CN103903998B - 一种半导体工艺的检测方法和检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体工艺的检测方法和检测系统，涉及半导体技术领域。本发明的半导体工艺的检测方法，包括：对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测，以及根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS的步骤。该方法通过对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测，不仅提高了晶圆厂的早期检测能力，而且可以依据早期检测结果实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的针对性改进，有利于降低生产成本。本发明的半导体工艺的检测系统，用于实现上述检测方法，同样具有上述优点。

Description

一种半导体工艺的检测方法和检测系统

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体工艺的检测方法和检测系统。

背景技术

在半导体制造领域中，大多数的芯片制造公司会持续地维护保证数据库(warranty databases)，以尽早地检测出各种潜在的严重问题。当一个严重的问题(也称事件)发生时，最终将造成非常严重的后果，不仅严重影响相关产品的质量和良率，甚至可能因此失去客户。通过采用灵敏的数据分析的方式对可能出现的严重问题进行早期检测，可以提前采取行动来减轻或避免潜在问题，进而可以降低经济成本并维持商业信誉。

在现有的IC制造中，已经有很多参数(指数)被IC晶圆厂定义，比如工艺能力检测中的工艺能力(Cp)/工艺能力指数(Cpk)，以及工艺稳定性检测中的OCAP率等。并且，在每个工艺制程中都有很多早期检测方法，比如，线内/线下(inline/offline)SPC、失效隔离与分析(Failure isolation and analysis)、缺陷分析(defect analysis)、低良率分析(low yield analysis)以及材料分析(materials analysis)，等。

目前，当一个异常事件(excursion case)发生时，相关的业务单元将加入来分析导致这一事件(case)的原因，并设定相应的预防措施。当另一个异常事件(excursion case)发生时，同样的处理方式将被用来解决这一事件。以这一方式来处理单独的事件是没有问题的，但是，现实生产中，经常发生这样的情况，异常总是发生在某一个晶圆厂(Fab)，而另一个晶圆厂(Fab)可能却一直表现良好和稳定。

如何对某一晶圆厂的整个半导体工艺流程进行早期检测，现有技术中并不存在行之有效的方法。目前，并没有一个有效的参数指标(index)可以整体上评估晶圆厂的整个半导体工艺流程的早期检测能力(也称预先检测能力)，使相关工作人员可以通过这一参数清楚地知晓某一晶圆厂(Fab)当前的早期检测能力以及这一晶圆厂的薄弱之处，比如扫描工具与制造工具不成比例、采样不充分等。因此，无法对晶圆厂的整个半导体工艺流程进行针对性改进，不利于降低生产成本。

因此，有必要提出一种新的半导体工艺的检测方法和检测系统，以实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的早期检测。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体工艺的检测方法和检测系统。

一方面，本发明提供一种半导体工艺的检测方法，包括：

对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

进一步的，所述整个半导体工艺流程的各个制程包括：线内制程、晶圆接受能力测试制程、最终测试制程。

进一步的，所述线内制程的预定分数为95，所述晶圆接受能力测试制程的预定分数为60，所述最终测试制程的预定分数为0。

进一步的，所述早期检测分数EDS＝预定分数-延迟时间强度的分数；其中，延迟时间强度的分数＝晶圆的移动速度×延迟的时间。

进一步的，所述方法还包括以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤；其中，所述早期检测指数EDI是对所述早期检测分数EDS进行数学运算的结果。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS可以具有如下关系：

EDI＝∑EDSi/n；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数，n是事件发生的数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS可以具有如下关系：

EDI＝∑(WCi*EDSi)/∑WCi；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS还可以具有如下关系：

EDI＝∑EDSi/n+超出控制界限的比率，或者，EDI＝∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比率；

其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；n是事件发生的数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS还可以具有如下关系：

EDI＝WF*∑EDSi/n+(1-WF)*∑(WCji*EDSj)/∑WCji；

其中，WF是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；WCji是与事件的类型相对应的每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；EDSj也是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；n是事件发生的数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS还可以具有如下关系：

EDI＝WF1*∑EDSi/n+(1-WF1)*EDR；

其中，WF1是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；EDR是相对的早期检测指数；n是事件发生的数量。

进一步的，所述方法在所述以早期检测能力参数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤之后，还包括：依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤。

