JP2002004043A - 曲面を有する構造体及びその製造方法 - Google Patents
曲面を有する構造体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨除去工程や熱プロセスを用いることな
く、構造体を曲面状に加工し、曲面を有する構造体を得
る。 【解決手段】 構造体１にスパッタリング膜９を成膜す
ることによって、スパッタリング膜９の内部応力で構造
体１を曲面状に加工する。また、曲率の制御は成膜条件
を調整することで可能である。
く、構造体を曲面状に加工し、曲面を有する構造体を得
る。 【解決手段】 構造体１にスパッタリング膜９を成膜す
ることによって、スパッタリング膜９の内部応力で構造
体１を曲面状に加工する。また、曲率の制御は成膜条件
を調整することで可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス等に
おける構造体の曲面加工に関し、構造体の物性等に変化
を与えずに曲面状に加工して成る曲面を有する構造体及
びその製造方法に関するものである。
おける構造体の曲面加工に関し、構造体の物性等に変化
を与えずに曲面状に加工して成る曲面を有する構造体及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子デバイスに用いられる材料
は、機能デバイスとしての高機能化や低コスト化に対応
するため、薄膜等の機能膜を用いた構造体が増加してい
る。その機能膜を用いたデバイス構造は、機能を最大限
に発揮させるために、特殊な材料を原子レベルで積層す
るなどして構成されているため、プロセス環境に非常に
敏感であり、後工程で形状加工等を行う場合、デバイス
にダメージを与えることなく加工することが必要とな
る。
は、機能デバイスとしての高機能化や低コスト化に対応
するため、薄膜等の機能膜を用いた構造体が増加してい
る。その機能膜を用いたデバイス構造は、機能を最大限
に発揮させるために、特殊な材料を原子レベルで積層す
るなどして構成されているため、プロセス環境に非常に
敏感であり、後工程で形状加工等を行う場合、デバイス
にダメージを与えることなく加工することが必要とな
る。
【０００３】例えば、薄膜磁気ヘッドに代表される曲面
状の加工が必要な場合、後工程でラッピング加工等の研
磨を行った場合、研磨プロセス時に発生する加工バラツ
キによってデバイス機能特性が大きく変化してしまうと
いう問題がある。
状の加工が必要な場合、後工程でラッピング加工等の研
磨を行った場合、研磨プロセス時に発生する加工バラツ
キによってデバイス機能特性が大きく変化してしまうと
いう問題がある。
【０００４】そのため、特許第２５５２０６８号明細書
には、レーザやサンドブラスト加工を用いたプロセスに
より、選択的に構造体を加工することで曲面形状を制御
することが開示されている。また、特開平０１−３００
８２号公報では、構造体材料とは熱膨張係数が異なる材
料層を加熱状態で構造体に形成し、常温に冷却すること
で曲面加工を施すことが開示されている。
には、レーザやサンドブラスト加工を用いたプロセスに
より、選択的に構造体を加工することで曲面形状を制御
することが開示されている。また、特開平０１−３００
８２号公報では、構造体材料とは熱膨張係数が異なる材
料層を加熱状態で構造体に形成し、常温に冷却すること
で曲面加工を施すことが開示されている。
【０００５】図３、図４を参照して従来例の曲面を有す
る構造体の製造工程を説明すると、図３では構造体１１
に対してレーザやブラスト１２によるエネルギー加工を
施して構造体１１を曲面形状に加工している。図４で
は、加熱室１３内に構造体１１を配置し、構造体１１を
加熱状態にしてその一面に熱収縮材料層１４を形成し、
その後加熱室１３を常温に冷却することにより、構造体
１１を曲面形状に加工している。
る構造体の製造工程を説明すると、図３では構造体１１
に対してレーザやブラスト１２によるエネルギー加工を
施して構造体１１を曲面形状に加工している。図４で
は、加熱室１３内に構造体１１を配置し、構造体１１を
加熱状態にしてその一面に熱収縮材料層１４を形成し、
その後加熱室１３を常温に冷却することにより、構造体
１１を曲面形状に加工している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では曲面加工プロセスにおいて、ラッピングやブラス
ト加工による研磨除去工程、またはレーザや加熱による
熱プロセスによって加工しているので、デバイス機能が
敏感な構造体の場合、デバイス特性にダメージを与えて
特性が劣化してしまい、機能膜が本来有する機能を発揮
できなくなることがあるという問題がある。
術では曲面加工プロセスにおいて、ラッピングやブラス
ト加工による研磨除去工程、またはレーザや加熱による
熱プロセスによって加工しているので、デバイス機能が
敏感な構造体の場合、デバイス特性にダメージを与えて
特性が劣化してしまい、機能膜が本来有する機能を発揮
