JP3008192B2 - 化学気相蒸着の加熱装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相蒸着（Ch
emical Vapor Deposition）の加熱装置に係るもの
で、詳しくは、反射板及び石英板を配設することにより
塵ごみ等の付着を防止するとともに、大面積の被加熱
体、例えばウェーハに形成される領域別の薄膜の厚さ、
及び温度分布を均一化し得る化学気相蒸着の加熱装置に
関するものである。
emical Vapor Deposition）の加熱装置に係るもの
で、詳しくは、反射板及び石英板を配設することにより
塵ごみ等の付着を防止するとともに、大面積の被加熱
体、例えばウェーハに形成される領域別の薄膜の厚さ、
及び温度分布を均一化し得る化学気相蒸着の加熱装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、化学気相蒸着の加熱装置は、
（ｉ）ランプ加熱方式を用いた装置、（ii）加熱ヒータ
ーを用いた装置、及び（iii ）赤外線又は高周波加熱方
式を用いながらサセプター（susceptor ）を使用した装
置の三つに大別することができる。そして、前記（ｉ）
に記載のランプ加熱方式の一例を説明すると、間接加熱
方式であって、図７に示したように、加熱部位をゾーン
（Zone）別に分離し、各ゾーン毎にランプ１（約１０〜
２０個）を均一な間隔に複数配列し、所望の熱を得るよ
うになっていた。
（ｉ）ランプ加熱方式を用いた装置、（ii）加熱ヒータ
ーを用いた装置、及び（iii ）赤外線又は高周波加熱方
式を用いながらサセプター（susceptor ）を使用した装
置の三つに大別することができる。そして、前記（ｉ）
に記載のランプ加熱方式の一例を説明すると、間接加熱
方式であって、図７に示したように、加熱部位をゾーン
（Zone）別に分離し、各ゾーン毎にランプ１（約１０〜
２０個）を均一な間隔に複数配列し、所望の熱を得るよ
うになっていた。
【０００３】また、前記（ii）に記載の加熱ヒーターを
用いた装置においては、殆どが、直接抵抗加熱式であっ
て、端子に電源を接続し、所望の熱を得るようになって
いた。更に、前記（iii ）に記載の赤外線又は高周波加
熱方式を用いながらサセプターを使用した装置において
は、ランプ内に特殊なガスを充填させ、そのとき、発生
する強烈な光により所望の熱を得るようになっていた。
用いた装置においては、殆どが、直接抵抗加熱式であっ
て、端子に電源を接続し、所望の熱を得るようになって
いた。更に、前記（iii ）に記載の赤外線又は高周波加
熱方式を用いながらサセプターを使用した装置において
は、ランプ内に特殊なガスを充填させ、そのとき、発生
する強烈な光により所望の熱を得るようになっていた。
【０００４】尚、同図中、符号２は水晶板（Quartz pl
ate ）、符号３はウェーハ、符号４はＡｕコーティング
を夫々示したものである。
ate ）、符号３はウェーハ、符号４はＡｕコーティング
を夫々示したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の化学気相蒸着の加熱装置においては、直接加熱方式
の加熱ヒーターを用いるか、又は赤外線及び高周波加熱
方式を用いながらサセプターを使用して加熱すると、加
熱及び冷却に所要される時間が長引くという不都合な点
があった。
来の化学気相蒸着の加熱装置においては、直接加熱方式
の加熱ヒーターを用いるか、又は赤外線及び高周波加熱
方式を用いながらサセプターを使用して加熱すると、加
熱及び冷却に所要される時間が長引くという不都合な点
があった。
【０００６】即ち、前記赤外線及び高周波を用いて加熱
する場合、図８に示したように、室温から高温に昇温さ
れる時間は、１０〜１５分程かかるが、温度の下降時間
は、真空状態で、６０〜１２０分程かかり、非常に長い
時間を必要とする。これにより、熱損失も大きくなるた
め、非経済的であるという不都合な点があった。又、前
記間接加熱方式を用いたランプ加熱の場合は、図８に示
したように、昇温速度が、１０〜３０秒であり、温度の
下降速度は１〜５分程でかなり速いが、金属層とシリコ
ン層との温度が相異するため、大面積のウェーハを加熱
する場合は、領域別の加熱温度分布が均一にならず、温
度制御を効率的に行うことができないという不都合な点
があった。
する場合、図８に示したように、室温から高温に昇温さ
れる時間は、１０〜１５分程かかるが、温度の下降時間
は、真空状態で、６０〜１２０分程かかり、非常に長い
時間を必要とする。これにより、熱損失も大きくなるた
め、非経済的であるという不都合な点があった。又、前
記間接加熱方式を用いたランプ加熱の場合は、図８に示
したように、昇温速度が、１０〜３０秒であり、温度の
下降速度は１〜５分程でかなり速いが、金属層とシリコ
ン層との温度が相異するため、大面積のウェーハを加熱
する場合は、領域別の加熱温度分布が均一にならず、温
度制御を効率的に行うことができないという不都合な点
があった。
【０００７】そこで、本発明は、このような従来の問題
点に鑑みてなされたもので、石英板及び上、下部反射板
を配設して熱の均一なフィールドを形成し、大面積の被
加熱体も、領域別に形成される薄膜の厚さ及び温度分布
を均一にして、被加熱体への塵ごみ付着による汚染を最
小化し、酸素雰囲気下で酸化を防止し得る化学気相蒸着
の加熱装置を提供することを目的とする。
点に鑑みてなされたもので、石英板及び上、下部反射板
を配設して熱の均一なフィールドを形成し、大面積の被
加熱体も、領域別に形成される薄膜の厚さ及び温度分布
を均一にして、被加熱体への塵ごみ付着による汚染を最
小化し、酸素雰囲気下で酸化を防止し得る化学気相蒸着
の加熱装置を提供することを目的とする。
【０００８】更に、本発明は、強誘電体の特性に影響を
及ぼす結晶構造を破壊することなく、薄膜成長時の昇温
及び温度下降の速度を迅速にして、加熱時のオーバーシ
ュートによって温度が設定値以上になる時間をできるだ
け低減することができる化学気相蒸着の加熱装置を提供
することを目的とする。
及ぼす結晶構造を破壊することなく、薄膜成長時の昇温
及び温度下降の速度を迅速にして、加熱時のオーバーシ
ュートによって温度が設定値以上になる時間をできるだ
け低減することができる化学気相蒸着の加熱装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、請求項１に係る化学気相蒸着の加熱装置におい
ては、化学気相蒸着するためにチャンバの内部に介装さ
れた被加熱体の下部に配設された下部反射板と、該下部
反射板と前記被加熱体との間に配設された熱放出手段
と、該熱放出手段と前記被加熱体との間に配設された石
英板と、それら下部反射板、熱放出手段、及び石英板の
上面及び側面を覆うように形成されたヒーターカバー
と、前記被加熱体の上方側に設置され、蒸着ガスを被加
熱体表面に噴射するガスシャワーヘッドと一体に形成さ
れた上部反射板とを備えて構成されたことを特徴とす
る。
るため、請求項１に係る化学気相蒸着の加熱装置におい
ては、化学気相蒸着するためにチャンバの内部に介装さ
れた被加熱体の下部に配設された下部反射板と、該下部
反射板と前記被加熱体との間に配設された熱放出手段
と、該熱放出手段と前記被加熱体との間に配設された石
英板と、それら下部反射板、熱放出手段、及び石英板の
上面及び側面を覆うように形成されたヒーターカバー
と、前記被加熱体の上方側に設置され、蒸着ガスを被加
熱体表面に噴射するガスシャワーヘッドと一体に形成さ
れた上部反射板とを備えて構成されたことを特徴とす
る。
【００１０】請求項２に係る化学気相蒸着の加熱装置に
おいては、前記熱放出手段は、コイルであることを特徴
とする。請求項３に係る化学気相蒸着の加熱装置におい
ては、前記ヒーターカバーは、石英を用いて形成された
ことを特徴とする。請求項４に係る化学気相蒸着の加熱
装置においては、下部反射板及び上部反射板は、ステン
レス鋼を用いて形成されたことを特徴とする。
おいては、前記熱放出手段は、コイルであることを特徴
とする。請求項３に係る化学気相蒸着の加熱装置におい
ては、前記ヒーターカバーは、石英を用いて形成された
ことを特徴とする。請求項４に係る化学気相蒸着の加熱
装置においては、下部反射板及び上部反射板は、ステン
レス鋼を用いて形成されたことを特徴とする。
【００１１】請求項５に係る化学気相蒸着の加熱装置に
おいては、前記下部反射板と上部反射板とは、相互対向
する位置に配設され、その間で前記熱放出手段から発生
した光が往復されることを特徴とする。請求項６に係る
化学気相蒸着の加熱装置においては、前記下部反射板及
び上部反射板の少なくとも一方は、前記被加熱体表面に
対して垂直方向及び水平方向に移動可能に配設されたこ
とを特徴とする。
おいては、前記下部反射板と上部反射板とは、相互対向
する位置に配設され、その間で前記熱放出手段から発生
した光が往復されることを特徴とする。請求項６に係る
化学気相蒸着の加熱装置においては、前記下部反射板及
び上部反射板の少なくとも一方は、前記被加熱体表面に
対して垂直方向及び水平方向に移動可能に配設されたこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項７に係る化学気相蒸着の加熱装置に
おいては、前記下部反射板及び前記上部反射板は、その
幅が相互に略同一の寸法で形成されたことを特徴とす
る。
おいては、前記下部反射板及び前記上部反射板は、その
幅が相互に略同一の寸法で形成されたことを特徴とす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面に基づいて説明する。本発明に係る化学気相蒸着
の加熱装置においては、図１乃至図３に示したように、
化学気相蒸着用チャンバの内部に介装された被加熱体と
してのウェーハ１１の下部に設置され、カンタル（Kant
hal ）材、又はスーパーカンタル（Super −Kanthal ）
材を用いて形成された内部熱線コイル１３ａ及び外部熱
線コイル１３ｂ（図３参照）よりなる熱放出手段として
のヒーター１３が内部に配設されたヒーターカバー１２
と、該ヒーターカバー１２と前記ヒーター１３との間に
配設され、該ヒーター１３を支持して、該ヒーター１３
からウェーハ１１方向に発生する熱を均一に分散する石
英板１５と、前記ヒーター１３の下面に配設され、該ヒ
ーター１３の下方向及び側面方向に放射される光及び熱
を遮断し、該ヒーター１３から放射熱を上方向に反射さ
せるステンレス材質の下部反射板１４と、前記ウェーハ
１１の上方に、該ウェーハ１１に蒸着されるガスを噴射
するガスシャワーヘッド１７と一体に形成され、熱をウ
ェーハ１１方向に反射させるステンレス材質の上部反射
板１６と、を備えて構成されている。
付図面に基づいて説明する。本発明に係る化学気相蒸着
の加熱装置においては、図１乃至図３に示したように、
化学気相蒸着用チャンバの内部に介装された被加熱体と
してのウェーハ１１の下部に設置され、カンタル（Kant
hal ）材、又はスーパーカンタル（Super −Kanthal ）
材を用いて形成された内部熱線コイル１３ａ及び外部熱
線コイル１３ｂ（図３参照）よりなる熱放出手段として
のヒーター１３が内部に配設されたヒーターカバー１２
と、該ヒーターカバー１２と前記ヒーター１３との間に
配設され、該ヒーター１３を支持して、該ヒーター１３
からウェーハ１１方向に発生する熱を均一に分散する石
英板１５と、前記ヒーター１３の下面に配設され、該ヒ
ーター１３の下方向及び側面方向に放射される光及び熱
を遮断し、該ヒーター１３から放射熱を上方向に反射さ
せるステンレス材質の下部反射板１４と、前記ウェーハ
１１の上方に、該ウェーハ１１に蒸着されるガスを噴射
するガスシャワーヘッド１７と一体に形成され、熱をウ
ェーハ１１方向に反射させるステンレス材質の上部反射
板１６と、を備えて構成されている。
【００１４】そして、前記ヒーターカバー１２の材質
は、石英（Quartz）からなるとともに、前記ヒーター１
３を囲んで配設されているため、該ヒーター１３の熱に
より流出される重金属などがチャンバ（Chamber ）の内
部の他の領域に流入されることを防止する。また、図示
されていないが、前記ヒーター１３と下部反射板１４と
の間に、該ヒーター１３の各領域の温度を測定する熱電
対（Thermo couple）が配設されている。そして、ヒー
ター１３によるウェーハ１１の温度状況は、図４に示す
ように、ヒーター１３のワイヤ部（図３の符号１３Ａ）
では温度が高く、それ以外の領域（図３の符号１３Ｂ）
では温度が低い波状となっている。
は、石英（Quartz）からなるとともに、前記ヒーター１
３を囲んで配設されているため、該ヒーター１３の熱に
より流出される重金属などがチャンバ（Chamber ）の内
部の他の領域に流入されることを防止する。また、図示
されていないが、前記ヒーター１３と下部反射板１４と
の間に、該ヒーター１３の各領域の温度を測定する熱電
対（Thermo couple）が配設されている。そして、ヒー
ター１３によるウェーハ１１の温度状況は、図４に示す
ように、ヒーター１３のワイヤ部（図３の符号１３Ａ）
では温度が高く、それ以外の領域（図３の符号１３Ｂ）
では温度が低い波状となっている。
【００１５】尚、ヒーター１３は、強誘電体の特性に影
響を及ぼす結晶構造を破壊しないように、近赤外線から
可視光線に至る波長を有したものが用いられている。更
に、前記下部反射板１４は、前記ヒーター１３を支持し
ながら、該ヒーター１３から発生する赤外線及び可視光
領域の熱エネルギーを前記ウェーハ１１に反射させる。
響を及ぼす結晶構造を破壊しないように、近赤外線から
可視光線に至る波長を有したものが用いられている。更
に、前記下部反射板１４は、前記ヒーター１３を支持し
ながら、該ヒーター１３から発生する赤外線及び可視光
領域の熱エネルギーを前記ウェーハ１１に反射させる。
【００１６】以下、このように構成された本発明に係る
化学気相蒸着の加熱装置の動作を説明する。先ず、ヒー
ター１３からウェーハ１１側に発生した赤外線及び可視
光は直接に、下部反射板１４側に発生した赤外線及び可
視光はウェーハ１１側に反射される。
化学気相蒸着の加熱装置の動作を説明する。先ず、ヒー
ター１３からウェーハ１１側に発生した赤外線及び可視
光は直接に、下部反射板１４側に発生した赤外線及び可
視光はウェーハ１１側に反射される。
【００１７】次いで、上部反射板１６、及び下部反射板
１４により、前記ヒーター１３から発生した赤外線及び
可視光線が、化学気相蒸着用チャンバの外部に放射され
ることなく、上部反射板１６と下部反射板１４との間を
理論上無限に往復し、該上部反射板１６と下部反射板１
４との間に、図２に示したように、熱の均一なフィール
ドを形成し、強誘電（高誘電）膜の形成に好適なプロセ
スチャンバの構造を有するようになっている。
１４により、前記ヒーター１３から発生した赤外線及び
可視光線が、化学気相蒸着用チャンバの外部に放射され
ることなく、上部反射板１６と下部反射板１４との間を
理論上無限に往復し、該上部反射板１６と下部反射板１
４との間に、図２に示したように、熱の均一なフィール
ドを形成し、強誘電（高誘電）膜の形成に好適なプロセ
スチャンバの構造を有するようになっている。
【００１８】また、従来のランプ加熱方式を用いた場合
には、金属層とシリコン層との温度に差異を生じてしま
うのに対し、本発明では、被加熱物の形状、材質に拘ら
ず、均一な温度下で加熱することができる。即ち、前記
ウェーハ（被加熱体）１１の赤外線加熱効率は、光の吸
収効率により決定されるのであるが、前記のように、光
が理論上無限に往復され、材料による加熱差が無いた
め、迅速及び均一な加熱特性を得ることができる。
には、金属層とシリコン層との温度に差異を生じてしま
うのに対し、本発明では、被加熱物の形状、材質に拘ら
ず、均一な温度下で加熱することができる。即ち、前記
ウェーハ（被加熱体）１１の赤外線加熱効率は、光の吸
収効率により決定されるのであるが、前記のように、光
が理論上無限に往復され、材料による加熱差が無いた
め、迅速及び均一な加熱特性を得ることができる。
【００１９】更に、前記上部反射板１６と、化学気相蒸
着時に必要なガスを供給するガスシャワーヘッド１７と
が一体に形成されているため、熱の均一なフィールドに
ガスを供給することができる。又、前記ヒーター１３の
上面に装着された石英板１５により、該ヒーター１３か
ら発生した熱を均一に分布させ、図６に示したように、
大面積のウェーハ１１内でも温度の均一性に優れ、低廉
な費用で加熱することができる。尚、図６（Ｂ）中、Ｔ
ｉｍｅは、１９９６年６月４日８時５４分から２０時５
７分までの時刻を示したものである。
着時に必要なガスを供給するガスシャワーヘッド１７と
が一体に形成されているため、熱の均一なフィールドに
ガスを供給することができる。又、前記ヒーター１３の
上面に装着された石英板１５により、該ヒーター１３か
ら発生した熱を均一に分布させ、図６に示したように、
大面積のウェーハ１１内でも温度の均一性に優れ、低廉
な費用で加熱することができる。尚、図６（Ｂ）中、Ｔ
ｉｍｅは、１９９６年６月４日８時５４分から２０時５
７分までの時刻を示したものである。
【００２０】更に、前記石英板１５及びヒーターカバー
１２により、前記ウェーハ１１側に塵ごみなどの不純物
が流入するのを防止し、酸素雰囲気下でも前記ヒーター
１３が酸化されるのを防止する。そして、図４及び図５
に示したように、膜の成長時に、昇温及び温度の降下を
迅速に行い、加熱時におけるオーバーシュートにより温
度が設定値以上になる時間をできるだけ低減するように
なっているため、強誘電体の結晶構造が破壊されるのを
防止するという効果がある。尚、図５は、本願発明の上
部反射板１６とウェーハ１１との間の距離の変化に応じ
て変化するウェーハ１１の温度分布を示したグラフであ
って、ここで示される符号Ｘは、上部反射板１６とウェ
ーハ１１との間の距離（図１中、符号１７と１１との間
の距離）を示したものである。
１２により、前記ウェーハ１１側に塵ごみなどの不純物
が流入するのを防止し、酸素雰囲気下でも前記ヒーター
１３が酸化されるのを防止する。そして、図４及び図５
に示したように、膜の成長時に、昇温及び温度の降下を
迅速に行い、加熱時におけるオーバーシュートにより温
度が設定値以上になる時間をできるだけ低減するように
なっているため、強誘電体の結晶構造が破壊されるのを
防止するという効果がある。尚、図５は、本願発明の上
部反射板１６とウェーハ１１との間の距離の変化に応じ
て変化するウェーハ１１の温度分布を示したグラフであ
って、ここで示される符号Ｘは、上部反射板１６とウェ
ーハ１１との間の距離（図１中、符号１７と１１との間
の距離）を示したものである。
【００２１】実質的に、チャンバ内の温度が３００℃か
らは、熱の均一なフィールドが使用可能であるというこ
とが判明された。且つ、被加熱物の温度が６００℃であ
るとき、ヒーター表面の温度は、只、約６３０℃程度で
あって、外部への放射による熱損失が極めて少ないた
め、従来のランプ加熱方式の場合、被加熱物の温度が６
００℃であるとき、ヒーター表面の温度は、１３００〜
１８００℃であったことと比べると、熱効率が格段に向
上するという効果がある。
らは、熱の均一なフィールドが使用可能であるというこ
とが判明された。且つ、被加熱物の温度が６００℃であ
るとき、ヒーター表面の温度は、只、約６３０℃程度で
あって、外部への放射による熱損失が極めて少ないた
め、従来のランプ加熱方式の場合、被加熱物の温度が６
００℃であるとき、ヒーター表面の温度は、１３００〜
１８００℃であったことと比べると、熱効率が格段に向
上するという効果がある。
【００２２】また、本発明に係る他の実施の形態とし
て、膜厚や熱の均一性を変化させて最適な膜成長を具現
するために、上部反射板１６と下部反射板１４の少なく
とも一方は、ウェーハ１１表面に対して垂直方向及び水
平方向に移動可能に配設して使用することもできる。更
に、効率よく膜厚や熱の均一性を図るため、前記下部反
射板１４及び前記上部反射板１６は、その幅が相互に略
同一の寸法で形成するのが好ましい。
て、膜厚や熱の均一性を変化させて最適な膜成長を具現
するために、上部反射板１６と下部反射板１４の少なく
とも一方は、ウェーハ１１表面に対して垂直方向及び水
平方向に移動可能に配設して使用することもできる。更
に、効率よく膜厚や熱の均一性を図るため、前記下部反
射板１４及び前記上部反射板１６は、その幅が相互に略
同一の寸法で形成するのが好ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る化学
気相蒸着の加熱装置においては、化学気相蒸着用チャン
バ内の全ての物質の温度を均一にさせる熱の均一フィー
ルドを形成するようになっているため、被加熱体の材質
選択の幅を広げ得るという効果がある。
気相蒸着の加熱装置においては、化学気相蒸着用チャン
バ内の全ての物質の温度を均一にさせる熱の均一フィー
ルドを形成するようになっているため、被加熱体の材質
選択の幅を広げ得るという効果がある。
【００２４】又、石英板及びヒーターカバーにより、ウ
ェーハ等の被加熱体のごみ等による汚染及び熱放出手段
の酸化をより一層防止し得るという効果がある。更に、
本発明の加熱装置は構造が簡単で、被加熱体の加熱も容
易であるため、原価を低減し得るという効果がある。
ェーハ等の被加熱体のごみ等による汚染及び熱放出手段
の酸化をより一層防止し得るという効果がある。更に、
本発明の加熱装置は構造が簡単で、被加熱体の加熱も容
易であるため、原価を低減し得るという効果がある。
【図１】本発明に係る化学気相蒸着の加熱装置の構造を
示した縦断面図である。
示した縦断面図である。
【図２】本発明に係る上下部反射板により形成された熱
の均一なフィールドを示した縦断面図である。
の均一なフィールドを示した縦断面図である。
【図３】本発明に係るヒーターを示した平面図である。
【図４】本発明に係るウェーハの温度分布を示したグラ
フである。
フである。
【図５】本発明及び従来のランプ加熱方式の温度分布を
示したグラフである。
示したグラフである。
【図６】本発明に係る加熱装置の（Ａ）ウェーハ模式図
（Ｂ）加熱時間とウェーハの領域別の温度差との関係を
示したグラフである。
（Ｂ）加熱時間とウェーハの領域別の温度差との関係を
示したグラフである。
【図７】従来のランプ加熱方式の化学気相蒸着装備の加
熱装置の構成を示した断面図である。
熱装置の構成を示した断面図である。
【図８】従来の各化学気相蒸着における温度上昇及び下
降速度を示したグラフである。
降速度を示したグラフである。
１１：ウェーハ １２：ヒーターカバー １３：ヒーター １４：下部反射板 １５：石英板 １６：上部反射板 １７：ガスシャワーヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セオン ジャエ パク 大韓民国、チューンチェオンブク−ド、 チェオンジュ、フンダク−グ、スゴク− ドン、1001 (72)発明者 チャン ジャエ キム 大韓民国、ソウル、マポ−グ、ゴンダク −ドン、38−136 (72)発明者 ジョン シク キム 大韓民国、チューンチェオンブク−ド、 チェオンジュ、サンダン−グ、ナエダク １−ドン、696−８ (72)発明者 ドン ヒュン カン 大韓民国、ソウル、ジョングロ−グ、ミ ョングリュン−ドン ３ガ、１−1050 (56)参考文献 特開 平４−56127（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/365 H01L 21/31 C23C 16/00 - 16/56
Claims (7)
- 【請求項１】化学気相蒸着するためにチャンバの内部に
介装された被加熱体の下部に配設された下部反射板と、 該下部反射板と前記被加熱体との間に配設された熱放出
手段と、 該熱放出手段と前記被加熱体との間に配設された石英板
と、 それら下部反射板、熱放出手段、及び石英板の上面及び
側面を覆うように形成されたヒーターカバーと、 前記被加熱体の上方側に設置され、蒸着ガスを被加熱体
表面に噴射するガスシャワーヘッドと一体に形成された
上部反射板と、 を備えて構成されたことを特徴とする化学気相蒸着の加
熱装置。 - 【請求項２】前記熱放出手段は、コイルであることを特
徴とする請求項１記載の化学気相蒸着の加熱装置。 - 【請求項３】前記ヒーターカバーは、石英を用いて形成
されたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の化
学気相蒸着の加熱装置。 - 【請求項４】下部反射板及び上部反射板は、ステンレス
鋼を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜請求
項３のいずれか１つに記載の化学気相蒸着の加熱装置。 - 【請求項５】前記下部反射板と上部反射板とは、相互対
向する位置に配設され、その間で前記熱放出手段から発
生した光が往復されることを特徴とする請求項１〜請求
項４のいずれか１つに記載の化学気相蒸着の加熱装置。 - 【請求項６】前記下部反射板及び上部反射板の少なくと
も一方は、前記被加熱体表面に対して垂直方向及び水平
方向に移動可能に配設されたことを特徴とする請求項１
〜請求項５のいずれか１つに記載の化学気相蒸着の加熱
装置。 - 【請求項７】前記下部反射板及び前記上部反射板は、そ
の幅が相互に略同一の寸法で形成されたことを特徴とす
る請求項１〜請求項６のいずれか１つに記載の化学気相
蒸着の加熱装置。
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-
1998
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