JPH07194965A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置Info
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- JPH07194965A JPH07194965A JP35356293A JP35356293A JPH07194965A JP H07194965 A JPH07194965 A JP H07194965A JP 35356293 A JP35356293 A JP 35356293A JP 35356293 A JP35356293 A JP 35356293A JP H07194965 A JPH07194965 A JP H07194965A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ装置やスパッタ装置等の減圧又は真空
下で基板に成膜する装置で、基板を加熱する場合、基板
カート等に膜が堆積しても安定的に加熱し、基板温度の
ロットによる変動を少なくすることにある。 【構成】 真空又は減圧状態を保持し得るチャンバー
と、該チャンバー内に配設された基板１０を加熱する加
熱手段（３６）とを少なくとも備え、該チャンバー内で
該基板１０に成膜する成膜装置において、前記加熱手段
（３６）の放射面（３８）の少なくとも一部に放射率を
高める手段４０を施し、あるいは基板１０を保持して搬
送する基板カート１２の加熱される面の少なくとも一部
に吸収率を高める手段２４を施したことにある。
下で基板に成膜する装置で、基板を加熱する場合、基板
カート等に膜が堆積しても安定的に加熱し、基板温度の
ロットによる変動を少なくすることにある。 【構成】 真空又は減圧状態を保持し得るチャンバー
と、該チャンバー内に配設された基板１０を加熱する加
熱手段（３６）とを少なくとも備え、該チャンバー内で
該基板１０に成膜する成膜装置において、前記加熱手段
（３６）の放射面（３８）の少なくとも一部に放射率を
高める手段４０を施し、あるいは基板１０を保持して搬
送する基板カート１２の加熱される面の少なくとも一部
に吸収率を高める手段２４を施したことにある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は成膜方法及び成膜装置に
関し、更に詳しくは、ＣＶＤ装置やスパッタ装置等、減
圧又は真空下で基板に成膜する方法及びその装置に関す
る。
関し、更に詳しくは、ＣＶＤ装置やスパッタ装置等、減
圧又は真空下で基板に成膜する方法及びその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置やスパッタ装置等、プラズマ
放電を利用して、減圧下でシリコンウェーハやガラス、
プラスチック等の基板に、アモルファスシリコンや酸化
シリコン、窒化シリコン、酸化インジュウム等を成膜す
る装置では、減圧又は真空下で基板を加熱して成膜する
のが一般的である。
放電を利用して、減圧下でシリコンウェーハやガラス、
プラスチック等の基板に、アモルファスシリコンや酸化
シリコン、窒化シリコン、酸化インジュウム等を成膜す
る装置では、減圧又は真空下で基板を加熱して成膜する
のが一般的である。
【０００３】こうした装置では図８に示すように、生産
性を向上させるため、基板のロード室１、成膜室２、ア
ンロード室３を持ち、基板４を移動させる方式を採るも
のがある。このような装置においては、基板４を直接単
独で移動させず、基板４を基板カート５に取付け、その
基板カート５を移動させるのが一般的である。この場
合、基板４の加熱は基板カート５を加熱することによっ
て間接的に行われる。この基板カート５はステンレスス
チール（ＳＵＳ）等の金属製であることが多く、特にＣ
ＶＤ装置やスパッタ装置においては、基板カート５は通
常アノード電極としても用いられている。
性を向上させるため、基板のロード室１、成膜室２、ア
ンロード室３を持ち、基板４を移動させる方式を採るも
のがある。このような装置においては、基板４を直接単
独で移動させず、基板４を基板カート５に取付け、その
基板カート５を移動させるのが一般的である。この場
合、基板４の加熱は基板カート５を加熱することによっ
て間接的に行われる。この基板カート５はステンレスス
チール（ＳＵＳ）等の金属製であることが多く、特にＣ
ＶＤ装置やスパッタ装置においては、基板カート５は通
常アノード電極としても用いられている。
【０００４】ところで、成膜室２においては、ヒーター
は普通シースヒーター６が用いられていて、同図に示す
ようにシースヒーター６は基板カート５の面に向かって
設けられている。そして、基板カート５が移動するとい
う性質上、シースヒーター６と基板カート５との間には
間隙が空けられている。したがって、シースヒーター６
と基板カート５とは接触していないため、接触による直
接の熱伝導がなく、また、基板カート５の加熱は減圧又
は真空状態で行うことから対流による熱伝達の効果はほ
とんどなく、放射による熱伝達がほとんどとなる。
は普通シースヒーター６が用いられていて、同図に示す
ようにシースヒーター６は基板カート５の面に向かって
設けられている。そして、基板カート５が移動するとい
う性質上、シースヒーター６と基板カート５との間には
間隙が空けられている。したがって、シースヒーター６
と基板カート５とは接触していないため、接触による直
接の熱伝導がなく、また、基板カート５の加熱は減圧又
は真空状態で行うことから対流による熱伝達の効果はほ
とんどなく、放射による熱伝達がほとんどとなる。
【０００５】なお、単室から成る成膜装置であっても基
板カートを使う装置があり、かかる形式の成膜装置につ
いても、基板カートの加熱方法及び装置は上述とほぼ同
様であった。
板カートを使う装置があり、かかる形式の成膜装置につ
いても、基板カートの加熱方法及び装置は上述とほぼ同
様であった。
【０００６】このような装置で基板カート５に取り付け
られた基板４に、アモルファスシリコンやシリコンの酸
化膜、窒化膜、酸化インジュウム等を成膜すると、基板
カート５やシースヒーター６にも膜が堆積する。そし
て、これらに膜が堆積するにつれて放射率が変わり、加
熱効率が変化し、基板温度が変わる結果、ロットによる
変動を招く欠点があった。
られた基板４に、アモルファスシリコンやシリコンの酸
化膜、窒化膜、酸化インジュウム等を成膜すると、基板
カート５やシースヒーター６にも膜が堆積する。そし
て、これらに膜が堆積するにつれて放射率が変わり、加
熱効率が変化し、基板温度が変わる結果、ロットによる
変動を招く欠点があった。
【０００７】すなわち、シースヒーター６や基板カート
５はステンレススチールでできているのが一般的であ
り、このステンレススチールの放射率は０．２程度であ
るが、膜の堆積にしたがい放射率が大きくなる。そのた
め、ヒーター電流等の加熱条件を一定にしても、加熱の
効率が変化し、基板温度が変わってくるという問題があ
った。
５はステンレススチールでできているのが一般的であ
り、このステンレススチールの放射率は０．２程度であ
るが、膜の堆積にしたがい放射率が大きくなる。そのた
め、ヒーター電流等の加熱条件を一定にしても、加熱の
効率が変化し、基板温度が変わってくるという問題があ
った。
【０００８】しかも、シースヒーター６や基板カート５
は一定の回数使用すると、堆積した膜が剥がれてきて、
基板４に成膜する膜のピンホールや欠陥となるため、エ
ッチング等をして堆積した膜を除去する必要があった。
特に基板カート５の表面は堆積が早いため、エッチング
等をして堆積した膜を除去する頻度が高かった。このた
め、膜の付着の程度により基板温度が異なり、得られる
膜の特性がばらつくことになるという問題があった。
は一定の回数使用すると、堆積した膜が剥がれてきて、
基板４に成膜する膜のピンホールや欠陥となるため、エ
ッチング等をして堆積した膜を除去する必要があった。
特に基板カート５の表面は堆積が早いため、エッチング
等をして堆積した膜を除去する頻度が高かった。このた
め、膜の付着の程度により基板温度が異なり、得られる
膜の特性がばらつくことになるという問題があった。
【０００９】そこで、本発明者らはＣＶＤ装置やスパッ
タ装置等の減圧下で基板に成膜する装置で、基板を加熱
する場合、基板カート等に膜が堆積しても安定的に加熱
し、基板温度のロットによる変動を少なくすることを目
的に鋭意研究と検討を重ねた結果、上記事態を防ぐに
は、ヒーターや基板カートを予め処理して、放射率を高
めておくのが効果的であることを見い出し、本発明に至
ったのである。
タ装置等の減圧下で基板に成膜する装置で、基板を加熱
する場合、基板カート等に膜が堆積しても安定的に加熱
し、基板温度のロットによる変動を少なくすることを目
的に鋭意研究と検討を重ねた結果、上記事態を防ぐに
は、ヒーターや基板カートを予め処理して、放射率を高
めておくのが効果的であることを見い出し、本発明に至
ったのである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る成膜方法の
要旨とするところは、真空又は減圧下で基板を加熱し、
該基板の片面に成膜する方法において、前記基板の成膜
面とは反対側に配設される加熱手段の放射面の少なくと
も一部に放射率を高める処理をし、該基板を昇温させ易
くしたことにある。
要旨とするところは、真空又は減圧下で基板を加熱し、
該基板の片面に成膜する方法において、前記基板の成膜
面とは反対側に配設される加熱手段の放射面の少なくと
も一部に放射率を高める処理をし、該基板を昇温させ易
くしたことにある。
【００１１】また、本発明に係る成膜方法の他の要旨と
するところは、真空又は減圧下で基板を加熱し、該基板
の片面に成膜する方法において、前記基板を保持して搬
送する基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸
収率を高める処理をし、該基板カートを介して基板を昇
温させ易くしたことにある。
するところは、真空又は減圧下で基板を加熱し、該基板
の片面に成膜する方法において、前記基板を保持して搬
送する基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸
収率を高める処理をし、該基板カートを介して基板を昇
温させ易くしたことにある。
【００１２】次に、本発明に係る成膜装置の要旨とする
ところは、真空又は減圧状態を保持し得るチャンバー
と、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱手
段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成膜
する成膜装置において、前記加熱手段の放射面の少なく
とも一部に放射率を高める手段が施されていることにあ
る。
ところは、真空又は減圧状態を保持し得るチャンバー
と、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱手
段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成膜
する成膜装置において、前記加熱手段の放射面の少なく
とも一部に放射率を高める手段が施されていることにあ
る。
【００１３】また、本発明に係る成膜装置の他の要旨と
するところは、真空又は減圧状態を保持し得るチャンバ
ーと、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱
手段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成
膜する成膜装置において、前記基板を保持して搬送する
基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸収率を
高める手段が施されていることにある。
するところは、真空又は減圧状態を保持し得るチャンバ
ーと、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱
手段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成
膜する成膜装置において、前記基板を保持して搬送する
基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸収率を
高める手段が施されていることにある。
【００１４】かかる本発明の成膜装置において、前記放
射率を高める手段又は吸収率を高める手段は８〜１４μ
ｍの波長において０．５以上、好ましくは０．８以上、
より好ましくは０．９以上の放射率を有する部材である
ことにある。
射率を高める手段又は吸収率を高める手段は８〜１４μ
ｍの波長において０．５以上、好ましくは０．８以上、
より好ましくは０．９以上の放射率を有する部材である
ことにある。
【００１５】
【作用】本発明に係る成膜方法は基板を加熱する加熱手
段の放射面の少なくとも一部に放射率を高める処理を
し、あるいは加熱手段によって加熱される基板カートの
面の少なくとも一部に吸収率を高める処理をして、基板
の温度を昇温させ易くしている。一方、本発明に係る成
膜装置は基板を加熱する加熱手段の放射面の少なくとも
一部に放射率を高める手段を施し、あるいは加熱手段に
よって加熱される基板カートの面の少なくとも一部に吸
収率を高める手段を施して、基板の温度を昇温させ易く
している。したがって、予め加熱手段又は基板カートの
放射率（吸収率）を高めておくことによって、加熱手段
や基板カートに膜が徐々に堆積していっても、その堆積
した膜による放射率の上昇は予め高められた加熱手段又
は基板カートの放射率（吸収率）の値に近づくだけであ
り、放射率の変化は少なく基板温度の変化も抑えられ
る。
段の放射面の少なくとも一部に放射率を高める処理を
し、あるいは加熱手段によって加熱される基板カートの
面の少なくとも一部に吸収率を高める処理をして、基板
の温度を昇温させ易くしている。一方、本発明に係る成
膜装置は基板を加熱する加熱手段の放射面の少なくとも
一部に放射率を高める手段を施し、あるいは加熱手段に
よって加熱される基板カートの面の少なくとも一部に吸
収率を高める手段を施して、基板の温度を昇温させ易く
している。したがって、予め加熱手段又は基板カートの
放射率（吸収率）を高めておくことによって、加熱手段
や基板カートに膜が徐々に堆積していっても、その堆積
した膜による放射率の上昇は予め高められた加熱手段又
は基板カートの放射率（吸収率）の値に近づくだけであ
り、放射率の変化は少なく基板温度の変化も抑えられ
る。
【００１６】
【実施例】次に、本発明に係る成膜方法及び成膜装置の
実施例について、図面に基づいて詳しく説明する。
実施例について、図面に基づいて詳しく説明する。
【００１７】図１に示すように、基板１０の表面に成膜
するために、その基板１０を保持して成膜装置内を搬送
させること等を目的に使用される基板カート１２は、基
板ホルダー１４と基板押さえプレート１６から構成され
ている。基板ホルダー１４は基板１０の外周部を保持す
る段部１８と、基板１０の成膜面２０を開口する開口部
２２を備えて構成されている。一方、基板押さえプレー
ト１６は基板ホルダー１４の段部１８に収納された基板
１０を押さえて安定させるとともに、基板１０に熱を伝
えるために用いられる。
するために、その基板１０を保持して成膜装置内を搬送
させること等を目的に使用される基板カート１２は、基
板ホルダー１４と基板押さえプレート１６から構成され
ている。基板ホルダー１４は基板１０の外周部を保持す
る段部１８と、基板１０の成膜面２０を開口する開口部
２２を備えて構成されている。一方、基板押さえプレー
ト１６は基板ホルダー１４の段部１８に収納された基板
１０を押さえて安定させるとともに、基板１０に熱を伝
えるために用いられる。
【００１８】この基板カート１２は成膜装置における成
膜室において、その基板ホルダー１４の開口部２２側が
成膜装置のカソード電極と対向させられて配置され、一
方、その基板押さえプレート１６側が基板１０を所定の
成膜温度に保つために加熱する加熱手段と対向させられ
て配置される。そして、基板カート１２特に基板押さえ
プレート１６は成膜装置のカソード電極に対応するアノ
ード電極としても機能させられ、両電極に挟まれて位置
する基板１０に成膜されるように構成されている。
膜室において、その基板ホルダー１４の開口部２２側が
成膜装置のカソード電極と対向させられて配置され、一
方、その基板押さえプレート１６側が基板１０を所定の
成膜温度に保つために加熱する加熱手段と対向させられ
て配置される。そして、基板カート１２特に基板押さえ
プレート１６は成膜装置のカソード電極に対応するアノ
ード電極としても機能させられ、両電極に挟まれて位置
する基板１０に成膜されるように構成されている。
【００１９】更に、基板カート１２における基板押さえ
プレート１６及び基板ホルダー１４の加熱手段と対向さ
せられる面には、吸収率（放射率）の高い部材２４が被
着されている。吸収率の高い部材２４としては遠赤外線
放射塗料を塗布乾燥させたものであっても良く、あるい
は吸収率の高いたとえばガラス等の粉粒体をバインダー
で接着したものであっても良い。更に、吸収率の高い部
材２４として、アモルファスシリコンa-Siや酸化シリコ
ン、窒化シリコンあるいは酸化インジュウム等を被着さ
せた後、エッチング液によってエッチングされないよう
に表面処理を施したものであっても良い。
プレート１６及び基板ホルダー１４の加熱手段と対向さ
せられる面には、吸収率（放射率）の高い部材２４が被
着されている。吸収率の高い部材２４としては遠赤外線
放射塗料を塗布乾燥させたものであっても良く、あるい
は吸収率の高いたとえばガラス等の粉粒体をバインダー
で接着したものであっても良い。更に、吸収率の高い部
材２４として、アモルファスシリコンa-Siや酸化シリコ
ン、窒化シリコンあるいは酸化インジュウム等を被着さ
せた後、エッチング液によってエッチングされないよう
に表面処理を施したものであっても良い。
【００２０】かかる構成の基板カート１２を用いて成膜
装置により基板１０の表面に成膜するには、まず基板１
０を同図１(b) に示すように基板カート１２に設定し、
その基板カート１２を成膜装置のロード室に入れ、真空
又は減圧下で加熱手段により加熱し、基板１０を成膜温
度まで高める。次に、基板カート１２を真空又は減圧下
でロード室から成膜室に移し、加熱手段によって基板カ
ート１２を加熱して、その基板カート１２からの熱伝導
により基板１０を加熱し、基板１０を所定の成膜温度に
保持する。
装置により基板１０の表面に成膜するには、まず基板１
０を同図１(b) に示すように基板カート１２に設定し、
その基板カート１２を成膜装置のロード室に入れ、真空
又は減圧下で加熱手段により加熱し、基板１０を成膜温
度まで高める。次に、基板カート１２を真空又は減圧下
でロード室から成膜室に移し、加熱手段によって基板カ
ート１２を加熱して、その基板カート１２からの熱伝導
により基板１０を加熱し、基板１０を所定の成膜温度に
保持する。
【００２１】その際、基板カート１２の加熱手段側にあ
る基板押さえプレート１６及び基板ホルダー１４の表面
には吸収率の高い部材２４が被着されているため、加熱
手段からの放射熱を効率良く吸収して基板カート１２の
温度が高められ、基板カート１２からの熱伝導によって
基板１０が加熱される。そして、基板カート１４の温度
が効率良く高められることにより、基板１０はほぼ安定
した成膜温度を維持することができ、したがって成膜を
安定して行うことができる。また、基板１０に成膜する
のに伴って、基板カート１２の基板ホルダー１４や加熱
手段の放射面にも成膜されてしまうが、かかる膜の堆積
によって基板カート１２や加熱手段の放射率が高くなっ
てしまう。しかし、基板カート１２の放射率（吸収率）
は予め吸収率の高い部材２４が被着されているため、放
射率が変化することはほとんどない。
る基板押さえプレート１６及び基板ホルダー１４の表面
には吸収率の高い部材２４が被着されているため、加熱
手段からの放射熱を効率良く吸収して基板カート１２の
温度が高められ、基板カート１２からの熱伝導によって
基板１０が加熱される。そして、基板カート１４の温度
が効率良く高められることにより、基板１０はほぼ安定
した成膜温度を維持することができ、したがって成膜を
安定して行うことができる。また、基板１０に成膜する
のに伴って、基板カート１２の基板ホルダー１４や加熱
手段の放射面にも成膜されてしまうが、かかる膜の堆積
によって基板カート１２や加熱手段の放射率が高くなっ
てしまう。しかし、基板カート１２の放射率（吸収率）
は予め吸収率の高い部材２４が被着されているため、放
射率が変化することはほとんどない。
【００２２】次に、基板１０に所定の成膜が施された
後、基板カート１２は真空又は減圧下で成膜室からアン
ロード室に移動させられ、このアンロード室で基板カー
ト１２や基板１０の温度が下げられる。そして、温度が
充分下がった後に基板カート１２はアンロード室から外
部に出される。
後、基板カート１２は真空又は減圧下で成膜室からアン
ロード室に移動させられ、このアンロード室で基板カー
ト１２や基板１０の温度が下げられる。そして、温度が
充分下がった後に基板カート１２はアンロード室から外
部に出される。
【００２３】上述の一連の成膜作業が繰り返してなされ
ることになるが、成膜作業が繰り返してなされることに
よって、基板カート１２の表面や加熱手段の放射面には
膜が堆積し、遂には堆積した膜が剥がれ落ちるようにな
る。そこで、膜が剥がれ落ちる前に基板カート１２等は
エッチング処理によってその膜が除去されることにな
る。しかし、基板カート１２には吸収率の高い部材２４
が被着されていて、それがエッチング処理によって除去
されることはないため、基板カート１２の吸収率（放射
率）は高く保持されることになり、安定した条件で繰り
返して成膜を行うことができる。
ることになるが、成膜作業が繰り返してなされることに
よって、基板カート１２の表面や加熱手段の放射面には
膜が堆積し、遂には堆積した膜が剥がれ落ちるようにな
る。そこで、膜が剥がれ落ちる前に基板カート１２等は
エッチング処理によってその膜が除去されることにな
る。しかし、基板カート１２には吸収率の高い部材２４
が被着されていて、それがエッチング処理によって除去
されることはないため、基板カート１２の吸収率（放射
率）は高く保持されることになり、安定した条件で繰り
返して成膜を行うことができる。
【００２４】以上、本発明に係る成膜方法及び成膜装置
の一実施例を説明したが、本発明は上述の実施例に限定
されるものではない。
の一実施例を説明したが、本発明は上述の実施例に限定
されるものではない。
【００２５】たとえば図２に示すように、基板カート１
２の基板ホルダー１４及び基板押さえプレート１６の加
熱手段と対向する面２６をサンドブラストやショットピ
ーニング等の物理的方法で、あるいは化学薬品による腐
食等の化学的方法によって、表面を荒らすことにより放
射率（吸収率）を高めることも可能である。本発明者ら
によれば、ＳＵＳ製の基板カートにサンドブラストで表
面を荒らしたところ、荒らした面の放射率として０．７
が得られた。
２の基板ホルダー１４及び基板押さえプレート１６の加
熱手段と対向する面２６をサンドブラストやショットピ
ーニング等の物理的方法で、あるいは化学薬品による腐
食等の化学的方法によって、表面を荒らすことにより放
射率（吸収率）を高めることも可能である。本発明者ら
によれば、ＳＵＳ製の基板カートにサンドブラストで表
面を荒らしたところ、荒らした面の放射率として０．７
が得られた。
【００２６】また、上記図２に示す面２６に、サンドブ
ラスト等の代わりにグラスファイバーやグラス短繊維等
を被着させて表面を被覆するグラスライニングを施して
も良い。グラスライニングは基板カート１２の表面２６
に直接施しても良いが、予めたとえばグラスライニング
が施された鋼板等をその面２６に被着させることも可能
である。かかる方法により、放射率０．９の基板カート
が得られた。
ラスト等の代わりにグラスファイバーやグラス短繊維等
を被着させて表面を被覆するグラスライニングを施して
も良い。グラスライニングは基板カート１２の表面２６
に直接施しても良いが、予めたとえばグラスライニング
が施された鋼板等をその面２６に被着させることも可能
である。かかる方法により、放射率０．９の基板カート
が得られた。
【００２７】更に、図３に示すように、基板カートの基
板押さえプレート２８の加熱手段と対向する面３０に矩
形の凹所３２を設けるとともに、その凹所３２にたとえ
ば放射率０．９のガラス板３４を配設して、基板押さえ
プレート２８を構成しても良い。かかる構成において、
放射率の異なるガラス板を配設しても良く、あるいはガ
ラス板以外のたとえば高い放射率を有するセラミック板
等を配設することも可能である。なお、本実施例では４
枚のガラス板３４を配設しているが、１枚のガラス板で
あっても、あるいは長方形状の２枚のガラス板であって
も良く、特に限定されるものではない。
板押さえプレート２８の加熱手段と対向する面３０に矩
形の凹所３２を設けるとともに、その凹所３２にたとえ
ば放射率０．９のガラス板３４を配設して、基板押さえ
プレート２８を構成しても良い。かかる構成において、
放射率の異なるガラス板を配設しても良く、あるいはガ
ラス板以外のたとえば高い放射率を有するセラミック板
等を配設することも可能である。なお、本実施例では４
枚のガラス板３４を配設しているが、１枚のガラス板で
あっても、あるいは長方形状の２枚のガラス板であって
も良く、特に限定されるものではない。
【００２８】次に、基板カートの他に、加熱手段に放射
率を高める処理（手段）を施すことも可能である。たと
えば図４に示すように、加熱手段であるヒーター３６に
はステンレススチール等から成るヒーター板（放射板）
３８が取り付けられていて、このヒーター板３８を介し
て熱を均一に放射し得るように構成されている。そこ
で、このヒーター板３８の表面に前述と同様に、放射率
の高い部材４０を被着させるのである。放射率の高い部
材４０としては同様に遠赤外線放射塗料を塗布乾燥させ
たものであっても良く、あるいは放射率の高いたとえば
ガラス等の粉粒体をバインダーで接着したものであって
も良い。更に、放射率の高い部材４０として、アモルフ
ァスシリコンa-Siや酸化シリコン、窒化シリコンあるい
は酸化インジュウム等を被着させた後、エッチング液に
よってエッチングされないように表面処理を施したもの
であっても良い。
率を高める処理（手段）を施すことも可能である。たと
えば図４に示すように、加熱手段であるヒーター３６に
はステンレススチール等から成るヒーター板（放射板）
３８が取り付けられていて、このヒーター板３８を介し
て熱を均一に放射し得るように構成されている。そこ
で、このヒーター板３８の表面に前述と同様に、放射率
の高い部材４０を被着させるのである。放射率の高い部
材４０としては同様に遠赤外線放射塗料を塗布乾燥させ
たものであっても良く、あるいは放射率の高いたとえば
ガラス等の粉粒体をバインダーで接着したものであって
も良い。更に、放射率の高い部材４０として、アモルフ
ァスシリコンa-Siや酸化シリコン、窒化シリコンあるい
は酸化インジュウム等を被着させた後、エッチング液に
よってエッチングされないように表面処理を施したもの
であっても良い。
【００２９】このように加熱手段であるヒーター３６に
ついても放射率の高い部材４０を配設することによっ
て、基板カートを効率的に加熱することができる。特
に、成膜を繰り返すことにより、ヒーター板３８の表面
に膜が堆積して、その膜による放射率が上昇しても、そ
の放射率は予めヒーター板３８の表面に被着された部材
４０の放射率に近づくだけであり、ヒーター板３８の全
体としての放射率はほとんど変化することはない。した
がって、安定した基板温度が得られ、成膜の品質が安定
することになる。
ついても放射率の高い部材４０を配設することによっ
て、基板カートを効率的に加熱することができる。特
に、成膜を繰り返すことにより、ヒーター板３８の表面
に膜が堆積して、その膜による放射率が上昇しても、そ
の放射率は予めヒーター板３８の表面に被着された部材
４０の放射率に近づくだけであり、ヒーター板３８の全
体としての放射率はほとんど変化することはない。した
がって、安定した基板温度が得られ、成膜の品質が安定
することになる。
【００３０】また、図５に示すように、前述の実施例と
同様、ヒーター板３８の表面４２をサンドブラストやシ
ョットピーニング等の物理的方法等によって、表面を荒
らすことにより放射率（吸収率）を高めることも可能で
ある。更に、サンドブラスト等の代わりにグラスライニ
ングを施しても良い。グラスライニングはヒーター板３
８の表面に直接施しても良いが、予めたとえばグラスラ
イニングが施された鋼板等をその面に被着させることも
可能である。
同様、ヒーター板３８の表面４２をサンドブラストやシ
ョットピーニング等の物理的方法等によって、表面を荒
らすことにより放射率（吸収率）を高めることも可能で
ある。更に、サンドブラスト等の代わりにグラスライニ
ングを施しても良い。グラスライニングはヒーター板３
８の表面に直接施しても良いが、予めたとえばグラスラ
イニングが施された鋼板等をその面に被着させることも
可能である。
【００３１】更に、図６に示すように、ヒーター４４の
ヒーター板４６の表面に、たとえば放射率０．９のガラ
ス板４８を取り付け治具５０を用いて固定しても良い。
かかる構成において、放射率の異なる他のガラス板を配
設しても良く、あるいはガラス板以外のたとえば高い放
射率を有するセラミック板等を配設することも可能であ
る。なお、本実施例では４枚のガラス板４８を配設して
いるが、１枚のガラス板であっても、あるいは長方形状
の２枚のガラス板であっても良く、特に限定されるもの
ではない。
ヒーター板４６の表面に、たとえば放射率０．９のガラ
ス板４８を取り付け治具５０を用いて固定しても良い。
かかる構成において、放射率の異なる他のガラス板を配
設しても良く、あるいはガラス板以外のたとえば高い放
射率を有するセラミック板等を配設することも可能であ
る。なお、本実施例では４枚のガラス板４８を配設して
いるが、１枚のガラス板であっても、あるいは長方形状
の２枚のガラス板であっても良く、特に限定されるもの
ではない。
【００３２】以上、本発明に係る成膜方法及び成膜装置
の実施例を図面に基づいて説明したが、本発明は図示し
た実施例に限定されるものではない。
の実施例を図面に基づいて説明したが、本発明は図示し
た実施例に限定されるものではない。
【００３３】たとえば、前述の実施例では、基板カート
の片面のみに放射率を高める処理をしたが、両面あるい
は全表面に放射率を高める処理をしても良い。また、全
面でなく部分的に処理しても良い。
の片面のみに放射率を高める処理をしたが、両面あるい
は全表面に放射率を高める処理をしても良い。また、全
面でなく部分的に処理しても良い。
【００３４】また、放射率（吸収率）を高める処理とし
ては上述の実施例のほかに、一般的な金属の種々の防食
処理が使える。たとえば、フッ素樹脂ライニングなどの
有機ライニングや、溶射法や気相被覆形成法で行うセラ
ミックコーティング、陽極酸化処理や化学化成処理が挙
げられる。
ては上述の実施例のほかに、一般的な金属の種々の防食
処理が使える。たとえば、フッ素樹脂ライニングなどの
有機ライニングや、溶射法や気相被覆形成法で行うセラ
ミックコーティング、陽極酸化処理や化学化成処理が挙
げられる。
【００３５】更に、放射率を高める処理や手段は加熱手
段あるいは基板カートのいずれか一方にのみ施しても良
いが、双方に施しても良いのは言うまでもない。この場
合、上述の放射率を高める処理や手段を適宜組み合わせ
て用いることができるのは当然である。その他、本発明
はＣＶＤ装置やスパッタ装置だけでなく、真空又は減圧
状態で対象物を加熱する場合で、ヒーターと被加熱物が
離れていて、被加熱物の表面が金属のような低放射率で
ある場合、被加熱物に接して高放射率の材質を配置すれ
ば効率よく加熱できるものであり、本発明はその趣旨を
逸脱しない範囲内で、当業者の知識に基づき種々なる改
良、修正、変形を加えた態様で実施し得るものである。
段あるいは基板カートのいずれか一方にのみ施しても良
いが、双方に施しても良いのは言うまでもない。この場
合、上述の放射率を高める処理や手段を適宜組み合わせ
て用いることができるのは当然である。その他、本発明
はＣＶＤ装置やスパッタ装置だけでなく、真空又は減圧
状態で対象物を加熱する場合で、ヒーターと被加熱物が
離れていて、被加熱物の表面が金属のような低放射率で
ある場合、被加熱物に接して高放射率の材質を配置すれ
ば効率よく加熱できるものであり、本発明はその趣旨を
逸脱しない範囲内で、当業者の知識に基づき種々なる改
良、修正、変形を加えた態様で実施し得るものである。
【００３６】実施例 １ 図４に示す加熱手段であるヒーター３６のヒーター板
（放射板）３８、及び図１に示すこのヒーター板３８に
対向する基板カート１２の基板ホルダー１４並びに基板
押さえプレート１６の表面に、「おきつも遠赤外線放射
塗料」（三重油脂化工株式会社製）をスプレー塗装し、
２５０℃で２０分間焼き付けた。得られたヒーター板３
８及び基板カート１２を３００℃に設定した炉中に入
れ、熱電対、及び赤外線放射温度計ＫＴ−１５（測定波
長８〜１４μｍ）（ハイマン・オプトエレクトロニクス
社製）で温度を測定し、放射率を計算した。その結果、
放射率はいずれも０．９であることを確認した。
（放射板）３８、及び図１に示すこのヒーター板３８に
対向する基板カート１２の基板ホルダー１４並びに基板
押さえプレート１６の表面に、「おきつも遠赤外線放射
塗料」（三重油脂化工株式会社製）をスプレー塗装し、
２５０℃で２０分間焼き付けた。得られたヒーター板３
８及び基板カート１２を３００℃に設定した炉中に入
れ、熱電対、及び赤外線放射温度計ＫＴ−１５（測定波
長８〜１４μｍ）（ハイマン・オプトエレクトロニクス
社製）で温度を測定し、放射率を計算した。その結果、
放射率はいずれも０．９であることを確認した。
【００３７】次に、そのヒーター板を図７に示すＣＶＤ
装置５２に設置し、また、上記処理した基板カート１２
を使用してそれにガラス基板１０をセットし、アモルフ
ァスシリコンの成膜回数による基板温度の経時変化を調
べた。成膜条件は設定温度を３００℃とし、一回の成膜
につき約１μｍのアモルファスシリコン膜を成膜した。
基板温度は同図に示すように熱電対５４をセットして調
べた。
装置５２に設置し、また、上記処理した基板カート１２
を使用してそれにガラス基板１０をセットし、アモルフ
ァスシリコンの成膜回数による基板温度の経時変化を調
べた。成膜条件は設定温度を３００℃とし、一回の成膜
につき約１μｍのアモルファスシリコン膜を成膜した。
基板温度は同図に示すように熱電対５４をセットして調
べた。
【００３８】その結果、上記処理したＳＵＳ製のヒータ
ー板３８及び基板カート１２と、上記処理を行っていな
いヒーター板及び基板カートを用いたものと比較して、
処理したヒーター板３８及び基板カート１２を使用した
ものの方が基板温度の経時変化が少なかった。また、基
板カート１２を複数使用して成膜する場合、基板カート
１２間の基板温度の差を抑えることができた。更に、ガ
ラス基板１０の昇温時間も短縮できた。
ー板３８及び基板カート１２と、上記処理を行っていな
いヒーター板及び基板カートを用いたものと比較して、
処理したヒーター板３８及び基板カート１２を使用した
ものの方が基板温度の経時変化が少なかった。また、基
板カート１２を複数使用して成膜する場合、基板カート
１２間の基板温度の差を抑えることができた。更に、ガ
ラス基板１０の昇温時間も短縮できた。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る成膜方法及び成膜装置は、
放射率を高める処理をし、あるいは放射率を高める手段
を施しているため、ＣＶＤ装置やスパッタ装置など減圧
又は真空下で成膜する装置において、成膜に伴い加熱手
段や基板カートに堆積する膜による放射率の上昇は、予
め高められた放射率の値に近づくだけとなる。このた
め、基板カートの経時変化や、基板カートの差による基
板温度のばらつきを少なくでき、したがって、成膜され
た膜の特性を一定にでき、その膜で構成される半導体デ
バイス等の電子デバイスの安定的な製造に寄与する。
放射率を高める処理をし、あるいは放射率を高める手段
を施しているため、ＣＶＤ装置やスパッタ装置など減圧
又は真空下で成膜する装置において、成膜に伴い加熱手
段や基板カートに堆積する膜による放射率の上昇は、予
め高められた放射率の値に近づくだけとなる。このた
め、基板カートの経時変化や、基板カートの差による基
板温度のばらつきを少なくでき、したがって、成膜され
た膜の特性を一定にでき、その膜で構成される半導体デ
バイス等の電子デバイスの安定的な製造に寄与する。
【図１】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である基板カートについての実施例を説明するための図
であり、同図(a) は展開要部断面説明図、同図(b) は断
面説明図、同図(c) は平面説明図である。
である基板カートについての実施例を説明するための図
であり、同図(a) は展開要部断面説明図、同図(b) は断
面説明図、同図(c) は平面説明図である。
【図２】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である基板カートについての他の実施例を説明するため
の断面説明図である。
である基板カートについての他の実施例を説明するため
の断面説明図である。
【図３】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である基板カートについての更に他の実施例を説明する
ための図であり、同図(a) は平面説明図、同図(b) は断
面説明図である。
である基板カートについての更に他の実施例を説明する
ための図であり、同図(a) は平面説明図、同図(b) は断
面説明図である。
【図４】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である加熱手段についての実施例を説明するための側面
説明図である。
である加熱手段についての実施例を説明するための側面
説明図である。
【図５】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である加熱手段についての他の実施例を説明するための
側面説明図である。
である加熱手段についての他の実施例を説明するための
側面説明図である。
【図６】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例
である加熱手段についての更に他の実施例を説明するた
めの図であり、同図(a) は側面説明図、同図(b) は底面
説明図である。
である加熱手段についての更に他の実施例を説明するた
めの図であり、同図(a) は側面説明図、同図(b) は底面
説明図である。
【図７】本発明に係る成膜方法及び成膜装置の実験例を
説明するための概念図である。
説明するための概念図である。
【図８】成膜方法及び成膜装置の一例を説明するための
概念図である。
概念図である。
１０；基板 １２；基板カート １４；基板ホルダー １６，２８；基板押さえプレート ２４，４０；放射率の高い部材 ２６，４２；放射率を高める手段 ３４，４８；ガラス（放射率を高める手段） ３６，４４；ヒーター（加熱手段） ３８，４６；ヒーター板（放射面） ５２；成膜装置
Claims (5)
- 【請求項１】 真空又は減圧下で基板を加熱し、該基板
の片面に成膜する方法において、前記基板の成膜面とは
反対側に配設される加熱手段の放射面の少なくとも一部
に放射率を高める処理をし、該基板を昇温させ易くした
ことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 真空又は減圧下で基板を加熱し、該基板
の片面に成膜する方法において、前記基板を保持して搬
送する基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸
収率を高める処理をし、該基板カートを介して基板を昇
温させ易くしたことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項３】 真空又は減圧状態を保持し得るチャンバ
ーと、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱
手段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成
膜する成膜装置において、前記加熱手段の放射面の少な
くとも一部に放射率を高める手段が施されていることを
特徴とする成膜装置。 - 【請求項４】 真空又は減圧状態を保持し得るチャンバ
ーと、該チャンバー内に配設された基板を加熱する加熱
手段とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板に成
膜する成膜装置において、前記基板を保持して搬送する
基板カートの加熱される面の少なくとも一部に吸収率を
高める手段が施されていることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項５】 前記放射率を高める手段又は吸収率を高
める手段は８〜１４μｍの波長において０．５以上、好
ましくは０．８以上、より好ましくは０．９以上の放射
率を有する部材であることを特徴とする請求項３又は請
求項４に記載する成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35356293A JPH07194965A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 成膜方法及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35356293A JPH07194965A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 成膜方法及び成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07194965A true JPH07194965A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18431680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35356293A Pending JPH07194965A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 成膜方法及び成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07194965A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056561A (ja) * | 2003-10-16 | 2010-03-11 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| WO2012122253A2 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing |
| JP2013503490A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス分配シャワーヘッドおよび洗浄方法 |
| US9076827B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber metrology for improved device yield |
| US9960287B2 (en) | 2014-02-11 | 2018-05-01 | Picasolar, Inc. | Solar cells and methods of fabrication thereof |
| WO2020090164A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35356293A patent/JPH07194965A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056561A (ja) * | 2003-10-16 | 2010-03-11 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2013503490A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス分配シャワーヘッドおよび洗浄方法 |
| US9076827B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber metrology for improved device yield |
| US10103288B2 (en) | 2010-09-14 | 2018-10-16 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber metrology for improved device yield |
| WO2012122253A2 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing |
| WO2012122253A3 (en) * | 2011-03-10 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing |
| US9960287B2 (en) | 2014-02-11 | 2018-05-01 | Picasolar, Inc. | Solar cells and methods of fabrication thereof |
| WO2020090164A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JPWO2020090164A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2021-09-02 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| US11239063B2 (en) | 2018-10-30 | 2022-02-01 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041222 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050111 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050225 |