できなくなることがあるという問題がある。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、研磨
除去工程や熱プロセスを用いることなく構造体を曲面状
に加工して成る、曲面を有する構造体及びその製造方法
を提供することを目的としている。
除去工程や熱プロセスを用いることなく構造体を曲面状
に加工して成る、曲面を有する構造体及びその製造方法
を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の曲面を有する構
造体は、スパッタリングにより成膜された薄膜にて曲面
に加工されたものであり、研磨除去工程や熱プロセスを
用いることなく、スパッタリング成膜によって構造体を
曲面状に加工して成るので、デバイス機能が敏感な構造
体の場合でもそのデバイス特性にダメージを与えること
がなく、曲面を有しかつ本来有する機能を十分に発揮す
る構造体を得ることができる。
造体は、スパッタリングにより成膜された薄膜にて曲面
に加工されたものであり、研磨除去工程や熱プロセスを
用いることなく、スパッタリング成膜によって構造体を
曲面状に加工して成るので、デバイス機能が敏感な構造
体の場合でもそのデバイス特性にダメージを与えること
がなく、曲面を有しかつ本来有する機能を十分に発揮す
る構造体を得ることができる。
【０００９】また、その成膜材料が、原子量４０以上の
材料から成ると、成膜された薄膜にて構造体を必要な曲
率の曲面に確実に加工することができる。具体的な適用
例としては、構造体がＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板の場合
に、成膜材料をＴａまたはＣｒとするのが好適である。
材料から成ると、成膜された薄膜にて構造体を必要な曲
率の曲面に確実に加工することができる。具体的な適用
例としては、構造体がＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板の場合
に、成膜材料をＴａまたはＣｒとするのが好適である。
【００１０】また、本発明の曲面を有する構造体の製造
方法は、構造体にスパッタリングによる薄膜を成膜して
構造体を曲面に加工するものであり、構造体に薄膜を成
膜する際に発生する薄膜の内部応力によって構造体に変
形力が作用し、曲面を有する構造体を製造することがで
きる。
方法は、構造体にスパッタリングによる薄膜を成膜して
構造体を曲面に加工するものであり、構造体に薄膜を成
膜する際に発生する薄膜の内部応力によって構造体に変
形力が作用し、曲面を有する構造体を製造することがで
きる。
【００１１】また、成膜材料として、原子量４０以上の
材料を用いると、成膜された薄膜に十分に大きな内部応
力を持たせることができて、上記のように薄膜にて構造
体を必要な曲率の曲面に加工することができる。
材料を用いると、成膜された薄膜に十分に大きな内部応
力を持たせることができて、上記のように薄膜にて構造
体を必要な曲率の曲面に加工することができる。
【００１２】また、スパッタリング工程でガス圧力を制
御することによって、曲面の曲率を調整することができ
る。
御することによって、曲面の曲率を調整することができ
る。
【００１３】また、スパッタリング工程で構造体を冷却
することにより、成膜工程中に構造体の温度上昇を防止
することができる。
することにより、成膜工程中に構造体の温度上昇を防止
することができる。
【００１４】また、構造体がＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板の
場合、基板温度が２０〜５０℃、成膜圧力が０．５〜
５．０Ｐａの成膜条件で、成膜材料としてＴａまたはＣ
ｒを用いるのが好適である。
場合、基板温度が２０〜５０℃、成膜圧力が０．５〜
５．０Ｐａの成膜条件で、成膜材料としてＴａまたはＣ
ｒを用いるのが好適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の曲面を有する構造体の製造方法の一実施形態につい
て、図１、図２を参照して説明する。
の曲面を有する構造体の製造方法の一実施形態につい
て、図１、図２を参照して説明する。
【００１６】図１に示すスパッタリング装置１０におい
て、１は構造体で、真空ポンプ３にて排気可能な真空容
器２内に配設された基板ホルダー４に装着されている。
また、真空容器２内には基板ホルダー４に対向するよう
にターゲット５が配設されている。ターゲット５には印
加電源６が接続されている。図示例では印加電源６が直
流電源を用いているが、ターゲット材料が絶縁体の場合
は高周波電源を使用してもよい。７は真空容器２内にプ
ロセスガスを導入するガス導入口、８は基板ホルダー４
とターゲット５の間に介装されたシャッタである。
て、１は構造体で、真空ポンプ３にて排気可能な真空容
器２内に配設された基板ホルダー４に装着されている。
また、真空容器２内には基板ホルダー４に対向するよう
にターゲット５が配設されている。ターゲット５には印
加電源６が接続されている。図示例では印加電源６が直