进一步的，所述方法在依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤之后，还包括如下步骤：对所述改进的步骤所取得的效果进行判断；

当所述改进的步骤取得预定效果时，重新设定所述早期检测能力基准线，并依据所述重新设定的早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行持续改进；

当所述改进的步骤未取得预定效果时，保持所述早期检测能力基准线不变，重新依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改善。

另一方面，本发明提供一种半导体工艺的检测系统，其中，所述系统包括：

数据采集模块，用于对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

分数计算模块，用于根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

分数预置模块，用于设定预定分数；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中靠后制程的预定分数低于靠前制程的预定分数。

进一步的，所述分数计算模块还具有根据所述早期检测分数EDS计算早期检测指数EDI的功能。

进一步的，所述系统还包括：

早期检测能力基准线设定模块，用于根据所述早期检测指数EDI设定早期检测能力基准线；

改进结果判断模块，用于比较设定的所述早期检测能力基准线以及采取改进措施后的所述早期检测指数EDI，判断相关改进是否有效果。

本发明的半导体工艺的检测方法，通过对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测，不仅提高了晶圆厂的早期检测能力，而且可以依据早期检测结果实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的针对性改进，有利于降低生产成本。本发明的半导体工艺的检测系统，同样具有上述优点。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-图1E为本发明实施例一的半导体工艺的检测方法中的五种计算EDI的不同方法的计算结果示意图；

图2为本发明实施例一的半导体工艺的检测方法的一种典型流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。

除非另外定义，在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解，诸如普通使用的字典中所定义的术语应当理解为具有与它们在相关领域和/或本规格书的环境中的含义一致的含义，而不能在理想的或过度正式的意义上解释，除非这里明示地这样定义。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的半导体工艺的检测方法和检测系统。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

实施例一

下面，参照图1A-图1E和图2，来描述本发明提出的半导体器件及其制造方法。其中，图1A-图1E为本发明实施例一的半导体工艺的检测方法中的五种计算EDI(Early Detection Index，早期检测指数)的不同方法的计算结果示意图；图2为本发明实施例一的半导体工艺的检测方法的一种典型流程图。

本发明实施例的半导体工艺的检测方法，包括如下步骤：

步骤101、对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

步骤102、根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数(EDS，英文全称为Early Detection Score)。

其中，早期检测结果是指早期检测的原始结果，包括是否发生事件(case)、发生了何种事件(事件的类型)、事件所处的制程、事件的延时情况等。

其中，预定分数是预设的当某一事件(case)发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数。当晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程均没有事件发生时，预定分数为100。关于预定分数，晶圆厂可以根据对早期检测能力的要求以及其他实际情况，进行不同的设置。

一般而言，在整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

需要说明的是，在本发明中，“事件”(case)是指在半导体各制程中出现的各种不利于生产的需要予以解决的问题，比如异常(excursion)等。

本发明实施例的半导体工艺的检测方法，通过计算晶圆厂的早期检测分数(EDS)，可以从数量上直观地反映整个半导体工艺流程的问题的早期检测能力。通过这一参数，可以清楚地了解某一晶圆厂(Fab)对整个半导体工艺流程中的事件(或问题)的早期检测能力，并可以据此为这一晶圆厂确定改进方向。并且，这一方法由于可以及早地检测出晶圆厂存在的问题，因而可以使得晶圆厂在很大程度上降低经济成本。

对于预定分数的设置，可以根据对早期检测能力的要求以及其他实际情况，进行不同的设置。示例性的，整个半导体器件制造的工艺流程可以被分为三个关键制程：线内(inline)制程、WAT(晶圆接受能力测试)制程、以及FT(最终测试，final test)制程。如果事件发生在线内制程，比如线内SPC、工具报警(tool alarm)、PM检查(PMcheck)等事件被检测到，则可以给出一个较高的分数，比如95分；即线内制程的预定分数设置为95分。如果事件发生在WAT制程，则给出一个可以接受的分数，比如60分；即WAT制程的预定分数设置为60分。但是，如果事件(case)是在FT制程才最终被发现，由于此时该问题已经对产品造成严重影响并且是不可接受的，因此，此时给出的分数设定为0分；即FT制程的预定分数为0分。

参照这三个关键制程的预定分数的设置思想，本发明实施例对其他实际制程在进行检测时发现事件(case)发生(即相应制程存在问题)时的预定分数，可以进行如下示例性设置，具体内容可参照表一。本领域的技术人员可以理解，表一中的制程和分数仅仅是为了示例，具体在半导体工艺的早期检测中，可以根据实际情况选择检测的制程以及根据实际情况设定预定分数。

事件(case)所处制程	预定分数
		无事件发生	100
线内监控	95
		线内WAT	87
最终WAT	60
		外部视觉检测	55
CP	33
		CTM视觉检测	23
最终测试	0

表一、预定分数设置示例

在实际的工艺过程中，事件发生在某一制程时往往存在一定的延时，因此，早期检测分数(EDS)往往并不等于预定分数。在本发明实施例中，早期检测分数EDS＝预定分数-延迟时间强度的分数(Scoreof“Intensity Delay Time)；其中，延迟时间强度的分数＝晶圆的移动速度×延迟的时间；而相应制程，则指事件(case)发生的制程。下面举例对EDS的这一计算方法进行说明。

在实际生产中，某一事件(case)被检测到的时间越晚，其影响的范围会越严重，比如在第10批(lot)检测到的问题将比在第1批(lot)检测到的问题更严重。为此，本发明实施例设计了延迟时间强度分数(Score of Intensity delay time)。其中，延迟时间强度的分数＝延迟的天数*晶圆移动速度(turn ratio，即晶圆一天内经过了几个制程站点)。例如，如果工艺流程的问题在线内制程被检测到，但是延迟了3天，假定芯片移动速度(turn ratio)为2，仍假定线内制程的分数为95，那么，前期检测分数EDS＝预定分数-延迟时间强度的分数＝95-3*2＝89。

可见，当相同类型的事件发生在同一制程的情况下，延迟时间越长，即事件被检测到的越晚，则该事件带来的不利影响越严重，因此早期检测分数也就相应越低。

通过这一方法，可以很容易地计算每一个事件(case)，如MRB、生产线异常(excursion)、EAR等，发生时对应的早期检测分数EDS，然后为每一个晶圆厂(Fab)建立数据库，以清楚地知道它们的早期检测能力，并据此确立合适的改善方向。

本发明实施例的半导体工艺的检测方法，在前述步骤102之后，还包括根据早期检测分数EDS计算早期检测指数EDI的步骤；以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线(baseline)的步骤；依据早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改善的步骤等。

在本发明实施例中，早期检测指数(EDI，Early Detection Index)是按一定规则对早期检测分数EDS进行数学运算的结果，其可以更直观地反映晶圆厂的早期检测能力。并且，早期检测指数EDI可以用于建立早期检测能力基准线，作为对晶圆厂的半导体工艺流程进行改善的参照。

在本发明实施例中，可以通过如下5种方式计算早期检测指数EDI。其中，EDSi是指相应的每一个事件的早期检测分数(EDS)。在图1A-1E中，分别示出了如下5种计算方式的早期检测指数EDI的计算结果。其中，在图1A-1E中，FAB1、FAB2、FAB3、FAB4、FAB5分别代表不同的晶圆厂。在本发明实施例中，早期检测的计算周期可以为每周、每月、每季度、每半年或者每年等，具体可以根据实际情况进行选择。

(1)EDI计算方法一：

在本计算方法中，早期检测指数EDI与早期检测分数EDS满足如下关系：EDI＝∑EDSi/n。

其中，n是计算周期内事件的发生数量。这一等式反映了晶圆厂进行早期检测时对每一事件的平均检测能力。

图1A示例性地示出了利用这一计算方法计算的FAB1、FAB2、FAB3、FAB4等4家晶圆厂在相应的计算周期内的EDI的情况。

(2)EDI计算方法二：

在本计算方法中，早期检测指数EDI与早期检测分数EDS满足如下关系：EDI＝∑(WCi*EDSi)/∑WCi。

其中，WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量。这一等式反映了晶圆厂进行早期检测时对每一晶圆的平均检测能力。

图1B示例性地示出了利用这一计算方法计算的FAB1、FAB2、FAB3、FAB4等4家晶圆厂在相应的计算周期内的EDI的情况。

(3)EDI计算方法三：

在本计算方法中，早期检测指数EDI与早期检测分数EDS满足如下关系：EDI＝∑EDSi/n+超出控制界限的比例(OOC ratio score)；或者，EDI＝∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比例(OOC ratioscore)。

这一公式同时考虑了已经发生和尚未发生的因素，可以更客观地反映晶圆厂的早期检测能力。

图1C示例性地示出了利用这一计算方法计算的FAB1、FAB2、FAB3、FAB4、FAB5等5家晶圆厂在相应的计算周期内的EDI的情况。

(4)EDI计算方法四：

在本计算方法中，早期检测指数EDI与早期检测分数EDS满足如下关系：EDI＝WF*∑EDSi/n+(1-WF)*∑(WCji*EDSj)/∑WCji。

这一EDI计算方式是基于具体事例的。其中，前一部分可以通过事件的数量计算，另一部分可以通过受到影响或报废的晶圆的数量计算。WF是权重因子，可以根据实际情况进行设定，i与事件的类型相对应并且可以通过事件的数量被计算，j与事件的类型相对应并可以通过受到影响的或报废的晶圆数量计算。即，EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；WCji是与事件的类型相对应的每一事件中受到影响或报废的晶圆数量，EDSj是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数。其中，EDSi与EDSj可以相同。

图1D示例性地示出了利用这一计算方法计算的FAB1、FAB2、FAB3、FAB4、FAB5等5家晶圆厂在相应的计算周期内的EDI的情况。

(5)EDI计算方法五：

在本计算方法中，早期检测指数EDI与早期检测分数EDS满足如下关系：EDI＝WF1*∑EDSi/n+(1-WF1)*EDR。

在该等式中，EDI被分成两部分，第一部分(加号前的部分)是绝对的EDI的分数，第二部分(加号后的部分)是相对的EDI的分数。使用这一EDI的值，可以促进对早期检测能力的连续的改进。WF1是权重因子，EDR是相对的早期检测参数(指数)。

图1E示例性地示出了利用这一计算方法计算的FAB1、FAB2、FAB3、FAB4等4家晶圆厂在相应的计算周期内的EDI的情况。

本发明实施例的早期检测指数(EDI)，是一个全新的用于评价晶圆厂早期检测结果的参数，其作为质量指数的一部分，是与工艺能力/工艺能力指数(Cp/Cpk)并列的另外一种参数。

本发明实施例的半导体工艺的检测方法，在根据早期检测分数EDS计算早期检测指数EDI的步骤之后，还可以包括：以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线(baseline)的步骤；依据早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改善的步骤等。

如何以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线(baseline)，是本发明实施例的一个关键问题。其中，早期检测能力基准线，也可称为早期检测目标(EDST)，即根据早期检测指数EDI设定一个合理的早期检测目标EDST作为晶圆厂的改进方向。早期检测目标EDST(即早期检测能力基准线)应设定地高于计算得到的早期检测指数，并且，在依据早期检测能力基准线对半导体工艺流程进行改善取得预期效果后，可以进一步调高早期检测能力基准线，以持续对晶圆厂的半导体工艺流程进行改善。例如，如果计算得到的某一晶圆厂的早期检测指数为0，EDST在第一制程可以被设为60分，这也就意味着所有工艺流程中的问题都必须在WAT制程被检测出来。当采取改进措施(即对晶圆厂进行针对性改进)后，在经过设定周期(比如半年或一年)后该晶圆厂的整个早期检测能力将被改善。然后可以将EDST调整为80分作为下一个目标，继续对晶圆厂的早期检测能力进行改善。在这样的持续改进下，晶圆厂的早期检测能力将变得越来越强。当然，如果在经过设定周期的对晶圆厂进行改进后，判断发现改进没有效果，则应在设定的早期检测能力基准线下，继续对该晶圆厂进行针对性改进。只有改进取得预定效果时，才可以进一步调高早期检测能力基准线，继续对晶圆厂进行改进。本发明实施例的半导体工艺的检测方法的一种典型流程图，如图2所示。按照这一方法，可以对晶圆厂的工艺流程进行持续改进。

至此，完成了本发明实施例的半导体工艺的检测方法的示例性介绍，本领域的技术人员，可以在此基础上进行变形和改进，比如设定与本发明实施例中的具体实际示例中不同的分数值等，均不脱离本发明的保护范围。

本发明实施例的半导体工艺的检测方法，通过对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测，不仅提高了晶圆厂的早期检测能力，而且可以依据早期检测结果实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的针对性改进，有利于降低生产成本。

