JP2003318172A - 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム - Google Patents
成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラムInfo
- Publication number
- JP2003318172A JP2003318172A JP2002117672A JP2002117672A JP2003318172A JP 2003318172 A JP2003318172 A JP 2003318172A JP 2002117672 A JP2002117672 A JP 2002117672A JP 2002117672 A JP2002117672 A JP 2002117672A JP 2003318172 A JP2003318172 A JP 2003318172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing time
- atmospheric pressure
- deriving
- film
- relational expression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大気圧の変動に起因する膜厚の変動を低減で
きる成膜方法および成膜装置を提供する。 【解決手段】 膜厚と処理時間との関係を表す第１の関
係式および大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式に
基づき、大気圧に対応して処理時間を補正するための処
理時間補正式を導出する。導出された処理時間補正式お
よび大気圧の測定結果に基づいて処理時間を補正し、補
正された処理時間に基づいて成膜が行われる。処理時間
補正式に基づいて大気圧に対応して処理時間が補正され
るので、大気圧の変動に起因する膜厚の変動を低減する
ことができる。
きる成膜方法および成膜装置を提供する。 【解決手段】 膜厚と処理時間との関係を表す第１の関
係式および大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式に
基づき、大気圧に対応して処理時間を補正するための処
理時間補正式を導出する。導出された処理時間補正式お
よび大気圧の測定結果に基づいて処理時間を補正し、補
正された処理時間に基づいて成膜が行われる。処理時間
補正式に基づいて大気圧に対応して処理時間が補正され
るので、大気圧の変動に起因する膜厚の変動を低減する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法、成膜処
理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム
に関する。
理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体ウ
エハ（以下ウエハという）への成膜を行う装置の一つに
バッチ処理を行う縦型熱処理装置がある。この装置はウ
エハボート等の保持具に多数枚のウエハを棚状に保持
し、この保持具を縦型の熱処理炉の中に搬入して、酸素
等の反応ガスを供給して成膜を行う。熱処理装置内に供
給する反応ガスのガス種に応じて、ウエハ上に酸化膜等
を形成できる。
エハ（以下ウエハという）への成膜を行う装置の一つに
バッチ処理を行う縦型熱処理装置がある。この装置はウ
エハボート等の保持具に多数枚のウエハを棚状に保持
し、この保持具を縦型の熱処理炉の中に搬入して、酸素
等の反応ガスを供給して成膜を行う。熱処理装置内に供
給する反応ガスのガス種に応じて、ウエハ上に酸化膜等
を形成できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、熱処理炉内の
ガス圧は大気圧を基準に測定されるのが通例である。例
えば、大気圧との差圧に基づきガス圧を測定する相対圧
センサが用いられる。このため、大気圧と熱処理炉内の
ガス圧（絶対圧）の双方が変動した場合には、測定値上
では熱処理炉内のガス圧の変動を確認できないことがあ
る。この結果、大気圧の変動に起因して形成される膜厚
が変動する可能性がある。本発明は、このような事情の
下になされたものであり、その目的は大気圧の変動に起
因する膜厚の変動を低減できる成膜装置および成膜方法
を提供することにある。
ガス圧は大気圧を基準に測定されるのが通例である。例
えば、大気圧との差圧に基づきガス圧を測定する相対圧
センサが用いられる。このため、大気圧と熱処理炉内の
ガス圧（絶対圧）の双方が変動した場合には、測定値上
では熱処理炉内のガス圧の変動を確認できないことがあ
る。この結果、大気圧の変動に起因して形成される膜厚
が変動する可能性がある。本発明は、このような事情の
下になされたものであり、その目的は大気圧の変動に起
因する膜厚の変動を低減できる成膜装置および成膜方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）上記の課題を解決
するために本発明に係る成膜方法は、異なる処理時間で
それぞれの膜を形成する第１の成膜ステップと、前記第
１の成膜ステップで形成された膜の膜厚を測定する第１
の測定ステップと、前記第１の測定ステップで測定され
た測定データに基づき、膜厚と処理時間との関係を表す
第１の関係式を導出する第１の測定ステップと、異なる
大気圧を基準に処理ガス圧を制御してそれぞれの膜を形
成する第２の成膜ステップと、前記第２の成膜ステップ
で形成された膜の膜厚を測定する第２の測定ステップ
と、前記第２の測定ステップで測定された測定データに
基づき、大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式を導
出する第２の導出ステップと、前記第１、第２の導出ス
テップで導出された前記第１、第２の関係式に基づき、
大気圧の変動に応じて処理時間を補正するための処理時
間補正式を導出する第３の導出ステップと、大気圧の測
定結果および前記第３の導出ステップで算出された前記
処理時間補正式に基づき処理時間を補正する補正ステッ
プと、前記補正ステップで補正された処理時間に基づき
大気圧を基準に処理ガス圧を制御して膜を形成する成膜
ステップと、を具備することを特徴とする。
するために本発明に係る成膜方法は、異なる処理時間で
それぞれの膜を形成する第１の成膜ステップと、前記第
１の成膜ステップで形成された膜の膜厚を測定する第１
の測定ステップと、前記第１の測定ステップで測定され
た測定データに基づき、膜厚と処理時間との関係を表す
第１の関係式を導出する第１の測定ステップと、異なる
大気圧を基準に処理ガス圧を制御してそれぞれの膜を形
成する第２の成膜ステップと、前記第２の成膜ステップ
で形成された膜の膜厚を測定する第２の測定ステップ
と、前記第２の測定ステップで測定された測定データに
基づき、大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式を導
出する第２の導出ステップと、前記第１、第２の導出ス
テップで導出された前記第１、第２の関係式に基づき、
大気圧の変動に応じて処理時間を補正するための処理時
間補正式を導出する第３の導出ステップと、大気圧の測
定結果および前記第３の導出ステップで算出された前記
処理時間補正式に基づき処理時間を補正する補正ステッ
プと、前記補正ステップで補正された処理時間に基づき
大気圧を基準に処理ガス圧を制御して膜を形成する成膜
ステップと、を具備することを特徴とする。
【０００５】膜厚と処理時間との関係を表す第１の関係
式および大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式に基
づき、大気圧に対応して処理時間を補正するための処理
時間補正式が導出される。導出された処理時間補正式お
よび大気圧の測定結果に基づいて処理時間が補正され、
補正された処理時間に基づいて成膜が行われる。このよ
うに処理時間補正式に基づいて大気圧に対応して処理時
間が補正されるので、大気圧の変動に起因する膜厚の変
動を低減することができる。
式および大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式に基
づき、大気圧に対応して処理時間を補正するための処理
時間補正式が導出される。導出された処理時間補正式お
よび大気圧の測定結果に基づいて処理時間が補正され、
補正された処理時間に基づいて成膜が行われる。このよ
うに処理時間補正式に基づいて大気圧に対応して処理時
間が補正されるので、大気圧の変動に起因する膜厚の変
動を低減することができる。
【０００６】ここでいう「大気圧を基準に処理ガス圧を
制御」することには、例えば大気圧を基準とするガス圧
測定器（一例として、大気圧との差圧に基づきガス圧を
測定する相対圧センサ）により処理室内のガス圧を制御
することが挙げられる。この制御は手動、自動のいずれ
で行われても差し支えない。例えば、処理室内へのガス
の流量、処理室内からの排気量のいずれか、または双方
を調節することで、処理室内のガス圧を制御できる。
制御」することには、例えば大気圧を基準とするガス圧
測定器（一例として、大気圧との差圧に基づきガス圧を
測定する相対圧センサ）により処理室内のガス圧を制御
することが挙げられる。この制御は手動、自動のいずれ
で行われても差し支えない。例えば、処理室内へのガス
の流量、処理室内からの排気量のいずれか、または双方
を調節することで、処理室内のガス圧を制御できる。
【０００７】なお、第１の成膜ステップ、第１の測定ス
テップ、第１の測定ステップと第２の成膜ステップ、第
２の測定ステップ、第２の測定ステップの前後関係はさ
ほど問題とならず、例えば第１の成膜ステップに先んじ
て第２の成膜ステップを実行しても、第１の測定ステッ
プに先んじて第２の測定ステップを実行しても、あるい
は第１の導出ステップに先んじて第２の導出ステップを
実行しても差し支えない。要するに第３の導出ステップ
の際に第１、第２の関係式の双方が導出されていればよ
い。これは、本発明において以下同様に解釈されるもの
とする。
テップ、第１の測定ステップと第２の成膜ステップ、第
２の測定ステップ、第２の測定ステップの前後関係はさ
ほど問題とならず、例えば第１の成膜ステップに先んじ
て第２の成膜ステップを実行しても、第１の測定ステッ
プに先んじて第２の測定ステップを実行しても、あるい
は第１の導出ステップに先んじて第２の導出ステップを
実行しても差し支えない。要するに第３の導出ステップ
の際に第１、第２の関係式の双方が導出されていればよ
い。これは、本発明において以下同様に解釈されるもの
とする。
【０００８】（２）上記の課題を解決するために本発明
に係る成膜処理時間補正式の導出方法は、大気圧を基準
に処理ガス圧を制御して成膜を行う際の処理時間を大気
圧の変動に応じて補正するための処理時間補正式を導出
する成膜処理時間補正式の導出方法であって、第１の測
定データに基づき、膜厚と処理時間との関係を表す第１
の関係式を導出する第１の導出ステップと、第２の測定
データに基づき、大気圧と膜厚との関係を表す第２の関
係式を導出する第２の導出ステップと、前記第１、第２
の導出ステップで導出された前記第１、第２の関係式に
基づき、大気圧の変動に応じて処理時間を補正するため
の処理時間補正式を導出する第３の導出ステップと、を
具備することを特徴とする。膜厚と処理時間との関係を
表す第１の関係式および大気圧と膜厚との関係を表す第
２の関係式に基づき、大気圧に対応して処理時間を補正
するための処理時間補正式を導出できる。導出された処
理時間補正式に基づいて処理時間を補正することで、大
気圧の変動に起因する膜厚の変動を低減することができ
る。
に係る成膜処理時間補正式の導出方法は、大気圧を基準
に処理ガス圧を制御して成膜を行う際の処理時間を大気
圧の変動に応じて補正するための処理時間補正式を導出
する成膜処理時間補正式の導出方法であって、第１の測
定データに基づき、膜厚と処理時間との関係を表す第１
の関係式を導出する第１の導出ステップと、第２の測定
データに基づき、大気圧と膜厚との関係を表す第２の関
係式を導出する第２の導出ステップと、前記第１、第２
の導出ステップで導出された前記第１、第２の関係式に
基づき、大気圧の変動に応じて処理時間を補正するため
の処理時間補正式を導出する第３の導出ステップと、を
具備することを特徴とする。膜厚と処理時間との関係を
表す第１の関係式および大気圧と膜厚との関係を表す第
２の関係式に基づき、大気圧に対応して処理時間を補正
するための処理時間補正式を導出できる。導出された処
理時間補正式に基づいて処理時間を補正することで、大
気圧の変動に起因する膜厚の変動を低減することができ
る。
【０００９】（３）上記の課題を解決するために本発明
に係る成膜装置は、基板を配置する処理室と、前記処理
室内に反応ガスを供給するガス供給系と、大気圧を測定
する大気圧測定器と、大気圧の変動に対応して処理時間
を補正するための処理時間補正式を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された処理時間補正式に基づいて、処
理時間を補正する処理時間補正部と、前記大気圧測定器
による測定結果および前記処理時間補正部により補正さ
れた処理時間に基づいて、成膜処理を制御する制御部
と、を具備することを特徴とする。ガス圧測定器による
測定結果に基づき、処理時間補正部による処理時間の補
正が行われ、補正された処理時間に基づき成膜処理が行
われる。この結果、大気圧の変動に起因する膜厚の変動
を低減することができる。
に係る成膜装置は、基板を配置する処理室と、前記処理
室内に反応ガスを供給するガス供給系と、大気圧を測定
する大気圧測定器と、大気圧の変動に対応して処理時間
を補正するための処理時間補正式を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された処理時間補正式に基づいて、処
理時間を補正する処理時間補正部と、前記大気圧測定器
による測定結果および前記処理時間補正部により補正さ
れた処理時間に基づいて、成膜処理を制御する制御部
と、を具備することを特徴とする。ガス圧測定器による
測定結果に基づき、処理時間補正部による処理時間の補
正が行われ、補正された処理時間に基づき成膜処理が行
われる。この結果、大気圧の変動に起因する膜厚の変動
を低減することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施形態に
係る成膜装置たる縦型熱処理装置について説明する。図
１は、本発明に係る縦型熱処理装置の一部断面図であ
る。本発明に係る縦型熱処理装置（熱処理装置）１０
は、図１に示すように、例えば石英で作られ、上端が塞
がれた反応管１２を備えている。反応管１２内には、多
数枚例えば１５０枚の基板をなす半導体ウエハＷ（製品
ウエハ）が各々水平な状態で上下に間隔をおいて保持具
であるウエハボート１３に棚状に載置されており、この
ウエハボート１３は蓋体１４の上に保温筒（断熱体）１
５を介して保持されている。
係る成膜装置たる縦型熱処理装置について説明する。図
１は、本発明に係る縦型熱処理装置の一部断面図であ
る。本発明に係る縦型熱処理装置（熱処理装置）１０
は、図１に示すように、例えば石英で作られ、上端が塞
がれた反応管１２を備えている。反応管１２内には、多
数枚例えば１５０枚の基板をなす半導体ウエハＷ（製品
ウエハ）が各々水平な状態で上下に間隔をおいて保持具
であるウエハボート１３に棚状に載置されており、この
ウエハボート１３は蓋体１４の上に保温筒（断熱体）１
５を介して保持されている。
【００１１】前記蓋体１４は、ウエハボート１３を反応
管１２内に搬入、搬出するためのボートエレベータ１６
の上に搭載されており、上限位置にあるときには反応管
１２で構成される処理容器の下端開口部を閉塞する役割
を持つ。反応管１２の周囲には例えば抵抗加熱体よりな
るヒータ１７が設けられ、電力コントローラ１８により
発熱量を制御される。反応管１２の内壁には、熱電対等
の温度センサＳが設置され（図示せず）、加熱炉内の温
度が測定される。
管１２内に搬入、搬出するためのボートエレベータ１６
の上に搭載されており、上限位置にあるときには反応管
１２で構成される処理容器の下端開口部を閉塞する役割
を持つ。反応管１２の周囲には例えば抵抗加熱体よりな
るヒータ１７が設けられ、電力コントローラ１８により
発熱量を制御される。反応管１２の内壁には、熱電対等
の温度センサＳが設置され（図示せず）、加熱炉内の温
度が測定される。
【００１２】反応管１２内にガスを供給するガス供給管
２１が設けられている。ガス供給管２１は水素ガスと酸
素ガスとを混合して燃焼する燃焼室２３に接続されてい
る。燃焼室２３で水素ガスと酸素ガスから生成された水
蒸気（反応ガス）と窒素ガス（キャリアガス）が混合さ
れてガス供給管２１から反応管１２内に供給される。こ
こで、水素ガス、酸素ガス、窒素ガスの流量は、例えば
マスフローコントローラなどの流量調整器（図示せず）
により個別に調節できる。例えば、水素ガスの供給を停
止することで、反応ガスとして水蒸気に替えて酸素ガス
を用いることが可能となる。また、反応ガス（水蒸気ま
たは酸素）とキャリアガス（窒素ガス）の混合比を適宜
に変更することもできる。
２１が設けられている。ガス供給管２１は水素ガスと酸
素ガスとを混合して燃焼する燃焼室２３に接続されてい
る。燃焼室２３で水素ガスと酸素ガスから生成された水
蒸気（反応ガス）と窒素ガス（キャリアガス）が混合さ
れてガス供給管２１から反応管１２内に供給される。こ
こで、水素ガス、酸素ガス、窒素ガスの流量は、例えば
マスフローコントローラなどの流量調整器（図示せず）
により個別に調節できる。例えば、水素ガスの供給を停
止することで、反応ガスとして水蒸気に替えて酸素ガス
を用いることが可能となる。また、反応ガス（水蒸気ま
たは酸素）とキャリアガス（窒素ガス）の混合比を適宜
に変更することもできる。
【００１３】反応管１２に排気管３１が接続されてい
る。この排気管３１は途中で配管３２、３３の２手に分
かれる。配管３２は排気を冷却する冷却器３４、バルブ
３５を経由して図示しない工場内排気系統に接続されて
いる。一方、配管３３は排気に含まれる水を捕獲するト
ラップ３６，バルブ３７を経由して図示しない工場内排
水系統に接続されている。トラップ３６に捕獲された水
はバルブ３７を開くことで工場内排水系統に排出され
る。
る。この排気管３１は途中で配管３２、３３の２手に分
かれる。配管３２は排気を冷却する冷却器３４、バルブ
３５を経由して図示しない工場内排気系統に接続されて
いる。一方、配管３３は排気に含まれる水を捕獲するト
ラップ３６，バルブ３７を経由して図示しない工場内排
水系統に接続されている。トラップ３６に捕獲された水
はバルブ３７を開くことで工場内排水系統に排出され
る。
【００１４】排気配管３２の途中には反応管１２内の圧
力を測定するため圧力センサ３８が接続されている。こ
の圧力センサ３８は、大気圧を基準として反応菅１２内
の圧力を測定する。具体的には、圧力センサ３８は大気
圧との差圧に基づき反応菅１２内の圧力を測定する相対
圧測定器である。反応菅１２内の圧力は反応ガスおよび
キャリアガスの流量を調節すること、またはバルブ３５
の開閉量を変化させて反応菅１２からの排気量を調節す
ることで制御できる。ガス流量と排気量とのバランスに
よって反応菅１２内の圧力が定まる。なお、ガス流量と
排気量の双方を変化させて、反応菅１２内の圧力を制御
しても良いのはいうまでもない。このような反応菅１２
内の圧力制御の際に、圧力センサ３８の測定結果が参照
される。即ち、圧力センサ３８の測定結果に基づき反応
菅１２内の圧力が制御されることになる。このような圧
力センサ３８の測定結果に基づく反応菅１２内の圧力制
御は、手動によって行うこともできるし、後述するコン
トローラ１００等で自動的に行うことも可能である。
力を測定するため圧力センサ３８が接続されている。こ
の圧力センサ３８は、大気圧を基準として反応菅１２内
の圧力を測定する。具体的には、圧力センサ３８は大気
圧との差圧に基づき反応菅１２内の圧力を測定する相対
圧測定器である。反応菅１２内の圧力は反応ガスおよび
キャリアガスの流量を調節すること、またはバルブ３５
の開閉量を変化させて反応菅１２からの排気量を調節す
ることで制御できる。ガス流量と排気量とのバランスに
よって反応菅１２内の圧力が定まる。なお、ガス流量と
排気量の双方を変化させて、反応菅１２内の圧力を制御
しても良いのはいうまでもない。このような反応菅１２
内の圧力制御の際に、圧力センサ３８の測定結果が参照
される。即ち、圧力センサ３８の測定結果に基づき反応
菅１２内の圧力が制御されることになる。このような圧
力センサ３８の測定結果に基づく反応菅１２内の圧力制
御は、手動によって行うこともできるし、後述するコン
トローラ１００等で自動的に行うことも可能である。
【００１５】さらに、熱処理装置１０には大気の圧力を
測定する大気圧センサ４０（図示せず）を備えている。
後述するように、大気圧センサ４０による大気圧の測定
結果に基づき処理時間を補正することで、大気圧の変動
に基づく膜厚の変動を防止できる。この熱処理装置１０
は、反応管１２内のガス流量、圧力、反応管１２内の処
理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するため
の成膜制御装置たるコントローラ１００を備えている。
このコントローラ１００は、電力コントロ一ラ１８等に
制御信号を出カする。
測定する大気圧センサ４０（図示せず）を備えている。
後述するように、大気圧センサ４０による大気圧の測定
結果に基づき処理時間を補正することで、大気圧の変動
に基づく膜厚の変動を防止できる。この熱処理装置１０
は、反応管１２内のガス流量、圧力、反応管１２内の処
理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するため
の成膜制御装置たるコントローラ１００を備えている。
このコントローラ１００は、電力コントロ一ラ１８等に
制御信号を出カする。
【００１６】（コントローラ１００の詳細）次にコント
ローラ１００の詳細について述べる。コントローラ１０
０は、近似式記憶部１０１、パラメータ記憶部１０２，
補正処理時間算出部１０３、処理装置制御部１０４を備
える。近似式記憶部１０１は、大気圧の変動に対応して
処理時間の補正を行うための補正処理時間関係式として
の近似式の形式を記憶する。本実施形態では、後述する
ように補正処理時間関係式が一次近似式として表されて
いることから、近似式記憶部１０１には近似式の形式が
一次式であることが記憶される。パラメータ記憶部１０
２は、近似式記憶部１０１に記憶された補正処理時間関
係式としての近似式の形式に対応するパラメータを記憶
する。ここでは、近似式が一次式であることから、最低
２つのパラメータのセットを記憶することになる。この
セットは２つ以上のパラメータのみから構成されてもよ
く、パラメータ記憶部１０２に補正処理時間関係式が適
用できる処理条件を併せて記憶しても差し支えない。以
上から判るように、近似式記憶部１０１とパラメータ記
憶部１０２を併せることで補正処理時間関係式を記憶す
る記憶部を構成できる。補正処理時間算出部１０３は、
大気圧に対応して補正された処理時間を算出するもので
あり、本発明における処理時間補正部として機能する。
この算出に際して大気圧センサ４０の測定結果が用いら
れる。処理装置制御部１０４は、補正処理時間算出部１
０３によって算出された補正処理時間等に基づいて、電
力コントロ一ラ１８を制御する。なお、処理装置制御部
１０４が、図示しない流量調整器を調節することで、目
標とするガス圧Ｐの制御を行っても差し支えない。
ローラ１００の詳細について述べる。コントローラ１０
０は、近似式記憶部１０１、パラメータ記憶部１０２，
補正処理時間算出部１０３、処理装置制御部１０４を備
える。近似式記憶部１０１は、大気圧の変動に対応して
処理時間の補正を行うための補正処理時間関係式として
の近似式の形式を記憶する。本実施形態では、後述する
ように補正処理時間関係式が一次近似式として表されて
いることから、近似式記憶部１０１には近似式の形式が
一次式であることが記憶される。パラメータ記憶部１０
２は、近似式記憶部１０１に記憶された補正処理時間関
係式としての近似式の形式に対応するパラメータを記憶
する。ここでは、近似式が一次式であることから、最低
２つのパラメータのセットを記憶することになる。この
セットは２つ以上のパラメータのみから構成されてもよ
く、パラメータ記憶部１０２に補正処理時間関係式が適
用できる処理条件を併せて記憶しても差し支えない。以
上から判るように、近似式記憶部１０１とパラメータ記
憶部１０２を併せることで補正処理時間関係式を記憶す
る記憶部を構成できる。補正処理時間算出部１０３は、
大気圧に対応して補正された処理時間を算出するもので
あり、本発明における処理時間補正部として機能する。
この算出に際して大気圧センサ４０の測定結果が用いら
れる。処理装置制御部１０４は、補正処理時間算出部１
０３によって算出された補正処理時間等に基づいて、電
力コントロ一ラ１８を制御する。なお、処理装置制御部
１０４が、図示しない流量調整器を調節することで、目
標とするガス圧Ｐの制御を行っても差し支えない。
【００１７】（大気圧の変動に起因する膜厚の変動を防
止する手順の詳細）本実施形態では、大気圧に対応して
処理時間を補正することで、大気圧の変動に起因する膜
厚の変動を防止する。図２は、本実施形態において大気
圧による膜厚の変動を防止するための手順を表すフロー
図である。本図に示すように、膜厚の変動防止の手順は
大気圧と補正された処理時間との関係を表す関係式（補
正処理時間関係式）の導出を行うステップＳ１０と導出
された補正処理時間関係式を用いてウエハＷへの成膜を
行うステップＳ２０に区分することができる。
止する手順の詳細）本実施形態では、大気圧に対応して
処理時間を補正することで、大気圧の変動に起因する膜
厚の変動を防止する。図２は、本実施形態において大気
圧による膜厚の変動を防止するための手順を表すフロー
図である。本図に示すように、膜厚の変動防止の手順は
大気圧と補正された処理時間との関係を表す関係式（補
正処理時間関係式）の導出を行うステップＳ１０と導出
された補正処理時間関係式を用いてウエハＷへの成膜を
行うステップＳ２０に区分することができる。
【００１８】以下、この手順の詳細を説明する。
Ａ．補正処理時間関係式の導出（ステップＳ１０）。こ
のステップ１０は、図２に示すように、ステップＳ１１
〜Ｓ１４にさらに区分することができる。以下、ステッ
プＳ１１〜Ｓ１４に区分して詳細に説明する。 （１）熱処理装置１０により熱処理されたウエハＷの膜
厚Ｘと処理時間Ｔとの関係を表す膜厚−処理時間関係式
（Ｘ−Ｔ関係式）を導出する（ステップＳ１１）。この
導出は、以下の手順によって行われる。
のステップ１０は、図２に示すように、ステップＳ１１
〜Ｓ１４にさらに区分することができる。以下、ステッ
プＳ１１〜Ｓ１４に区分して詳細に説明する。 （１）熱処理装置１０により熱処理されたウエハＷの膜
厚Ｘと処理時間Ｔとの関係を表す膜厚−処理時間関係式
（Ｘ−Ｔ関係式）を導出する（ステップＳ１１）。この
導出は、以下の手順によって行われる。
【００１９】熱処理装置１０を用いて異なる処理時間
で複数のウエハＷをそれぞれ熱処理する。即ち、複数の
ウエハＷをそれぞれ処理時間を異ならせて熱処理（成膜
処理）する。本実施形態では、膜厚−処理時間関係式に
１次近似式を用いる。このため、理論的には処理時間を
２段階に変化すれば良いことになるが、正確な膜厚−処
理時間関係式を導出するためには、処理時間を３段階以
上に変化させ、かつサンプルとなるウエハＷの枚数も多
い方が好ましい。
で複数のウエハＷをそれぞれ熱処理する。即ち、複数の
ウエハＷをそれぞれ処理時間を異ならせて熱処理（成膜
処理）する。本実施形態では、膜厚−処理時間関係式に
１次近似式を用いる。このため、理論的には処理時間を
２段階に変化すれば良いことになるが、正確な膜厚−処
理時間関係式を導出するためには、処理時間を３段階以
上に変化させ、かつサンプルとなるウエハＷの枚数も多
い方が好ましい。
【００２０】この熱処理に際して大気圧Ｐがほぼ一定と
なるようにする。後ので導出する膜厚−処理時間関係
式に大気圧の変動が影響しないようにするためである。
このときの大気圧Ｐは後述する基準大気圧Ｐｒに近いこ
とが好ましいが、必ずしもこれに拘束される訳ではな
い。なお、この熱処理を行う熱処理装置はステップＳ２
０で成膜を行うための熱処理装置１０そのものであるこ
とが好ましいが、同一タイプの熱処理装置を代わりに用
いることもできる。
なるようにする。後ので導出する膜厚−処理時間関係
式に大気圧の変動が影響しないようにするためである。
このときの大気圧Ｐは後述する基準大気圧Ｐｒに近いこ
とが好ましいが、必ずしもこれに拘束される訳ではな
い。なお、この熱処理を行う熱処理装置はステップＳ２
０で成膜を行うための熱処理装置１０そのものであるこ
とが好ましいが、同一タイプの熱処理装置を代わりに用
いることもできる。
【００２１】熱処理されたウエハＷの膜厚を測定す
る。この膜厚測定は例えばエリプソメーター等の光学的
な手法を用いて行うことができる。 膜厚の測定結果に基づき、膜厚−処理時間関係式を導
出する。この関係式の一例を図３にグラフＧ１として示
す。ここでは、処理時間をＴ１，Ｔ２と２段階に変化さ
せたときのウエハＷの膜厚がそれぞれＸ１，Ｘ２である
として、一次近似としての膜厚−処理時間関係式を導出
している。この関係式は時間Ｔ、膜厚Ｘとしたとき具体
的には次のように表される。 Ｔ＝Ａ＊Ｘ＋Ｂ …… 式（１） 既に述べたように、処理時間の変化数およびウエハＷの
個数が多い方が好ましく、この場合には自乗平均法等の
統計的な手法を用いてより正確な近似式を導出できる。
る。この膜厚測定は例えばエリプソメーター等の光学的
な手法を用いて行うことができる。 膜厚の測定結果に基づき、膜厚−処理時間関係式を導
出する。この関係式の一例を図３にグラフＧ１として示
す。ここでは、処理時間をＴ１，Ｔ２と２段階に変化さ
せたときのウエハＷの膜厚がそれぞれＸ１，Ｘ２である
として、一次近似としての膜厚−処理時間関係式を導出
している。この関係式は時間Ｔ、膜厚Ｘとしたとき具体
的には次のように表される。 Ｔ＝Ａ＊Ｘ＋Ｂ …… 式（１） 既に述べたように、処理時間の変化数およびウエハＷの
個数が多い方が好ましく、この場合には自乗平均法等の
統計的な手法を用いてより正確な近似式を導出できる。
【００２２】ここで一次近似を用いているのは、処理時
間の変化幅がある程度制限されていれば、測定結果より
確実に一次近似で表すことができるからである。例え
ば、酸化膜にはＤｅａｌ−Ｇｒｏｖｅの式が知られてい
る。この式では、処理時間Ｔに対して膜厚Ｘは次のよう
な２次式となっている。 Ｘ２＋Ｋ１＊Ｘ＝Ｋ２（Ｔ＋τ） …… 式（２） この式（２）は理論的見地から求められたものである
が、現実の測定結果を全て説明できる訳ではない。即
ち、測定結果に基づいて式（２）のパラメータＫ１，Ｋ
２、τを算出しようとしても、算出が困難な場合がある
（いわゆるカーブフィッティングができない）。以上か
ら、取り扱いが容易な一次近似式によって膜厚−処理時
間関係式を表している。
間の変化幅がある程度制限されていれば、測定結果より
確実に一次近似で表すことができるからである。例え
ば、酸化膜にはＤｅａｌ−Ｇｒｏｖｅの式が知られてい
る。この式では、処理時間Ｔに対して膜厚Ｘは次のよう
な２次式となっている。 Ｘ２＋Ｋ１＊Ｘ＝Ｋ２（Ｔ＋τ） …… 式（２） この式（２）は理論的見地から求められたものである
が、現実の測定結果を全て説明できる訳ではない。即
ち、測定結果に基づいて式（２）のパラメータＫ１，Ｋ
２、τを算出しようとしても、算出が困難な場合がある
（いわゆるカーブフィッティングができない）。以上か
ら、取り扱いが容易な一次近似式によって膜厚−処理時
間関係式を表している。
【００２３】この関係式が、処理時間に対する膜厚では
なく（横軸：処理時間）、膜厚に対する処理時間（横
軸：膜厚）であるのは、後述するように、膜厚の変化を
処理時間として換算することを容易にするためである。
但し、これは本質的なことではなく、処理時間に対する
膜厚の関係式として導出しても差し支えない。
なく（横軸：処理時間）、膜厚に対する処理時間（横
軸：膜厚）であるのは、後述するように、膜厚の変化を
処理時間として換算することを容易にするためである。
但し、これは本質的なことではなく、処理時間に対する
膜厚の関係式として導出しても差し支えない。
【００２４】（２）大気圧Ｐと熱処理装置１０により熱
処理されたウエハＷの膜厚Ｘとの関係を表す大気圧−膜
厚関係式（Ｐ−Ｘ関係式）を導出する（ステップＳ１
１）。この導出は、以下の手順によって行われる。 異なる大気圧Ｐにおいて、所定の処理時間でウエハＷ
を熱処理装置１０により熱処理する。即ち、複数のウエ
ハＷをそれぞれ異なる大気圧のときに熱処理する。この
所定の処理時間は、後述する基準処理時間Ｔｒに近いこ
とが好ましいが、必ずしもこれに拘束される訳ではな
い。なお、膜厚−処理時間関係式の場合と同様に、大気
圧−膜厚関係式に１次近似式を用い、また正確に関係式
を導出するために処理時間を３段階以上に変化させ、か
つサンプルとなるウエハＷの枚数も多い方が好ましい。
また、この熱処理を行う熱処理装置は、ステップＳ１１
と同様に、ステップＳ２０で成膜を行うための熱処理装
置１０そのものであることが好ましいが、同一タイプの
熱処理装置を代わりに用いることもできる。
処理されたウエハＷの膜厚Ｘとの関係を表す大気圧−膜
厚関係式（Ｐ−Ｘ関係式）を導出する（ステップＳ１
１）。この導出は、以下の手順によって行われる。 異なる大気圧Ｐにおいて、所定の処理時間でウエハＷ
を熱処理装置１０により熱処理する。即ち、複数のウエ
ハＷをそれぞれ異なる大気圧のときに熱処理する。この
所定の処理時間は、後述する基準処理時間Ｔｒに近いこ
とが好ましいが、必ずしもこれに拘束される訳ではな
い。なお、膜厚−処理時間関係式の場合と同様に、大気
圧−膜厚関係式に１次近似式を用い、また正確に関係式
を導出するために処理時間を３段階以上に変化させ、か
つサンプルとなるウエハＷの枚数も多い方が好ましい。
また、この熱処理を行う熱処理装置は、ステップＳ１１
と同様に、ステップＳ２０で成膜を行うための熱処理装
置１０そのものであることが好ましいが、同一タイプの
熱処理装置を代わりに用いることもできる。
【００２５】熱処理されたウエハＷの膜厚を測定す
る。この膜厚測定はステップＳ１１と同様エリプソメー
ター等の光学的な手法を用いて行うことができる。 膜厚の測定結果に基づき、大気圧−膜厚関係式を導出
する。この関係式の一例を図４にグラフＧ２として示
す。ここでは、大気圧をＰ１，Ｐ２と２段階に変化させ
たときのウエハＷの膜厚がそれぞれＸ３，Ｘ４であると
して、一次近似としての膜厚−処理時間関係式を導出し
ている。この関係式は大気圧Ｐ、膜厚Ｘとしたとき具体
的には次のように表される。 Ｘ＝Ｆ＊Ｐ＋Ｃ …… 式（３） ステップＳ１１と同様に、大気圧の変化の段数およびウ
エハＷの個数を多くして、自乗平均法等の統計的な手法
を用いてより正確な近似式を導出する方が好ましい。
る。この膜厚測定はステップＳ１１と同様エリプソメー
ター等の光学的な手法を用いて行うことができる。 膜厚の測定結果に基づき、大気圧−膜厚関係式を導出
する。この関係式の一例を図４にグラフＧ２として示
す。ここでは、大気圧をＰ１，Ｐ２と２段階に変化させ
たときのウエハＷの膜厚がそれぞれＸ３，Ｘ４であると
して、一次近似としての膜厚−処理時間関係式を導出し
ている。この関係式は大気圧Ｐ、膜厚Ｘとしたとき具体
的には次のように表される。 Ｘ＝Ｆ＊Ｐ＋Ｃ …… 式（３） ステップＳ１１と同様に、大気圧の変化の段数およびウ
エハＷの個数を多くして、自乗平均法等の統計的な手法
を用いてより正確な近似式を導出する方が好ましい。
【００２６】（３）大気圧Ｐと処理時間Ｔとの関係を表
す大気圧−処理時間関係式（Ｐ−Ｔ関係式）を導出する
（ステップＳ１３）。この導出は、式（３）を式（１）
に代入することによって行える。式（３）を式（１）に
代入すると、次の式（４）が導出される。 Ｔ＝Ａ＊（Ｆ＊Ｐ＋Ｃ）＋Ｂ ＝Ａ＊Ｆ＊Ｐ＋Ａ＊Ｃ＋Ｂ …… 式（４） ここで、α＝Ａ＊Ｆ、β＝Ａ＊Ｃ＋Ｂとおくと、次の式
（５）が導出される。 Ｔ＝α＊Ｐ＋β …… 式（５） 式（５）で表された大気圧−処理時間関係式は、式
（１）に式（３）を代入したことから判るように、大気
圧Ｐによって生じる膜厚Ｐの変動を処理時間Ｔに換算し
て表したものである。
す大気圧−処理時間関係式（Ｐ−Ｔ関係式）を導出する
（ステップＳ１３）。この導出は、式（３）を式（１）
に代入することによって行える。式（３）を式（１）に
代入すると、次の式（４）が導出される。 Ｔ＝Ａ＊（Ｆ＊Ｐ＋Ｃ）＋Ｂ ＝Ａ＊Ｆ＊Ｐ＋Ａ＊Ｃ＋Ｂ …… 式（４） ここで、α＝Ａ＊Ｆ、β＝Ａ＊Ｃ＋Ｂとおくと、次の式
（５）が導出される。 Ｔ＝α＊Ｐ＋β …… 式（５） 式（５）で表された大気圧−処理時間関係式は、式
（１）に式（３）を代入したことから判るように、大気
圧Ｐによって生じる膜厚Ｐの変動を処理時間Ｔに換算し
て表したものである。
【００２７】この大気圧−処理時間関係式の一例を図５
にグラフＧ３として表す。この大気圧−処理時間関係式
（グラフＧ３）は、基準大気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒ
を通る直線として表され、その有効範囲が大気圧Ｐｍｉ
ｎ〜Ｐｍａｘ（処理時間Ｔｍｉｎ〜Ｔｍａｘ）となって
いる。大気圧−処理時間関係式の有効範囲が定められて
いるのは、この関係式（式（５））が一次近似式である
式（１）、（３）に基づいて算出されたことを考慮した
ものである。一次近似式は基準値（この場合は、基準大
気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒ）から外れるほど実測値と
のズレが大きくなる。このため、基準値からある程度の
幅以内で式（５）を適用することで、実際の値との相違
が生じるのを抑えている。基準大気圧Ｐｒはある程度任
意に決めることができるが、ステップＳ１３で大気圧−
処理時間関係式の導出に用いた大気圧Ｐの範囲内、かつ
実際に起こりうる大気圧Ｐの範囲の中心値に近いものを
利用するのが好ましい。大気圧−処理時間関係式の有効
性をより確実ならしめるためである。
にグラフＧ３として表す。この大気圧−処理時間関係式
（グラフＧ３）は、基準大気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒ
を通る直線として表され、その有効範囲が大気圧Ｐｍｉ
ｎ〜Ｐｍａｘ（処理時間Ｔｍｉｎ〜Ｔｍａｘ）となって
いる。大気圧−処理時間関係式の有効範囲が定められて
いるのは、この関係式（式（５））が一次近似式である
式（１）、（３）に基づいて算出されたことを考慮した
ものである。一次近似式は基準値（この場合は、基準大
気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒ）から外れるほど実測値と
のズレが大きくなる。このため、基準値からある程度の
幅以内で式（５）を適用することで、実際の値との相違
が生じるのを抑えている。基準大気圧Ｐｒはある程度任
意に決めることができるが、ステップＳ１３で大気圧−
処理時間関係式の導出に用いた大気圧Ｐの範囲内、かつ
実際に起こりうる大気圧Ｐの範囲の中心値に近いものを
利用するのが好ましい。大気圧−処理時間関係式の有効
性をより確実ならしめるためである。
【００２８】大気圧−処理時間関係式の有効範囲は、例
えば図４に示す大気圧−膜厚関係式（近似式）が実測値
とどの範囲で一致しているか否かに基づいて定めること
ができる。また、便宜的な手法として基準大気圧Ｐｒに
対する割合に基づいて定めることができる。この一例と
して、以下の式（６）を示すことができる。 Ｐｍａｘ＝Ｐｒ＋０．１＊Ｐｒ Ｐｍｉｎ＝Ｐｒ−０．１＊Ｐｒ …… 式（６） 経験上、基準大気圧Ｐｒに対して１０％程度の範囲内で
あれば、大気圧に対する膜厚（処理時間で換算）の変化
の直線性が確保できるからである。
えば図４に示す大気圧−膜厚関係式（近似式）が実測値
とどの範囲で一致しているか否かに基づいて定めること
ができる。また、便宜的な手法として基準大気圧Ｐｒに
対する割合に基づいて定めることができる。この一例と
して、以下の式（６）を示すことができる。 Ｐｍａｘ＝Ｐｒ＋０．１＊Ｐｒ Ｐｍｉｎ＝Ｐｒ−０．１＊Ｐｒ …… 式（６） 経験上、基準大気圧Ｐｒに対して１０％程度の範囲内で
あれば、大気圧に対する膜厚（処理時間で換算）の変化
の直線性が確保できるからである。
【００２９】処理時間の範囲Ｔｍｉｎ、Ｔｍａｘは、大
気圧の範囲Ｐｍｉｎ、Ｐｍａｘから自動的に定まる。 Ｔｍａｘ＝Ｔ（Ｐｍａｘ） Ｔｍｉｎ＝Ｔ（Ｐｍｉｎ） …… 式（７） ここで、Ｔ（Ｐ）は前述の式（５）で表される。
気圧の範囲Ｐｍｉｎ、Ｐｍａｘから自動的に定まる。 Ｔｍａｘ＝Ｔ（Ｐｍａｘ） Ｔｍｉｎ＝Ｔ（Ｐｍｉｎ） …… 式（７） ここで、Ｔ（Ｐ）は前述の式（５）で表される。
【００３０】（４）大気圧Ｐに対して補正した処理時間
Ｔｃを表す補正処理時間関係式（Ｔｃ（Ｐ））を導出す
る（ステップＳ１４）。この関係式を導出する考え方を
図６に示す。ここで、グラフＧ３、Ｇｃはそれぞれ大気
圧−処理時間関係式（ステップＳ１３で導出済）および
これから導出する補正処理時間関係式（Ｔｃ（Ｐ））を
表している。
Ｔｃを表す補正処理時間関係式（Ｔｃ（Ｐ））を導出す
る（ステップＳ１４）。この関係式を導出する考え方を
図６に示す。ここで、グラフＧ３、Ｇｃはそれぞれ大気
圧−処理時間関係式（ステップＳ１３で導出済）および
これから導出する補正処理時間関係式（Ｔｃ（Ｐ））を
表している。
【００３１】既に述べたように、補正処理時間関係式は
大気圧Ｐの変動に対応して処理時間を補正することによ
り大気圧の変動に起因する膜厚の変動を防止するための
ものである。大気圧が基準値（基準大気圧Ｐｒ）から増
えたときに処理期間を基準値（基準処理時間Ｔｒ）より
減らし、大気圧が基準値から減ったときに処理時間を基
準値より増やすことで、大気圧Ｐの変動に対応すること
ができる。即ち、補正処理時間関係式を表すグラフＧｃ
は基準大気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒを通り、グラフＧ
３と傾きの正負が逆になっている。
大気圧Ｐの変動に対応して処理時間を補正することによ
り大気圧の変動に起因する膜厚の変動を防止するための
ものである。大気圧が基準値（基準大気圧Ｐｒ）から増
えたときに処理期間を基準値（基準処理時間Ｔｒ）より
減らし、大気圧が基準値から減ったときに処理時間を基
準値より増やすことで、大気圧Ｐの変動に対応すること
ができる。即ち、補正処理時間関係式を表すグラフＧｃ
は基準大気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒを通り、グラフＧ
３と傾きの正負が逆になっている。
【００３２】大気圧Ｐのときの処理時間（実際には膜厚
を処理時間に換算したもの）をＴ、補正処理時間をＴｃ
とする。ここで、グラフＧ３、Ｇｃの傾きの正負が逆転
していることから。以下の式（８）を導き出すことがで
きる。 Ｔ−Ｔｒ＝Ｔｒ−Ｔｃ …… 式（８） 式（８）から以下のようにして、補正処理時間Ｔｃを表
す式（９）を導くことができる。 Ｔｃ（Ｐ）＝Ｔｃ ＝２Ｔｒ−Ｔ ＝２Ｔｒ−（α＊Ｐ＋β） ＝−α＊Ｐ＋（２Ｔｒ−β） ＝−α＊Ｐ＋γ …… 式（９） なお、この式の導出に際しては、式（４）を代入すると
共に、γ＝２Ｔｒ−βと定義している。
を処理時間に換算したもの）をＴ、補正処理時間をＴｃ
とする。ここで、グラフＧ３、Ｇｃの傾きの正負が逆転
していることから。以下の式（８）を導き出すことがで
きる。 Ｔ−Ｔｒ＝Ｔｒ−Ｔｃ …… 式（８） 式（８）から以下のようにして、補正処理時間Ｔｃを表
す式（９）を導くことができる。 Ｔｃ（Ｐ）＝Ｔｃ ＝２Ｔｒ−Ｔ ＝２Ｔｒ−（α＊Ｐ＋β） ＝−α＊Ｐ＋（２Ｔｒ−β） ＝−α＊Ｐ＋γ …… 式（９） なお、この式の導出に際しては、式（４）を代入すると
共に、γ＝２Ｔｒ−βと定義している。
【００３３】式（９）はＰｒを用いて変形することもで
きる。 Ｔｃ（Ｐ）＝２Ｔｒ−Ｔ ＝２（α＊Ｐｒ＋β）−（α＊Ｐ＋β） ＝−α＊Ｐ＋（２α＊Ｐｒ＋β） ＝−α＊Ｐ＋γ …… 式（９−１） 式（９）、（９−１）は、Ｔｒ＝α＊Ｐｒ＋βの関係が
あることから、いずれにしろ同一の形で表される。
きる。 Ｔｃ（Ｐ）＝２Ｔｒ−Ｔ ＝２（α＊Ｐｒ＋β）−（α＊Ｐ＋β） ＝−α＊Ｐ＋（２α＊Ｐｒ＋β） ＝−α＊Ｐ＋γ …… 式（９−１） 式（９）、（９−１）は、Ｔｒ＝α＊Ｐｒ＋βの関係が
あることから、いずれにしろ同一の形で表される。
【００３４】既に述べたように補正処理時間関係式は近
似式であり、その有効範囲がある程度限定される。この
ため、目標膜厚等の成膜条件（レシピ）毎に補正処理時
間関係式を別途に導出し、成膜条件に応じて適切な補正
処理時間関係式を選択するのが好ましい。
似式であり、その有効範囲がある程度限定される。この
ため、目標膜厚等の成膜条件（レシピ）毎に補正処理時
間関係式を別途に導出し、成膜条件に応じて適切な補正
処理時間関係式を選択するのが好ましい。
【００３５】以上に示したステップＳ１１〜Ｓ１４にお
いて、熱処理は既述のように原則としてステップＳ２０
での成膜を行う熱処理装置１０（そのもの又は同一のタ
イプ）によって行われる。また、関係式の導出は、コン
ピュータを用いて行うのが便宜である。関係式の導出に
付随して、図３〜６のようなグラフ表示により実測値
（膜厚等）と関係式の対応関係を示してもよい。コンピ
ュータとしては、熱処理装置１０に直接的な関連がある
もの（例えば、熱処理装置１０のコントローラ１００，
あるいは熱処理装置１０にネットワークで接続されたホ
ストコンピュータ）、または直接的な関連性のないコン
ピュータ一般のいずれを用いてもよいが、熱処理装置１
０との通信が可能であれば、次のステップＳ２１（熱処
理装置１０への補正処理時間関係式の導入）が容易にな
る。コンピュータに用いるソフトウェアとしては、専用
または汎用のソフトウェアのいずれでもよい。本実施形
態に用いる汎用のソフトウェアの一例として、MICRO SO
FT社の「Ｅｘｃｅｌ」を挙げることができる。
いて、熱処理は既述のように原則としてステップＳ２０
での成膜を行う熱処理装置１０（そのもの又は同一のタ
イプ）によって行われる。また、関係式の導出は、コン
ピュータを用いて行うのが便宜である。関係式の導出に
付随して、図３〜６のようなグラフ表示により実測値
（膜厚等）と関係式の対応関係を示してもよい。コンピ
ュータとしては、熱処理装置１０に直接的な関連がある
もの（例えば、熱処理装置１０のコントローラ１００，
あるいは熱処理装置１０にネットワークで接続されたホ
ストコンピュータ）、または直接的な関連性のないコン
