板押えのギャップ、基板の
位置関係等が変化するため、ガスの排気に対するコンダ
クタンスが容易に変化するので基板と基板ホルダの藺の
圧力が変化することになる。このため各基板に対して同
一レベルでの冷却を保証することは困難である。
度の弱いものをガスを利用して冷却する方式は既に提案
されている（特願昭［−７２０１８号参照）。これによ
れば、基板ホルダ内に冷却ガスを供給して基板ホルダ自
体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導および冷
却用ガス自体を介しての熱伝導によって基板を冷却して
いる。しかしながら、この方式では基板へのちる一定の
熱流入に対して基板温度をある一定の値より下げて冷却
することはできるが、多数枚の基板に対して再現性よく
同じレベルの温度に冷却することは困難である。すなわ
ち、基板ホルダの周辺部と基板押えのギャップ、基板の
位置関係等が変化するため、ガスの排気に対するコンダ
クタンスが容易に変化するので基板と基板ホルダの藺の
圧力が変化することになる。このため各基板に対して同
一レベルでの冷却を保証することは困難である。
一方、最近、特に半導体プロセス等においては。
成膜やエツチング等の処理中、基板を非接触式で冷却し
、しかも冷却の結果基板の達する温度を一定範囲内に制
御する要求が強くなっている。
、しかも冷却の結果基板の達する温度を一定範囲内に制
御する要求が強くなっている。
〆
発明が解決しようとする問題点
上記の要求を満足させる、すなわち一定の熱流人に対し
て基板を一定の温度に冷却しまたその温度を可変調節で
きるようにするためには、冷却ガスの圧力を一定の流量
に対して一定の範囲に制御することが必要である。
て基板を一定の温度に冷却しまたその温度を可変調節で
きるようにするためには、冷却ガスの圧力を一定の流量
に対して一定の範囲に制御することが必要である。
そこで、本発明の目的は、冷却ガスの圧力を一定の流量
に対して一定の範囲に制御し、しかも基板ホルダの冷却
面に対して基板を非接触の状態で冷却できるようにした
真空処理装置における基板の冷却方法を提供することに
ある。
に対して一定の範囲に制御し、しかも基板ホルダの冷却
面に対して基板を非接触の状態で冷却できるようにした
真空処理装置における基板の冷却方法を提供することに
ある。
上記の目的を達成するために１本発明による真空処理装
置における基板の冷却方法は、真空処理装置内に配置さ
れる基板と基板ホルダの周辺部との間に予定の寸法の冷
却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板ホルダとの間
への冷却ガスの供給状態を制御して基板の温度を所要の
レベルに調整することを特徴としている。
置における基板の冷却方法は、真空処理装置内に配置さ
れる基板と基板ホルダの周辺部との間に予定の寸法の冷
却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板ホルダとの間
への冷却ガスの供給状態を制御して基板の温度を所要の
レベルに調整することを特徴としている。
作用
ｌ このように５本発明においては基板と基板ホルダの
周辺部の間に設けたギャップを通って冷却ガスを積極的
に逃しながら差圧を作シ出すことによシ、基板に多少の
変形が生じたりしても一定のガス流量に対して冷却ガス
圧力をほぼ一定に保つことができ、またガス流量を調整
することによシ圧力の調整も行なうことができる、 実施例 以下、添附図面を参照して本発明の方法を実施している
装置について説明する。
周辺部の間に設けたギャップを通って冷却ガスを積極的
に逃しながら差圧を作シ出すことによシ、基板に多少の
変形が生じたりしても一定のガス流量に対して冷却ガス
圧力をほぼ一定に保つことができ、またガス流量を調整
することによシ圧力の調整も行なうことができる、 実施例 以下、添附図面を参照して本発明の方法を実施している
装置について説明する。
第１図にはウェハｌに対してその全周にギャップコを設
けこのギャツプコを通って冷却ガスを流す場合を示し、
第７図において３は基板ホルダ、≠は基板押え、夕は冷
却ガス供給通路である。冷却ガス供給通路を通って導入
される冷却ガスは矢印で示すようにウエノ・／と基板ホ
ルダ３との間を外周に向って流れ、全周にわたって設け
られたギャップλを辿って流出していく。これによって
生じる差圧による力でウエノ・／は基板押えＦ １１へ
押付けられ、ウエノ・／と基板ホルダ３との間にほぼ一
定の間隔ｄのギャップ６が形成される。
けこのギャツプコを通って冷却ガスを流す場合を示し、
第７図において３は基板ホルダ、≠は基板押え、夕は冷
却ガス供給通路である。冷却ガス供給通路を通って導入
される冷却ガスは矢印で示すようにウエノ・／と基板ホ
ルダ３との間を外周に向って流れ、全周にわたって設け
られたギャップλを辿って流出していく。これによって
生じる差圧による力でウエノ・／は基板押えＦ １１へ
押付けられ、ウエノ・／と基板ホルダ３との間にほぼ一
定の間隔ｄのギャップ６が形成される。
第２図は本発明の変形実施例を示し、この場合には基板
ホルダ３の周辺部に間隔を置いて放射状にスリット７が
形成されている。ウエノ・／と基板ホルダ３との間のギ
ャップｔは所望の間隔になるようにされる。従って冷却
ガス供給通路ｊから導入される冷却ガスは矢印で示すよ
うにウエノ・／と基板ホルダ３との間のギャップを内を
外周ｃＣ向って一様に流れ、そして各スリット７を通っ
て流出するようにされる。
ホルダ３の周辺部に間隔を置いて放射状にスリット７が
形成されている。ウエノ・／と基板ホルダ３との間のギ