流電源を用いているが、ターゲット材料が絶縁体の場合
は高周波電源を使用してもよい。７は真空容器２内にプ
ロセスガスを導入するガス導入口、８は基板ホルダー４
とターゲット５の間に介装されたシャッタである。
【００１７】以上の構成のスパッタリング装置１０を用
いて、構造体１上にスパッタリング成膜するには、まず
基板ホルダー４に構造体１を装着し、また構造体１の配
置面積に応じて、構造体１とターゲット５間のＴＳ距離
を変化させて、成膜される膜厚分布精度を調整する。こ
の状態で、真空ポンプ３により真空容器２内を０．００
１Ｐａ程度まで真空排気した後、Ａｒガスなどのプロセ
スガスをガス導入口７から真空容器２内に導入する。こ
のとき、導入するガス流量と真空ポンプ３の排気流量を
一定に保持することで、ガス圧力を一定に保つように調
整する。
いて、構造体１上にスパッタリング成膜するには、まず
基板ホルダー４に構造体１を装着し、また構造体１の配
置面積に応じて、構造体１とターゲット５間のＴＳ距離
を変化させて、成膜される膜厚分布精度を調整する。こ
の状態で、真空ポンプ３により真空容器２内を０．００
１Ｐａ程度まで真空排気した後、Ａｒガスなどのプロセ
スガスをガス導入口７から真空容器２内に導入する。こ
のとき、導入するガス流量と真空ポンプ３の排気流量を
一定に保持することで、ガス圧力を一定に保つように調
整する。
【００１８】この状態で、印加電源６によりターゲット
５に電圧を印加して真空容器２内にプラズマ放電を発生
させる。ここで、シャッタ８を閉じた状態にしたまま
で、放電が安定した状態で放電を数分間維持すること
で、ターゲット５表面の酸化物等のクリーニングを実施
する。その後、シャッタ８を開くことで、構造体１の表
面にターゲット５の材料で構成されるスパッタリング膜
が成膜される。通常は１μｍ以下の膜厚を成膜する。
５に電圧を印加して真空容器２内にプラズマ放電を発生
させる。ここで、シャッタ８を閉じた状態にしたまま
で、放電が安定した状態で放電を数分間維持すること
で、ターゲット５表面の酸化物等のクリーニングを実施
する。その後、シャッタ８を開くことで、構造体１の表
面にターゲット５の材料で構成されるスパッタリング膜
が成膜される。通常は１μｍ以下の膜厚を成膜する。
【００１９】次に、以上のようにして構造体１に成膜す
ることによって、構造体１が曲面を有することになる加
工プロセスを、図２を参照して概念的に説明する。
ることによって、構造体１が曲面を有することになる加
工プロセスを、図２を参照して概念的に説明する。
【００２０】図１で示したスパッタリング装置１０で、
図２（ａ）の構造体１の表面にスパッタリング膜９が成
膜されるが、真空容器２内に導入されるプロセスガスの
流量や、真空ポンプ３による排気流量を変化させること
で、成膜圧力条件を変化させることが可能である。ガス
流量を増加させた条件をＡ、減少させた条件をＢとし
て、スパッタリング膜９を成膜すると、条件Ａの場合の
図２（ｂ）と条件Ｂの場合の図２（ｃ）とで、曲面状態
を反転させることが可能である。つまり、成膜ガス圧力
のみを制御することで、構造体１の曲面の凹凸及びその
曲率を制御することができる。
図２（ａ）の構造体１の表面にスパッタリング膜９が成
膜されるが、真空容器２内に導入されるプロセスガスの
流量や、真空ポンプ３による排気流量を変化させること
で、成膜圧力条件を変化させることが可能である。ガス
流量を増加させた条件をＡ、減少させた条件をＢとし
て、スパッタリング膜９を成膜すると、条件Ａの場合の
図２（ｂ）と条件Ｂの場合の図２（ｃ）とで、曲面状態
を反転させることが可能である。つまり、成膜ガス圧力
のみを制御することで、構造体１の曲面の凹凸及びその
曲率を制御することができる。
【００２１】これは、スパッタリング膜９を成膜する場
合に発生する膜の内部応力が、成膜時のガス圧力によっ
て制御されることにより、構造体１に加わる変形力を変
化させ、曲面の曲率を変化させていることによる。な
お、成膜時のガス圧力以外に、初期に排気する到達圧力
や印加電力等を変化させることによっても、膜の内部応
力を制御することが可能である。
合に発生する膜の内部応力が、成膜時のガス圧力によっ
て制御されることにより、構造体１に加わる変形力を変
化させ、曲面の曲率を変化させていることによる。な
お、成膜時のガス圧力以外に、初期に排気する到達圧力
や印加電力等を変化させることによっても、膜の内部応
力を制御することが可能である。
【００２２】構造体１の表面に成膜されるスパッタリン
グ膜９の材料は、ターゲット５の材料を変更することに
よって変化させることができる。このターゲット５の材
料として、原子量が４０以下の比較的軽い材料を使用し
た場合、成膜圧力を変化させることでスパッタリング膜
９の内部応力が変化するが、その内部応力そのものの大
きさが小さいため、構造体１を変形させるだけの変形力
を発現させることができない場合がある。そこで、原子
量４０以上の材料を使用することにより、圧力条件を調
整することで大きな内部応力を持つスパッタリング膜９
を成膜することができるため、構造体１を任意の曲率に
変形させることが可能となる。
グ膜９の材料は、ターゲット５の材料を変更することに
よって変化させることができる。このターゲット５の材
料として、原子量が４０以下の比較的軽い材料を使用し
た場合、成膜圧力を変化させることでスパッタリング膜
９の内部応力が変化するが、その内部応力そのものの大
きさが小さいため、構造体１を変形させるだけの変形力
を発現させることができない場合がある。そこで、原子
量４０以上の材料を使用することにより、圧力条件を調
整することで大きな内部応力を持つスパッタリング膜９
を成膜することができるため、構造体１を任意の曲率に
変形させることが可能となる。
【００２３】これは、スパッタリング膜９の膜密度が内
部応力に作用しているためであり、原子量が大きいスパ
ッタ原子ほど成膜時の入射エネルギーが大きいことに起
因している。
部応力に作用しているためであり、原子量が大きいスパ
ッタ原子ほど成膜時の入射エネルギーが大きいことに起
因している。
【００２４】また、スパッタリング中にターゲット５上
に発生したプラズマ等により長時間成膜していると、構
造体１に対してエネルギーが入射し、構造体１そのもの
の温度が上昇してしまう。そこで、本実施形態では、基
板ホルダー４の熱容量を大きくしたり、基板ホルダー４
内部に冷却水を流すことにより、構造体１の温度上昇を
低減させている。通常、構造体１の材料にも依存する
が、５０℃以下の温度に冷却することにより、デバイス
機能が敏感な構造体１の場合でもそのデバイス特性にダ
メージを与えるのを防止できる。
に発生したプラズマ等により長時間成膜していると、構
造体１に対してエネルギーが入射し、構造体１そのもの
の温度が上昇してしまう。そこで、本実施形態では、基
板ホルダー４の熱容量を大きくしたり、基板ホルダー４
内部に冷却水を流すことにより、構造体１の温度上昇を
低減させている。通常、構造体１の材料にも依存する
が、５０℃以下の温度に冷却することにより、デバイス
機能が敏感な構造体１の場合でもそのデバイス特性にダ
メージを与えるのを防止できる。
【００２５】具体例を示すと、構造体１がＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ基板であり、この構造体１の温度が２０〜５０℃
の温度範囲に収まるように冷却し、成膜圧力を０．５〜
５．０Ｐａとした成膜条件で、ターゲット５の材料とし
てＴａまたはＣｒを用い、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上に
ＴａまたはＣｒのスパッタリング膜９を成膜することに
より、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を任意の曲面に加工する
ことができた。
ＴｉＣ基板であり、この構造体１の温度が２０〜５０℃
の温度範囲に収まるように冷却し、成膜圧力を０．５〜
５．０Ｐａとした成膜条件で、ターゲット５の材料とし
てＴａまたはＣｒを用い、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上に
ＴａまたはＣｒのスパッタリング膜９を成膜することに
より、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を任意の曲面に加工する
ことができた。
【００２６】
【発明の効果】本発明の曲面を有する構造体及びその製
造方法によれば、以上の説明から明らかなように、構造
体にスパッタリング成膜を行うことにより、成膜する際
に発生する薄膜の内部応力によって構造体に変形力が作
用して曲面を持たせることができ、研磨除去工程や熱プ
ロセスを用いることなく、曲面を有する構造体を製造で
き、したがってデバイス機能が敏感な構造体の場合でも
そのデバイス特性にダメージを与えることなく、曲面を
有しかつ本来有する機能を十分に発揮する構造体を得る
ことができる。
造方法によれば、以上の説明から明らかなように、構造
体にスパッタリング成膜を行うことにより、成膜する際
に発生する薄膜の内部応力によって構造体に変形力が作
用して曲面を持たせることができ、研磨除去工程や熱プ
ロセスを用いることなく、曲面を有する構造体を製造で
き、したがってデバイス機能が敏感な構造体の場合でも
そのデバイス特性にダメージを与えることなく、曲面を
有しかつ本来有する機能を十分に発揮する構造体を得る
ことができる。
【００２７】また、成膜材料として原子量４０以上の材
料を用いることにより、成膜された薄膜に十分に大きな
内部応力を持たせることができ、成膜された薄膜にて構
造体を必要な曲率の曲面に確実に加工することができ
る。
料を用いることにより、成膜された薄膜に十分に大きな
内部応力を持たせることができ、成膜された薄膜にて構
造体を必要な曲率の曲面に確実に加工することができ
る。
【００２８】また、スパッタリング工程でガス圧力を制
御することによって、曲面の曲率を調整することができ
る。
御することによって、曲面の曲率を調整することができ
