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Gebiet der
Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich im Allgemeinen auf das Gebiet thermischer Behandlungssysteme
für Halbleiterwafer
und insbesondere auf einen Vertikalofen zur thermischen Behandlung, der
mehrere kontinuierliche Wärmequellen
verwendet zum Beibehalten eines gewünschten konstanten Temperaturgradienten
innerhalb des Ofens.
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Ausgangspunkt
der Erfindung
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Thermische Behandlungssysteme werden
in unterschiedlichen Stufen der Halbleiterherstellung weit verbreitet
verwendet. Einfache thermische Behandlungsanwendungen umfassen eine
chemische Abscheidung, Diffusion, Oxidation, Annealen bzw. TEmpern,
eine Silizidierung bzw. Silizitbildung, eine Nitridierung und ein
Lötmaterialschmelzen
bzw. ein Reflowprozess. Vertikale Schnellheizbehandlungssysteme
(RTP = rapid thermal processing) weisen eine vertikal orientierte
Prozesskammer auf, die durch eine Wärmequelle erhitzt wird, wie
beispielsweise ein Widerstandsheizelement oder eine Reihe bzw. Bank
von Lichtquellen mit hoher Intensität. Die Wärmequelle ist in der Lage,
das Innere der Prozesskammer auf Temperaturen in dem Bereich von
450 bis 1400 Grad Celsius (°C)
mit Rampraten von bis zu 100°C/Sekunde
aufzuheizen.
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Ein Beispiel eines vertikalen RTP
Systems zur Behandlung eines einzelnen Wafers ist in U.S. Patent
Nr. 4,857,689 von Lee gezeigt, das dem Anmelder der vorliegenden
Erfindung übertragen
ist.
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Das Lee-Patent zeigt eine Prozesskammer, die
durch ein Widerstandsheizelement erhitzt wird, das oberhalb der
Kammer angeordnet ist. Das Widerstandsheizelement erhitzt die Prozesskammer
so, dass ein Temperaturgradient von einem oberen Bereich der Kammer
(am heißesten)
zum Boden der Kammer (am wenigsten heiß) gehalten wird. Die Kammerseitenwände zeigen
diesen Temperaturgradienten auf, der für die Seitenwände erhalten
wird, durch (i) Wärme,
die über
die Seitenwände
von dem oberen Bereich der Kammer nach unten geleitet wird und (ii) Wärme, die
mittels Konvektion ausgehend von dem Widerstandsheizer durch die
Kammer gestrahlt wird. Eine Hubeinrichtung bzw. ein Lift, der einen
Wafer trägt,
wird innerhalb dieses Temperaturgradienten hoch und runter bewegt
durch ein Prozesssteuersystem, so dass eine gewünschte Erwärmung des Wafers auftritt.
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Die Konstruktion mit einem einzelnen
Heizelement, wie dem, das in Lee dargestellt ist, gibt Prozesscharakteristika
vor, welche nachteilig die Behandlung eines einzelnen Wafers sowie
den Durchsatz eines Multi-Wafersystems beeinträchtigen können. Da der Wafer und das
Podest, auf dem es getragen wird, einen erheblichen Teil der gesamten
vertikalen Querschnittsfläche
der Prozesskammer einnimmt, blockieren der Wafer und das Podest
eine Wärmestrahlung
von dem oben liegenden Widerstandheizelement, wodurch verhindert
wird, dass die blockierte Wärme
den unterhalb des Wafers liegenden Teil der Kammer erreicht und
erwärmt.
Demgemäß kann während einer
Behandlung eines einzelnen Wafers der Seitenwandtemperaturgradient
durch erhebliche Temperaturdiskontinuitäten gekennzeichnet sein, und
zwar in Abhängigkeit
von dem bestimmten Seitenwandort und der Position des Wafers bezüglich dieses
Ortes. Solche Temperaturdiskontinuitäten machen eine präzise Erwärmung des
Wafers schwierig.
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Zusätzlich ist die Konstruktion
mit einem einzelnen Heizelement bzw. Heizer auch gekennzeichnet
durch einen Seitenwandtemperaturgradienten, der anfänglich driftet
bzw. sich verschiebt und dann erst stabilisiert nachdem mehrere
Wafer behandelt wurden. Dieses Drift-Phänomen verlangsamt das Starten
und reduziert daher den Durchsatz des Systems. Da die Kammerseitenwände sowohl
mittels Konvektion als auch mittels Leitung erwärmt werden, wird angenommen,
dass der Grad der Leitungserwärmung
soweit fortschreitet, dass nach der Bearbeitung mehrerer Wafer der
nachteilige Effekt der Strahlungs (Konvektions) Wärmeblockade
durch den Wafer reduziert wird. Nach der aufeinanderfolgenden Behandlung
mehrerer Wafer verschwindet dieses Problem. In einigen Fällen wurde
dieses Problem durch eine anfängliche
Behandlung von Dummy-Wafern behoben, was allerdings nachteilig den
Durchsatz des Systems beeinträchtigt.
Jedoch behebt selbst die Verwendung von Dummy-Wafern nicht die Diskontinuität in dem
Seitenwandtemperaturgradienten, der bei der Behandlung einzelner
Wafer auftritt. D. h. während der
Behandlung jedes individuellen Wafers blockiert der Wafer noch immer
eine Strahlungswärme
und somit fluktuiert die Seitenwandtemperatur an einem bestimmten
Ort in Abhängigkeit
davon, ob der Wafer oberhalb oder unterhalb dieses Ortes angeordnet
ist.
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Demgemäß ist es wünschenswert, einen RTP-Vertikalofen
für einen
einzelnen Wafer vorzusehen unter Verwendung einer Vielzahl von kontinuierlichen
Wärmequellen,
die an unterschiedlichen Vertikalorten des Ofens angeordnet sind
zum Vorsehen eines konsistenten und kontinuierlichen Temperaturgradienten
innerhalb der Kammer.
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Es ist auch wünschenswert, einen solchen Ofen
mit einem aktiven Seitenwanderwärmungsmechanismus
vorzusehen, zum Vorsehen einer konsistenten Temperaturablesung an
einem bestimmten Vertikalort der Seitenwand, und zwar unabhängig von
der Position des Wafers innerhalb des Ofens und unabhängig von
der Anzahl der Wafer die behandelt wurden.
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EP-A-0 538 874 zeigt eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung
mit einer Vielzahl von vertikal beabstandeten Heizelementen zum
Vorsehen einer Vielzahl von vertikal beabstandeten Zonen mit unterschiedlichen
konstanten Temperaturen.
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GB-A-2 298 314 zeigt eine vertikale
thermische Behandlungsvorrichtung, die einen Ofen umfasst und eine
erste Heizvorrichtung, die in einem oberen Teil des Ofens angeordnet
ist und eine zweite Heizvorrichtung, die in einem unteren Teil des
Ofens angeordnet ist, wobei ein Reflektor und ein Wärmeschild
dabei helfen, eine abrupte Temperaturänderung in der Vertikalrichtung
sicher zu stellen.
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Die Erfindung
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Die Erfindung sieht ein thermisches
Behandlungssystem nach Anspruch 1 vor.
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Ein vertikales Schnellheizbehandlungs-(RTP =
rapid thermal processing)-System ist vorgesehen, das eine vertikale
Prozesskammer aufweist, die sich entlang einer Längsachse erstreckt und eine
bewegbare Plattform, die innerhalb der Prozesskammer angeordnet
ist, und die eine Tragoberfläche
besitzt, auf der einer oder mehrere Halbleiterwafer zur Behandlung
aufgebracht werden können.
Ein Temperatursensor, wie beispielsweise ein optisches Pyrometer, kann
verwendet werden zum Abfühlen
der Temperatur der Rückseite
des Wafers, der auf der Plattform angeordnet ist. Wenn das System
in einer Steuerkonfiguration mit geschlossener Schleife bzw. einer
Reglerkonfiguration läuft,
empfängt
eine Positionssteuerung bzw. ein Regler ein Rückkopplungssignal von dem optischen
Pyrometer und sieht ansprechend darauf ein Positionssignal an einen
Bewegungsmechanismus vor. Der Bewegungsmechanismus stellt die Vertikalposition
der bewegbaren Plattform innerhalb der vertikalen Prozesskammer
ein.
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Ein Temperatursteuersubsystem etabliert
einen kontinuierlichen Temperaturgradienten innerhalb der vertikalen
Prozesskammer entlang der Längsachse.