ャップｔは所望の間隔になるようにされる。従って冷却
ガス供給通路ｊから導入される冷却ガスは矢印で示すよ
うにウエノ・／と基板ホルダ３との間のギャップを内を
外周ｃＣ向って一様に流れ、そして各スリット７を通っ
て流出するようにされる。
冷却効果は冷却ガスの圧力とウニ／％ ／と基板ホルダ
３との間のギャップの寸法に関係すること力（見い出さ
れたので、上記各実施例では冷却ガスの圧力並びにギャ
ップ２の長さおよび高さく 第１ Ｉｇの場合）、各ス
リット７の長さ５幅および高さく第２図の場合）を適当
に選択調整しガス流量を調整することによってウエノ・
／を所望の温度に冷却することができる。
３との間のギャップの寸法に関係すること力（見い出さ
れたので、上記各実施例では冷却ガスの圧力並びにギャ
ップ２の長さおよび高さく 第１ Ｉｇの場合）、各ス
リット７の長さ５幅および高さく第２図の場合）を適当
に選択調整しガス流量を調整することによってウエノ・
／を所望の温度に冷却することができる。
以上説明してきたように５本発明による方法では、冷却
すべき基板と基板ホルダの周辺部との間に所定の寸法の
ガス逃し通路を設けて基板と基板ホルダとの間に導入さ
れる冷却ガスの供給を宙１」御するようにすることによ
って次のような効果が得られる。
すべき基板と基板ホルダの周辺部との間に所定の寸法の
ガス逃し通路を設けて基板と基板ホルダとの間に導入さ
れる冷却ガスの供給を宙１」御するようにすることによ
って次のような効果が得られる。
（１）基板の表面に直接固体を接触させずに冷却するこ
とができる。
とができる。
（，２）単にプロセス中の基板の温度をある特定の温度
以下に下げることだけでなく、一つのノξラメータ例え
ばガス圧力、ガス流量を変えることにより、他のプロセ
ス条件を同一にでき、基板の温度を特定の温度付近で制
御し、また制御するレベルを変えることができる。
以下に下げることだけでなく、一つのノξラメータ例え
ばガス圧力、ガス流量を変えることにより、他のプロセ
ス条件を同一にでき、基板の温度を特定の温度付近で制
御し、また制御するレベルを変えることができる。
（３）基板の変形等が多少生じても冷却効果の再現性を
向上させることができる。
向上させることができる。
（暢 ガス逃し通路の寸法を変えることにより必要なガ
ス流量を調節でき、それにより一定の熱の流入に対する
基板冷却温度を制御したり一定の冷却効果を得ることが
できる。
ス流量を調節でき、それにより一定の熱の流入に対する
基板冷却温度を制御したり一定の冷却効果を得ることが
できる。
（り スパッタ、ＯＶＤ、エツチング等ガスを使用する
プロセスに適用することができる。
プロセスに適用することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
別の実旋例を示す概略断面図である。 図中、／：ウェハ、２：ギャップ、３：基板ホルダ、ｊ
：冷却ガス供給通路、６：ギャップ、７二スリツト。 第１図 第２圓
別の実旋例を示す概略断面図である。 図中、／：ウェハ、２：ギャップ、３：基板ホルダ、ｊ
：冷却ガス供給通路、６：ギャップ、７二スリツト。 第１図 第２圓
Claims (1)
- 真空処理装置内に配置される基板と基板ホルダの周辺部
との間に予定の寸法の冷却ガス逃がしギャップを設け、
基板と基板ホルダどの間への冷却ガスの供給状態を制御
して基板の温度を所要のレベルに調整することを特徴と
する真空処理装置における基板の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304484A JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304484A JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257512A true JPS60257512A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0237693B2 JPH0237693B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=14602063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11304484A Granted JPS60257512A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空処理装置における基板の冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257512A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH03174719A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式成膜装置 |
| EP0451740A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Anelva Corporation | Temperature control system for semiconductor wafer or substrate |
| JPH04150937A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-25 | Hitachi Ltd | 試料温度制御方法及び真空処理装置 |
| JPH05182930A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-07-23 | Nichiden Mach Ltd | ウェーハ冷却装置 |
| US6610180B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-26 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11304484A patent/JPS60257512A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH03174719A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式成膜装置 |
| EP0451740A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Anelva Corporation | Temperature control system for semiconductor wafer or substrate |
| EP0451740A3 (en) * | 1990-04-09 | 1991-12-27 | Anelva Corporation | Temperature control system for semiconductor wafer or substrate |
| JPH04150937A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-25 | Hitachi Ltd | 試料温度制御方法及び真空処理装置 |
| JPH05182930A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-07-23 | Nichiden Mach Ltd | ウェーハ冷却装置 |
| US6610180B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-26 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237693B2 (ja) | 1990-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4512391A (en) | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet | |
| US9824904B2 (en) | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution | |
| US4313284A (en) | Apparatus for improving flatness of polished wafers | |
| US5609720A (en) | Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching | |
| US5675471A (en) | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity | |
| JP4218248B2 (ja) | 真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャック | |
| US6394797B1 (en) | Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate | |
| KR20210087547A (ko) | 에지 링의 온도 및 바이어스 제어 | |
| JPS60257512A (ja) | 真空処理装置における基板の冷却方法 | |
| JPH05243191A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| US5985089A (en) | Plasma etch system | |
| JPH0845909A (ja) | 試料台 | |
| TWI757671B (zh) | 用於改進的熱傳遞和溫度均勻性的加熱的基座設計 | |
| US20040099217A1 (en) | Uniform temperature workpiece holder | |
| JPS61264649A (ja) | 基板冷却装置 | |
| JPS6136931A (ja) | ウエ−ハの温度制御方法 | |
| JP2000021889A (ja) | 加熱体の支持構造 | |
| JPS61103531A (ja) | 真空処理装置における基板の冷却機構 | |
| JPS60102742A (ja) | 処理装置 | |
| CN213936112U (zh) | 下电极组件及等离子体处理设备 | |
| JPH07201953A (ja) | 半導体基板のステージ | |
| JPH0669125A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0878192A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH07224386A (ja) | 基板保持機構 | |
| JP2003142408A (ja) | 枚葉式熱処理装置および熱処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |