KR20010053512A - 기판 조작 챔버에서의 기판 지지대의 가열 방법 및 열적기판 조작 장치 - Google Patents
기판 조작 챔버에서의 기판 지지대의 가열 방법 및 열적기판 조작 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010053512A KR20010053512A KR1020017000516A KR20017000516A KR20010053512A KR 20010053512 A KR20010053512 A KR 20010053512A KR 1020017000516 A KR1020017000516 A KR 1020017000516A KR 20017000516 A KR20017000516 A KR 20017000516A KR 20010053512 A KR20010053512 A KR 20010053512A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heating
- heating element
- temperature
- heating elements
- predetermined
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1902—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value
- G05D23/1904—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value variable in time
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
Description
Claims (28)
- 열적 기판 조작 장치로서,처리 챔버;처리 챔버 안에 배치된 기판 지지대로서, 상기 기판 지지대를 가열하기 위한 제 1가열 소자와 제 2 가열 소자를 포함하는 기판 지지대; 및상기 가열 소자들의 온도를 제어하기 위한 제어기를 포함하며,상기 제어기는 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도를 제어하여, 상기 제 1 및 제2 가열 소자간의 온도차가 소정의 값을 최초로 초과하는 경우, 상기 온도차가 상기 소정의 값보다 작아지게 제어하고,상기 제어기는, 상기 가열 소자들의 온도가 각각의 최종 온도 결정점까지 오를 때, 상기 제 1 가열 소자의 온도와 상기 제 2 가열 소자의 온도차가 상기 소정의 값을 초과하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자의 최종 온도 결정점이 상기 제 2 가열 소자의 최종 온도 결정점과 다른 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제어기는,(a) 제 1 가열 소자의 제 1 잠정 온도 결정점을 정하고;(b) 제 1 잠정 결정점의 현재 값과 상기 예정값에 의존하는, 제 2 가열 소자의 제 2 잠정 온도 결정점을 정하며;(c) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도를 그들 각각의 잠정 온도 결정점까지 올림으로써,상기 가열 소자들의 온도를 제어하도록 구성된 제어기를 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제어기는,(d) 소정의 지연 시간 동안 상기 제 1 및 제 2 가열 소자들의 온도가 그들 각각의 잠정 결정점까지 오르도록 허용하며;(e) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자 중 적어도 하나가 각 최종 결정점의 소정의 양(amount)안에 있을 때까지 단계 (a), (b), (c), 및 (d)를 반복하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 제 2 잠정 값을 상기 제 1 잠정 결정점 더하기 상기 예정값과 동일하게 정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 제 1 가열 소자의 현재 온도와 소정의 가열 속도에 근거하여 제 1 잠정 결정점의 값을 계산하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 제 1 잠정 결정점을 상기 제 1 가열 소자의 현재 온도와 소정의 가열 속도 값의 합과 같게 정해지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 제어기는,(d) 상기 제 2 잠정 값을 상기 제 1 잠정 결정점의 현재 값과 상기 예정값의 합과 같게 만들고;(e) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자들의 온도가 소정의 지연 시간 동안 그들 각각의 잠정 결정점으로 상승되게 하며;(f) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자 중 적어도 하나의 온도가 각각 이들의 최종 결정점의 소정의 양 내에 있을 때까지 단계 (a), (b), (c), (d) 및 (e)를 반복하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는 상기 기판 지지대에 내장된 내부 가열 소자이고, 상기 제 2 가열 소자는 상기 기판 지지대에 내장된 외부 가열 소자인 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는 제 1 가열 성능을 가지고, 상기 제 2 가열 소자는 상기 제 1 가열 성능보다 큰 제 2 가열 성능을 가지는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제어기는,상기 제 1 및 제 2 가열 소자 사이의 온도차가 최초로 상기 소정의 값보다 작지 않을 경우:(d) 상기 제 2 가열 소자를 끄고;(e) 상기 제 2 가열 소자가 꺼진 동안 상기 제 1 가열 소자를 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 제어기는 또한,(f) 상기 제 1 가열 소자를 소정의 시간동안 가열하도록 허용하고;(g) 상기 소정의 시간이 완료되자마자 상기 가열 소자들간의 온도차가 상기 소정의 값을 초과하는 지를 점검하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 제어기는 또한,상기 가열 소자들 간의 온도차가 상기 소정의 값을 더 이상 초과하지 않을 때까지 동작 (d), (e), (f),와 (g)를 반복하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 제 2 가열 소자가 꺼진 동안, 상기 제 1 가열 소자가 소정의 가열 속도를 초과하는 최대 속도로 가열되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 기판 지지대를 가열하는 방법으로서,상기 기판 지지대의 제 1 및 제 2 가열 소자를 위한 각각의 최종 온도 결정점을 결정하는 단계;상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도차가 최초로 소정의 값을 초과하는 경우, 상기 온도차를 상기 소정의 값보다 작게 하는 단계;소정의 가열 속도에 기초하여 상기 가열 소자들의 온도를 각각의 최종 온도 결정점까지 올리는 단계; 및상기 가열 소자들의 온도가 그들 각각의 최종 온도 결정점까지 올려진 동안상기 제 1 가열 소자의 온도와 상기 제 2 가열 소자의 온도의 차가 상기 소정의 값을 초과하지 않도록 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자의 상기 최종 온도 결정점이 상기 제 2 가열 소자의 상기 최종 온도 결정점과 다른 것을 특징으로 하는 열적 기판 조작 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 제어 단계는,(a) 상기 제 1 가열 소자의 제 1 잠정 온도 결정점을 정하는 단계;(b) 상기 제 1 잠정 결정점의 현재 값과 상기 예정값에 의존하는 상기 제 2 가열 소자의 제 2 잠정 온도 결정점을 정하는 단계; 및(c) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도를 그들 각각의 잠정 온도 결정점으로 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서,(d) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도를 소정의 지연 시간 동안 그들 각각의 잠정 결정점으로 상승시키는 단계; 및(e) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자 중 적어도 하나의 온도가 그 각 최종 결정점의 소정의 양내에 있을 때까지 단계 (a), (b), (c)와 (d)를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 2 잠정 값이 상기 제 1 잠정 결정점의 현재 값과 상기 소정의 값의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 1 잠정 결정점의 값이 상기 제 1 가열 소자의 현재 온도와 상기 소정의 가열 속도에 의존하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 1 잠정 결정점이 상기 제 1 가열 소자의 현재 온도와 상기 소정의 가열 속도의 값의 합과 동일하도록 정해지는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 제 2 잠정 값이 상기 제 1 잠정 결정점의 현재 값과 더하기 상기 예정값의 합과 같고,(d) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도가 소정의 지연 시간동안 그 각각의 잠정 결정점을 향하여 오르도록 허용하는 단계; 및(e) 상기 제 1 및 제 2 가열 소자 중 적어도 하나의 온도가 그 각 최종 결정점의 소정의 양내에 있을 때까지 단계 (a), (b), (c)와 (d)를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는 상기 기판 지지대 내에 내장된 내부 가열 소자이고 상기 제 2 가열 소자는 상기 기판 지지대 내에 내장된 외부 가열 소자인 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는 제 1 가열 성능을 가지고 상기 제 2 가열 소자는 상기 제 1 가열 성능보다 큰 제 2 가열 성능을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 가열 소자의 온도차를 상기 소정의 값보다 작게 만드는 단계는,(d) 상기 가열 소자들의 온도차가 상기 소정의 값을 초과하는 경우, 상기 제어 단계 전에 상기 제 2 가열 소자를 끄는 단계; 및(e) 상기 제 2 가열 소자가 꺼진 동안 상기 제 1 가열 소자의 가열을 허용하는 것을 포함하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는 소정의 시간동안 가열이 허용되며,(f) 상기 소정의 시간이 완료될 때 상기 가열 소자들의 온도차가 상기 소정의 값을 초과하는지 점검하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 가열 소자들간의 온도차가 더 이상 상기 소정의 값을 초과하지 않을 때까지 단계 (d), (e)와 (f)를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 제 1 가열 소자는, 상기 제 2 가열 소자가 꺼진 동안, 상기 소정의 가열 속도를 초과하는 최대 속도로 가열이 허용되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 가열 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/115,112 | 1998-07-13 | ||
US09/115,112 US6225601B1 (en) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Heating a substrate support in a substrate handling chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010053512A true KR20010053512A (ko) | 2001-06-25 |
KR100638414B1 KR100638414B1 (ko) | 2006-10-24 |
Family
ID=22359359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020017000516A KR100638414B1 (ko) | 1998-07-13 | 1999-07-13 | 기판 조작 챔버에서의 기판 지지대의 가열 방법 및 열적기판 조작 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6225601B1 (ko) |
EP (1) | EP1097111B1 (ko) |
JP (1) | JP4533984B2 (ko) |
KR (1) | KR100638414B1 (ko) |
DE (1) | DE69906082T2 (ko) |
TW (1) | TW538010B (ko) |
WO (1) | WO2000002824A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000277237A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Komatsu Ltd | 基板温度制御プレート及びそれを備える基板温度制御装置 |
TW488010B (en) * | 2000-02-04 | 2002-05-21 | Kobe Steel Ltd | Chamber member made of aluminum alloy and heater block |
US6492625B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-12-10 | Emcore Corporation | Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates |
JP2002158178A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US6962732B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby |
US20050054198A1 (en) * | 2001-11-05 | 2005-03-10 | Um Pyung Yong | Apparatus of chemical vapor deposition |
JP4059694B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-03-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US20110081137A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Advantest Corporation | Manufacturing equipment and manufacturing method |
JP2010283364A (ja) * | 2010-07-15 | 2010-12-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
JP5867255B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-02-24 | 株式会社デンソー | 熱交換器、熱交換器ユニット、および熱交換器の取り付け方法 |
DE102013109155A1 (de) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Aixtron Se | Substratbehandlungsvorrichtung |
TWI654666B (zh) | 2014-01-27 | 2019-03-21 | Veeco Instruments, Inc. | 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具 |
CN108728828A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Cvd设备及其温度控制方法与发热体 |
CN113091315B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-07-19 | 青岛海尔空调器有限总公司 | 暖风机控制方法、装置、暖风机和存储介质 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115835A (ko) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Kokusai Electric Co Ltd | |
JPS62295418A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
US4886954A (en) | 1988-04-15 | 1989-12-12 | Thermco Systems, Inc. | Hot wall diffusion furnace and method for operating the furnace |
US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
JP2786571B2 (ja) * | 1992-07-07 | 1998-08-13 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー加熱装置 |
US5352294A (en) | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
US5650082A (en) * | 1993-10-29 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Profiled substrate heating |
DE69433836D1 (de) * | 1993-12-28 | 2004-07-15 | Applied Materials Inc | Verfahren zur plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidung von Silizium-Oxynitridschichten |
EP0661731B1 (en) | 1993-12-28 | 2000-05-31 | Applied Materials, Inc. | A single chamber CVD process for thin film transistors |
US5645646A (en) | 1994-02-25 | 1997-07-08 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
JPH0845946A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | シリコン半導体単結晶基板の熱処理方法及び熱処理装置、半導体装置 |
JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Cvd装置の加熱装置 |
JPH097963A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 電気炉のデータ処理方法 |
US5633073A (en) | 1995-07-14 | 1997-05-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic susceptor with embedded metal electrode and eutectic connection |
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JPH09134886A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置のランピング温度制御方法 |
JP3563224B2 (ja) | 1996-03-25 | 2004-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置 |
DE69710655T2 (de) * | 1996-08-07 | 2002-10-31 | Concept Systems Design Inc | Gaseinleitsystem für CVD Reaktoren |
US5653808A (en) | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
EP0823492A3 (en) * | 1996-08-07 | 1999-01-20 | Concept Systems Design Inc. | Zone heating system with feedback control |
JPH10144655A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Sony Corp | ドライエッチング処理方法及びドライエッチング装置 |
US5812403A (en) * | 1996-11-13 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system |
US5970214A (en) * | 1998-05-14 | 1999-10-19 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
US5930456A (en) * | 1998-05-14 | 1999-07-27 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
-
1998
- 1998-07-13 US US09/115,112 patent/US6225601B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-08 TW TW088111625A patent/TW538010B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-13 KR KR1020017000516A patent/KR100638414B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-07-13 DE DE69906082T patent/DE69906082T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-13 WO PCT/US1999/015852 patent/WO2000002824A1/en active IP Right Grant
- 1999-07-13 JP JP2000559058A patent/JP4533984B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-13 EP EP99933984A patent/EP1097111B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6225601B1 (en) | 2001-05-01 |
EP1097111A1 (en) | 2001-05-09 |
DE69906082D1 (de) | 2003-04-24 |
JP2003527738A (ja) | 2003-09-16 |
TW538010B (en) | 2003-06-21 |
EP1097111B1 (en) | 2003-03-19 |
KR100638414B1 (ko) | 2006-10-24 |
WO2000002824A1 (en) | 2000-01-20 |
JP4533984B2 (ja) | 2010-09-01 |
DE69906082T2 (de) | 2004-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20010053512A (ko) | 기판 조작 챔버에서의 기판 지지대의 가열 방법 및 열적기판 조작 장치 | |
KR100434790B1 (ko) | 처리 장치 | |
US6340499B1 (en) | Method to increase gas residence time in a reactor | |
US7313931B2 (en) | Method and device for heat treatment | |
US5961850A (en) | Plasma processing method and apparatus | |
JP4325301B2 (ja) | 載置台、処理装置及び処理方法 | |
WO1992010308A1 (en) | Minimization of particle generation in cvd reactors and methods | |
KR19980018624A (ko) | 화학기상증착, 플라즈마강화 화학기상증착 또는 플라즈마 에치 반응기로부터의 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
KR20040007594A (ko) | Cvd용의 평탄한 다수부품의 기판 지지 부재 | |
JP3338884B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH06283430A (ja) | 単一チャンバー内で多層cvdを行なう方法 | |
KR20040096785A (ko) | 양극처리된 기판 지지부 | |
JP2002009064A (ja) | 試料の処理装置及び試料の処理方法 | |
JP3817414B2 (ja) | 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置 | |
US5747119A (en) | Vapor deposition method and apparatus | |
US20120082802A1 (en) | Power loading substrates to reduce particle contamination | |
WO2007081185A1 (en) | Heating apparatus for batch type reaction chamber | |
US11515129B2 (en) | Radiation shield modification for improving substrate temperature uniformity | |
JPH03183778A (ja) | 堆積膜形成方法及びその装置 | |
JPS6053751B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0383894A (ja) | 気相成長装置 | |
JPH07194965A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
WO2022202364A1 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造装置用の部品 | |
US6878406B2 (en) | Dynamic use of process temperature | |
JPS63270471A (ja) | プラズマcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120927 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130927 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140929 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160929 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |