JPH0418727A - 縦型拡散装置 - Google Patents
縦型拡散装置Info
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- JPH0418727A JPH0418727A JP12244390A JP12244390A JPH0418727A JP H0418727 A JPH0418727 A JP H0418727A JP 12244390 A JP12244390 A JP 12244390A JP 12244390 A JP12244390 A JP 12244390A JP H0418727 A JPH0418727 A JP H0418727A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置の一つである縦型拡散装置に関
する。
する。
従来、内部燃焼方法によるウェット酸化と外部燃焼方法
によるウェット酸化がある。内部燃焼方法によるウェッ
ト酸化は反応管内部に■２ガスと０□ガスを導入し、ヒ
ータからの熱により点火・燃焼させるが、反応管内で燃
焼させるため、燃焼熱により均熱領域が短くなるという
課題がある。
によるウェット酸化がある。内部燃焼方法によるウェッ
ト酸化は反応管内部に■２ガスと０□ガスを導入し、ヒ
ータからの熱により点火・燃焼させるが、反応管内で燃
焼させるため、燃焼熱により均熱領域が短くなるという
課題がある。
第２図は従来装置の一例の構成を示す概略断面図である
。第２図中１はヒータ、ｌａはヒータ発熱部、２はヒー
タ１内に挿設された石英反応管である。この石英反応管
２内に、石英キャップ３上に支持された石英ウェーハボ
ート４が搬入出可能に収設されている。
。第２図中１はヒータ、ｌａはヒータ発熱部、２はヒー
タ１内に挿設された石英反応管である。この石英反応管
２内に、石英キャップ３上に支持された石英ウェーハボ
ート４が搬入出可能に収設されている。
石英反応管２に石英燃焼管１５が摺合せ部１７で摺合せ
られ、石英燃焼管１５に石英バーナ１６が摺合ぜ部１８
で摺合されている。この石英バーナ１６には燃焼管１５
内に突出する１１□ガスノズル８と０２ガスノズル９が
設けられている。１９は焦熱リング、２０は赤外線ラン
プ、２１は反射板、２２は水冷ジャケット、２４はガス
排気管である。
られ、石英燃焼管１５に石英バーナ１６が摺合ぜ部１８
で摺合されている。この石英バーナ１６には燃焼管１５
内に突出する１１□ガスノズル８と０２ガスノズル９が
設けられている。１９は焦熱リング、２０は赤外線ラン
プ、２１は反射板、２２は水冷ジャケット、２４はガス
排気管である。
石英燃焼管１５１石英バーナ１６． Ｈ２ガスノズル８
゜０□ガスノズル９．焦熱リング１９．赤外線ランプ２
０゜反射板２１及び水冷ジャケット２２等は外部燃焼ユ
ニット２３を構成しＣいる。
゜０□ガスノズル９．焦熱リング１９．赤外線ランプ２
０゜反射板２１及び水冷ジャケット２２等は外部燃焼ユ
ニット２３を構成しＣいる。
この従来例のように外部燃焼方法によるウェット酸化は
反応管外部に設けられた燃焼部５でＨ２ガスノズル８よ
り導入されたＨ２ガスと０２ガスノズル９より導入され
た０２ガスを燃焼させるので、ヒータ発熱部１ａによる
均熱領域が短くなることはないが、ヒータ１の熱を点火
時に利用できないので、別に赤外線ランプ２０またはヒ
ータなどの熱源１反射板２１．水冷ジャケット２２．焦
熱リング１９等よりなる夕１部燃焼ユニット２３を必要
とし、この熱源のオンオフ制御により点火、消化シーケ
ンスを行う必要があるばかりでなく、反応管２外部に燃
焼部５が設けられているので、装置が大型化すると共に
摺合せ部１７ 、１８を設けているので、外気が外部よ
り内部にリークすることによる汚染や内部ガスが外部に
リークすることによる悪影響を防止できないだけでなく
、■２ガスと０２ガスが燃焼した後のガス導入が難しく
なる等の課題がある。
反応管外部に設けられた燃焼部５でＨ２ガスノズル８よ
り導入されたＨ２ガスと０２ガスノズル９より導入され
た０２ガスを燃焼させるので、ヒータ発熱部１ａによる
均熱領域が短くなることはないが、ヒータ１の熱を点火
時に利用できないので、別に赤外線ランプ２０またはヒ
ータなどの熱源１反射板２１．水冷ジャケット２２．焦
熱リング１９等よりなる夕１部燃焼ユニット２３を必要
とし、この熱源のオンオフ制御により点火、消化シーケ
ンスを行う必要があるばかりでなく、反応管２外部に燃
焼部５が設けられているので、装置が大型化すると共に
摺合せ部１７ 、１８を設けているので、外気が外部よ
り内部にリークすることによる汚染や内部ガスが外部に
リークすることによる悪影響を防止できないだけでなく
、■２ガスと０２ガスが燃焼した後のガス導入が難しく
なる等の課題がある。
本発明の目的は均熱領域を短くすることなく、ヒータの
熱を点火時に利用することにより別に赤外線ランプまた
はヒータ等の熱源を不要にし、かつ燃焼部をキャップ内
に設けることにより装置の小型化、簡略化を図り、かつ
点火、消化シーケンスを単純簡易化すると共に信頼性の
低い摺合せ部をなくして外気が外部より内部にリークす
ることによる汚染や内部ガスが外部にリークすることに
よる悪影響を防止するだけでなくＬガスと０２ガスが燃
焼した後のガス導入を容易にし、かつＨ２ガスと０２ガ
スの燃焼熱をヒータ下部よりの放熱に補充してウェーハ
ボート４下部に載置されたウェーハ６の温度安定性を向
上することである。
熱を点火時に利用することにより別に赤外線ランプまた
はヒータ等の熱源を不要にし、かつ燃焼部をキャップ内
に設けることにより装置の小型化、簡略化を図り、かつ
点火、消化シーケンスを単純簡易化すると共に信頼性の
低い摺合せ部をなくして外気が外部より内部にリークす
ることによる汚染や内部ガスが外部にリークすることに
よる悪影響を防止するだけでなくＬガスと０２ガスが燃
焼した後のガス導入を容易にし、かつＨ２ガスと０２ガ
スの燃焼熱をヒータ下部よりの放熱に補充してウェーハ
ボート４下部に載置されたウェーハ６の温度安定性を向
上することである。
本発明装置は上記の課題を解決し、」１記の目的を達成
するため、第１図示のようにヒータ１内に反応管２を挿
設し、この反応管２内に、キャップ３」二に支持された
ウェーハボート４を搬入出可能に収設せしめ、燃焼部５
で１１２ガスと０２ガスを燃焼させながらヒータ１によ
りウェーハボート４に載置したウェーハ６を加熱しウェ
ーハ６のウェット酸化を行う縦型拡散装置において、キ
ャップ３内の断熱材充填部７に前記燃焼部５を設け、当
該燃焼部５に対する固定側に１１゜ガス、０２ガス導入
管８９を設けてなる構成としたものである。
するため、第１図示のようにヒータ１内に反応管２を挿
設し、この反応管２内に、キャップ３」二に支持された
ウェーハボート４を搬入出可能に収設せしめ、燃焼部５
で１１２ガスと０２ガスを燃焼させながらヒータ１によ
りウェーハボート４に載置したウェーハ６を加熱しウェ
ーハ６のウェット酸化を行う縦型拡散装置において、キ
ャップ３内の断熱材充填部７に前記燃焼部５を設け、当
該燃焼部５に対する固定側に１１゜ガス、０２ガス導入
管８９を設けてなる構成としたものである。
このように燃焼部５はキャップ３内の断熱材充填部７に
設けられているので、Ｈ２ガス導入管８より導入された
Ｈ２ガスと０２ガス導入管９より導入された０□ガスが
ヒータ１により熱せられるキャップ３により点火され燃
焼部５内で燃焼されることになる。その結果、ヒータ１
による均熱領域が短くなることはなく、ヒータ１の熱を
点火時に利用しているので、従来、別に必要であった赤
外線ランプ２０またはヒータなどの熱源を主とする外部
燃焼ユニット２３が不要となり、この熱源のオンオフ制
御により点火、消化シーケンスを行う必要がなくなり、
点火、消化シーケンスが単純簡易化できることになる。
設けられているので、Ｈ２ガス導入管８より導入された
Ｈ２ガスと０２ガス導入管９より導入された０□ガスが
ヒータ１により熱せられるキャップ３により点火され燃
焼部５内で燃焼されることになる。その結果、ヒータ１
による均熱領域が短くなることはなく、ヒータ１の熱を
点火時に利用しているので、従来、別に必要であった赤
外線ランプ２０またはヒータなどの熱源を主とする外部
燃焼ユニット２３が不要となり、この熱源のオンオフ制
御により点火、消化シーケンスを行う必要がなくなり、
点火、消化シーケンスが単純簡易化できることになる。
また、燃焼部５をキャップ３内の断熱材充填部７に設け
たので、装置の小型化、簡略化が図れる古共に信頼性の
低い摺合せ部がなくなるので外気が外部より内部にリー
クすることによる汚染や内部ガスが外部にリークするこ
とによる悪影響が防止できることになる。
たので、装置の小型化、簡略化が図れる古共に信頼性の
低い摺合せ部がなくなるので外気が外部より内部にリー
クすることによる汚染や内部ガスが外部にリークするこ
とによる悪影響が防止できることになる。
更に１１２ガスと０□ガスが燃焼した後のガス導入が容
易になるばかりでなく、１（２ガスと０□ガスの燃焼熱
をヒータ下部よりの放熱に補充することによりウェーハ
ボート４に載置されたウエーノ＼６の温度安定性が向上
することになる。
易になるばかりでなく、１（２ガスと０□ガスの燃焼熱
をヒータ下部よりの放熱に補充することによりウェーハ
ボート４に載置されたウエーノ＼６の温度安定性が向上
することになる。
〔実施例〕
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す概略断面図
で、１はヒータ、１ａはヒータ発熱部、２はヒータ１内
に挿設された石英反応管である。この石英反応管２内に
、石英キャップ３」二に支持された石英ウェーハボート
４が搬入出可能に収設されている。
で、１はヒータ、１ａはヒータ発熱部、２はヒータ１内
に挿設された石英反応管である。この石英反応管２内に
、石英キャップ３」二に支持された石英ウェーハボート
４が搬入出可能に収設されている。
石英キャップ３内の断熱材充填部７に燃焼部５が設けら
れ、この燃焼部５に対する固定側、この実施例では石英
反応管２の下部に設けられたステンレスフランジ１１に
Ｈ２ガスノズル８と０２ガスノズル９が設けられている
。
れ、この燃焼部５に対する固定側、この実施例では石英
反応管２の下部に設けられたステンレスフランジ１１に
Ｈ２ガスノズル８と０２ガスノズル９が設けられている
。
石英キャップ３の上部には燃焼部５に連通ずるキャップ
内空洞部１０が設けられ、石英反応管２のＦ部とステン
レスフランジ１１との間及び当該ステンレスフランジ１
１と石英キャップ３の下面に固定された支持板３ａとの
間にシール用０リング１２が挿設されている。
内空洞部１０が設けられ、石英反応管２のＦ部とステン
レスフランジ１１との間及び当該ステンレスフランジ１
１と石英キャップ３の下面に固定された支持板３ａとの
間にシール用０リング１２が挿設されている。
１３は支持板３ａを介してキャップ内断熱材充填部７に
挿着された温度検出用熱電対、Ｈは石英反応管２の後方
部に設けられ当該反応管２の上部よりガスの導入、排気
を行うガス導入兼排気管である。
挿着された温度検出用熱電対、Ｈは石英反応管２の後方
部に設けられ当該反応管２の上部よりガスの導入、排気
を行うガス導入兼排気管である。
−１−記のような構成において、燃焼部５はキャップ３
内の断熱材充填部７に設けられているので、Ｈ２ガスノ
ズル８より導入された１１□ガスと０□ガスノズル９よ
り導入された０□ガスがヒータ１により熱せられるキャ
ップ３により点火され燃焼部５内で燃焼されることにな
る。その結果、ヒータ１のヒータ発熱部１ａによる均熱
領域が短くなることはなく、ヒータ１の熱を点火時に利
用しているので、従来、別に必要であった赤外線ランプ
２０またはヒータなどの熱源を主とする外部燃焼ユニッ
ト２３が不要となり、この熱源のオンオフ制御により点
火。
内の断熱材充填部７に設けられているので、Ｈ２ガスノ
ズル８より導入された１１□ガスと０□ガスノズル９よ
り導入された０□ガスがヒータ１により熱せられるキャ
ップ３により点火され燃焼部５内で燃焼されることにな
る。その結果、ヒータ１のヒータ発熱部１ａによる均熱
領域が短くなることはなく、ヒータ１の熱を点火時に利
用しているので、従来、別に必要であった赤外線ランプ
２０またはヒータなどの熱源を主とする外部燃焼ユニッ
ト２３が不要となり、この熱源のオンオフ制御により点
火。
消化シーケンスを行う必要がなくなり、点火、消化シー
ケンスが単純簡易化できることになる。
ケンスが単純簡易化できることになる。
また、燃焼部５をキャップ３内の断熱材充填部７に設け
たので、装置の小型化、簡略化が図れると共に信頼性の
低い摺合せ部がなくなるので外気が外部より内部にリー
クすることによる汚染や内部ガスが外部にリークするこ
とによる悪影響が防止できることになる。
たので、装置の小型化、簡略化が図れると共に信頼性の
低い摺合せ部がなくなるので外気が外部より内部にリー
クすることによる汚染や内部ガスが外部にリークするこ
とによる悪影響が防止できることになる。
更にＨ２ガスと０２ガスが燃焼した後のガス導入はガス
導入兼排気管Ｈより行なえるので、ガス導入が容易にな
るばかりでなく、■２ガスと０２ガスの燃焼熱をヒータ
下部よりの放熱に補充することによりウェーハボート４
に載置されたウェーハ６の温度安定性が向上することに
なる。
導入兼排気管Ｈより行なえるので、ガス導入が容易にな
るばかりでなく、■２ガスと０２ガスの燃焼熱をヒータ
下部よりの放熱に補充することによりウェーハボート４
に載置されたウェーハ６の温度安定性が向上することに
なる。
また、キャップ３の下部に設けられた温度検出用熱電対
１３により温度を検出し、この検出温度信号により］１
．ガスと０２ガスの点火時点の判断を行なえることにな
る。
１３により温度を検出し、この検出温度信号により］１
．ガスと０２ガスの点火時点の判断を行なえることにな
る。
上述のように本発明によれば、■燃焼部５をキャップ３
内の断熱材充填部７に設けたので、１１２ガスと０２ガ
スをヒータ１の熱を利用して点火でき、燃焼部５内で燃
焼することができる。■ヒータ１による均熱領域が短く
なることはない。■ヒータ１の熱を点火時に利用してい
るので、従来必要であった熱源を主とする外部燃焼ユニ
ットを不要にでき、この熱源のオンオフ制御により点火
、消化シーケンスを行う必要がなくなるため、点火、消
化シーケンスを単純簡易化することができる。■燃焼部
５をキャップ３内の断熱材充填部７に設けたので、装置
の小型化、簡略化を図ることができる。■信頼性の低い
摺合せ部がなくなるので、外気が外部より内部にリーク
することによる汚染や内部ガスが外部にリークすること
による悪影響を防止することができる。■１１２ガスと
０２ガスが燃焼した後のガス導入が容易になるばかりで
なく、Ｈ２ガスと０゜ガスの燃焼熱をヒータ下部よりの
放熱に補充できるので、ウェーハボート４の下部に載置
されたウェーハ６の温度安定性を向上することができる
等の効果を奏する。
内の断熱材充填部７に設けたので、１１２ガスと０２ガ
スをヒータ１の熱を利用して点火でき、燃焼部５内で燃
焼することができる。■ヒータ１による均熱領域が短く
なることはない。■ヒータ１の熱を点火時に利用してい
るので、従来必要であった熱源を主とする外部燃焼ユニ
ットを不要にでき、この熱源のオンオフ制御により点火
、消化シーケンスを行う必要がなくなるため、点火、消
化シーケンスを単純簡易化することができる。■燃焼部
５をキャップ３内の断熱材充填部７に設けたので、装置
の小型化、簡略化を図ることができる。■信頼性の低い
摺合せ部がなくなるので、外気が外部より内部にリーク
することによる汚染や内部ガスが外部にリークすること
による悪影響を防止することができる。■１１２ガスと
０２ガスが燃焼した後のガス導入が容易になるばかりで
なく、Ｈ２ガスと０゜ガスの燃焼熱をヒータ下部よりの
放熱に補充できるので、ウェーハボート４の下部に載置
されたウェーハ６の温度安定性を向上することができる
等の効果を奏する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す概略断面図
、第２図は従来装置の一例の構成を示す概略断面図であ
る。 １・・・・・・ヒータ、１ａ・・・・・・ヒータ発熱部
、２・・・・・・石英反応管、３・・・・・・石英キャ
ップ、３ａ・・・・・・支持板、４・・・・・・石英ウ
ェーハボート、５・・・・・・燃焼部、６・・・・・・
ウェーハ、７・・・・・・キャップ内断熱材充填部、８
・・・・・・Ｈ２ガス導入管（ノズル）、９・・・・・
・０２ガス導入管（ノズル）、１０・・・・・・キャッ
プ内空洞部、１１・・・・・・ステンレス製フランジ、
１２・・・・・・シール用パツキン（０リング）、１３
・・・・・・温度検出用素子（熱電対）、Ｈ・・・・・
・ガス導入兼排気管。
、第２図は従来装置の一例の構成を示す概略断面図であ
る。 １・・・・・・ヒータ、１ａ・・・・・・ヒータ発熱部
、２・・・・・・石英反応管、３・・・・・・石英キャ
ップ、３ａ・・・・・・支持板、４・・・・・・石英ウ
ェーハボート、５・・・・・・燃焼部、６・・・・・・
ウェーハ、７・・・・・・キャップ内断熱材充填部、８
・・・・・・Ｈ２ガス導入管（ノズル）、９・・・・・
・０２ガス導入管（ノズル）、１０・・・・・・キャッ
プ内空洞部、１１・・・・・・ステンレス製フランジ、
１２・・・・・・シール用パツキン（０リング）、１３
・・・・・・温度検出用素子（熱電対）、Ｈ・・・・・
・ガス導入兼排気管。
Claims (1)
- ヒータ（１）内に反応管（２）を挿設し、この反応管
（２）内に、キャップ（３）上に支持されたウェーハボ
ート（４）を搬入出可能に収設せしめ、燃焼部（５）で
Ｈ＿２ガスとＯ＿２ガスを燃焼させながらヒータ（１）
によりウェーハボート（４）に載置したウェーハ（６）
を加熱しウェーハ（６）のウェット酸化を行う縦型拡散
装置において、キャップ（３）内の断熱材充填部（７）
に前記燃焼部（５）を設け、当該燃焼部（５）に対する
固定側にＨ＿２ガス、Ｏ＿２ガス導入管（８、９）を設
けてなる縦型拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12244390A JPH0418727A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 縦型拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12244390A JPH0418727A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 縦型拡散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418727A true JPH0418727A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14835977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12244390A Pending JPH0418727A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 縦型拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0418727A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6869892B1 (en) | 2004-01-30 | 2005-03-22 | Tokyo Electron Limited | Method of oxidizing work pieces and oxidation system |
| US7129186B2 (en) | 2003-11-20 | 2006-10-31 | Tokyo Electron Limited | Oxidation method and oxidation system |
| US7304003B2 (en) | 2004-03-24 | 2007-12-04 | Tokyo Electron Limited | Oxidizing method and oxidizing unit for object to be processed |
| JP2008060456A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| US7419550B2 (en) | 2004-02-17 | 2008-09-02 | Tokyo Electron Limited | Oxidizing method and oxidizing unit of object for object to be processed |
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| US8124181B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Oxidation method providing parallel gas flow over substrates in a semiconductor process |
| US8153534B2 (en) | 2006-09-22 | 2012-04-10 | Tokyo Electron Limited | Direct oxidation method for semiconductor process |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP12244390A patent/JPH0418727A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6869892B1 (en) | 2004-01-30 | 2005-03-22 | Tokyo Electron Limited | Method of oxidizing work pieces and oxidation system |
| US7419550B2 (en) | 2004-02-17 | 2008-09-02 | Tokyo Electron Limited | Oxidizing method and oxidizing unit of object for object to be processed |
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