实施例二

本发明实施例提供一种半导体工艺的检测系统，其可以实现本发明实施例一所述的半导体工艺的检测方法。

本发明的半导体工艺的检测系统，包括：数据采集模块，用于对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；分数计算模块，用于根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；分数预置模块，用于设定预定分数。其中，早期检测结果是指早期检测的原始结果，包括是否发生事件(case)、发生了何种事件(事件的类型)、事件所处的制程、事件的延时情况等。预定分数是预设的当某一事件(case)发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数。当晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程均没有事件发生时，预定分数值为100。关于预定分数值，晶圆厂可以根据对早期检测能力的要求以及其他实际情况，进行不同的设置。一般而言，在整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

进一步的，分数计算模块还具有根据所述早期检测分数EDS计算早期检测指数EDI的功能。并且，该分数计算模块可以根据实施例一中的5种计算方法任意之一计算早期检测指数EDI。

本发明实施例的检测系统，还可包括早期检测能力基准线设定模块，用于根据早期检测指数EDI设定早期检测能力基准线。

进一步的，本发明实施例的检测系统，还可包括改进结果判断模块，用于比较设定的早期检测能力基准线以及采取改进措施后的早期检测指数EDI，判断改进是否有效果。

本领域的技术人员可以理解，上述各个模块，可以均为独立的物理模块，也可以是将上述模块中的几种功能或全部功能集成在一个物理模块之上，在此不作限定。

本发明实施例的半导体工艺的检测系统，可以对检测周期进行设定，比如设定为每周、每月、每季度、每半年或者每年等，具体可以根据实际情况进行选择。这一检测系统可以应用于所有的生产线(晶圆厂)，只需进行微小的适应性修改即可满足不同晶圆厂的需要。

本发明实施例的半导体工艺的检测系统，通过对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测，不仅提高了晶圆厂的早期检测能力，而且可以依据早期检测结果实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的针对性改进，有利于降低生产成本。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (15)

1.一种半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

2.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述整个半导体工艺流程的各个制程包括：线内制程、晶圆接受能力测试制程、最终测试制程。

3.如权利要求2所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述线内制程的预定分数为95，所述晶圆接受能力测试制程的预定分数为60，所述最终测试制程的预定分数为0。

4.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测分数EDS=预定分数-延迟时间强度的分数；其中，延迟时间强度的分数=晶圆的移动速度×延迟的时间。

5.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法还包括以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤；其中，所述早期检测指数EDI是对所述早期检测分数EDS进行数学运算的结果。

6.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数，n是事件发生的数量。

7.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量。

8.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n+超出控制界限的比率，或者，EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比率；

其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；n是事件发生的数量。

9.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=WF*∑EDSi/n+(1-WF)*∑(WCji*EDSj)/∑WCji；

其中，WF是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；WCji是与事件的类型相对应的每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；EDSj也是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；n是事件发生的数量。

10.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=WF1*∑EDSi/n+(1-WF1)*EDR；

其中，WF1是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；EDR是相对的早期检测指数；n是事件发生的数量。

11.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法在所述以早期检测能力参数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤之后，还包括：依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤。

12.如权利要求11所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，在依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤之后，还包括如下步骤：对所述改进的步骤所取得的效果进行判断；

当所述改进的步骤取得预定效果时，重新设定所述早期检测能力基准线，并依据所述重新设定的早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行持续改进；

当所述改进的步骤未取得预定效果时，保持所述早期检测能力基准线不变，重新依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改善。

13.一种半导体工艺的检测系统，其特征在于，所述系统包括：

数据采集模块，用于对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

分数计算模块，用于根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

分数预置模块，用于设定预定分数；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中靠后制程的预定分数低于靠前制程的预定分数。

14.如权利要求13所述的半导体工艺的检测系统，其特征在于，所述分数计算模块还具有根据所述早期检测分数EDS计算早期检测指数EDI的功能。

15.如权利要求14所述的半导体工艺的检测系统，其特征在于，所述系统还包括：

早期检测能力基准线设定模块，用于根据所述早期检测指数EDI设定早期检测能力基准线；

改进结果判断模块，用于比较设定的所述早期检测能力基准线以及采取改进措施后的所述早期检测指数EDI，判断相关改进是否有效果。