JPS63210501A - 蒸気発生方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、蒸気発生方法及びその装置に関するもので
、特に酸化処理、又は、拡散処理を行う際に用いられる
純粋な水蒸気を発生せしめる方法及びその装置に関する
ものである。

従来の技術 純粋な水蒸気を必要とする場合、例えば、酸化処理又は
拡散処理を行う場合には、水素ガスを該ガスの着火点以
上の温度の熱源に、酸素ガスと一緒に触れさせて石英製
燃焼室内で燃焼化合させることにより、それを得ている
。

発明が解決しようとする問題点 従来例の蒸気発生方法では、水素ガスの不燃焼により生
ずる爆発事故を防止するため、水素ガスと酸素ガスと３
石英製燃焼室の壁面近傍で燃焼化合させている。

そのため、前記壁面が加熱されて失透、即ち透明度を失
うと共に石英中の分子、所謂不純物が燃焼室内に飛散し
て水蒸気に付着する。

従って、このような水蒸気を半導体の酸化処理や拡散処
理に用いると、半導体製品は、不良品となってしまう。

又、熱源の近傍に水素ガスのノズル先端を位置せしめな
ければならないので水素ガスの燃焼位置を自由に選択で
きない。

この発明は、上記事情に鑑み燃焼室の失透現象を防止す
ると共に、燃焼位置を自由に選択できるようにすること
を目的とする。

問題点を解決するための手段 第１発明は、水素ガスと酸素ガスとを燃焼化合させて蒸
気を発生せしめる蒸気発生方法において、前記両ガスの
混合前に少なくとも一方のガスを加熱することを特徴と
する蒸気発生方法であり、又、第２発明は、燃焼室に水
素供給路と酸素供給路とを設けた蒸気発生装置において
少なくとも、前記両供給路のいずれかに、加熱手段を設
けたことを特徴とする蒸気発生装置である。

作用 水素供給路を加熱し、該供給路を通る水素ガスを着火点
以上の温度にして燃焼室に供給すると、該水素ガスは、
酸素供給通路から燃焼室に併給されている酸素ガスと接
触し、燃焼化合されて水蒸気が発生する。

実施例 この発明の一実施例を添付図面により説明するが、同一
図面符号は、その名称も機能も同一である。

第１図において、１は、石英製の燃焼室で、この燃焼室
１には、水素供給路２と酸素供給路３が設けられている
。

水素供給路２の先端部２ａは、燃焼室内に突出し、又、
その中央部２ｂには、ヒータ４が設けられている。

なお、図において、５は、燃焼室１と反応管６とを連結
する連通管、７は、反応管６を加熱する加熱部、８は、
ウェハ９を収容した石英ボートである。

次に、この実施例の作動について説明すると酸素供給路
３より酸素ガス０□を燃焼室１に供給すると共にヒータ
４で、水素供給路２を加熱しながら水素ガスＨ２を燃焼
室１に供給すると水素ガスＨ２は、水素供給路２を通り
ながら着火点以上に加熱され燃焼に必要なエネルギーが
与えられるので、水素供給路２の先端から燃焼室に放出
された瞬間に酸素ガス０２と接触して着火し、燃焼を開
始する。

実験によると、ヒータ４の温度が約７５０°Ｃの場合に
は、水素供給路２の先端部２ｂ近傍の温度が、水素ガス
の着火温度より低い温度、例えば、３８２°Ｃでも水素
ガスは、着火したが、ヒータ４の温度が７３０°Ｃ近傍
の場合には、着火しなかった。

この実験より、燃焼位置の温度が仮に水素ガスの着火点
より低くても、水素ガスが水素供給路２内を通る際に、
その着火点以上に加熱されていれば、着火することがわ
かる。

なお、水素供給路中には、酸素や空気が存在しないので
、該供給路中で水素ガスが着火するおそれのないことは
勿論である。

このようにして、水素ガスＨ２が燃焼すると水蒸気が発
生し、この水蒸気は、連通管５を通って反応室６に入り
、ウェハ９の酸化に寄与する。

この発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、
例えば、第２図に示すように、燃焼室１にコネクタ１０
を介して、二重管１１を接続しその外管１２を水素供給
路とし、その外周にヒータ１４を設けると共に、その内
管１３を酸素供給路としてもよい。

この場合、水素ガスＨ２は、勿論、酸素ガス０２も間接
的に加熱される。

なお、上記実施例において、水素供給路２．１２と酸素
供給Ｆ！？！３．１３とを逆に、即ち、酸素供給路にヒ
ータを設け、酸素ガスを加熱してもよい。

又、水素供給路および酸素供給路の両方にヒータな設け
てもよい。

発明の効果 この発明は、以上のように構成したので、水素供給路の
燃焼室内の位置を任意に調整しても水素ガスの着火を確
実に行うことができる。

従って、水素供給路の先端部を燃焼室の壁面より十分離
間すると燃焼時において、石英製燃焼室の壁面が高温加
熱されることがないので、失透を防止することができる
。

それ故、純粋な水蒸気が得られるので、例えば、半導体
の酸化処理などには、最適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の実施例を示す平面図、第２図は、
他の実施例を示す斜視図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）水素ガスと酸素ガスとを燃焼化合させて蒸気を発
   生せしめる蒸気発生方法において、前記両ガスの混合前
   に少なくとも一方のガスを加熱することを特徴とする蒸
   気発生方法。 （２）加熱されるガスが、水素ガスであることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の蒸気発生方法。 （３）加熱されるガスが、酸素ガスであることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の蒸気発生方法。 （４）加熱されるガスが、互いに個別に加熱される水素
   ガス及び酸素ガスであることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の蒸気発生方法（５）燃焼室に水素供給路
   と酸素供給路とを設けた蒸気発生装置において、少なく
   とも、前記両供給路のいずれかに、加熱手段を設けたこ
   とを特徴とする蒸気発生装置。 （６）加熱手段が、水素供給路に設けられていることを
   特徴とする特許請求の範囲第５項記載の蒸気発生装置。 （７）加熱手段が、酸素供給路に設けられていることを
   特徴とする特許請求の範囲第５項記載の蒸気発生装置。 （８）加熱手段が、水素供給路及び酸素供給路に夫々設
   けられていることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
   載の蒸気発生装置。