DE19803487C1 - Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase - Google Patents
Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der GasphaseInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Heizvorrichtung für eine Anlage zur
chemischen Abscheidung aus der Gasphase mit den Merkmalen des
Oberbegriffs des Patentanspruchs 1. Eine solche Heizvorrichtung
ist aus der JP 06-220643 A (in Patent Abstracts of Japan,
C-1272) bekannt.
Aus der DD 2 82 245 A5 ist eine in einem Gehäuse angeordnete
Heizeinrichtung bekannt mit einem Heizstrahler, einem Reflek
tor, einem Strahlungsabsorber zur Homogenisierung der Strahlung
und einem Strahlungsfenster, wobei die genannten Teile unter
halb des Substrats angeordnet sind.
Dem Stand der Technik entsprechende Heizverfahren für eine
Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase werden
unterteilt in ein Lampenheizverfahren, ein Verfahren, das sich
eines Integrationsheizgeräts bedient, und ein Verfahren mit
einem Suszeptor, der mit Infrarotstrahlen oder hochfrequenten
Wellen arbeitet.
Unter diesen Verfahren stellt das Lampenheizverfahren ein in
direktes Heizverfahren dar, bei dem der Heizbereich in Zonen
eingeteilt ist, und eine Vielzahl Lampen (im allgemeinen 10 bis
20 Lampen), von denen jeweils eine einer entsprechenden Zone
entspricht, ist in regelmäßigen Abständen zueinander angeord
net, wodurch sich eine gewünschte Temperatur ergibt.
Beim direkten Widerstandsheizverfahren wird das oben genannte
Integrationsheizgerät verwendet, wodurch eine elektrische Lei
stung an beide Anschlüsse geliefert und eine gewünschte Wärme
erzielt wird.
Darüber hinaus wird auch ein Verfahren angewendet, das mit
Infrarotstrahlen und Hochfrequenz sowie dem Suszeptor arbeitet,
so daß ein bestimmtes Gas in der Lampe aufgeladen wird, wodurch
eine gewünschte Wärme bei der Verwendung des Lichts erzielt
wird, das entsteht, wenn das Gas in der Lampe aufgeladen wird.
Nachfolgend werden bekannte Heizeinrichtungen der in Rede
stehenden Art anhand der Fig. 1 und 2 beschrieben.
In den Zeichnungen kennzeichnet Bezugszeichen 2 eine Quarz
platte, 3 ist ein Wafer und 4 kennzeichnet eine Au-Beschich
tung.
Bei der dem Stand der Technik entsprechenden Heizvorrichtung
für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase
erfordern jedoch die Erwärmung und die Abkühlung relativ lange
Zeiten, da das Integrationsheizgerät auf Basis des direkten
Heizverfahrens, das Infrarotstrahlen- und Hochfrequenz-Heiz
verfahren und der Suszeptor für die Heiz- und Kühloperation
verwendet werden.
Im Fall der in Fig. 2 dargestellten Infrarotstrahlen- und Hoch
frequenzheizung beispielsweise beträgt die Zeit zum Anheben der
Temperatur von Raumtemperatur auf eine vorgegebene hohe Tempe
ratur 10 bis 15 Minuten, und die zum Absenken der Temperatur
unter Vakuum erforderliche Zeit beträgt 60 bis 120 Minuten, was
einen hohen Zeitaufwand, erhöhten Wärmeverlust bedeutet und
somit die Vorrichtung ineffektiv und unwirtschaftlich macht.
Im Fall des in Fig. 2 dargestellten Lampenheizverfahrens, bei
dem es sich um ein indirektes Heizverfahren handelt, beträgt
die Zeit zum Anheben der Temperatur 10 bis 30 Sekunden, und die
zum Absenken der Temperatur erforderliche Zeit beträgt 1 bis 5
Minuten, die als kürzere Temperaturerhöhungs- und -ab
senkungszeiten gelten. Die Temperaturen der Metallschicht und
der Siliziumschicht sind jedoch verschieden. Beim Erwärmen
eines Wafers mit großem Durchmesser ist es deshalb unmöglich,
eine gleichmäßige Temperaturverteilung zu erzielen und die
Temperatur angemessen zu kontrollieren.
Es demnach die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Heiz
vorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der
Gasphase bereitzustellen, die die zuvor genannten dem Stand der
Technik anhaftenden Probleme bewältigt und die in der Lage ist,
selbst bei einem Wafer mit einer größeren Oberfläche eine
gleichmäßige Temperaturverteilung bereitzustellen, indem eine
Quarzplatte, obere und untere Reflexionsplatten installiert
werden und für eine gleichmäßige Wärmeverteilung gesorgt wird,
und die in der Lage ist, Staubbildung und metallische Verunrei
nigung eines Wafers auf ein Minimum zu senken, so daß ein
oxidationsverhindernder Aufbau in einer Sauerstoffumgebung
verwirklicht wird.
Zur Lösung der obigen Aufgabe wird eine Heizvorrichtung für
eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase gemäß
bereitgestellt.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus
der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und den beiliegen
den beispielhaften Zeichnungen; es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittansicht einer dem Stand der Technik
entsprechenden Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen
Abscheidung aus der Gasphase, die ein Lampenheizverfahren an
wendet;
Fig. 2 einen Graphen, der die Temperaturanstiegs- und -abfall
geschwindigkeit einer dem Stand der Technik entsprechenden
Heizvorrichtung für verschiedene Anlagen zur chemischen Ab
scheidung aus der Gasphase darstellt;
Fig. 3 eine schematische Ansicht einer Heizvorrichtung für eine
Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase gemäß der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 einen Graphen zur Darstellung der Auswirkung einer Re
flexionsplatte gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine Draufsicht auf die Heizschlange des Heizgeräts
gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 einen Graphen, der die Temperaturverteilung gemäß der
vorliegenden Erfindung auf einem Wafer darstellt;
Fig. 7 ein Vergleich der Temperaturverteilung zwischen dem
Stand der Technik und der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 8 eine Tabelle, die die Temperaturdifferenz nach Zonen
eines Wafers mit einer Heizvorrichtung für eine Anlage zur
chemischen Abscheidung aus der Gasphase gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt.
Die Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung
aus der Gasphase gemäß der vorliegenden Erfindung wird nunmehr
unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert.
Wie aus Fig. 3 und 4 ersichtlich ist, ist in der Heizvorrich
tung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gas
phase gemäß der vorliegenden Erfindung eine Heizgerätabdeckung
12 unter einem Wafer 11 installiert, und wie in Fig. 5 darge
stellt ist ein Heizgerät 13 einschließlich einer Heizschlange
aus einem Kanthalmaterial oder einem Superkanthalmaterial
innerhalb der Heizgerätabdeckung 12 installiert.
Eine Quarzplatte 15 ist zwischen dem Heizgerät 13 und der
Heizgerätabdeckung 12 installiert, um die Lage des Heizgeräts
13 zu fixieren und die vom Heizgerät 13 generierte Wärme
gleichmäßig zu verteilen.
Da die Heizgerätabdeckung 12 aus Quarz besteht und das Heiz
gerät 13 abdeckt, können Partikel von Schwermetallen etc. daran
gehindert werden, vom Heizgerät 13 in eine Prozeßkammer zu
gelangen.
Des weiteren ist eine untere (erste) Reflexionsplatte 14 unter
halb des Heizgeräts 13 installiert, um Licht und Wärme zu
blockieren, die vom Heizgerät 13 nach unten und seitlich abge
geben werden, und um die Wärme vom Heizgerät 13 in eine vorge
gebene Richtung zu reflektieren.
Ein Thermoelement (nicht dargestellt) ist zwischen dem Heiz
gerät 13 und der unteren (ersten) Reflexionsplatte 14 zum
Messen der Temperaturen in zwei verschiedenen Bereichen des
Heizgeräts 13 installiert.
Eine obere (zweite) Reflexionsplatte 16 aus nichtrostendem
Stahl mit einem Gas-Duschkopf 17, der zum Sprühen und Ab
scheiden (Aufdampfen) von Gasen auf dem Wafer 11 vorgesehen
ist, ist oberhalb des Wafers 11 zum Reflektieren der auf die
Oberfläche gerichteten Wärme installiert.
Bei der Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abschei
dung aus der Gasphase gemäß der vorliegenden Erfindung wird das
Heizgerät 13, das in der Lage ist, eine Strahlung vorgegebener
Wellenlänge, z. B. eine kurzwellige Infrarotstrahlung und eine
sichtbare Strahlung, zu erzeugen, in der Weise verwendet, daß
ein Kristallgefüge, das die Eigenschaften eines
Ferro-Dielektrikums bestimmt, nicht zerstört wird.
Des weiteren trägt die untere (erste) Reflexionsplatte 14 das
Heizgerät 13 und liefert die Wärmeenergie eines Infrarotstrah
lungsbereichs und eines Bereichs mit sichtbarem Licht vom
Heizgerät 13 an den Wafer 11.
Die Funktionsweise der Heizvorrichtung für eine Anlage zur
chemischen Abscheidung aus der Gasphase gemäß der vorliegenden
Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen erläutert.
Die vom Heizgerät 13 erzeugten Infrarotstrahlen und sichtbaren
Strahlen werden von der unteren (ersten) Reflexionsplatte 14 an
den Wafer 11 geliefert.
Dabei werden die vom Heizgerät 13 erzeugten Infrarotstrahlen
und sichtbaren Strahlen unbegrenzt zwischen der oberen (zwei
ten) Reflexionsplatte 16 und der unteren (ersten) Reflexions
platte 14 reflektiert, ohne nach außen zu gelangen, so daß ein
gleichmäßiges Wärmefeld wie in Fig. 4 dargestellt zwischen der
oberen (zweiten) Reflexionsplatte 16 und der unteren (ersten)
Reflexionsplatte 14 gebildet wird, so daß dadurch und vom
ferro-dielektrischen Film eine Prozeßkammer gebildet wird.
Anders als bei dem dem Stand der Technik entsprechenden Lampen
heizverfahren, bei dem die Temperaturen der Metallschicht und
der Siliziumschicht verschieden sind, ist bei der vorliegenden
Erfindung ungeachtet der Form und der Materialeigenschaften
eines zu erwärmenden Gegenstandes eine gleichmäßige Erwärmung
möglich.
Genauer ausgedrückt bedeutet dies, daß der Wirkungsgrad der
Infrarotheizung des Wafers 11 von der Absorption des Lichts be
stimmt wird. Es ist deshalb möglich, eine gewünschte Heiz
charakteristik zu erhalten, da das Licht unbegrenzt hin- und
herreflektiert wird. Da außerdem die obere (zweite) Reflexions
platte 16 integral mit dem Gas-Duschkopf 17 ausgeformt ist,
durch den ein Gas für die chemische Abscheidung aus der Gaspha
se zugeführt wird, kann das Gas einem Wärmefeld gleichmäßig
zugeführt werden.
Da die Quarzplatte 15 oberhalb des Heizgeräts 13 vorgesehen
ist, wird die Wärme gleichmäßig verteilt, und wie in Fig. 8
dargestellt wird hinsichtlich des Wafers 11 mit einer großen
Oberfläche eine gute Gleichverteilung der Temperatur erreicht.
Darüber hinaus werden Staub und Fremdstoffe durch die Quarz
platte 15 und die Heizgerätabdeckung 12 daran gehindert, auf
den Wafer 11 zu gelangen, und die Oxidation des Heizgeräts 13
in einer Sauerstoffumgebung wird verhindert.
Wie in Fig. 6 und 7 dargestellt ist, ist es beim Aufwachsen
eines Films möglich, die Temperatur rasch anzuheben oder abzu
senken. Da die Temperatur-Stabilisierungszeit aufgrund von
Überschwingen während der Heizoperation verkürzt wird, wird das
Kristallgefüge, das die Charakteristik des Ferro-Dielektrikums
bestimmt, zerstört.
Außerdem können bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung die obere (zweite) und die untere
(erste) Reflexionsplatte 16 und 14 vorzugsweise nach oben,
unten, links und rechts verschoben werden, um durch Variieren
der Film- und Wärmegleichverteilung einen optimalen dünnen Film
aufzuwachsen.
Wie oben beschrieben kann in der Heizvorrichtung für eine
Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase gemäß der
vorliegenden Erfindung das zu erwärmende Material aus einem
weiten Bereich auf Basis der Auswirkungen des Wärmegleichver
teilungsfeldes, in dem die Temperaturen sämtlicher Materialien
der Anlage identisch werden, ausgewählt werden. Die Aus
wirkungen des Wärmegleichverteilungsfelds werden bei einer
Temperatur von 300°C im Inneren der Anlage als tatsächlich
nutzbar beurteilt.
Mit der vorliegenden Erfindung wird ein guter Wärmewirkungsgrad
ermöglicht. Beträgt beispielsweise die Temperatur des zu er
wärmenden Gegenstands 600°C, dann beträgt die Oberflächen
temperatur des Heizgeräts ca. 630°C. Es kann daher gesagt wer
den, daß der Wärmeverlust sehr gering ist. Beträgt beim Stand
der Technik die Temperatur des zu erwärmenden Gegenstands 600°,
dann liegt die Oberflächentemperatur des Heizgeräts zwischen
1300 und 1800°C. Im Vergleich zur vorliegenden Erfindung tritt
also beim Stand der Technik ein großer Wärmeverlust auf.
Darüber hinaus kann bei der dem Stand der Technik entsprechen
den Lampenheizvorrichtung ein kleines Fremdstoffpartikel die
Temperaturverteilung beeinträchtigen. Bei der vorliegenden
Erfindung jedoch werden die zu Verunreinigung führenden Fremd
stoffe durch die Quarzplatte und die Heizgerätabdeckung daran
gehindert, in die Vorrichtung zu gelangen.
Außerdem ist der Aufbau der Vorrichtung einfach und kosten
günstig, so daß die Erwärmung eines vorgegebenen Gegenstands
auf einfache Weise möglich ist.
Claims (9)
1. Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung
aus der Gasphase, die folgendes aufweist:
eine erste Reflexionsplatte (14);
ein Heizgerät (13) einschließlich einer Wärmeabstrahleinrich tung, das oberhalb der ersten Reflexionsplatte (14) installiert ist;
eine oberhalb des Heizgeräts (13) installierte Quarzplatte (15); und
eine Heizgerätabdeckung (12) zum Abdecken der oberen Abschnitte der ersten Reflexionsplatte (14), des Heizgeräts (13) und der Quarzplatte (15) sowie deren beiden Seiten;
gekennzeichnet durch eine zweite Reflexionsplatte (16), die oberhalb der Heizgerätabdeckung (12) installiert und integral mit einer Gassprüheinrichtung (17) ausgeformt ist.
eine erste Reflexionsplatte (14);
ein Heizgerät (13) einschließlich einer Wärmeabstrahleinrich tung, das oberhalb der ersten Reflexionsplatte (14) installiert ist;
eine oberhalb des Heizgeräts (13) installierte Quarzplatte (15); und
eine Heizgerätabdeckung (12) zum Abdecken der oberen Abschnitte der ersten Reflexionsplatte (14), des Heizgeräts (13) und der Quarzplatte (15) sowie deren beiden Seiten;
gekennzeichnet durch eine zweite Reflexionsplatte (16), die oberhalb der Heizgerätabdeckung (12) installiert und integral mit einer Gassprüheinrichtung (17) ausgeformt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die Wärmeabstrahleinrichtung eine Heizschlange ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die Heizgerätabdeckung (12) aus Quarz besteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die erste und zweite Reflexionsplatte (14, 16) aus
nichtrostendem Stahl bestehen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die erste und zweite Reflexionsplatte (14, 16) so
installiert sind, daß von der Heizeinrichtung (13) erzeugtes
Licht unbegrenzt zwischen der ersten und zweiten Reflexions
platte (14, 16) reflektiert wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die erste und zweite Reflexionsplatte (14, 16) nach
oben, unten, links oder rechts verschoben werden können.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1,
bei der die erste und zweite Reflexionsplatte (14, 16) identi
sche Breiten haben.
8. Vorrichtung nach Anspruch 2,
bei der die Heizschlange aus einem Kanthalmaterial besteht.
9. Vorrichtung nach Anspruch 2,
bei der die Heizschlange aus einem Superkanthalmaterial be
steht.
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