JP2598637B2 - 酸化・拡散装置 - Google Patents

酸化・拡散装置

Info

Publication number
JP2598637B2
JP2598637B2 JP62043751A JP4375187A JP2598637B2 JP 2598637 B2 JP2598637 B2 JP 2598637B2 JP 62043751 A JP62043751 A JP 62043751A JP 4375187 A JP4375187 A JP 4375187A JP 2598637 B2 JP2598637 B2 JP 2598637B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
combustion chamber
supply path
oxidation
hydrogen gas
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62043751A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63210501A (ja
Inventor
中尾  賢
征史郎 佐藤
充男 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP62043751A priority Critical patent/JP2598637B2/ja
Publication of JPS63210501A publication Critical patent/JPS63210501A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2598637B2 publication Critical patent/JP2598637B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、酸化・拡散の装置に関するもので、更に
述べると、酸化処理、又は、拡散処理を行う際に用いら
れる純粋な水蒸気を発生せしめる装置に関するものであ
る。
従来の技術 純粋な水蒸気を必要とする場合、例えば、酸化処理又
は拡散処理を行う場合には、水素ガスを該ガスの着火点
以上の温度の熱源に、酸素ガスと一緒に触れさせて石英
製燃焼室内で燃焼化合させることにより、それを得てい
る。
発明が解決しようとする問題点 従来例の蒸気発生方法では、水素ガスの不燃焼により
生ずる爆発事故を防止するため、水素ガスと酸素ガスと
を石英製燃焼室の壁面近傍で燃焼化合させている。
そのため、前記壁面が加熱されて失透、即ち、透明度
を失うと共に石英中の分子、所謂不純物が燃焼室内に飛
散して水蒸気に付着する。
従って、このような水蒸気を半導体の酸化処理や拡散
処理に用いると、半導体製品は、不良品となってしま
う。
又、熱源の近傍に水素ガスのノズル先端を位置せしめ
なければならないので水素ガスの燃焼位置を自由に選択
できない。
この発明は、上記事情に鑑み燃焼室の失透現象を防止
すると共に、燃焼位置を自由に選択できるようにするこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明者は、上記問題を解決するために第1図の参考
例に示す酸化・拡散装置を開発した。第1図において、
1は石英製の燃焼室で、この燃焼室1には、水素供給路
2と酸素供給路3が設けられている。
水素供給路2の先端部2aは、燃焼室内に突出し、又、
その中央部2bには、ヒータ4が設けられている。
なお、図において、5は燃焼室1と反応管6とを連結
する連通管、7は反応管6を加熱する加熱部、8はウエ
ハ9を収容した石英ボートである。
次に、この参考例の作動について説明すると、酸素供
給路3より酸素ガスO2を燃焼室1に供給すると共にヒー
タ4で、水素供給路2を加熱しながら水素ガスH2を燃焼
室1に供給すると水素ガスH2は、水素供給路2を通りな
がら着火点以上に加熱された燃焼に必要なエネルギーが
与えられるので、水素供給路2の先端から燃焼室に放出
された瞬間に酸素ガスO2と接触して着火し、燃焼を開始
する。
実験によると、ヒータ4の温度が約750℃の場合に
は、水素供給路2の先端部2a近傍の温度が、水素ガスの
着火温度より低い温度、例えば、382℃でも水素ガス
は、着火したが、ヒータ4の温度が730℃近傍の場合に
は、着火しなかった。
この実験により、燃焼位置の温度が仮に水素ガスの着
火点より低くても、水素ガスが水素供給路2内を通る際
に、その着火点以上に加熱されていれば、着火すること
がわかる。
なお、水素供給路中には、酸素や空気が存在しないの
で、該供給路中で水素ガスが着火するおそれのないこと
は勿論である。
このようにして、水素ガスH2が燃焼すると水蒸気が発
生し、この水蒸気は、連通管5を通って反応管6に入
り、ウエハ9の酸化に寄与する。
この装置では、水素供給路2と酸素供給路3とが直接
燃焼室1内に突設され、かつ、両者は互いに燃焼室内で
対向している。
そのため、燃焼室が小さい場合には、水素供給路の先
端部を燃焼室の壁面より十分離間させるために燃焼室内
に深く突出させると、対応する燃焼室の内壁面にその先
端部が近接し、燃焼室の失透を生ずるおそれがある。
又、両路2、3を互いに離して対向せしめているの
で、工作上および操作上、不便である。
そこで、本発明者は、本発明を次の様に構成し、上記
問題の解決を図った。
石英製の燃焼室の外側に有底円筒状のコネクタを突設
し、該コネクタを介して該燃焼室と二重管とを接続し、
該二重管の外管を水素供給路とし、その外周に水素ガス
を着火点以上に加熱するための加熱手段を設けると共
に、その内管を酸素供給路としたことを特徴とする酸化
・拡散装置。
実施例 この発明の実施例を第2図により説明するが、この実
施例では、第1図の参考例と特に異なる点を主として説
明する。
第2図に示すように、燃焼室の外側に有底円筒状のコ
ネクタを突設し、該コネクタ10を介して、二重管11を接
続しその外管12を水素供給路とし、その外周にヒータ14
を設けると共に、その内管13を酸素供給路とする。
水素供給路を加熱し、該供給路を通る水素ガスを着火
点以上の温度にして燃焼室に供給すると、該水素ガス
は、酸素供給路から燃焼室に供給されている酸素ガスと
接触し、燃焼化合されて水蒸気が発生する。
この時、水素ガスH2は、勿論、酸素ガスO2も間接的に
加熱される。
又、水素供給路および酸素供給路の両方にヒータを設
けてもよい。
発明の効果 この発明は、以上のように構成したので、水素供給路
の燃焼室内の位置を任意に調整しても水素ガスの着火を
確実に行うことができる。
従って、水素供給路の先端部を燃焼室の壁面より十分
離間すると燃焼時において、石英製燃焼室の壁面が高温
加熱されることがないので、失透を防止することができ
る。
それ故、純粋な水蒸気が得られるので、例えば、半導
体の酸化処理などには最適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、参考例を示す平面図、第2図は本発明の実施
例を示す斜視図である。 1……燃焼室 2、12……水素供給路 3、13……酸素供給路 4……ヒータ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】石英製の燃焼室の外側に有底円筒状のコネ
    クタを突設し、該コネクタを介して該燃焼室と二重管と
    を接続し、該二重管の外管を水素供給路とし、その外周
    に水素ガスを着火点以上に加熱するための加熱手段を設
    けると共に、その内管を酸素供給路としたことを特徴と
    する酸化・拡散装置。
JP62043751A 1987-02-26 1987-02-26 酸化・拡散装置 Expired - Lifetime JP2598637B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62043751A JP2598637B2 (ja) 1987-02-26 1987-02-26 酸化・拡散装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62043751A JP2598637B2 (ja) 1987-02-26 1987-02-26 酸化・拡散装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63210501A JPS63210501A (ja) 1988-09-01
JP2598637B2 true JP2598637B2 (ja) 1997-04-09