る。
【００２９】また、スパッタリング工程で構造体を冷却
することにより、成膜工程中に構造体の温度上昇を防止
することができる。
することにより、成膜工程中に構造体の温度上昇を防止
することができる。
【図１】本発明の一実施形態における曲面を有する構造
体の製造方法に用いるスパッタリング装置の概略構成図
である。
体の製造方法に用いるスパッタリング装置の概略構成図
である。
【図２】同実施形態における構造体の曲面加工プロセス
の説明図である。
の説明図である。
【図３】従来例の曲面を有する構造体の製造工程の説明
図である。
図である。
【図４】他の従来例の曲面を有する構造体の製造工程の
説明図である。
説明図である。
１ 構造体 ９ スパッタリング膜 １０ スパッタリング装置
Claims (8)
- 【請求項１】 スパッタリングにより成膜された薄膜に
て曲面に加工されたことを特徴とする曲面を有する構造
体。 - 【請求項２】 成膜材料は、原子量４０以上の材料から
成ることを特徴とする請求項１記載の曲面を有する構造
体。 - 【請求項３】 構造体がＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板で、成
膜材料がＴａまたはＣｒであることを特徴とする請求項
２記載の曲面を有する構造体。 - 【請求項４】 構造体にスパッタリングによる薄膜を成
膜して構造体を曲面に加工することを特徴とする曲面を
有する構造体の製造方法。 - 【請求項５】 成膜材料として、原子量４０以上の材料
を用いることを特徴とする請求項４記載の曲面を有する
構造体の製造方法。 - 【請求項６】 スパッタリング工程でガス圧力を制御し
て曲面の曲率を調整することを特徴とする請求項４又は
５記載の曲面を有する構造体の製造方法。 - 【請求項７】 スパッタリング工程で構造体を冷却する
ことを特徴とする請求項４〜６の何れかに記載の曲面を
有する構造体の製造方法。 - 【請求項８】 構造体がＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板で、基
板温度が２０〜５０℃、成膜圧力が０．５〜５．０Ｐａ
の成膜条件で、成膜材料としてＴａまたはＣｒを用いる
ことを特徴とする請求項４〜７の何れかに記載の曲面を
有する構造体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182426A JP2002004043A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 曲面を有する構造体及びその製造方法 |
| US09/881,687 US20020015259A1 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | Method for manufacturing a structure with curved surfaces |
| KR1020010034312A KR20010113536A (ko) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | 곡면 구조물의 제조 방법 |
| SG200103663A SG87214A1 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | Method for manufacturing a structure with curved surfaces |
| CN01118831A CN1338746A (zh) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | 曲面结构的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182426A JP2002004043A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 曲面を有する構造体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002004043A true JP2002004043A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18683187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000182426A Pending JP2002004043A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 曲面を有する構造体及びその製造方法 |
Country Status (5)
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Cited By (1)
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