JP3450240B2 - ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法 - Google Patents
ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法Info
- Publication number
- JP3450240B2 JP3450240B2 JP33443899A JP33443899A JP3450240B2 JP 3450240 B2 JP3450240 B2 JP 3450240B2 JP 33443899 A JP33443899 A JP 33443899A JP 33443899 A JP33443899 A JP 33443899A JP 3450240 B2 JP3450240 B2 JP 3450240B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- zone
- lamp annealing
- calculation unit
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて使用するランプアニール装置及びその処理温度制
御方法に関する。
おいて使用するランプアニール装置及びその処理温度制
御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＯＳトランジスタの特性の調整
は、ゲート絶縁膜下に注入する不純物量の調節によって
行ってきた。一方、近年半導体装置の微細化が進み、各
製造工程での許容マージンは狭くなってきている。特
に、ゲート電極周辺の形状、ゲートＬ寸法、サイドウォ
ール膜厚等にトランジスタ特性は大きく左右される。し
かし、従来の調整方法では、ゲート電極を形成した後で
のトランジスタ特性の制御は不可能であった。
は、ゲート絶縁膜下に注入する不純物量の調節によって
行ってきた。一方、近年半導体装置の微細化が進み、各
製造工程での許容マージンは狭くなってきている。特
に、ゲート電極周辺の形状、ゲートＬ寸法、サイドウォ
ール膜厚等にトランジスタ特性は大きく左右される。し
かし、従来の調整方法では、ゲート電極を形成した後で
のトランジスタ特性の制御は不可能であった。
【０００３】そこで、ゲート電極形成後に行われるラン
プアニール工程の温度を変更することにより、トランジ
スタ特性を制御することが有効な手段となる。また、ゲ
ート電極形状の差異は、ウェーハ中央部と周辺部によっ
ても発生する。そのため、ウェーハ面内の形状の違いに
より、ウェーハ中央部と周辺部で処理温度が変更可能な
ランプアニ−ル装置が必要となる。
プアニール工程の温度を変更することにより、トランジ
スタ特性を制御することが有効な手段となる。また、ゲ
ート電極形状の差異は、ウェーハ中央部と周辺部によっ
ても発生する。そのため、ウェーハ面内の形状の違いに
より、ウェーハ中央部と周辺部で処理温度が変更可能な
ランプアニ−ル装置が必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した事
情に鑑みてなされたもので、半導体製造ラインにおいて
使用するランプアニール装置の処理条件（ウェーハ面内
の温度）を、製品の前工程までの出来映え（作業履歴）
から自動で決定し、最終的な製品のトランジスタ特性を
調整するように処理条件を変更することが可能なランプ
アニール装置とその処理温度を制御する方法を提供する
ことを目的とする。
情に鑑みてなされたもので、半導体製造ラインにおいて
使用するランプアニール装置の処理条件（ウェーハ面内
の温度）を、製品の前工程までの出来映え（作業履歴）
から自動で決定し、最終的な製品のトランジスタ特性を
調整するように処理条件を変更することが可能なランプ
アニール装置とその処理温度を制御する方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記（１）、（２）に示すランプアニール
装置及び下記（３）に示すランプアニール装置の処理温
度制御方法を提供する。
成するため、下記（１）、（２）に示すランプアニール
装置及び下記（３）に示すランプアニール装置の処理温
度制御方法を提供する。
【０００６】（１）ウェーハの処理室と、複数のゾーン
に分割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能
なランプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分
のウェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算
部と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出さ
れたトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記
ランプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部と、を備え
たことを特徴とするランプアニール装置。 （２）前記記憶部で前記出来映えデータが記憶され、前
記演算部で前記トランジスタ特性の変動量が算出される
（１）のランプアニール装置。
に分割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能
なランプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分
のウェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算
部と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出さ
れたトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記
ランプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部と、を備え
たことを特徴とするランプアニール装置。 （２）前記記憶部で前記出来映えデータが記憶され、前
記演算部で前記トランジスタ特性の変動量が算出される
（１）のランプアニール装置。
【０００７】（３）ウェーハの処理室と、複数のゾーン
に分割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能
なランプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分
のウェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算
部と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出さ
れたトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記
ランプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部とを備え、
前記記憶部で前記出来映えデータが記憶され、前記演算
部で前記トランジスタ特性の変動量が算出されるランプ
アニール装置と、コンピュータとを用い、作業製品が該
当工程に仕掛かるとコンピュータが製品を認識してロッ
トコードを制御部へ送るステップと、制御部が前記ロッ
トコードに対応するマトリックスを記憶部から引き出す
ステップと、作業製品の前工程での出来映えデータを制
御部がコンピュータに要求し、そのデータをコンピュー
タが制御部へ送ってマトリックスが完成するステップ
と、完成したマトリックスを制御部が演算部へ送り、演
算部が各工程ごとにトランジスタ特性項目の変動量を算
出するステップと、これらの各工程の変動量から演算部
がトランジスタ特性項目の変動量のトータルを計算する
ステップと、ロットコードに対応して登録されたランプ
アニール処理温度とトランジスタ特性項目との関係を示
す数式を記憶部が演算部に送るステップと、前記トラン
ジスタ特性項目の変動量のトータルを打ち消すように演
算部がランプ部の各ゾーンごとのランプアニール処理温
度を算出するステップと、算出したランプアニール処理
温度を演算部が制御部に送り、制御部がランプアニール
処理温度が計算された処理温度となるように各ゾーンの
ランプ強度を調整するステップとを行うことを特徴とす
るランプアニール装置の処理温度制御方法。
に分割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能
なランプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分
のウェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算
部と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出さ
れたトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記
ランプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部とを備え、
前記記憶部で前記出来映えデータが記憶され、前記演算
部で前記トランジスタ特性の変動量が算出されるランプ
アニール装置と、コンピュータとを用い、作業製品が該
当工程に仕掛かるとコンピュータが製品を認識してロッ
トコードを制御部へ送るステップと、制御部が前記ロッ
トコードに対応するマトリックスを記憶部から引き出す
ステップと、作業製品の前工程での出来映えデータを制
御部がコンピュータに要求し、そのデータをコンピュー
タが制御部へ送ってマトリックスが完成するステップ
と、完成したマトリックスを制御部が演算部へ送り、演
算部が各工程ごとにトランジスタ特性項目の変動量を算
出するステップと、これらの各工程の変動量から演算部
がトランジスタ特性項目の変動量のトータルを計算する
ステップと、ロットコードに対応して登録されたランプ
アニール処理温度とトランジスタ特性項目との関係を示
す数式を記憶部が演算部に送るステップと、前記トラン
ジスタ特性項目の変動量のトータルを打ち消すように演
算部がランプ部の各ゾーンごとのランプアニール処理温
度を算出するステップと、算出したランプアニール処理
温度を演算部が制御部に送り、制御部がランプアニール
処理温度が計算された処理温度となるように各ゾーンの
ランプ強度を調整するステップとを行うことを特徴とす
るランプアニール装置の処理温度制御方法。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を説
明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではな
い。図１を参照すると、本実施例は、ライン内のロット
制御及び前工程までの作業履歴のデータベースとなるラ
イン内ホストコンピュータ（１）と、ランプアニール装
置（２）とで構成される。
明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではな
い。図１を参照すると、本実施例は、ライン内のロット
制御及び前工程までの作業履歴のデータベースとなるラ
イン内ホストコンピュータ（１）と、ランプアニール装
置（２）とで構成される。
【００１２】ランプアニール装置（２）内には、任意の
製品の任意ランプアニール工程のトランジスタ特性デー
タを記憶する記憶部（４）と、記憶部（４）にデータを
入力する入力手段（６）と、データを演算する演算部
（５）と、記憶部（４）よりデータを受け取りランプア
ニール装置（２）を制御する制御部（３）とが設けられ
ている。図１中の矢印は情報の経路を示す。
製品の任意ランプアニール工程のトランジスタ特性デー
タを記憶する記憶部（４）と、記憶部（４）にデータを
入力する入力手段（６）と、データを演算する演算部
（５）と、記憶部（４）よりデータを受け取りランプア
ニール装置（２）を制御する制御部（３）とが設けられ
ている。図１中の矢印は情報の経路を示す。
【００１３】また、ランプアニール装置（２）は、図２
に示す製品処理室構造を持つ。すなわち、ランプアニー
ル装置（２）は、ウェーハ処理中に外気からシールされ
る構造を有する処理室（７）と、ウェーハを加熱するラ
ンプ部（８）と、プロセスガスを導入するガス導入部
（９）と、プロセスガスを廃棄するガス排気部（１０）
と、ウェーハを支持するウェーハ支持部（１１）と、ウ
ェーハ支持部（１１）を回転させる駆動部（１３）と、
ウェーハ裏面側からウェーハの温度を測定するパイロメ
ータ（１２）とを備えている。
に示す製品処理室構造を持つ。すなわち、ランプアニー
ル装置（２）は、ウェーハ処理中に外気からシールされ
る構造を有する処理室（７）と、ウェーハを加熱するラ
ンプ部（８）と、プロセスガスを導入するガス導入部
（９）と、プロセスガスを廃棄するガス排気部（１０）
と、ウェーハを支持するウェーハ支持部（１１）と、ウ
ェーハ支持部（１１）を回転させる駆動部（１３）と、
ウェーハ裏面側からウェーハの温度を測定するパイロメ
ータ（１２）とを備えている。
【００１４】処理中のウェーハ（１５）は、ウェーハ支
持部（１１）上に位置する。ランプ部（８）は、ゾーン
１（８−１）からゾーンＮ（８−Ｎ）に分割されてお
り、それぞれのゾーンごとにランプの出力の調整が可能
である。また、そのゾーンに１対１に対応するように、
ウェーハの下にあるパイロメータ（１２）は、パイロメ
ータ１（１２−１）からパイロメータＮ（１２−Ｎ）ま
で存在し、各ゾーンのランプの直下のウェーハ温度をモ
ニター可能である。ゾーン区分を上からみたものが図３
である。
持部（１１）上に位置する。ランプ部（８）は、ゾーン
１（８−１）からゾーンＮ（８−Ｎ）に分割されてお
り、それぞれのゾーンごとにランプの出力の調整が可能
である。また、そのゾーンに１対１に対応するように、
ウェーハの下にあるパイロメータ（１２）は、パイロメ
ータ１（１２−１）からパイロメータＮ（１２−Ｎ）ま
で存在し、各ゾーンのランプの直下のウェーハ温度をモ
ニター可能である。ゾーン区分を上からみたものが図３
である。
【００１５】次に、システムの動作の一例について、図
１〜図４並びに表１及び表２を参照して説明する。
１〜図４並びに表１及び表２を参照して説明する。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】作業製品が該当工程に仕掛かると、ライン
内ホストコンピュータ（図１−１）が製品を認識し、ロ
ットコードＡをＲＴＰ装置制御部（図１−３）へ送る
（図４−ＳＴＥＰ２）。ＲＴＰ装置制御部は、このロッ
トコードに対応するマトリックスＡn’（表１：ゾーン
ｎ制御用）をＲＴＰ装置記憶部（図１−４）から引き出
す（図４−ＳＴＥＰ３）。
内ホストコンピュータ（図１−１）が製品を認識し、ロ
ットコードＡをＲＴＰ装置制御部（図１−３）へ送る
（図４−ＳＴＥＰ２）。ＲＴＰ装置制御部は、このロッ
トコードに対応するマトリックスＡn’（表１：ゾーン
ｎ制御用）をＲＴＰ装置記憶部（図１−４）から引き出
す（図４−ＳＴＥＰ３）。
【００１９】マトリックスＡn’は、トランジスタ特性
に大きく影響するとされる前工程での条件項目（Ｘ1〜
ＸN：ゲートＬ寸法、サイドウォール膜厚など）、それ
ら項目の規格中央値、これらの条件項目とトランジスタ
特性項目（ＶＴ）との関係を示す数式から構成されてい
る。これらの条件項目、規格中央値、ＶＴとの関係式
は、あらかじめ外部入力手段（図１−６）により入力さ
れ、記憶部に記憶されていたものである。
に大きく影響するとされる前工程での条件項目（Ｘ1〜
ＸN：ゲートＬ寸法、サイドウォール膜厚など）、それ
ら項目の規格中央値、これらの条件項目とトランジスタ
特性項目（ＶＴ）との関係を示す数式から構成されてい
る。これらの条件項目、規格中央値、ＶＴとの関係式
は、あらかじめ外部入力手段（図１−６）により入力さ
れ、記憶部に記憶されていたものである。
【００２０】このマトリックスＡn’の空白部のデータ
を、ＲＴＰ装置制御部がライン内ホストコンピュータに
要求し、そのデータＳ1〜nがライン内ホストコンピュー
タからＲＴＰ装置制御部へ送られる。そして、マトリッ
クスＢn’（表２：ゾーンｎ制御用）が完成する（図４
−ＳＴＥＰ４）。
を、ＲＴＰ装置制御部がライン内ホストコンピュータに
要求し、そのデータＳ1〜nがライン内ホストコンピュー
タからＲＴＰ装置制御部へ送られる。そして、マトリッ
クスＢn’（表２：ゾーンｎ制御用）が完成する（図４
−ＳＴＥＰ４）。
【００２１】ＲＴＰ装置制御部は、このマトリックスＢ
ｎ’を演算部（図１−５）へ送り、各工程ごとにＶＴ変
動量を算出する（図４−ＳＴＥＰ５）。これらの各工程
の特性変動量から、変動量ＶＴ（Ｔｏｔａｌ）＝Σn=1
〜nＶＴnが計算される（図４−ＳＴＥＰ６）。
ｎ’を演算部（図１−５）へ送り、各工程ごとにＶＴ変
動量を算出する（図４−ＳＴＥＰ５）。これらの各工程
の特性変動量から、変動量ＶＴ（Ｔｏｔａｌ）＝Σn=1
〜nＶＴnが計算される（図４−ＳＴＥＰ６）。
【００２２】次に、記憶部（図１−４）からロットコー
ドＡに対応して登録されたランプアニール処理温度とト
ランジスタ特性項目（ＶＴ）との関係を示す数式（ＶＴ
＝ｃＺ＋ｄ：Ｚ＝ランプアニール処理温度、ｃ，ｄ＝定
数）が演算部に送られる（図４−ＳＴＥＰ７）。そし
て、演算部において先に計算された変動量ＶＴ（Ｔｏｔ
ａｌ）を打ち消すように、ランプアニール処理温度が算
出される（図４−ＳＴＥＰ８）。
ドＡに対応して登録されたランプアニール処理温度とト
ランジスタ特性項目（ＶＴ）との関係を示す数式（ＶＴ
＝ｃＺ＋ｄ：Ｚ＝ランプアニール処理温度、ｃ，ｄ＝定
数）が演算部に送られる（図４−ＳＴＥＰ７）。そし
て、演算部において先に計算された変動量ＶＴ（Ｔｏｔ
ａｌ）を打ち消すように、ランプアニール処理温度が算
出される（図４−ＳＴＥＰ８）。
【００２３】マトリックスは、ランプ部の各ゾーンに対
応してＡ1〜ＡN個作成され、各ゾーンごとの処理温度が
算出される。この算出された処理温度が制御部に戻さ
れ、制御部はランプアニール処理温度が計算された処理
温度になるように各ゾーンのランプ強度を調整して製品
処理が行われる（図４−ＳＴＥＰ９）。
応してＡ1〜ＡN個作成され、各ゾーンごとの処理温度が
算出される。この算出された処理温度が制御部に戻さ
れ、制御部はランプアニール処理温度が計算された処理
温度になるように各ゾーンのランプ強度を調整して製品
処理が行われる（図４−ＳＴＥＰ９）。
【００２４】したがって、本実施例によれば、前工程ま
での特性変動量を予測し、ウェーハ面内で熱処理温度を
変化させることにより、特性値の面内バラツキを低減す
ることが可能である。
での特性変動量を予測し、ウェーハ面内で熱処理温度を
変化させることにより、特性値の面内バラツキを低減す
ることが可能である。
【００２５】なお、上記実施例では、説明のために、各
条件項目のＶＴとの関係を２次式、ランプアニール温度
とＶＴとの関係を１次式として計算を行ったが、ＶＴと
の関係式の次数は任意である。また、上記実施例では、
各条件項目とＶＴとの関係式は他の条件項目の測定値に
影響されないとしたが、あらかじめ外部入力手段よりあ
る条件項目の測定値に対して場合分けをしてＶＴとの関
係式を入力した場合は、ある条件項目の測定値に対して
自動でＶＴとの関係式を変更し計算する機能を得ること
ができる。
条件項目のＶＴとの関係を２次式、ランプアニール温度
とＶＴとの関係を１次式として計算を行ったが、ＶＴと
の関係式の次数は任意である。また、上記実施例では、
各条件項目とＶＴとの関係式は他の条件項目の測定値に
影響されないとしたが、あらかじめ外部入力手段よりあ
る条件項目の測定値に対して場合分けをしてＶＴとの関
係式を入力した場合は、ある条件項目の測定値に対して
自動でＶＴとの関係式を変更し計算する機能を得ること
ができる。
【００２６】次に、本発明の他の実施例について図面を
参照して説明する。図１を参照すると、前記実施例で
は、条件項目及びＶＴとの関係式と、ランプアニール処
理温度とトランジスタ特性項目（ＶＴ）との関係を示す
数式は、ランプアニール装置（図１−２）の記憶部（図
１−４）に記憶されており、さらに演算部（図１−５）
によって演算が行われる。しかし、この方式の場合、前
工程までの測定データを、ライン内ホストコンピュータ
（図１−１）からランプアニール装置に大量にダウンロ
ードして演算を行う必要があるため、装置自体のスルー
プットが悪化するという欠点があった。
参照して説明する。図１を参照すると、前記実施例で
は、条件項目及びＶＴとの関係式と、ランプアニール処
理温度とトランジスタ特性項目（ＶＴ）との関係を示す
数式は、ランプアニール装置（図１−２）の記憶部（図
１−４）に記憶されており、さらに演算部（図１−５）
によって演算が行われる。しかし、この方式の場合、前
工程までの測定データを、ライン内ホストコンピュータ
（図１−１）からランプアニール装置に大量にダウンロ
ードして演算を行う必要があるため、装置自体のスルー
プットが悪化するという欠点があった。
【００２７】他の実施例では、ランプアニール装置内に
ある記憶部及び演算部の役割をライン内ホストコンピュ
ータが行う。これにより、ロットがランプアニール工程
に仕掛かる前に処理条件を決定することができ、装置自
体のスループットを悪化させないという効果を得ること
ができる。
ある記憶部及び演算部の役割をライン内ホストコンピュ
ータが行う。これにより、ロットがランプアニール工程
に仕掛かる前に処理条件を決定することができ、装置自
体のスループットを悪化させないという効果を得ること
ができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、ランプアニール装置の
処理条件（ウェーハ面内の温度）を、製品の前工程まで
の作業履歴から自動で決定し、最終的な製品のトランジ
スタ特性を調整するように処理条件を変更することがで
きる。したがって、前工程までの特性変動量を予測し、
ウェーハ面内で熱処理温度を変化させることにより、特
性値の面内バラツキを低減することが可能である。
処理条件（ウェーハ面内の温度）を、製品の前工程まで
の作業履歴から自動で決定し、最終的な製品のトランジ
スタ特性を調整するように処理条件を変更することがで
きる。したがって、前工程までの特性変動量を予測し、
ウェーハ面内で熱処理温度を変化させることにより、特
性値の面内バラツキを低減することが可能である。
【図１】実施例のランプアニール装置処理温度制御シス
テムを示すブロック図である。
テムを示すブロック図である。
【図２】実施例のランプアニール装置の製品処理室構造
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図３】実施例のランプアニール装置のランプ部のゾー
ンを示す図である。
ンを示す図である。
【図４】実施例のシステムの動作の一例を示すフロー図
である。
である。
１ ライン内ホストコンピュータ
２ ランプアニール装置
３ 制御部
４ 記憶部
５ 演算部
６ 入力手段
７ 処理室
８ ランプ部
９ ガス導入部
１０ ガス排気部
１１ ウェーハ支持部
１２ パイロメータ
１３ 駆動部
１５ ウェーハ
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェーハの処理室と、複数のゾーンに分
割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能なラ
ンプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分のウ
ェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算部
と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出され
たトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記ラ
ンプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部と、を備えた
ことを特徴とするランプアニール装置。 - 【請求項２】 前記記憶部で前記出来映えデータが記憶
され、前記演算部で前記トランジスタ特性の変動量が算
出される請求項１に記載のランプアニール装置。 - 【請求項３】 ウェーハの処理室と、複数のゾーンに分
割され、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能なラ
ンプ部と、前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分のウ
ェーハ温度を測定可能な温度計と、記憶部と、演算部
と、作業製品の前工程での出来映えデータから算出され
たトランジスタ特性の変動量を打ち消すように、前記ラ
ンプ部の各ゾーンの出力を制御する制御部とを備え、前
記記憶部で前記出来映えデータが記憶され、前記演算部
で前記トランジスタ特性の変動量が算出されるランプア
ニール装置と、コンピュータとを用い、作業製品が該当
工程に仕掛かるとコンピュータが製品を認識してロット
コードを制御部へ送るステップと、制御部が前記ロット
コードに対応するマトリックスを記憶部から引き出すス
テップと、作業製品の前工程での出来映えデータを制御
部がコンピュータに要求し、そのデータをコンピュータ
が制御部へ送ってマトリックスが完成するステップと、
完成したマトリックスを制御部が演算部へ送り、演算部
が各工程ごとにトランジスタ特性項目の変動量を算出す
るステップと、これらの各工程の変動量から演算部がト
ランジスタ特性項目の変動量のトータルを計算するステ
ップと、ロットコードに対応して登録されたランプアニ
ール処理温度とトランジスタ特性項目との関係を示す数
式を記憶部が演算部に送るステップと、前記トランジス
タ特性項目の変動量のトータルを打ち消すように演算部
がランプ部の各ゾーンごとのランプアニール処理温度を
算出するステップと、算出したランプアニール処理温度
を演算部が制御部に送り、制御部がランプアニール処理
温度が計算された処理温度となるように各ゾーンのラン
プ強度を調整するステップとを行うことを特徴とするラ
ンプアニール装置の処理温度制御方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33443899A JP3450240B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法 |
| US09/716,940 US6469284B1 (en) | 1999-11-25 | 2000-11-22 | Lamp annealer and method for controlling processing temperature thereof |
| CNB001333321A CN1154156C (zh) | 1999-11-25 | 2000-11-24 | 灯退火器及用于控制其处理温度的方法 |
| TW089125020A TW473832B (en) | 1999-11-25 | 2000-11-24 | Lamp annealer and method for controlling processing temperature thereof |
| GB0028765A GB2363253A (en) | 1999-11-25 | 2000-11-24 | Reducing variations in transistor characteristics across a wafer using lamp annealing |
