JP4586544B2 - 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
また更に、他の装置例として例えば特許文献5に開示されているように、ランプ加熱による枚葉式のプロセスチャンバ内に酸素ガスと水素ガスとを供給し、これらの両ガスをプロセスチャンバ内に設置した半導体ウエハ表面の近傍にて反応させて水蒸気を生成し、この水蒸気でウエハ表面のシリコンを酸化させて酸化膜を形成するようにした装置が示されている。
そこで、本出願人は、上記各問題点を解決するために特許文献6において、O2 などの酸化性ガスとH2 などの還元性ガスとを、それぞれ処理チャンバの上部と下部とに同時に供給して真空雰囲気下で反応させて酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気を形成し、この雰囲気中でシリコンウエハ等を酸化させる酸化方法を開示した。
上記両ノズル10、12より上記処理容器6内の下部に導入されたH2 ガスとO2 ガスの両ガスは、この処理容器6内で例えば133Pa未満の圧力下で反応しつつ酸素活性種と水酸基活性種とを発生し、これらの活性種は処理容器6内を上昇しつつウエハWの表面と接触してその表面を酸化することになる。
また最近にあっては、半導体集積回路が多用途化されてきていることから多品種小量生産の傾向が強くなってきている。この場合、最大収容能力枚数が50〜150枚程度の製品用ウエハを収容できるウエハボート8に、製品用ウエハをその最大収容能力枚数よりも少ない枚数しか収容しない場合も生じ、この場合にはボート内を満杯にできない時がある。この製品用ウエハの不足分の領域を空き領域としてウエハボート8の途中を空き領域の状態で、通常のウエハ満杯時のプロセス条件(ガス流量等を同じに設定)で酸化処理することも考えられるが、製品用ウエハは、表面がパターン形成されていることから表面積が非常に大きくなって多量に活性種を消費する傾向にある。このような活性種の消費の程度をローディング効果と称する。このためウエハボートに対する製品用ウエハの収容態様(収容枚数や収容位置)に応じて上記活性種の分布や量が大きく変動してしまい、膜厚の面間均一性を高く維持できない場合が生ずる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理容器内の温度分布を一定にした状態において且つダミーウエハを用いないで、ウエハボートに対する製品用被処理体の収容態様に応じて、処理容器の長手方向の異なる位置に設けた還元性ガス用の複数のガス噴射口の内のいくらかを選択し、この選択したガス噴射口より還元性ガスを供給することにより、酸化膜の膜厚の面間均一性を高く維持することが可能な被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体を提供することにある。
また例えば請求項3に規定するように、前記選択されたガス噴射口より供給される還元性ガスの流量は、最適な値に制御されている。
また例えば請求項4に規定するように、前記両ガスに対する前記還元性ガスの濃度は5%〜40%の範囲内である。
また例えば請求項5に規定するように、前記酸化性ガスはO2 とN2 OとNOとNO2 とO3 よりなる群から選択される1つ以上のガスを含み、前記還元性ガスはH2 とNH3 とCH4 とHClと重水素よりなる群から選択される1つ以上のガスを含む。
また例えば請求項6に規定するように、前記被処理体は、製品用ウエハ及びモニタ用ウエハで構成されている。
また例えば請求項7に規定するように、前記被処理体は、製品用ウエハのみで構成されている。
また例えば請求項8に規定するように、前記保持手段に保持される前記被処理体の収容枚数が、前記保持手段の最大収容能力枚数よりも少ない場合には、該少ない枚数に相当する領域は空き領域になされている。
酸化性ガスを処理容器の長手方向の一端側より供給し、還元性ガスを処理容器の長手方向の異なる位置に設けた複数のガス噴射口から供給できるようにし、そして処理容器内の被処理体の収容枚数と収容位置とに基づいて上記ガス噴射口の内のいずれかを選択し、この選択されたガス噴射口から還元性ガスを供給すると共に選択されなかったガス噴射口からは還元性ガスを流さないようにしたので、処理容器内の温度分布を均一に保った状態で、しかもダミーウエハを用いることなく、更に被処理体(製品用)の数量に関係なく酸化膜の膜厚の面間均一性を高く維持することができる。
図1は本発明方法を実施するための酸化装置の一例を示す構成図である。まずこの酸化装置について説明する。図示するように、この酸化装置20は下端が開放されて上下方向に所定の長さを有して円筒体状になされた縦型の処理容器22を有している。この処理容器22は、例えば耐熱性の高い石英を用いることができる。
この処理容器22の天井部には、開口された排気口24が設けられると共に、この排気口24に例えば直角に横方向へ屈曲された排気ライン26が連設されている。そして、この排気ライン26には、途中に圧力制御弁28や真空ポンプ30等が介設された真空排気系32が接続されており、上記処理容器22内の雰囲気を真空引きして排気できるようになっている。
上記した回転軸46は、例えばボートエレベータ等の昇降機構52に支持されたアーム54の先端に取り付けられており、ウエハボート36及び蓋部44等を一体的に昇降できるようになされている。尚、上記テーブル42を上記蓋部44側へ固定して設け、ウエハボート36を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。
まず、例えばシリコンウエハよりなる半導体ウエハWがアンロード状態で酸化装置20が待機状態の時には、処理容器22はプロセス温度より低い温度に維持されており、常温の多数枚、ウエハボート36の最大収容能力である例えば100枚、或いはそれ以下の枚数のウエハW(製品用ウエハ)が載置された状態のウエハボート36をホットウォール状態になされた処理容器22内にその下方より上昇させてロードし、蓋部44でマニホールド34の下端開口部を閉じることにより処理容器22内を密閉する。この被処理体としての半導体ウエハWは上述のように製品用ウエハであるが、この製品用ウエハWの枚数がウエハボート36の最大収容能力枚数よりも少ない場合には、その少ない部分に関してはウエハボート36内は空き領域となっている。
この両ガスは処理容器22内を上昇しつつ真空雰囲気下にて反応して水酸基活性種と酸素活性種とが発生し、この雰囲気が回転しているウエハボート36に収容されているウエハWと接触してウエハ表面に対して酸化処理が施されることになる。そして、この処理ガス、或いは反応により生成したガスは処理容器22の天井部の排気口24から系外へ排気されることになる。
上記酸化処理の具体的な流れは、上述のように、処理容器22内へ別々に導入されたO2 ガスとH2 ガスは、ホットウォール状態となった処理容器22内を上昇しつつウエハWの直近で水素の燃焼反応を介して酸素活性種(O*)と水酸基活性種(OH*)とを主体とする雰囲気が形成されて、これらの活性種によってウエハWの表面が酸化されてSiO2 膜が形成される。この時のプロセス条件は、ウエハ温度が400〜1000℃の範囲内、例えば900℃、圧力は13.3〜1330Paの範囲内、例えば133Pa(1Torr)である。また、処理時間は形成すべき膜厚にもよるが例えば10〜30分程度である。
H2 +O2 → H*+HO2
O2 +H* → OH*+O*
H2 +O* → H*+OH*
H2 +OH* → H*+H2 O
上記したように選択されたノズル態様で後述するように各ガスを供給して酸化処理を行ってこの時の酸化膜の膜厚が予め測定される。そして、この設定値を基に、上記したようにシミュレーションを行って各還元性ガス噴射ノズル80A〜80Eの内から上述のように実際にガスを供給するノズルの組み合わせが予め求められることになる。
<ウエハ間のSiO2 膜厚>
まず、ウエハ間のSiO2 膜厚の傾向について検討した。この結果、図2に示すような傾向が得られた。図2はウエハ位置とSiO2 膜との関係を示すグラフである。図2中において、”BTM”(ボトム)、”CTR”(センタ)、”TOP”(トップ)はウエハボート36中の各位置を示し、”BTM”、”CTR”及び”TOP”は、図1中のウエハボート36の高さ方向を略3等分した時の下部位置、中央位置、上部位置をそれぞれ代表している。
この時のプロセス条件は、プロセス圧力が47Pa(0.35torr)、プロセス温度が900℃、H2 ガス濃度[H2 /(H2 +O2 )]が90%である。またウエハボート36には最大収容能力枚数である100枚の製品用ウエハ(ベアウエハ)が収容されている。尚、膜厚を測定するためのモニタ用ウエハも所定の複数箇所に収容されているのは勿論である。
図2から明らかなように、ガス流の上流側である”BTM”側の膜厚が大きく、ガス流の下流側である”CTR”及び”TOP”に行く程、活性種が少なくなって膜厚が順次小さくなっていることが確認できた。この結果、膜厚の面間均一性を改善するには、”CTR”及び”TOP”側の膜厚を大きくする必要があることが判明する。
次に、H2 ガス濃度と膜厚との関係を検討した。図3はH2 ガス濃度[H2 /(H2 +O2 )]とSiO2 膜の膜厚との関係を示すグラフである。この時のプロセス条件では、H2 ガス濃度を5%〜90%まで変化させており、それぞれ20分間の酸化処理を行った時の膜厚を示している。図示するように、H2 ガス濃度が40%以下の領域(図3中で破線で示す)では、H2 ガス濃度が高くなる程、膜厚が次第に大きくなってきている。この結果、H2 ガス濃度が40%以下の領域では、膜厚を大きくしたい領域にH2 ガスを供給してH2 ガス濃度を上げればよいことが確認できた。そこで、本発明方法では、主にメインのノズル80AからH2 ガスを供給すると共に、処理容器22内のガス流の途中で、H2 ガスを補助的に供給するようにしている。尚、H2 ガス濃度が低すぎると、酸化速度が遅くなり過ぎてスループットが過度に小さくなるので、その下限は5%程度である。
ところで、前述したように、実際の酸化処理の場合には、図4に示すようにウエハボート36の最大収容能力一杯に製品用ウエハPWが収容される場合もあるし、その一部に製品用ウエハPWが収容されて残りの領域が空の領域(図中”空”で示している)になされる場合もある。また製品用ウエハPWは、一般的には、ガス流の上流側は、すなわち図4中においてはウエハボート36の下部の領域から充填されて行く。図4は製品用ウエハの収容態様の代表的な一例を示す図である。尚、図4中には還元性ガス噴射ノズル80A〜80Eの概略的な位置も併記してある。
図示例では、ウエハボート36の収容領域を便宜上、4つのエリアに区画しており、各エリア間及び最上部と最下部には、計5枚の膜厚測定のためのモニタ用ウエハMWが収容されている。各エリアには例えば25枚のウエハを収容でき、従って全体で100枚のウエハを収容できる。また製品用ウエハPWは、上述のように一般的にはガス流の上流側(図示例ではウエハボート36の下部側)より収容される。態様1の場合には、全てエリアで製品用ウエハPWが収容されている場合を示し、態様2は上流側の3つのエリアに製品用ウエハPWが収容されて最下流側の1つのエリアが空の領域になされている場合を示し、態様3は上流側の2つのエリアに製品用ウエハPWが収容されて下流側の2つのエリアが空の領域になされている場合を示し、態様4は最上流側の1つのエリアに製品用ウエハPWが収容されて下流側の3つのエリアが空の領域になされている場合を示す。前述のように、これらの態様1〜4は単に一例を示しただけであり、製品用ウエハPWの枚数によっては、いずれかのエリアの途中まで製品用ウエハPWが収容されて残りの部分が空になされる場合も生ずる。
次に、還元性ガス噴射ノズル80A〜80EからH2 ガスを供給した時の膜厚に対する影響を評価したので、その評価結果について説明する。図5は選択された特定の還元性ガス噴射ノズルからH2 ガスを供給した時の膜厚に対する影響を示すグラフである。横軸はウエハボートのウエハを支持するスロット番号を示し、各プロット値は図4中の5枚のモニタ用ウエハMWの膜厚値である。上記モニタ用ウエハMWは、ウエハボート36のスロット(ウエハを支持する溝)番号11、37、63、89及び115に位置されている。図5に示す場合には、ガスの供給態様の一例として、ノズル66からO2 ガスを供給すると共に、還元性ガスであるH2 ガスについてはメインノズルのノズル80Aと中央部のノズル80Cとの2つのノズルを選択してH2 ガスを供給している。そして、ウエハの収容態様については、図4に示す全ての態様1〜4について行い、更には、参考のために100枚のダミー用ウエハ(表面にSiO2 膜)を収容した場合についても行った。尚、実際の処理では、製品用ウエハPWと略同等の作用を示すベアウエハを用いた。
すなわち、処理容器22内の還元性ガスの濃度分布は、ウエハの収容態様に応じて、すなわちウエハがウエハボート36に収容能力一杯に収容されているか否か、或いは空き領域が存在するか否か、また、空き領域が存在する場合にはその空き領域がウエハボート36中のどの部分に位置するか等に応じて大きく異なる。従って、処理容器22内の長手方向の異なる位置に配置した各ガス噴射口88A〜88Eからそれぞれ均一に還元性ガスを供給しても最適なガス濃度分布を得られることができない。このため、予め実証的な試験を行ってウエハの各収容態様に応じて最適なガス濃度分布が実現できるようなガス噴射口を選択できるように予め定めておく。
この図5に示す膜厚分布から明らかなように、メインのノズル80AからH2 ガスを供給するのに加えて、略中央部のノズル80CからH2 ガスを補助的に加えるだけで、各態様1〜4について面間方向の膜厚を微細に制御できることが判明する。この時の膜厚の面間均一性は、態様1が±0.95%、態様2が±0.96%、態様3が±1.14%、態様4が±1.67%であった。
上記実施例における還元性ガス噴射ノズル80A〜80Eは、それぞれ先端に1つのガス噴射口を持つ構成であったが、これに代えて、例えば図7に示すように還元性ガス噴射ノズル80A〜80Eにその長手方向に沿って所定のピッチで形成した複数のガス噴射口90を設けるようにして、還元性ガスを分散させて供給するようにしてもよい。
また、本実施例ではメインのノズル80Aから還元性ガスを常時供給する場合を一例として説明したが、これに限定されず、ノズル80Aからのガス供給を停止し、他のノズル80B〜80Eから選択的に供給するようにしてもよい。
またウエハボート36に対する製品用ウエハPWの詰め込みは、ガス流の上流側より収容するようにしたが、これに限定されず、ウエハボート36のどの位置に収容するようにしてもよく、この場合には、その収容態様に応じて還元性ガスを供給する還元性ガス噴射ノズルを予め選択しておくのは勿論である。
また、本発明は、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、LCD基板、ガラス基板等にも適用することができる。
22 処理容器
36 ウエハボート(保持手段)
56 加熱手段
60 酸化性ガス供給手段
62 還元性ガス供給手段
64 酸化性ガス噴射ノズル
80A〜80E 還元性ガス噴射ノズル
88A〜88E ガス噴射口
100 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
PW 製品用被処理体(製品用ウエハ)
Claims (10)
- 所定の長さを有する真空引き可能になされた処理容器内に、保持手段により保持された被処理体を複数枚収容し、前記処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して前記両ガスを反応させることによって発生した酸素活性種と水酸基活性種とを有する雰囲気中で前記被処理体の表面を酸化するようにした被処理体の酸化方法において、
前記酸化性ガスを前記処理容器の長手方向の一端側より供給し、前記還元性ガスを前記処理容器の長手方向の異なる位置に設けた複数のガス噴射口から供給できるようにすると共に、前記処理容器内の前記被処理体の収容枚数と収容位置とに応じて前記ガス噴射口の内のいずれかを選択し、該選択されたガス噴射口から還元性ガスを供給すると共に選択されなかったガス噴射口からは還元性ガスを流さないようにしたことを特徴とする被処理体の酸化方法。 - 前記選択されるガス噴射口は、前記ガス噴射口より個別に還元性ガスを流して酸化処理を行った時に形成される酸化膜の膜厚に基づいて前記膜厚の面間均一性が高くなるように予め求められたガス噴射口であることを特徴とする請求項1記載の被処理体の酸化方法。
- 前記選択されたガス噴射口より供給される還元性ガスの流量は、最適な値に制御されていることを特徴とする請求項1または2記載の被処理体の酸化方法。
- 前記両ガスに対する前記還元性ガスの濃度は5%〜40%の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法。
- 前記酸化性ガスはO2 とN2 OとNOとNO2 とO3 よりなる群から選択される1つ以上のガスを含み、前記還元性ガスはH2 とNH3 とCH4 とHClと重水素よりなる群から選択される1つ以上のガスを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法。
- 前記被処理体は、製品用ウエハ及びモニタ用ウエハで構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法。
- 前記被処理体は、製品用ウエハのみで構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法。
- 前記保持手段に保持される前記被処理体の収容枚数が、前記保持手段の最大収容能力枚数よりも少ない場合には、該少ない枚数に相当する領域は空き領域になされていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法。
- 被処理体を所定のピッチで複数枚支持する保持手段と、
前記保持手段を収容することができるように所定の長さを有すと共に真空引き可能になされた処理容器と、
前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
前記処理容器内の一端側へ酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給手段と、
前記処理容器内の長手方向の異なる位置にガス噴射口が位置されて還元性ガスを供給する複数本の還元性ガスノズルを有する還元性ガス供給手段と、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法を実施するように装置全体を制御する主制御部と、
を備えたことを特徴とする酸化装置。 - 所定の長さを有する真空引き可能になされた処理容器内に、保持手段により保持された被処理体を複数枚収容し、酸化性ガスを前記処理容器の長手方向の一端側より供給できるようにすると共に、還元性ガスを前記処理容器の長手方向の異なる位置に設けた複数のガス噴射口から供給できるようにし、前記処理容器内に前記酸化性ガスと前記還元性ガスとを供給して前記両ガスを反応させることによって発生した酸素活性種と水酸基活性種とを有する雰囲気中で前記被処理体の表面を酸化するようにした酸化装置を用いて被処理体の酸化を行なうに際して、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の被処理体の酸化方法を実施するように前記酸化装置を制御するためのコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体。
Priority Applications (6)
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---|---|---|---|
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