ピュータ一般のいずれを用いてもよいが、熱処理装置１
０との通信が可能であれば、次のステップＳ２１（熱処
理装置１０への補正処理時間関係式の導入）が容易にな
る。コンピュータに用いるソフトウェアとしては、専用
または汎用のソフトウェアのいずれでもよい。本実施形
態に用いる汎用のソフトウェアの一例として、MICRO SO
FT社の「Ｅｘｃｅｌ」を挙げることができる。
【００３６】導出された補正処理時間関係式は式（９）
のパラメータα、γで表される。また、基準値（基準大
気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒのいずれかまたは双方）や
有効範囲（処理時間の範囲：Ｔｍｉｎ、Ｔｍａｘ、大気
圧の範囲：Ｐｍｉｎ、Ｐｍａｘ）も補正処理時間関係式
を誤りなく用いるために意義がある（基準値に近いほど
補正処理時間関係式の信頼性が高く、有効範囲外ではそ
の信頼性が保証し難くなる）。ここで、パラメータα、
γはパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃより導出されることか
ら、パラメータα、γに代えてパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，
Ｃを用いて補正処理時間関係式を表しても差し支えな
い。以上から、一例としてパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃ、
基準処理時間Ｔｒによって補正処理時間関係式およびそ
の有効範囲を表すことができる（有効範囲が、式
（６）、（７）で示すように、基準処理時間Ｔｒによっ
て表されるなら、有効範囲に関わるパラメータ（Ｐｍｉ
ｎ，Ｐｍａｘ等）を別途用いる必要はない）。
のパラメータα、γで表される。また、基準値（基準大
気圧Ｐｒ、基準処理時間Ｔｒのいずれかまたは双方）や
有効範囲（処理時間の範囲：Ｔｍｉｎ、Ｔｍａｘ、大気
圧の範囲：Ｐｍｉｎ、Ｐｍａｘ）も補正処理時間関係式
を誤りなく用いるために意義がある（基準値に近いほど
補正処理時間関係式の信頼性が高く、有効範囲外ではそ
の信頼性が保証し難くなる）。ここで、パラメータα、
γはパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃより導出されることか
ら、パラメータα、γに代えてパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，
Ｃを用いて補正処理時間関係式を表しても差し支えな
い。以上から、一例としてパラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃ、
基準処理時間Ｔｒによって補正処理時間関係式およびそ
の有効範囲を表すことができる（有効範囲が、式
（６）、（７）で示すように、基準処理時間Ｔｒによっ
て表されるなら、有効範囲に関わるパラメータ（Ｐｍｉ
ｎ，Ｐｍａｘ等）を別途用いる必要はない）。
【００３７】Ｂ．導出された補正時間関係式を用いた成
膜（ステップＳ２０）。このステップ２０は、図３に示
すように、ステップＳ２１〜Ｓ２３にさらに区分するこ
とができる。 （１）熱処理装置１０に補正時間関係式を導入する（ス
テップＳ２１）。これは補正時間関係式に関わるパラメ
ータ（例えば、パラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃ、基準処理時
間Ｔｒ）をパラメータ記憶部（パラメータテーブル）１
０２に記憶させることによって行える。具体的には記憶
メディア（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等）や
ネットワークを通じて、コントローラ１００にパラメー
タを記憶させる。既述のように、パラメータ記憶部１０
２には目標膜厚等の成膜条件（レシピ）毎に複数の補正
処理時間関係式を記憶させ、成膜条件に応じて適切な補
正処理時間関係式を選択するのが好ましい。この場合に
は、成膜条件を識別し、その選択を可能とするための何
らかの情報（パラメータ等）をパラメータ記憶部１０２
に記憶させるのが好ましい。コントローラ１００の近似
式記憶部１０１にはパラメータを代入する基礎となる近
似式が記憶されているので、パラメータのみをパラメー
タ記憶部１０２に記憶させることで、補正処理時間関係
式を構成することが可能となる。
膜（ステップＳ２０）。このステップ２０は、図３に示
すように、ステップＳ２１〜Ｓ２３にさらに区分するこ
とができる。 （１）熱処理装置１０に補正時間関係式を導入する（ス
テップＳ２１）。これは補正時間関係式に関わるパラメ
ータ（例えば、パラメータＡ，Ｂ，Ｆ，Ｃ、基準処理時
間Ｔｒ）をパラメータ記憶部（パラメータテーブル）１
０２に記憶させることによって行える。具体的には記憶
メディア（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等）や
ネットワークを通じて、コントローラ１００にパラメー
タを記憶させる。既述のように、パラメータ記憶部１０
２には目標膜厚等の成膜条件（レシピ）毎に複数の補正
処理時間関係式を記憶させ、成膜条件に応じて適切な補
正処理時間関係式を選択するのが好ましい。この場合に
は、成膜条件を識別し、その選択を可能とするための何
らかの情報（パラメータ等）をパラメータ記憶部１０２
に記憶させるのが好ましい。コントローラ１００の近似
式記憶部１０１にはパラメータを代入する基礎となる近
似式が記憶されているので、パラメータのみをパラメー
タ記憶部１０２に記憶させることで、補正処理時間関係
式を構成することが可能となる。
【００３８】（２）大気圧に対応する補正処理時間を算
出する（ステップＳ２２）。 この算出に先立ち大気圧センサ４０による大気圧の測
定が行われる。 そして、パラメータ記憶部１０２に記憶された補正処
理時間関係式用のパラメータ（例えば、パラメータＡ，
Ｂ，Ｆ，Ｃ、基準処理時間Ｔｒ）を近似式記憶部１０１
に記憶された近似式（一次近似式）に代入して補正処理
時間関係式を導出し、大気圧センサ４０で測定された大
気圧値を補正処理時間関係式に代入して、補正処理時間
Ｔｃを算出する。この算出は、補正処理時間算出部１０
３によって行われる。なお、処理条件（処理レシピ）に
対応して複数の補正処理時間関係式のパラメータのセッ
トがパラメータ記憶部１０２に記憶されているときに
は、目標とする処理条件の入力、および入力された処理
条件に対応するパラメータの選択が行われる。
出する（ステップＳ２２）。 この算出に先立ち大気圧センサ４０による大気圧の測
定が行われる。 そして、パラメータ記憶部１０２に記憶された補正処
理時間関係式用のパラメータ（例えば、パラメータＡ，
Ｂ，Ｆ，Ｃ、基準処理時間Ｔｒ）を近似式記憶部１０１
に記憶された近似式（一次近似式）に代入して補正処理
時間関係式を導出し、大気圧センサ４０で測定された大
気圧値を補正処理時間関係式に代入して、補正処理時間
Ｔｃを算出する。この算出は、補正処理時間算出部１０
３によって行われる。なお、処理条件（処理レシピ）に
対応して複数の補正処理時間関係式のパラメータのセッ
トがパラメータ記憶部１０２に記憶されているときに
は、目標とする処理条件の入力、および入力された処理
条件に対応するパラメータの選択が行われる。
【００３９】（３）算出された補正処理時間に基づく膜
の形成が行われる（ステップＳ２３）。この処理は処理
装置制御部１０４によって、算出された補正処理時間、
目標とする処理温度Ｔ等に基づいて、図示しない流量調
整器、電力コントロ一ラ１８を制御することによって行
われる。以上のように大気圧に対応して処理時間を増減
する（処理時間を修正する）ことで、大気圧の変動に起
因する膜厚の変動を低減することができる。
の形成が行われる（ステップＳ２３）。この処理は処理
装置制御部１０４によって、算出された補正処理時間、
目標とする処理温度Ｔ等に基づいて、図示しない流量調
整器、電力コントロ一ラ１８を制御することによって行
われる。以上のように大気圧に対応して処理時間を増減
する（処理時間を修正する）ことで、大気圧の変動に起
因する膜厚の変動を低減することができる。
【００４０】（その他の実施形態）以上の発明の実施形
態は、本発明の技術的思想の範囲内で、拡張、変更が可
能である。 （１）例えば、成膜装置は、縦型熱処理炉には限られな
い。また、基板は半導体ウエハには限られず、例えばガ
ラス基板であってもよい。 （２）本発明は、反応ガスの種類（ガス種）には限定さ
れない。酸素または水蒸気を酸化種として用いた酸化膜
の形成一般に適用できる。また、酸化膜の形成に限ら
ず、大気圧の変動によって熱処理特性が変動する熱処理
プロセス一般に本発明を適用することもできる。
態は、本発明の技術的思想の範囲内で、拡張、変更が可
能である。 （１）例えば、成膜装置は、縦型熱処理炉には限られな
い。また、基板は半導体ウエハには限られず、例えばガ
ラス基板であってもよい。 （２）本発明は、反応ガスの種類（ガス種）には限定さ
れない。酸素または水蒸気を酸化種として用いた酸化膜
の形成一般に適用できる。また、酸化膜の形成に限ら
ず、大気圧の変動によって熱処理特性が変動する熱処理
プロセス一般に本発明を適用することもできる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、大気圧の
変動による膜厚の変動を低減できる成膜装置、成膜方法
を提供することができる。