Das Temperatursteuersubsystem weist eine Vielzahl von Kammerseitenwandheizelementen
auf, die an unterschiedlichen Vertikalpositionen entlang der Längsachse
angeordnet sind. Jedes der Vielzahl von Heizelementen wird unabhängig von
den anderen der Vielzahl von Heizelementen angesteuert. Die Vielzahl
von sich längserstreckenden
bzw. längsorientierten
Heizelementen sieht einen aktiven Seitenwandheizmechanismus vor,
der einen konsistenten und kontinuierlichen Temperaturgradienten
innerhalb der Kammer zur Folge hat, und zwar unabhängig von der
Position des Wafers innerhalb der Kammer oder der Anzahl von Wafern,
welche prozessiert bzw. behandelt wurden. Das oberste Heizelement
legt mehr Wärme
an die Wafermitte an, und das Seitenheizelement bzw. die Elemente
legen mehr Wärme
an die Waferkante an. Eine unabhängige
Steuerung der Vielzahl von Heizelementen ermöglicht eine direkte Steuerung
des radialen Temperaturprofils über
den Wafer hinweg.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
eine Schnittansicht eines seitenwandgeheizten vertikalen Schnellheizbehandlungssystems,
das gemäß den Prinzipien
der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
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2 ist
eine schematische Ansicht des Seitenwandheiz-Steuersystems des Schnellheizbehandlungssystem
gemäß 1; und
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3 ist
eine graphische Darstellung der Seitenwandtemperaturcharakteristika,
welche durch Systeme des Standes der Technik gezeigt werden und
zeigt ferner Verbesserungen hinsichtlich der Konsistenz dieser Charakteristika
unter Verwendung der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte
Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
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Gemäß den Zeichnungen zeigt 1 ein vertikales Schnellheizbehandlungs-(RTP)-System 10 für eine Wärmebehandlung
von einem oder mehreren Substraten, wie beispielsweise Halbleiterwafern W.
Das RTP-System 10 weist eine Prozesseinrichtung 12 auf,
die einen Heizmechanismus umfasst zum Erzeugen eines vertikalen
Temperaturgradientenbereichs und einen Bewegungsmechanismus zum
vertikalen Bewegen des Wafers innerhalb dieses Bereichs; eine Systemsteuerung 14 zum
Steuern der Vertikalposition des Wafers innerhalb des Temperaturgradienten;
und eine Heizvorrichtungssteuerung 16 zum Steuern des Heizmechanismus
der Prozesseinrichtung. Alternativ kann die Heizvorrichtungssteuerung 16 in
der Systemsteuerung 14 aufgenommen sein, z. B. innerhalb
der Prozesssteuerung 18.
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Die Prozesseinrichtung 12 umfasst
ein Rohr 18 mit geschlossenem Ende, wie beispielsweise
eine Quarzglocke, welche eine Prozesskammer 20 definiert.
Das Innere der Glocke 18 wird durch ein oberes Heizmodul 22 erwärmt, das
den oberen Bereich der Glocke umgibt und durch wenigstens ein zusätzliches
Seitenwandheizmodul 24, welches die Seitenwand der Glocke
umgibt. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Seitenwandheizmodule 24a–b dargestellt.
Vorzugsweise weisen das obere Heizmodul und die Seitenwandheizmodule
eine Vielzahl von Widerstandsheizelementen auf, die umfangsmäßig um den
Umfang der Glocke 18 herum angeordnet sind, obwohl die
Erfindung in Betracht zieht, dass andere Arten von Heizelementen
bzw. Heizvorrichtungen verwendet werden können. Eine Isolierung 26 umgibt
die Heizelemente.
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Eine Erregung der Heizelemente 22 und 24a–b erzeugen
einen vertikalen Temperaturgradienten entlang einer mittigen Längsachse
X der Glocke, die sich von der Oberseite bzw. dem oberen Bereich der
Glocke (am heißesten)
zu der Unterseite bzw. dem Boden der Glocke (am wenigsten heiß) erstreckt.
Eine vertikale Bewegung des Wafers W innerhalb des Temperaturgradienten
setzt den Wafer einem gewünschten
Heizprozess aus. Temperaturaufheiz- und Abkühlrampenraten des behandelten Wafers
werden durch die vertikale Anordnung des Wafers innerhalb der Prozesskammer 20 gesteuert statt
einer Variation der Temperatur der Prozesskammer. Eine vertikale
Bewegung des Wafers wird durch eine Hub- bzw. Liftanordnung 30 bewirkt,
die ein Podest 32 umfasst, das mit einem Tragrohr 34 verbunden
ist. Zu behandelnde Wafer werden auf das Podest 32 geladen
und von diesem entladen durch eine Transferkammer 36.
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Die Systemsteuerung 14 steuert
die Vertikalposition des Podestes 32 und somit des Wafers
W innerhalb des Temperaturgradienten, der in der Prozesskammer 20 etabliert
wurde. Eine Prozesssteuerung 38, wie beispielsweise ein
Mikroprozessor, sieht ein Signal an die Motorsteuerung 40 vor
und zwar basierend auf einem gespeicherten, gewünschten thermischen Behandlungsrezept
und wenn sie in einem geschlossenen Regelkreis betrieben wird, einer
Wafertemperaturrückkopplung,
die durch ein Pyrometer 42 vorgesehen wird. Ein Pyrometerkopf 44 wird
zu der Unterseite des Wafers W gerichtet, um die Temperaturrückkopplung
zu erhalten und ist mit dem Pyrometer 42 über eine
optische Faser bzw. einen Lichtleiter 46 verbunden. Der
Motorsteuerausgang bzw. das Ausgangssignal treibt einen Verstärker 48 an,
der wiederum einen Servomotor 50 antreibt zum Anheben oder
Absenken des Tragrohrs 34. Ein Positionsencoder bzw. eine
Kodiervorrichtung 52 sieht eine Positionsrückkopplung
an die Motorsteuerung vor. Ein solches Positionsregelsystem mit
geschlossener Schleife, wie es durch die Systemsteuerung 14 vorgesehen
wird, ist in der Technik bekannt. Alternativ kann das System in
einer Konfiguration mit offener Schleife ohne Verwendung einer Rückkopplung
von dem Pyrometer 42 laufen.
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Wie in 1 dargestellt
ist, weist bei einem Ausführungsbeispiel
die Heizsteuerung 16 eine obere Heizsteuerung 56 zum
Steuern des Betriebs des oberen Heizmoduls 22, und eine
Zonensteuerung 58a–b zum
Steuern der Seitenwandheizmodule 24a bzw. 24b auf.
Eine Haupt- bzw. Mastersteuerung 60 wird verwendet zum
Steuern des Betriebs der individuellen Steuerungen 56 und 58a–b zum
effektiven Koordinieren eines Betriebs des RTP-Systems 10. Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel
kann eine separate auf Software basierende P-I-D-Regelschleife vorgesehen werden für jedes
Heizelement in dem System, wobei eine Koordination durch die Prozesssteuerung 38 erreicht
wird anstelle der Hauptsteuerung 60.
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Obwohl zwei Seitenwandzonensteuerungen bzw.
Steuereinrichtungen in 1 vorgesehen
sind zum Steuern von zwei Seitenwandheizmodulen (zusätzlich zu
dem oberen Heizmodul 22, das durch die obere Heizsteuerung 56 gesteuert
wird), ist eine solche Konfiguration nur als Beispiel angegeben.
Die vorliegenden Erfindung ist auf jegliche Heizkonfiguration gerichtet,
bei der eine Vielzahl von unabhängig gesteuerten
Heizelementen bzw. Heizeinrichtungen an unterschiedlichen Orten
entlang der Vertikalachse X der Prozesskammer angeordnet sind, zum
Erzeugen eines stufenlosen Temperaturgradienten innerhalb der Prozesskammer.
Wie hier verwendet bedeutet „stufenlos" das Etablieren eines
kontinuierlichen Temperaturgradienten innerhalb der Prozesskammer anstelle
einer Serie von diskreten Zonen mit unterschiedlichen Temperaturen,
welche durch dazwischenliegende Übergangsbereiche
verbunden sind. Obwohl die Heizeinrichtungen jegliche aus einer
Vielzahl von bekannten auf Widerstandselementen oder auf Lampen
basierenden Konfigurationen annehmen kann, weist bei dem dargestellten
Ausführungsbeispiel
jede der Heizeinrichtungen ein Widerstandsheizelement auf, das umfangsmäßig um die
Außenseite der
Glocke 18 herum positioniert ist, so dass sie die Seitenwände der
Glocke umgeben bzw. umschreiben.
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2 zeigt
das Seitenwandheiz-Steuersystem, das durch die vorliegende Erfindung
vorgesehen ist. Wie in 2 dargestellt
ist, speichert die Steuereinrichtung 60 die gewünschten
Temperaturen an einer Vielzahl n von Vertikalpositionen innerhalb der
Prozesskammer 20 oder empfängt diese von einer Speichereinrichtung
(nicht gezeigt), um dadurch den gewünschten kontinuierlichen Temperaturgradienten
innerhalb der Kammer zu etablieren. Die Vielzahl n von vertikalen
Posi tionen repräsentieren
die Vielzahl von Heizmodulen, die verwendet werden zum Heizen der
Prozesskammer 20 innerhalb der Glocke 18 (z. B.
ein oberes Heizmodul und eines oder mehrere Seitenwandheizmodule,
oder zwei oder mehr Seitenwandheizmodule).
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Ein Regelsystem mit geschlossener
Schleife wird für
jedes Heizmodul 24 in dem System vorgesehen. Obwohl 2 nur Seitenwandheizmodule 24a–24n und
eine entsprechende Anzahl von Seitenwandzonensteuerungen 58a–58n darstellt,
kann ein ähnliches
Steuersystem für
das obere Heizmodul verwendet werden, wenn ein solches in dem System 10 umfasst
ist. Jede Zonensteuerung 58 umfasst einen Summierknoten
(z. B. ein Thermostat) 62 zum Empfangen eines Soll-Temperaturreferenzeingangssignals
von der Hauptsteuerung 60 und eines Ist-Temperaturrückkopplungssignals von einem Thermoelement 64,
das an der Glocken-Seitenwand 18 angeordnet ist. Ein Schalter
bzw. Switch SW wird in jeder Steuerung 58a–n verwendet
zum Erregen und Enterregen der Heizmodule 24a–n unabhängig von
den anderen Heizmodulen in dem System, in Abhängigkeit von der Differenz
zwischen dem Soll- und Ist-Seitenwandtemperaturen zum Erreichen
eines konstanten Soll-Seitenwandtemperaturgradienten. Dadurch dass
jede Zonensteuerung 58 durch die Hauptsteuerung gesteuert
wird, wird ein gewünschter
konstanter stufenloser Temperaturgradient innerhalb der glockenförmigen Prozesskammer 20 erreicht.
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3 zeigt
Betriebsverbesserungen, welche durch den Seitenwandheizmechanismus
des vorliegenden Ausführungsbeispiels
erreicht werden. Wie in dieser Figur dargestellt ist, wird eine
Konsistenz der Seitenwandtemperatur an einem bestimmten Ort der
Seitenwand verbessert unter Verwendung des vorliegenden Ausführungsbeispiels
im Vergleich zu einem RTP-System, das keine unabhängige Seitenwanderwärmung vorsieht. 3 zeigt eine graphische
Darstellung der Seitenwandtemperatur an einem Längsort ungefähr mittig
entlang der Achse X der Glocke 18 über den Verlauf der Behandlung
von sieben Wafern, und zwar sowohl mit als auch ohne Verwendung
des Seitenwandheizmechanismus des vorliegenden Ausführungsbeispiels.
Die Seitenwandtemperatur ist gegen die Zeit aufgetragen.
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Bei einem typischen Betrieb eines
RTP-Systems wird ein Wafer auf dem Podest 32 positioniert über die
Transferkammer 36 und zu einer Position entlang der Achse
X unterhalb der Längsposition
bewegt, welche durch die 3 dargestellt
ist. Der Wafer wird zum Durchwärmen
für einen
Moment in dieser Position gehalten (z. B. für 10 bis 20 Sekunden). Dieser
Zeitrahmen wird durch das 10 bis 20 Sekundenintervall vor den Zeiten
t1 bis t7 in 3 dargestellt. Die Temperatur
der Seitenwand an dem Längsort
gemäß 3 (der zu diesem Zeitpunkt
oberhalb des Wafers liegt) steigt an und zwar teilweise in Folge einer
nach unten gerichteten Konvektion von Wärme von der oberen Heizeinrichtung 22.
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Nach dieser anfänglichen Durchwärmposition
wird der Wafer zu einer höheren
Temperatur angehoben, und zwar durch Anheben bzw. Erhöhen des Podestes 32 innerhalb
der Prozesskammer 20 zu einer Position oberhalb der durch
die 3 dargestellten
Längsseitenwandposition.
Dieser Zeitrahmen wird durch das 20 bis 30 Sekundenintervall direkt nach
den Zeiten t1 bis t7 dargestellt.
Während
dieser Zeit wird die Position des Wafers fein eingestellt durch
die Systemsteuerung 14, um den Wafer einem gewünschten
Heizprozess bzw. einer gewünschten Wärmebehandlung
auszusetzen.
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In dem Fall einer fehlenden Seitenwanderwärmung fällt die
Seitenwandtemperatur an dem Längsort
gemäß 3 (der derzeitig unterhalb
des Wafers liegt) erheblich ab, sobald der Wafer an diesem Ort vorbei
bewegt wird, da die Position des Wafers zwischen dem durch 3 dargestellten Längsort und
der oberen Heizeinrichtung die nach unten gerichtete Konvektion
von Wärme
blockiert. Demgemäß wird in
dem Fall einer fehlenden Seitenwanderwärmung die Spitzentemperatur
an dem Längsort gemäß 3 erhalten gerade bevor
der Wafer an diesem Ort vorbei bewegt wird (d. h. genau zu den Zeiten
t1 bis t7, welche
die sequentielle Behandlung von 7 Wafern darstellt). Somit bleibt
es ohne Seitenwanderwärmung
schwierig genau den Temperaturgradienten innerhalb der Prozesskammer 20 zu
steuern, da die Temperatur an einem bestimmten Längsort innerhalb der Kammer
wenigstens teilweise abhängig
von der Position des behandelnden Wafers ist. 3 zeigt, wie dieses Temperaturinkonsistenzproblem
eliminiert werden kann unter Verwendung des Seitenwandheizmechanismus
des vorliegenden Ausführungsbeispiels,
und zwar unabhängig
von der Waferanordnung innerhalb der Prozesskammer.
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Zusätzlich zu dem Problem von Seitenwandtemperaturvariationen,
welche während
der Behandlung eines einzelnen Wafers auftreten, werden in dem Fall
einer fehlenden Seitenwanderwärmung auch
Seitenwandtemperaturvariationen in aufeinanderfolgenden Wafer-zu-Waferbehandlungen
angetroffen, wie zwischen aufeinanderfolgenden Waferbehandlungen
gemessen wurde. Dieses Phänomen ist
in 3 durch die im Allgemeinen
nach unten gerichtete Bewegung oder den Drift der Seitenwandtemperaturkurve
vom Wafer 1 (vor und nach der Zeit t1)
bis zum Wafer 7 (vor und nach der Zeit t7)
dargestellt. Diese im Allgemeinen nach unten gerichtete Temperaturverschiebung
wird auch bewirkt durch ein Blockieren von Strahlungswärme von
der oberen Heizeinrichtung durch die sukzessive behandelten Wafer.
Dieser Effekt wird speziell für
die ersten paar behandelten Wafer hervorgehoben und wird dann weniger
stark hervorgehoben, während
die nach unten gerichtete Wärmeleitung
entlang der Prozesskammer-Seitenwand diesem Effekt entgegenwirkt. 3 zeigt auch, wie dieses
Wafer-zu-Wafertemperaturinkonsistenzproblem eliminiert wird durch
den Seitenwandheizmechanismus des vorliegenden Ausführungsbeispiels.
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Somit verbessert die Verwendung von
mehr als einem unabhängig
gesteuerten Heizmodul, das an einer entsprechenden Anzahl von Längsorten
entlang der vertikalen Prozesskammer positioniert ist, erheblich
die Systemleistung. Seitenwandtemperaturvariationen, welche ansonsten
während
der Behandlung eines einzelnen Wafers auftreten würden, sowie
zwischen aufeinanderfolgende Waferbehandlungen werden deutlich verringert.
Geringe Temperaturvariationen, die in 3 dargestellt
sind, können eliminiert
werden durch eine Feineinstellung des Steuersystems gemäß 2.
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Somit wurde ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel
eines verbesserten seitenwanderhitzten vertikalen RTP-Systems beschrieben.
Unter Berücksichtigung
der obigen Beschreibung ist jedoch zu verstehen, dass diese Beschreibung
nur an hand eines Beispiels vorgenommen wurde und dass die Erfindung
nicht auf die speziell hier dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt ist
und dass unterschiedliche neue Anordnungen, Modifikationen und Substitutionen
implementiert werden können
unter Berücksichtigung
der vorhergehenden Beschreibung, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen,
der durch die folgenden Ansprüche
und ihre Äquivalente
definiert wird.