Family

ID=12672468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62043751A Expired - Lifetime JP2598637B2 (ja) 1987-02-26 1987-02-26 酸化・拡散装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2598637B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5445522A (en) * 1993-04-26 1995-08-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Combustion device
US5777300A (en) * 1993-11-19 1998-07-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Processing furnace for oxidizing objects
JP3396431B2 (ja) 1998-08-10 2003-04-14 東京エレクトロン株式会社 酸化処理方法および酸化処理装置
JP3543949B2 (ja) 1999-11-09 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3554847B2 (ja) 2001-07-30 2004-08-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
WO2004055239A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Korea Power Engineering Company, Inc. Apparatus for cathodic protection in an environment in which thin film corrosive fluids are formed and method thereof
KR100485953B1 (ko) * 2002-12-13 2005-05-06 한국전력기술 주식회사 금속 구조물의 전기방식 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE7407063L (ja) * 1973-06-04 1974-12-05 Gcoe Corp
JPS5749384Y2 (ja) * 1977-11-15 1982-10-29

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63210501A (ja) 1988-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2598637B2 (ja) 酸化・拡散装置
JP2902012B2 (ja) 低圧酸化装置
US4327057A (en) Apparatus for the combustion of harmful gases
JPS626342B2 (ja)
JPH1167750A (ja) 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法
JPH0755000Y2 (ja) 熱処理装置
JPH05304136A (ja) 酸化処理装置
JPS60247933A (ja) 半導体製造装置
JP2541740Y2 (ja) 水素燃焼式水蒸気発生装置
KR890005822A (ko) 산화 장치
JPS6358842A (ja) 半導体製造装置
JPS62273734A (ja) 半導体製造装置
JP3689363B2 (ja) 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法
JPS63184339A (ja) 酸化装置
JPS5966604A (ja) 燃焼装置
JP2521269B2 (ja) 外部燃焼型バ−ニング装置
JPH0442916Y2 (ja)
JPH0388332A (ja) 熱処理装置
JPS57194522A (en) Thermal treatment of semiconductor wafer
CA1239230A (en) High temperature furnace for integrated circuit manufacture
JPS60154489A (ja) 光照射炉
JPS6218039A (ja) 半導体ウエフアの酸化装置
JPH018813Y2 (ja)
JPS5644509A (en) Liquid fuel combusting apparatus
JPS5497368A (en) Thermal oxidizing unit