変動による膜厚の変動を低減できる成膜装置、成膜方法
を提供することができる。
【図１】 本発明に係る熱処理装置を表す一部断面図で
ある。
ある。
【図２】 大気圧による膜厚の変動を防止するための手
順の一例を表すフロー図である。
順の一例を表すフロー図である。
【図３】 膜厚−処理時間関係式の一例を表すグラフで
ある。
ある。
【図４】 大気圧−膜厚関係式の一例を表すグラフであ
る。
る。
【図５】 大気圧−処理時間関係式の一例を表すグラフ
である。
である。
【図６】 補正処理時間関係式の一例を表すグラフであ
る。
る。
１０…熱処理装置、１２…反応管、１３…ウエハボー
ト、１４…蓋体、１５…保温筒、１６…ボートエレベー
タ、１７…ヒータ、１８…電力コントロ一ラ、２１…ガ
ス供給管、２３…燃焼室、３１…排気管、３２，３３…
配管、３４…冷却器、３５，３７…バルブ、３６…トラ
ップ、３８…圧力センサ、４０…大気圧センサ、１００
…コントローラ、１０１…近似式記憶部、１０２…パラ
メータ記憶部、１０３…補正処理時間算出部、１０４…
処理装置制御部
ト、１４…蓋体、１５…保温筒、１６…ボートエレベー
タ、１７…ヒータ、１８…電力コントロ一ラ、２１…ガ
ス供給管、２３…燃焼室、３１…排気管、３２，３３…
配管、３４…冷却器、３５，３７…バルブ、３６…トラ
ップ、３８…圧力センサ、４０…大気圧センサ、１００
…コントローラ、１０１…近似式記憶部、１０２…パラ
メータ記憶部、１０３…補正処理時間算出部、１０４…
処理装置制御部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AB32 AC11 AC15 BB01
DP19 DQ05 EE04 EK06 EK27
GB05 GB06
Claims (7)
- 【請求項１】 異なる処理時間でそれぞれの膜を形成す
る第１の成膜ステップと、 前記第１の成膜ステップで形成された膜の膜厚を測定す
る第１の測定ステップと、 前記第１の測定ステップで測定された測定データに基づ
き、膜厚と処理時間との関係を表す第１の関係式を導出
する第１の導出ステップと、 異なる大気圧を基準に処理ガス圧を制御してそれぞれの
膜を形成する第２の成膜ステップと、 前記第２の成膜ステップで形成された膜の膜厚を測定す
る第２の測定ステップと、 前記第２の測定ステップで測定された測定データに基づ
き、大気圧と膜厚との関係を表す第２の関係式を導出す
る第２の導出ステップと、 前記第１、第２の導出ステップで導出された前記第１、
第２の関係式に基づき、大気圧の変動に応じて処理時間
を補正するための処理時間補正式を導出する第３の導出
ステップと、 大気圧の測定結果および前記第３の導出ステップで算出
された前記処理時間補正式に基づき処理時間を補正する
補正ステップと、 前記補正ステップで補正された処理時間に基づき大気圧
を基準に処理ガス圧を制御して膜を形成する成膜ステッ
プと、 を具備することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 大気圧を基準に処理ガス圧を制御して成
膜を行う際の処理時間を大気圧の変動に応じて補正する
ための処理時間補正式を導出する成膜処理時間補正式の
導出方法であって、 第１の測定データに基づき、膜厚と処理時間との関係を
表す第１の関係式を導出する第１の導出ステップと、 第２の測定データに基づき、大気圧と膜厚との関係を表
す第２の関係式を導出する第２の導出ステップと、 前記第１、第２の導出ステップで導出された前記第１、
第２の関係式に基づき、大気圧の変動に応じて処理時間
を補正するための処理時間補正式を導出する第３の導出
ステップと、を具備することを特徴とする成膜処理時間
補正式の導出方法。 - 【請求項３】 前記第３の導出ステップが、 前記第１、第２の関係式に基づき大気圧と処理時間との
関係を表す第３の関係式を導出する関係式導出ステップ
と、 前記関係式導出ステップで導出された第３の関係式に基
づき、前記処理時間補正式を導出する補正式導出ステッ
プとを有することを特徴とする請求項２記載の成膜処理
時間補正式の導出方法。 - 【請求項４】 前記第１、第２の関係式の少なくともい
ずれかが一次近似式であることを特徴とする請求項２記
載の成膜処理時間補正式の導出方法。 - 【請求項５】 基板を配置する処理室と、 前記処理室内に反応ガスを供給するガス供給系と、 大気圧を測定する大気圧測定器と、 大気圧の変動に対応して処理時間を補正するための処理
時間補正式を記憶する記憶部と、 前記記憶部に記憶された処理時間補正式に基づいて、処
理時間を補正する処理時間補正部と、 前記大気圧測定器による測定結果および前記処理時間補
正部により補正された処理時間に基づいて、前記ガス供
給系を制御する制御部と、 を具備することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項６】 前記記憶部が、複数の成膜処理条件それ
ぞれに対応した複数の前記処理時間補正式を記憶し、 前記成膜装置が、前記複数の処理時間補正式から所望の
成膜処理条件に対応する処理時間補正式を選択する補正
式選択部をさらに具備することを特徴とする請求項５に
記載の成膜装置。 - 【請求項７】 請求項２乃至４のいずれか１項に記載の
成膜処理時間補正式の導出方法をコンピュータに実行さ
せるためのプログラム。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117672A JP2003318172A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム |
| KR10-2004-7010368A KR20040101197A (ko) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | 성막 방법 |
| PCT/JP2003/004718 WO2003090271A1 (fr) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | Procede de formation de film |
| CNB038062194A CN1315161C (zh) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | 成膜方法 |
| US10/511,038 US20050159013A1 (en) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | Film formation method |
| EP03717578A EP1501121A1 (en) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | Film formation method |
| TW092108935A TWI269386B (en) | 2002-04-19 | 2003-04-17 | Film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117672A JP2003318172A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003318172A true JP2003318172A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29243504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002117672A Pending JP2003318172A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050159013A1 (ja) |
| EP (1) | EP1501121A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003318172A (ja) |
| KR (1) | KR20040101197A (ja) |
| CN (1) | CN1315161C (ja) |
| TW (1) | TWI269386B (ja) |
| WO (1) | WO2003090271A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268755A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| JP2007073880A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009164359A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体製造システム及び半導体装置の製造方法 |
| JP7334223B2 (ja) | 2021-09-24 | 2023-08-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体デバイスの製造方法、基板処理システム及びプログラム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111351A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法 |
| JP5231117B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-07-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
| CN109545715A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-29 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆加工设备及炉管晶圆加工时间的调节方法 |
| JP7399012B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2023-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法、および制御装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04125947A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Fujitsu Ltd | 成膜システムのフィードバック装置 |
| US5871805A (en) * | 1996-04-08 | 1999-02-16 | Lemelson; Jerome | Computer controlled vapor deposition processes |
-
2002
- 2002-04-19 JP JP2002117672A patent/JP2003318172A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-14 US US10/511,038 patent/US20050159013A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-14 WO PCT/JP2003/004718 patent/WO2003090271A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2003-04-14 CN CNB038062194A patent/CN1315161C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-14 EP EP03717578A patent/EP1501121A1/en not_active Withdrawn
- 2003-04-14 KR KR10-2004-7010368A patent/KR20040101197A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-04-17 TW TW092108935A patent/TWI269386B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268755A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| JP4586544B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| JP2007073880A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009164359A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体製造システム及び半導体装置の製造方法 |
| JP7334223B2 (ja) | 2021-09-24 | 2023-08-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体デバイスの製造方法、基板処理システム及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040101197A (ko) | 2004-12-02 |
| CN1643667A (zh) | 2005-07-20 |
| CN1315161C (zh) | 2007-05-09 |
| TWI269386B (en) | 2006-12-21 |
| EP1501121A1 (en) | 2005-01-26 |
| US20050159013A1 (en) | 2005-07-21 |
| TW200308027A (en) | 2003-12-16 |
| WO2003090271A1 (fr) | 2003-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW525227B (en) | Batch-type heat treatment apparatus and control method for the batch-type heat treatment apparatus | |
| US7953512B2 (en) | Substrate processing system, control method for substrate processing apparatus and program stored on medium | |
| US7727780B2 (en) | Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| US7896649B2 (en) | Heat system, heat method, and program | |
| TWI409851B (zh) | Adjust the gas flow processing system, processing methods and memory media | |
| US20040005147A1 (en) | Heat treatment apparatus, calibration method for temperature measuring system of the apparatus, and heat treatment system | |
| JP5788355B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
| JPWO2007105431A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2002175123A (ja) | 温度制御方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| US20110035165A1 (en) | Information processing apparatus, semiconductor manufacturing system, information processing method, and storage medium | |
| JP6512860B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
| JP2009260262A (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
| JP2005038058A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP2003318172A (ja) | 成膜方法、成膜処理時間補正式の導出方法、成膜装置、およびプログラム | |
| KR100882633B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리 방법, 제어 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
| JP2017098464A (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
| JP3764689B2 (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
| JP4455856B2 (ja) | 半導体製造システムおよび半導体製造方法 | |
| JP2023000903A (ja) | 枚葉式エピタキシャル成長装置の制御装置及び制御方法、並びにエピタキシャルウェーハの製造システム | |
| JP2009176982A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2003166066A (ja) | 成膜制御装置、成膜装置、成膜方法、膜厚流量係数算出方法、およびプログラム | |
| JP2003257878A (ja) | 半導体製造装置およびそれを利用した半導体装置の製造方法 | |
| JP7113507B2 (ja) | 活性ガス供給システムとそれを用いた半導体製造装置 | |
| US10692782B2 (en) | Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program | |
| TW202301050A (zh) | 溫度校正資訊計算裝置、半導體製造設備、程式、及溫度校正資訊計算方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070130 |