| KR10-2000-0070610A KR100371292B1 (ko) | 1999-11-25 | 2000-11-25 | 램프 어닐 장치 및 그 처리 온도를 제어하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33443899A JP3450240B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156010A JP2001156010A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3450240B2 true JP3450240B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=18277392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33443899A Expired - Fee Related JP3450240B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6469284B1 (ja) |
| JP (1) | JP3450240B2 (ja) |
| KR (1) | KR100371292B1 (ja) |
| CN (1) | CN1154156C (ja) |
| GB (1) | GB2363253A (ja) |
| TW (1) | TW473832B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570137B1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-05-27 | Applied Materials, Inc. | System and method for lamp split zone control |
| JP2005079336A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008066646A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | アニール装置、アニール方法及び半導体装置の製造方法 |
| EP2337066A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-22 | Excico France | Method for making a semiconductor device by laser irradiation |
| CN103094119B (zh) * | 2011-11-04 | 2015-12-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
| KR102045441B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2019-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
| CN117178398A (zh) * | 2021-04-12 | 2023-12-05 | 株式会社堀场制作所 | 评价装置、评价方法以及评价装置用程序 |
| KR102535507B1 (ko) | 2022-12-26 | 2023-05-30 | 주식회사 테스 | 한글 및 수학 연계 학습 교구를 포함하는 트리플 n 스터디 세트 및 이를 활용한 한글 및 수학 연계 학습 방법. |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155336A (en) | 1990-01-19 | 1992-10-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
| US5436172A (en) | 1991-05-20 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system |
| US5449883A (en) * | 1992-08-07 | 1995-09-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Continuous heat treatment system of semiconductor wafers for eliminating thermal donor |
| US5305417A (en) | 1993-03-26 | 1994-04-19 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for determining wafer temperature using pyrometry |
| US6207936B1 (en) * | 1996-01-31 | 2001-03-27 | Asm America, Inc. | Model-based predictive control of thermal processing |
| US5900177A (en) * | 1997-06-11 | 1999-05-04 | Eaton Corporation | Furnace sidewall temperature control system |
| US6188044B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-02-13 | Cvc Products, Inc. | High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications |
| US6064799A (en) * | 1998-04-30 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature |
| US6210484B1 (en) * | 1998-09-09 | 2001-04-03 | Steag Rtp Systems, Inc. | Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33443899A patent/JP3450240B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-22 US US09/716,940 patent/US6469284B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-24 GB GB0028765A patent/GB2363253A/en not_active Withdrawn
- 2000-11-24 CN CNB001333321A patent/CN1154156C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-24 TW TW089125020A patent/TW473832B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-25 KR KR10-2000-0070610A patent/KR100371292B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0028765D0 (en) | 2001-01-10 |
| KR20010051949A (ko) | 2001-06-25 |
| CN1298200A (zh) | 2001-06-06 |
| US6469284B1 (en) | 2002-10-22 |
| CN1154156C (zh) | 2004-06-16 |
| GB2363253A (en) | 2001-12-12 |
| KR100371292B1 (ko) | 2003-02-07 |
| TW473832B (en) | 2002-01-21 |
| JP2001156010A (ja) | 2001-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8905124B2 (en) | Temperature controlled loadlock chamber | |
| JP3450240B2 (ja) | ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法 | |
| JP2002091574A (ja) | バッチ式熱処理装置及びその制御方法 | |
| JPH0855810A (ja) | 拡散炉 | |
| WO2007046945A2 (en) | Product-related feedback for process control | |
| US10236223B2 (en) | Substrate processing method, program, apparatus and system to determine substrate processing result | |
| JP4751538B2 (ja) | 処理システム | |
| US6780795B2 (en) | Heat treatment apparatus for preventing an initial temperature drop when consecutively processing a plurality of objects | |
| US20050145614A1 (en) | Rapid temperature compensation module for semiconductor tool | |
| JP3755814B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JP7230877B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| CN113410126A (zh) | 热氧化工艺中自动调控硅氧化膜厚度的方法和系统 | |
| JP2001144019A (ja) | バッチ式熱処理装置 | |
| JP2002252220A (ja) | 熱処理システム及び熱処理方法 | |
| JPH05267200A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| US6324341B1 (en) | Lot-to-lot rapid thermal processing (RTP) chamber preheat optimization | |
| JPH03228347A (ja) | 半導体素子内部応力制御方式 | |
| JP2002130961A (ja) | 熱処理装置の校正方法及び熱処理装置の数学モデル生成・校正方法 | |
| JPWO2005008755A1 (ja) | 温度制御方法、基板処理装置及び半導体製造方法 | |
| JP4413328B2 (ja) | 伝達ゲイン行列の逆行列の取得方法及びその装置 | |
| JP2007250682A (ja) | 基板処理装置の温度制御方法、基板処理装置および基板処理システム | |
| CN118092530A (zh) | 温度校准方法、装置和系统 | |
| Yoo et al. | Thermal processing in a single wafer rapid thermal furnace | |
| JPH11186249A (ja) | 半導体プロセス制御装置及び制御方法 | |
| JP4208995B2 (ja) | 基板温度の測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |