JP4751538B2 - 処理システム - Google Patents
処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4751538B2 JP4751538B2 JP2001258024A JP2001258024A JP4751538B2 JP 4751538 B2 JP4751538 B2 JP 4751538B2 JP 2001258024 A JP2001258024 A JP 2001258024A JP 2001258024 A JP2001258024 A JP 2001258024A JP 4751538 B2 JP4751538 B2 JP 4751538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- calibration
- control
- recipe
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B13/00—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
- G05B13/02—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/4097—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by using design data to control NC machines, e.g. CAD/CAM
- G05B19/4099—Surface or curve machining, making 3D objects, e.g. desktop manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32182—If state of tool, product deviates from standard, adjust system, feedback
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理装置の制御システムと制御方法に関し、特に、多数の処理装置を一元管理可能な制御システムと制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハの表面に、成膜したり、ドーパントの拡散を行う等の様々な処理を行うために、半導体処理装置が使用されている。
従来、半導体処理装置は、スタンドアロン型が主流であり、プログラムや制御データが、装置内のコントローラに組み込まれており、そのメンテナンスも装置別に行われていた。
複数の処理装置をネットワークで接続し、制御用のコンピュータで複数の装置を制御することも行われているが、制御用コンピュータから各装置に指示を与えているのみである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このため、各処理装置が同様の構成を重複して備えることとなり、装置全体の負担が大きかった。
また、半導体製造装置は、定期的にメンテナンスする必要があるが、従来は、個々の装置を個別にメンテナンスする必要があった。
【0004】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、複数の処理装置を効率よく制御することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の処理システムは、
複数の処理装置と、該複数の処理装置から分離して配置され、通信を介して接続された制御コンピュータとから構成される処理システムであって、
各処理装置は、
被処理体を処理する処理手段と、
前記被処理体を収容し加熱する加熱炉と、
温度を測定し、測定信号を出力する複数の温度センサと、
前記温度センサからの測定信号に基づいて被処理体の温度を予想するためのモデルと処理中の被処理体の所望の温度変化を定義するレシピとをそれぞれ表す制御データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている制御データに従って、前記モデルを用いて前記温度センサの測定信号から被処理体の温度を推定し、さらに、推定した温度に基づいて、被処理体の温度がレシピに従って変化するように前記処理手段を制御する制御手段と、
通信を介して前記制御コンピュータと通信する通信部と、
を備え、
前記制御コンピュータは、
制御データと処理結果とを含むデータを各前記処理装置と通信する通信手段と、
各前記処理装置により実行された被処理体の処理の結果に基づいて各処理装置用の制御データを校正する校正手段と、
モデル校正用レシピを処理装置に送信し、被処理体を前記モデル校正レシピに従って処理するように各前記処理装置を制御し、該被処理装置での処理結果に基づいて前記モデルを前記校正手段により校正する校正制御手段と、
を備える。
【0006】
例えば、前記制御コンピュータは、各前記処理装置の記憶手段に記憶されている制御データに対応する制御データを記憶するメモリ手段を備え、前記校正制御手段は、いずれかの処理装置の制御データの校正を行う際に、前記メモリ手段に記憶されている制御データのうちから、対象となる処理装置の制御データを検索し、対象となる処理装置によって実行された処理の結果に基づいて、検索した制御データを前記校正手段により校正し、校正した制御データを自身の前記メモリ手段に格納し、校正した制御データを対象となる処理装置に送信し、該処理装置の記憶手段に格納させる。
【0007】
例えば、前記複数の処理装置による処理の結果を測定する測定手段をさらに配置し、前記制御コンピュータは、前記測定手段と通信し、測定結果を取得してもよい。
【0008】
前記校正手段は、例えば、処理の間の被処理体の実測温度に基づいて校正を行う。
【0009】
例えば、各前記処理装置は、各前記処理装置は、処理の終了を前記制御コンピュータに通知する手段を備え、前記制御コンピュータの前記校正制御手段は、各前記処理装置からの通知に基づいて、各前記処理装置で実行された処理の回数をカウントし、各前記処理装置で所定の処理回数実行される毎に該処理装置の制御データを校正する。
【0010】
例えば、各前記処理装置は、前記制御コンピュータに所定の通知を行う手段を備え、前記制御コンピュータの校正手段と校正制御手段は、各前記処理装置からの通知に応答して、前記モデルを校正するためのデータ処理を実行し、データ処理の結果を対応する処理装置に送信し、各前記処理装置は、前記制御コンピュータからのデータ処理の結果を受信し、受信したデータ処理の結果に基づいて被処理体を処理する。
【0011】
例えば、被処理体の処理の結果を測定する測定手段を備え、該測定手段による測定の結果は、伝送媒体を介して前記制御コンピュータに送信可能である。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態に係る処理システム1について説明する。
図1に示すように、この実施の形態の処理システム1は、半導体処理システムであり、複数台の処理装置3と、複数台の測定装置5と、制御コンピュータ7と、これらを相互に接続するネットワーク(LAN)9とから構成される。
【0013】
処理装置3は、n台のCVD(Chemical Vapor Deposition)装置31(311〜31n)と、m台の酸化装置32(321〜32m)と、i台の拡散装置33(331〜33i)とを含む。
【0014】
n台のCVD装置31(311〜31n)は、互いに実質的に同一の構成を有し、それぞれ、半導体ウエハなどの被処理体を収容し、被処理体上にCVDによる成膜処理を行う。m台の酸化装置32(321〜32m)は、互いに実質的に同一の構成を有し、半導体ウエハなどの被処理体の表面領域を酸化する処理を行う。i台の拡散装置33(331〜33i)は、互いに実質的に同一の構成を有し、半導体ウエハなどの被処理体の表面領域に不純物を拡散(ドープ)する処理を行う。
【0015】
測定装置5は、膜厚、濃度、等を測定するj台の測定装置51〜5jから構成される。
【0016】
処理装置3の一例として、CVD装置31の構成例を図2を参照して説明する。
CVD装置31は、バッチ式のものであり、図示するように、内管302aと外管302bよりなる二重管構造の反応管302を備え、反応管302の下側には金属性の筒状のマニホールド321が設けられている。
【0017】
反応管302内には、多数枚、例えば、150枚の被処理体を成すウエハWが水平な状態で、上下に間隔をおいてウエハボート323に棚状に配置されている。このウエハボート323は蓋体324の上に保温筒325を介して保持されている。
【0018】
反応管302の周囲には、5段構成のヒータ331〜335が配置されている。ヒータ331〜335には、電力コントローラ336〜340より、それぞれ独立して電力が供給され、独立に制御可能である。反応管302、マニホールド321、ヒータ331〜335により加熱炉が構成される。ヒータ331〜335により、反応管内は、図3に示すように5つのゾーンに分けられている。
【0019】
また、図2に示すマニホールド321には、内管302a内にガスを供給する3本のガス供給管341,342,343が配置されている。各ガス供給管341,342,343には、マスフローコントローラ(MFC)344,345,346を介してジクロルシラン、アンモニア、窒素等の成膜用の処理ガス(原料ガス)及びキャリアガスがそれぞれ供給される。さらに、マニホールド321には、内管302aと外管302bとの隙間から排気するように排気管327が接続されている。排気管327は、圧力調整装置328等を介して真空ポンプに接続されている。
【0020】
内管302aの内面には、垂直方向に一列に5つの温度センサ(熱電対)Sin1〜Sin5が配置されている。温度センサSin1〜Sin5は、ウエハWの金属汚染を防止するため、石英のパイプ(図示せず)等によりカバーされており、図3に示す5つのゾーンにそれぞれ配置されている。
【0021】
外管302bの外面にも、垂直方向に一列に5つの温度センサSout1〜Sout5が配置されている。温度センサSout1〜Sout5も、図3に示す5つのゾーンにそれぞれ配置されている。
【0022】
CVD装置31は、反応管302内の処理雰囲気の温度、ガス流量、圧力といった処理パラメータを制御するためのコントローラ400を備えている。コントローラ400は、温度センサSin1〜Sin5とSout1〜Sout5の出力信号を取り込み、ヒータ331〜335の電力コントローラ336〜340、圧力調整部328、マスフローコントローラ344〜346に制御信号を出力する。
【0023】
コントローラ400の構成の詳細を図4を参照して説明する。
図示するように、コントローラ400は、制御部411と、記憶部412と、I/Oポート413と、操作パネル414と、通信部415と、から構成される。
【0024】
記憶部412は、RAM、ROM、フラッシュメモリ、ディスク記憶装置などから構成され、モデル記憶部412aと、レシピ記憶部412bと、プログラム記憶部412cと、ワークエリア412dと、を備える。
モデル記憶部412aは、温度センサSin1〜Sin5及びSout1〜Sout5の出力信号(測定温度)及び電力コントローラ336〜340への指示値(電力コントローラ336〜340がヒータ331〜335に供給する電力に対応する値)から、各ゾーンに載置されているウエハWの温度を推定(計算)し、さらに、推定した温度を目標値に設定するためにヒータ331〜335に供給すべき電力を求めるモデル(数学モデル;高次・多次元関数)を記憶している。このモデルとしては、例えば、米国特許第5,517,594号公報に開示されたようなものを利用できる。
【0025】
レシピ記憶部412bは、CVD装置31で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるレシピを記憶する。各レシピは図5(a)〜(c)に例示するような温度レシピ(処理対象たるウエハWが経るべき温度変化の目標値;温度目標軌道)を含んでいる。通常のバッチ式処理装置の場合、全ウエハWについて1つの温度レシピが用意される。これに対し、この実施の形態においては、ウエハWの面間及び面内で処理結果が均一になるように、図3に示すゾーン毎に予め調整された温度レシピが用意されている。
【0026】
なお、図5(a)は、ウエハWの温度を一定に維持しながら、成膜処理を実行するための温度レシピの例を示し、図5(b)は、ウエハWの温度を降下させながら、成膜処理を実行するための温度レシピの例を示し、図5(c)は、ウエハWの温度を上昇させながら、成膜処理を実行するための温度レシピの例を示す。図5(a)に示すレシピに従って、ウエハWの温度を一定に維持しながら、成膜処理を実行することにより、ウエハWの全面をほぼ一定の温度に維持した状態で成膜処理を行うことができる。また、図5(b)に示すレシピに従って、ウエハWの温度を降下させながら、成膜処理を実行することにより、周縁部より中心部の温度が高い状態で成膜処理を行うことができる。一方、図5(c)に示すレシピに従って、ウエハWの温度を上昇させながら、成膜処理を実行することにより、周縁部より中心部の温度が低い状態で成膜処理を行うことができる。
【0027】
プログラム記憶部412cは、制御部411の動作・制御プログラム等を記憶する。
ワークエリア412dは、制御部411のワークエリアなどとして機能する。
【0028】
I/Oポート413は、温度センサSin1〜Sin5及びSout1〜Sout5の測定信号を制御部411に供給すると共に、制御部411が出力する制御信号を電力コントローラ336〜340,マスフローコントローラ344〜346、圧力調整部328等へ出力する。また、I/Oポート413には、操作パネル414が接続されている。操作パネル414は、表示部と操作部とを備え、I/Oポート413を介して、制御部411の提供する画像を表示し、ユーザの指示を制御部411に供給する。
通信部415は、CVD装置31と制御コンピュータ7との間のLAN9を介した通信を行う。
【0029】
制御部411は、プロセッサを備え、プログラム記憶部412cに記憶された動作・制御プログラムに従って動作する。具体的には、制御部411は、温度センサSin1〜Sin5、Sout1〜Sout5の出力値及び電力コントローラ336〜340への指示値(ヒータ331〜335への供給電力に対応する値)を取り込んで、モデル記憶部412aに記憶されたモデルに適用して、各ゾーンのウエハWの温度を刻一刻と推定する。さらに、制御部411は、推定した温度がレシピ記憶部412bに記憶された温度レシピが指示する値に一致するように、電力コントローラ336〜340に供給電力を指示する。
【0030】
また、制御部411は、マスフローコントローラ344〜346への指示、圧力調整部328への指示なども行い、原料ガスの供給の開始と停止、流量、反応管302内の圧力などをレシピに従って制御する。
【0031】
図1の酸化装置32及び拡散装置33も、バッチ式のものであり、CVD装置31と同様に、温度センサの測定値に基づいてウエハWの温度を推定し、推定したウエハ温度がレシピが規定する温度に一致するように、ヒータ類を制御し、所望のプロセスを実行する。
【0032】
制御コンピュータ7は、処理装置31〜33及び測定装置5全体を管理する装置であり、各装置のラン回数の管理、モデルの更新(微調整)、レシピの更新などの制御処理を実行する。
【0033】
制御コンピュータ7の構成例を図6を参照して説明する。
図示するように、制御コンピュータ7は、制御部71と、通信部72と、表示部73と、入力部74と、装置データベース(DB)75と、記憶部76と、から構成される。
【0034】
通信部72は、処理装置31〜33及び測定装置5との間のLAN9を介した通信を行う。
表示部73は、この制御コンピュータの様々な情報をユーザに提供する。
入力部74は、ユーザの指示やデータを制御部71に入力する。
【0035】
装置DB75は、ハードディスク装置などから構成され、処理装置31〜33について、処理装置の種類別に、各装置を管理するために必要なデータが登録された管理テーブルを記憶する。管理テーブルは、例えば、CVD装置31の場合には、図7に示すように、装置ID、総処理回数(装置設置後の総処理実行回数)、モデル校正後処理回数(前回モデルを校正してからの処理回数)、モデル(その装置に現在格納されているモデル)、レシピ校正後処理回数(前回レシピを校正してからの処理回数)、レシピ(その装置に現在格納されているモデル)、設定膜厚(形成したい膜の厚さ)、等の情報を含む。また、CVD装置31に共通な基本モデル(同一仕様の装置に共通の基本的なモデル)と基本レシピ(同一仕様の装置で同一条件の成膜を行うための共通の基本的なレシピ)を記憶する。
【0036】
記憶部76は、制御部71の動作プログラム等を記憶し、また、制御部71のワークエリアとして機能する。
【0037】
制御部71は、記憶部76に記憶された制御プログラムに従って動作し、処理システム1全体を管理する。特に、この実施の形態においては、制御部71は、各処理装置31〜33の処理実行回数をカウントし、所定の処理回数毎に、適切な処理が実行されるように、各装置のモデルとレシピを校正(修正)する処理を行う。処理の具体的な内容については後述する。
【0038】
次に、上記構成の処理システム1の動作を説明する。
この処理システム1を構成する各装置の設計段階等において、各処理装置3の構造と特性に基づいて、基本モデルが設計される。ただし、この基本モデルは、設計(仕様)が同一の装置に共通のモデルであり、各装置の実際の構造や動作使用環境のばらつきを反映していない。従って、この基本モデルをそのまま使用した場合には、モデルを使用して推定したウエハ温度と実施のウエハ温度との間にずれが生ずる場合が生ずる。
【0039】
同様に、プロセスの設計段階等において、目的とする処理結果(目的とする膜厚、膜質、濃度等)を得るために各処理装置3が実行すべき処理過程(プロセス)を定義する基本レシピが設計される。ただし、基本レシピは、設計が同一でかつ同一の処理を行う装置に共通のレシピであり、各装置の構造や動作環境のばらつきを反映していない。従って、この基本レシピをそのまま使用した場合には、実際に製造される膜や層の成分、厚さ、濃度などにずれが生ずる。
【0040】
そこで、処理システム1の導入時等において、推定したウエハ温度が実際のウエハ温度に一致し、かつ、目的とする処理結果が得られるように、図8に示すように、各処理装置3別に基本モデルと基本レシピとを順番に校正する(カスタマイズする)。
【0041】
この校正処理を、CVD装置31を例に詳細に説明する。
まず、事前に、制御コンピュータ7の装置DB75に、図7に示すように、各CVD装置31の装置IDを登録し、そのCVD装置31のモデル及びレシピとして、基本モデルと基本レシピを登録する。そして、総処理回数、モデル校正後処理回数、レシピ校正後処理回数に0をセットする。
【0042】
次に、モデルを校正する手順を図9を参照して説明する。
制御コンピュータ7のオペレータは、CVD装置31の装置IDとその種類を指定し、モデルの校正処理の開始を指示する。
【0043】
この指示に応答し、制御部71は、モデル校正用の専用のレシピを記憶部76から読み出す(ステップS111)。
続いて、制御部71は、モデルの校正処理を開始する指示と校正用レシピを、校正対象のCVD装置31に送信する(ステップS112)。
校正対象のCVD装置31は、制御コンピュータ7からの指示と校正用レシピとを受信し、受信した校正用レシピをレシピ記憶部412bに一時的に格納する(ステップS113)。
【0044】
一方、処理担当者は、ウエハWをカセットなどに収納して、CVD装置31の受入部にセットする。
CVD装置31の制御部411は、制御コンピュータ7からの指示に応答して、ウエハWをウエハボート323に移載し、このウエハボート323を保温筒325上にセットする。
【0045】
続いて、制御部411は、レシピ記憶部412bに記憶された校正用レシピに従って、プロセスを実行する(ステップS114)。具体的には、制御部411は、温度センサSin1 〜Sin5及びSout1〜Sout5の出力と各電力コントローラ336〜340への指示値を取り込み、モデル(初回は基本モデル)に基づいて、ゾーン別にウエハWの温度を推定する。さらに、制御部411は、推定したウエハ温度が、校正用レシピが定義する温度に一致するように、各電力コントローラ336〜340への指示値を調整する。さらに、制御部411は、校正用レシピに従って、ガスを供給し、成膜処理を行う。
【0046】
成膜処理が終了すると(ステップS115)、制御部411は、制御コンピュータ7に成膜処理終了を通知する(ステップS116)。制御コンピュータ7は、通知を受信し、測定装置5からの測定値の受信を待機する(ステップS117)。
【0047】
処理担当者は、CVD装置31より処理済みのウエハWを取り出す(ステップS118)。そして、各ゾーンのウエハWを測定装置5にセットし(ステップS118)、CVD装置31の装置IDを指定して、その膜厚を測定する。測定装置5は、装置IDを付して、測定した膜厚を制御コンピュータ7に通知する(ステップS119)。
【0048】
制御コンピュータ7の制御部71は、通知された測定膜厚と校正用レシピが目的とする膜厚とを比較し、比較結果に基づいて、装置DB75に登録されているそのCVD装置用のモデルを修正する(ステップS121)。具体的には、測定された膜厚が、目的とする膜厚よりも薄い場合には、推定温度を下げるように現在のモデルを修正し、測定された膜厚が、目的とする膜厚よりも厚い場合には、推定温度を上げるように、現在のモデルを修正する(カスタマイズする)。
【0049】
このようにして、校正用レシピに従って処理を実行して得られた膜厚と目的とする膜厚とを比較し、その差に基づいて、適切な温度を推定するようにモデルを調整する。制御部71は、校正したモデルを、装置DB75のそのCVD装置31の欄に登録すると共に校正対象のCVD装置31に送信する(ステップS122)。CVD装置31は、校正されたモデルを受信し、これをモデル記憶部412aに上書き保存する(ステップS123)。
【0050】
制御コンピュータ7とCVD装置31は、このような校正動作を所定回数繰り返すことにより、基本モデルを、個々の装置の個性を反映したものにチューニングする。
【0051】
制御部71は、形成された膜厚と予定膜厚との差が所定レベル以下となった場合、及び、校正処理を所定回数繰返した場合に、モデルの校正処理を終了し、レシピの校正(カスタマイズ)処理に移る。
【0052】
次に、レシピの校正処理について図10を参照して説明する。
制御コンピュータ7のオペレータは、校正対象装置を指定して、レシピ校正処理の開始を指定する。この指示に応答し、制御コンピュータ7の制御部71は、校正対象のCVD装置31に、指示を送信する(ステップS211)。
CVD装置31は、制御コンピュータ7からの指示を受信する(ステップS212)。
【0053】
処理担当者は、ウエハWをカセットなどに収納して、CVD装置31の受入部にセットする。CVD装置31は、ウエハWをウエハボート323に移載して、このウエハボート323を保温筒325上にセットする。
【0054】
続いて、CVD装置31はレシピ記憶部412bに記憶されたレシピ(初回は基本レシピ)に従って、プロセスを実行する(ステップS213)。具体的には、制御部411は、温度センサSin1 〜Sin5及びSout1〜Sout5の出力と各電力コントローラ336〜340への指示値を取り込み、モデルに基づいて、ゾーン別にウエハWの温度を推定する。さらに、制御部411は、推定したウエハ温度が、レシピが定義する温度に一致するように、各電力コントローラ336〜340への指示値を調整する。さらに、制御部411は、レシピに従って、ガスを供給し、成膜処理を行う。
【0055】
成膜処理が終了すると(ステップS214)、制御部411は、制御コンピュータ7に成膜処理終了を通知する(ステップS215)。制御コンピュータ7は、通知を受信し、その装置の測定結果の受信を待機する(ステップS216)。
【0056】
一方、処理担当者は、CVD装置31より処理済みのウエハWを取り出し、測定装置5にセットし、CVD装置31の装置IDを入力する。なお、膜厚の測定は、5つのゾーンのそれぞれから抽出したウエハWについて、例えば、図11に示すように、それぞれ、9カ所の膜厚を測定する。
測定装置5は、入力されたCVD装置31の装置IDを付して、測定した膜厚を制御コンピュータ7に通知する(ステップS218)。
【0057】
制御コンピュータ7の制御部71は、測定値を受信し、これを記憶部76に記憶する(ステップS219)
次に、制御部71は、測定値に基づいてレシピを校正する処理を実行する(ステップS220)。なお、レシピの校正手法自体は、任意であるが、この実施の形態では、以下の校正処理を実行することとする。
【0058】
まず、5つのゾーンから抽出したウエハWに形成された膜の平均膜厚を求め、平均膜厚と目的とする膜厚とが一致するように、全ゾーンのレシピが規定する温度を調整する。例えば、平均膜厚が目的とする膜厚よりも小さい場合には、全ゾーンのレシピが規定する処理温度を高め(オフセットを大きくする)、平均膜厚が目的とする膜厚よりも大きい場合には、全ゾーンのレシピが規定する処理温度を低める(オフセットを小さくする)。
【0059】
次に、ゾーン別に平均膜厚を求め、平均膜厚と目的とする膜厚とが一致するように、各ゾーンのレシピが規定する温度を調整する。例えば、あるゾーンのウエハWに形成された膜の平均膜厚が目的とする膜厚よりも小さい場合には、レシピが規定する処理温度を高め、平均膜厚が目的とする膜厚よりも大きい場合には、そのゾーン用のレシピが規定する処理温度を低める。
【0060】
次に、制御部は、各ゾーンのウエハW上に成膜された膜の膜厚のばらつきを調整する。
前述のように、図2に示す装置構成では、ウエハWを昇温している間は、中心部の温度よりも周縁部の温度が高い。一方、ウエハWを降温している間は、中心部の温度よりも周縁部の温度が低い。成膜処理の場合には、通常、他の条件が同一ならば、ウエハWの温度が高い方が膜が成膜されやすく、厚い膜が形成される。
【0061】
そこで、あるゾーンから抽出したウエハW上に成膜された膜が周縁部で厚く、中心部で薄い凹(カップ)型の場合には、今回の処理時よりも、ウエハWの周縁部の温度を相対的に低くして成膜処理を行えば、厚さの均一な成膜が可能である。このようなウエハ温度を得るためには、レシピの成膜中(処理ガス供給中)の温度勾配(時間に対する温度の変化)を小さくするように(傾きαから正の値Δαを減算するように)、そのゾーン用のレシピを調整すればよい。例えば、図5(a)のレシピの場合には、処理ガス供給中の温度勾配を0から負の値に調整し、図5(b)のレシピの場合には、処理ガス供給中の温度勾配を負の方向に大きくし、図5(c)のレシピの場合には、処理ガス供給中の温度勾配を緩やかにするように、そのゾーン用のレシピを調整すればよい。逆に、あるゾーンから抽出したウエハW上の膜厚が周縁部で薄く、中心部で厚い凸(キャップ)型の場合には、今回の処理時よりも、ウエハWの周縁部の温度を相対的に高く維持しながら成膜処理を行えば、より均一な厚さの成膜が可能である。このようなウエハ温度を得るためには、成膜中の温度勾配を大きくするように(傾きαから正の値Δαを加算するように)、そのゾーン用のレシピを調整する。
【0062】
このようにして、制御部71は、校正対象のCVD装置31に現在格納されているレシピを校正する。制御部71は、校正されたレシピを、装置DB75の該当するCVD装置31用のレシピ格納エリアに上書保存すると共に校正対象のCVD装置31に送信する(ステップS221)。CVD装置31の制御部411は、校正されたレシピを受信し、これをレシピ記憶部412bに上書き保存する(S222)。
【0063】
このようなレシピの校正動作を複数回繰り返して、全CVD装置31に共通の基本レシピを、個々の装置の特性を反映したものにチューニングすることができる。
【0064】
制御部71は、形成された膜厚と予定膜厚との差が所定レベル以下となった場合、及び、校正処理を所定回数繰返した場合に、レシピの校正処理を終了し、その旨を表示部73からオペレータに報知し、LAN9を介して校正が完了した処理装置3にも通知する。処理装置3は、操作パネル414にその旨を表示し、処理担当者に校正の終了を報知する。
以上で、初期設定時の校正処理が終了し、以後、通常の動作に移る。
【0065】
なお、以上の校正処理は、複数の処理装置3について、並列的に実行される。
【0066】
また、図1に示す処理システム1に、新たな処理装置3を追加した場合等には、追加した処理装置3についてのみ上述の校正処理を実行し、他の装置に通常の運転動作を行う。
【0067】
(通常時の動作)
次に、各処理装置が通常の処理動作(運転動作)を行っている場合の処理システム1の動作を図12を参照して説明する。
通常動作時、各処理装置の制御部411は、1回の処理プロセスが終了すると、制御コンピュータ7に、処理終了を通知する。
【0068】
処理終了の通知に応答して、制御コンピュータ7の制御部71は、装置DB75の管理テーブル(図7)に記憶されている、その装置の総処理回数と、モデル校正後処理回数と、レシピ校正後処理回数とを+1する(ステップS21)。
続いて、制御部71は、モデル校正後処理回数が、予め定められた所定値、例えば、13に達したか否かを判別する(ステップS22)。
【0069】
達していると判別された場合、制御部71は、その処理装置のモデルを校正する必要があることを判別し、表示部73を介してオペレータにその旨を通知する。
【0070】
以後の動作は、基本的に、図9に示した、初期設定時のモデル校正動作と同一であり、制御コンピュータ7は、校正対象の処理装置3の校正用レシピを記憶部76から読み出し(ステップS111)、モデルの校正処理を開始すべき旨の指示と校正用レシピとを、校正対象の処理装置3に送信する(ステップS112)。
処理装置3は、制御コンピュータ7からの指示と校正用レシピを受信し、校正用レシピをレシピ記憶部412bに格納する(ステップS113)。続いて、校正対象の処理装置3は、レシピ記憶部412bに記憶された校正用レシピに従って、プロセスを実行する(ステップS114)。
【0071】
成膜処理が終了すると(ステップS115)、制御部411は、制御コンピュータ7に成膜処理終了を通知する(ステップS116)。制御コンピュータ7は、通知を受信し、測定装置からの測定結果の受信を待機する(ステップS117)。
【0072】
処理担当者は、処理済みのウエハWを測定装置5にセットし、処理装置3の装置IDを特定して、処理結果を測定する。測定装置5は、測定した膜厚と装置IDとを制御コンピュータ7に送信する(ステップS119)。
【0073】
制御コンピュータ7の制御部71は、送信された膜厚を受信し(ステップS120)、モデルの校正処理を実行する(ステップS121)。制御部71は、校正済したモデルを、装置DB75上の管理テーブル内のその処理装置3用のモデルエリアに上書保存すると共に校正対象の処理装置3に送信する(ステップS122)。
【0074】
処理装置3は、校正されたモデルを受信し、これをモデル記憶部412aに上書き保存する。
【0075】
以上処理が終了すると、制御コンピュータ7は、装置DB75に記録されている管理テーブルのその装置用のモデル校正後処理回数の欄を0にリセットする(図12,ステップS24)。
【0076】
次に、制御部71は、管理テーブルに格納されているその装置のレシピ校正後処理回数が、所定値に達したか否かを判別する(ステップS25)。
【0077】
達していなければ、制御部71は、そのまま、この処理終了通知に対応する処理を終了する。一方、達していると判別されると、制御部71は、その処理装置3のレシピを校正する必要があることを判別し、表示部73を介してオペレータにその旨を報知する。
【0078】
以後の動作は、基本的に、図10に示した、初期設定時のレシピ校正動作と同一であり、制御コンピュータ7の制御部71は、レシピの校正処理を開始すべき旨の指示を、校正対象の処理装置3に送信する(ステップS211)。
処理装置31は、制御コンピュータ7からの指示を受信し(ステップS212)、続いて、レシピ記憶部412bに記憶されている校正対象のレシピに従って、プロセスを実行する(ステップS213)。
【0079】
プロセスが終了すると、制御部411は、制御コンピュータ7に成膜処理終了を通知する(ステップS214)。制御コンピュータは、通知を受信し、測定装置5からの測定結果の受信を待機する(ステップS216)。
【0080】
処理担当者は、処理済みのウエハWを測定装置5にセットし、処理装置3の装置IDを特定して、処理結果を測定する。測定装置5は、測定した膜厚と装置IDとを制御コンピュータ7に送信する(ステップS218)。なお、測定対象のウエハWや測定点の位置や数は、初期設定時と同一である。
【0081】
制御部71は、管理テーブルから校正対象処理装置3の現在のレシピを読み出す。そして、測定値に従って、1)全ウエハWの平均膜厚が目的とする膜厚に等しくなるように、全ゾーンのレシピを調整し、2)各ゾーンのウエハWの平均膜厚が目的とする膜厚に等しくなるように、各ゾーンのレシピを調整し、3)ウエハW間及びウエハW内の膜厚のばらつきが小さくなるように、各ゾーンのレシピを調整する(ステップS220)。
【0082】
このようにして、制御コンピュータ7は処理装置3のレシピを校正し、それを、装置DB75に記録されている管理テーブルの該当する処理装置用のレシピ格納エリアに上書き保存すると共に校正対象の処理装置3に送信する(ステップS221)。
【0083】
処理装置は、校正されたレシピを受信し、これをレシピ記憶部に格納する(S223)。
以上の校正処理が終了すると、制御コンピュータ7は、装置DB75に記録されている管理テーブル上のその装置用のレシピ校正後処理回数の欄を0にリセットする(図12,ステップS27)。
【0084】
以上説明したように、この実施の形態の処理システム1は、複数の処理装置3を制御コンピュータ7で集中的に管理する。従って、管理処理が従来に比較して大幅に効率化される。また、モデルの校正、レシピの校正などの処理負担の大きい部分を、制御コンピュータ7で負担することにより、各処理装置3のソフトウエア構成及びハードウエア構成を簡略化することが可能となる。さらに、前述のように、校正処理を行うことにより、プロセスを適切に実行し、適切な膜厚、膜質、濃度を得ることができる。
【0085】
なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施の形態においては、プロセスを実行して、その処理結果を基づいてモデルを校正した。しかし、例えば、温度センサを組み込んだダミーウエハを各ゾーンに配置して、各ウエハの温度を直接求めて記録し、この実測温度とモデルを使用して推定した温度が一致するように、モデルを校正してもよい。
【0086】
また、上記実施の形態においては、所定回数の処理を行う度に、校正専用のプロセスを実行して、モデルとレシピを校正したが、通常の処理を実行しながら、モデル又はレシピを調整することも可能である。例えば、通常の処理を行う際に、ウエハの一部として、温度センサを組み込んだダミーウエハを各ゾーンに配置して、各ダミーウエハの温度を直接求めて記録し、制御コンピュータ7が、モデルを使用して推定した温度と実測温度が一致するようにモデルを校正し、次回の処理までに、処理装置3にセットするようにしてもよい。
また、例えば、通常の処理を実行し、処理済みのウエハの中から、各ゾーンのウエハWをサンプルとして抽出し、サンプルウエハ上の膜厚や濃度を測定して、この測定値を用いて制御コンピュータ7がモデルを校正し、これを次回の処理開始までに、処理装置3にセットするようにしてもよい。この手法によれば、処理装置3を停止することなく、モデルやレシピを校正することが可能となる。
【0087】
また、この発明は、モデルやレシピを校正する実施例に限定されず、機能が共通する複数の処理装置を配置する場合に広く適用可能である。
例えば、複数の処理装置に共通の演算処理機能や設定機能を制御コンピュータ7に配置しておき、図13に示すように、処理担当者が、処理装置3の操作パネル414を操作して、何らかの情報を入力すると、その情報を装置IDと共に制御コンピュータ7にLAN9を介して送信し(ステップS311)、制御コンピュータ7で入力情報の解析(ステップS312)や入力情報に基づく処理(例えば、設定の変更や演算処理)を行って(ステップS313)、処理結果を処理装置3に返信し、処理装置3の設定を変更したり、受信データを操作パネル414に表示したり、制御に利用したりしてもよい。このような構成によっても、各処理装置の構成を簡略化することが可能となる。また、処理担当者は、制御コンピュータを意識する必要がない。
【0088】
上記実施の形態では、通信媒体としてLAN9を例示したが、通信手段の構成は任意であり、例えば、フレキシブルデスク、フラッシュメモリなどの記録媒体を介して装置間でデータや指示を伝達するようにしてもよい。
【0089】
なお、上記実施の形態においては、被処理体として半導体ウエハを例示したが、被処理体は液晶表示素子やPDPのガラス基板等でもよい。
【0090】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、各処理装置の構成を簡略化し、集中管理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係る処理システムの構成を示す図である。
【図2】図1に示すCVD装置の構成例を示す図である。
【図3】反応管内のゾーン構成を示す図である。
【図4】図2に示す制御部の構成例を示す回路図である。
【図5】レシピの例を示す図である。
【図6】図1に示す制御コンピュータの構成例を示す図である。
【図7】図6の装置DBに格納される管理テーブルの例を示す図である。
【図8】システムの初期導入時の校正手順を説明するための図である。
【図9】モデル校正処理を説明するための図である。
【図10】レシピ校正処理を説明するための図である。
【図11】ウエハ上の測定点を説明するための図である。
【図12】制御コンピュータが、処理装置が処理を終了した際に出力する処理終了通知に応答して実行する処理を説明するための図である。
【図13】処理システムの他の動作例を示す図である。
【符号の説明】
1 処理システム
3 処理装置
5 測定装置
7 制御コンピュータ
9 LAN
Claims (7)
- 複数の処理装置と、該複数の処理装置から分離して配置され、通信を介して接続された制御コンピュータとから構成される処理システムであって、
各処理装置は、
被処理体を処理する処理手段と、
前記被処理体を収容し加熱する加熱炉と、
温度を測定し、測定信号を出力する複数の温度センサと、
前記温度センサからの測定信号に基づいて被処理体の温度を予想するためのモデルと処理中の被処理体の所望の温度変化を定義するレシピとをそれぞれ表す制御データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている制御データに従って、前記モデルを用いて前記温度センサの測定信号から被処理体の温度を推定し、さらに、推定した温度に基づいて、被処理体の温度がレシピに従って変化するように前記処理手段を制御する制御手段と、
通信を介して前記制御コンピュータと通信する通信部と、
を備え、
前記制御コンピュータは、
制御データと処理結果とを含むデータを各前記処理装置と通信する通信手段と、
各前記処理装置により実行された被処理体の処理の結果に基づいて各処理装置用の制御データを校正する校正手段と、
モデル校正用レシピを処理装置に送信し、被処理体を前記モデル校正レシピに従って処理するように各前記処理装置を制御し、該被処理装置での処理結果に基づいて前記モデルを前記校正手段により校正する校正制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする処理システム。 - 前記制御コンピュータは、
各前記処理装置の記憶手段に記憶されている制御データに対応する制御データを記憶するメモリ手段を備え、
前記校正制御手段は、
いずれかの処理装置の制御データの校正を行う際に、
前記メモリ手段に記憶されている制御データのうちから、対象となる処理装置の制御データを検索し、
対象となる処理装置によって実行された処理の結果に基づいて、検索した制御データを前記校正手段により校正し、
校正した制御データを自身の前記メモリ手段に格納し、
校正した制御データを対象となる処理装置に送信し、該処理装置の記憶手段に格納させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の処理システム。 - 前記複数の処理装置による処理の結果を測定する測定手段を備え、
前記制御コンピュータは、前記測定手段と通信し、測定結果を取得する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の処理システム。 - 前記校正手段は、処理の間の被処理体の実測温度に基づいて校正を行う、ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の処理システム。
- 各前記処理装置は、処理の終了を前記制御コンピュータに通知する手段を備え、
前記制御コンピュータの前記校正制御手段は、各前記処理装置からの通知に基づいて、各前記処理装置で実行された処理の回数をカウントし、各前記処理装置で所定の処理回数実行される毎に該処理装置の制御データを校正する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の処理システム。 - 各前記処理装置は、前記制御コンピュータに所定の通知を行う手段を備え、
前記制御コンピュータの校正手段と校正制御手段は、各前記処理装置からの通知に応答して、前記モデルを校正するためのデータ処理を実行し、データ処理の結果を対応する処理装置に送信し、
各前記処理装置は、前記制御コンピュータからのデータ処理の結果を受信し、受信したデータ処理の結果に基づいて被処理体を処理する、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の処理システム。 - 被処理体の処理の結果を測定する測定手段を備え、
該測定手段による測定の結果は、伝送媒体を介して前記制御コンピュータに送信可能である、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の処理システム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001258024A JP4751538B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 処理システム |
KR1020047002697A KR100857302B1 (ko) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | 처리 장치 |
DE60227963T DE60227963D1 (de) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | Behandlungssystem |
CNB028214641A CN1331192C (zh) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | 处理系统 |
EP02762897A EP1422743B1 (en) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | Treatment system |
PCT/JP2002/008687 WO2003021646A1 (fr) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | Systeme de traitement |
US10/487,973 US7139627B2 (en) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | Calibration of plural processing systems |
TW091119587A TW591687B (en) | 2001-08-28 | 2002-08-28 | Processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001258024A JP4751538B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003067005A JP2003067005A (ja) | 2003-03-07 |
JP4751538B2 true JP4751538B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=19085608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001258024A Expired - Fee Related JP4751538B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 処理システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7139627B2 (ja) |
EP (1) | EP1422743B1 (ja) |
JP (1) | JP4751538B2 (ja) |
KR (1) | KR100857302B1 (ja) |
CN (1) | CN1331192C (ja) |
DE (1) | DE60227963D1 (ja) |
TW (1) | TW591687B (ja) |
WO (1) | WO2003021646A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3802889B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2006-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその校正方法 |
US7838072B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monolayer deposition (MLD) |
JP5101243B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置,基板処理装置の制御方法,およびプログラム |
DE102009016138A1 (de) * | 2009-04-03 | 2010-10-14 | Ipsen International Gmbh | Verfahren und Computer-Programm zur Steuerung der Wärmebehandlung von metallischen Werkstücken |
CN102337518B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-07-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种载板回收控制方法、系统及一种薄膜沉积设备、方法 |
CN102560681B (zh) * | 2010-12-16 | 2016-05-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 测温装置及扩散炉 |
US9594367B2 (en) | 2011-10-31 | 2017-03-14 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Systems and methods for process control including process-initiated workflow |
JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
WO2014068981A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の制御装置 |
CN103903998B (zh) * | 2012-12-24 | 2016-08-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体工艺的检测方法和检测系统 |
JP6566897B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2019-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
JP7336207B2 (ja) * | 2018-05-29 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および物品製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5408405A (en) * | 1993-09-20 | 1995-04-18 | Texas Instruments Incorporated | Multi-variable statistical process controller for discrete manufacturing |
US5646870A (en) * | 1995-02-13 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers |
JP2986146B2 (ja) * | 1995-11-02 | 1999-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のレシピ運用システム |
JP3892493B2 (ja) | 1995-11-29 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理システム |
US6110214A (en) * | 1996-05-03 | 2000-08-29 | Aspen Technology, Inc. | Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations |
US5867398A (en) * | 1996-06-28 | 1999-02-02 | Lsi Logic Corporation | Advanced modular cell placement system with density driven capacity penalty system |
US5943230A (en) * | 1996-12-19 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system |
JP3274095B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2002-04-15 | 富士通株式会社 | 加熱炉内の被加熱物の熱解析装置及びそれを用いたリフロー炉の制御装置並びにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US6161054A (en) * | 1997-09-22 | 2000-12-12 | On-Line Technologies, Inc. | Cell control method and apparatus |
JP3077656B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
DE19838469B4 (de) | 1998-08-25 | 2007-10-18 | Abb Research Ltd. | Prozeßsteuer- und Regelsystem mit verteilter Verarbeitung |
US6424880B1 (en) * | 1999-09-10 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-computer chamber control system, method and medium |
US6484064B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for running metrology standard wafer routes for cross-fab metrology calibration |
US6584369B2 (en) * | 2000-02-02 | 2003-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for dispatching semiconductor lots to manufacturing equipment for fabrication |
JP4357715B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の温度校正方法 |
US6842659B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for providing intra-tool monitoring and control |
US6708075B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-03-16 | Advanced Micro Devices | Method and apparatus for utilizing integrated metrology data as feed-forward data |
US6721616B1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-04-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining control actions based on tool health and metrology data |
US6732007B1 (en) * | 2002-06-05 | 2004-05-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for implementing dynamic qualification recipes |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001258024A patent/JP4751538B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-28 DE DE60227963T patent/DE60227963D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 WO PCT/JP2002/008687 patent/WO2003021646A1/ja active IP Right Grant
- 2002-08-28 TW TW091119587A patent/TW591687B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-28 US US10/487,973 patent/US7139627B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 KR KR1020047002697A patent/KR100857302B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-28 CN CNB028214641A patent/CN1331192C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 EP EP02762897A patent/EP1422743B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040215365A1 (en) | 2004-10-28 |
EP1422743A1 (en) | 2004-05-26 |
CN1331192C (zh) | 2007-08-08 |
WO2003021646A1 (fr) | 2003-03-13 |
KR20040029016A (ko) | 2004-04-03 |
DE60227963D1 (de) | 2008-09-11 |
CN1579006A (zh) | 2005-02-09 |
JP2003067005A (ja) | 2003-03-07 |
EP1422743A4 (en) | 2006-04-05 |
TW591687B (en) | 2004-06-11 |
US7139627B2 (en) | 2006-11-21 |
KR100857302B1 (ko) | 2008-09-05 |
EP1422743B1 (en) | 2008-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4751538B2 (ja) | 処理システム | |
US6596973B1 (en) | Pyrometer calibrated wafer temperature estimator | |
KR101103096B1 (ko) | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 | |
JP5766647B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5049303B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP7461490B2 (ja) | 温度制御方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置 | |
KR20080031798A (ko) | 기판 처리 시스템의 처리 레시피 최적화 방법 | |
US20060188240A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2017174983A (ja) | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム | |
US10395934B2 (en) | Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program | |
JP2001077041A (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
US20040144488A1 (en) | Semiconductor wafer processing apparatus | |
JP3764689B2 (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
TWI581310B (zh) | A substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus | |
JP7230877B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2002252220A (ja) | 熱処理システム及び熱処理方法 | |
JP2004072030A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003318172A (ja) | 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム | |
JP4455856B2 (ja) | 半導体製造システムおよび半導体製造方法 | |
JP2002141347A (ja) | バッチ式熱処理方法とバッチ式熱処理装置 | |
JP4802019B2 (ja) | 基板処理装置の温度制御方法、基板処理装置および基板処理システム | |
JPH05267200A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
JP6564689B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JPWO2005008755A1 (ja) | 温度制御方法、基板処理装置及び半導体製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4751538 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |