JPH05304136A

JPH05304136A - 酸化処理装置

Info

Publication number: JPH05304136A
Application number: JP4134483A
Authority: JP
Inventors: Katsunobu Miyagi; 勝伸宮城; Hiroyuki Mihashi; 弘幸三橋
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Priority date: 1992-04-28
Filing date: 1992-04-28
Publication date: 1993-11-16
Anticipated expiration: 2016-01-22
Also published as: JP3126487B2

Abstract

(57)【要約】【目的】水蒸気発生装置において高温の水蒸気が発生
する場合にも水蒸気排出管からは低温の水蒸気が排出さ
れ、水蒸気給送管路がテフロンなどのフッ素樹脂により
構成されているときにもリークを生ずることなく、多量
の水蒸気を酸化処理炉に安定に給送することのできる酸
化処理装置を提供する。【構成】酸化処理炉６０と、酸化処理炉に水蒸気給送
管路３０を介して接続された水蒸気発生装置２０とを備
えてなり、水蒸気発生装置は、燃焼容器２１と、その下
部において開口する水素ガス導入管２２および酸素ガス
導入管２３と、水素ガスおよび酸素ガスの少なくとも一
方を加熱するヒータ３３と、燃焼容器の上部の水蒸気排
出部２５に設けられた放熱部材４５，４６と、燃焼容器
の周囲に設けられた冷却機構３２とを有してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は酸化処理装置、詳しくは
半導体ウエハーを酸化処理するための酸化処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハーの表面に酸化膜を形成するための酸
化処理工程が必要であり、この酸化処理を実施するため
方法の一つとして、酸化処理炉内において半導体ウエハ
ーを高温下で水蒸気と接触させる方法がある。そして、
例えば特開昭５６−６２３２６号公報に示されているよ
うに、酸化処理炉に直接に水素ガスと酸素ガスを供給し
て燃焼させて当該酸化処理炉内で水蒸気を発生させる方
法が知られている。

【０００３】しかしながら、この酸化処理炉内において
水素ガスと酸素ガスを燃焼させる方法においては、水素
ガスと酸素ガスの燃焼の程度によって酸化処理炉内の温
度が大きく左右され、そのために半導体ウエハーの酸化
処理温度を十分に制御することが困難であり、半導体ウ
エハーに対する酸化処理の信頼性、安定性および再現性
が低い、という問題点がある。

【０００４】一方、例えば特公昭６３−６０５２８号公
報、特開昭６３−２１０５０１号公報などに示されてい
るように、水蒸気発生装置を外部燃焼装置として酸化処
理炉と独立に設け、この水蒸気発生装置に水素ガスと酸
素ガスを供給して燃焼させることによって水蒸気を発生
させ、この水蒸気を適宜の水蒸気給送管路を介して酸化
処理炉に給送する方法も知られている。このような方法
によれば、酸化処理炉における加熱状態を、水蒸気発生
装置の動作状態と分離して制御することができるので、
酸化処理炉における半導体ウエハーに対する酸化処理を
高い信頼性、安定性および再現性で実施することが可能
である。

【０００５】而して、このような外部燃焼型の水蒸気発
生装置を用いた酸化処理装置においては、水蒸気発生装
置よりの水蒸気を酸化処理炉に給送するために、石英よ
り成る管路部材の一端を、水蒸気発生装置の石英製水蒸
気排出管と摺合わせによるボールジョイントなどのコネ
クタにより接続し、また管路部材の他端を、酸化処理炉
の石英製水蒸気導入管に同様のコネクタによって接続す
る手段が従前から知られている。

【０００６】しかしながら、この接続手段においては、
石英が変形に対する自由度が殆どないものであって接続
位置の変位に対する許容幅がきわめて小さいため、水蒸
気給送管路と水蒸気排出管および水蒸気導入管との接続
にきわめて高い位置精度が必要となり、その結果、当該
接続を高いシール性が確保された状態で実現することが
実際上きわめて困難である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のような事情か
ら、水蒸気給送管路のための管路部材およびコネクタを
構成する部材として、それ自体が比較的大きい可撓性を
有し、接続における変位の許容幅が比較的大きい点で好
適なテフロンなどのフッ素樹脂より成るものを用いるこ
とが検討されている。しかしながら、テフロンなどのフ
ッ素樹脂は、耐熱温度が通常２６０℃程度以下であって
耐熱性が比較的小さいため、高温の水蒸気が流入した場
合には、変形などが生じて接続個所のシール性が失わ
れ、リークが生ずるおそれが大きい。

【０００８】具体的に説明すると、最近においては、酸
化処理される半導体ウエハーの口径が６インチあるいは
８インチと大きくなってきており、このような大口径の
半導体ウエハーに対して所期の酸化処理を高い効率で行
うためには、酸化処理炉に供給する水蒸気量を多くする
ことが要請され、水蒸気発生装置においても多量の水蒸
気を発生させることが必要となる。

【０００９】然るに、多量の水蒸気を発生させるために
水蒸気発生装置に水素ガスおよび酸素ガスを多量に供給
して燃焼させると、当然の結果として燃焼温度が高くな
って３００℃を遥かに超える高温の水蒸気が排出される
ようになり、このため、接続における自由度が大きい点
でそれ自体は好適なテフロンなどのフッ素樹脂より成る
管路部材およびコネクタを水蒸気給送管路の構成に用い
た場合にはリークが生ずるようになり、結局、酸化処理
炉に多量の水蒸気を安定に給送することができない、と
いう問題点がある。

【００１０】本発明は、以上のような問題を解決し、水
蒸気発生装置において燃焼温度が高くて高温の水蒸気が
発生する場合にも、水蒸気排出管からは低温の水蒸気が
排出され、水蒸気給送管路がテフロンなどのフッ素樹脂
により構成されているときにもリークを生ずることな
く、多量の水蒸気を酸化処理炉に安定に給送することの
できる酸化処理装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る酸化処理装
置は、酸化処理炉と、この酸化処理炉に水蒸気給送管路
を介して接続された水蒸気発生装置とを備えてなり、前
記水蒸気発生装置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下部
において容器内空間に開口する水素ガス導入管および酸
素ガス導入管と、前記燃焼容器内において水素ガスが酸
素ガスにより燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガスの
少なくとも一方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の上
部に設けられた、前記水蒸気給送管路が接続された水蒸
気排出部と、この水蒸気排出部に設けられた放熱部材
と、前記燃焼容器の周囲に設けられた冷却機構とを有し
てなることを特徴とする。

【００１２】この酸化処理装置は、更に、前記燃焼容器
内に、上部が閉塞された燃焼空間を区画する内筒が設け
られ、この内筒の外周面と燃焼容器の内周面との間の筒
状空間が、その下部において前記内筒内の燃焼空間と連
通すると共にその上部において水蒸気排出部の内部空間
と連通して水蒸気通路を形成するものであることが好ま
しい。

【００１３】

【作用】本発明の酸化処理装置によれば、水蒸気発生装
置において、燃焼容器の上部における水蒸気排出部に放
熱部材が設けられているため、燃焼温度が高温となった
場合にも、水蒸気排出部を通過することによって水蒸気
が冷却され、水蒸気給送管路に流入する水蒸気が低温の
ものとなる。従って、接続における自由度が大きい点で
好適なテフロンなどのフッ素樹脂を用いて水蒸気給送管
路を構成した場合にもリークが生ずることがないため、
水蒸気発生装置において多量の水蒸気を発生させてこれ
を安定に酸化処理炉に給送することができる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の一実施例に係る酸化処理装置における水蒸気発生
装置２０の説明用縦断面図を示す。この例の水蒸気発生
装置２０は、その軸が上下方向に伸びるよう設けられた
石英より成る円筒状の燃焼容器２１を具え、この燃焼容
器２１の下底部には、下方より伸びる石英より成る水素
ガス導入管２２の拡大径部２２Ｐが接続されている。ま
た、燃焼容器２１の下方位置においてこの水素ガス導入
管２２内に突入して水素ガス導入管２２と共に二重管構
造を構成して上方に伸びる酸素ガス導入管２３が設けら
れ、その上端の開口２３Ａが上方の内部空間を向いた状
態とされ、これにより、当該酸素ガス導入管２３の開口
２３Ａの周りに、前記水素ガス導入管２２の拡大径部２
２Ｐによる環状の開口２２Ａが上方の内部空間を向いた
状態に形成されている。ここに、前記水素ガス導入管２
２の拡大径部２２Ｐは燃焼容器２１と一体に形成されて
いる。

【００１５】燃焼容器２１の下方においては、水素ガス
導入管２２と酸素ガス導入管２３とが二重管構造を構成
する部分の周囲にガス加熱用ヒータ３３が配設されてい
る。このガス加熱用ヒータ３３は、導入される水素ガス
および酸素ガスを自然着火温度以上に加熱するものであ
る。これにより、燃焼容器２１内に放出されたときに水
素ガスが酸素ガスと混合されて燃焼する。Ｆは燃焼によ
る炎である。

【００１６】燃焼容器２１内には、内部に燃焼空間Ｓを
区画する石英より成る円筒状の内筒４０が同軸状に設け
られ、この内筒４０の外周面と燃焼容器２１の内周面と
の間に筒状空間４１が形成されている。この内筒４０
は、その上部が閉塞されると共に下端が開放状態で燃焼
容器２１と一体的に連結されている。そして、内筒４０
の下端部には、燃焼空間Ｓと筒状空間４１とを連通する
貫通孔４２が形成されている。また、燃焼容器２１の周
囲には、例えば水冷ジャケットより成る冷却機構３２が
配設されている。

【００１７】燃焼容器２１の上部には、当該燃焼容器２
１より小径の円筒状の水蒸気排出部２５が石英により燃
焼容器２１と一体的に形成され、その内部空間は前記筒
状空間４１と連通されている。この水蒸気排出部２５に
は、図２にも示すように、その内周壁から水平方向に伸
びる２枚の石英製の内部放熱板４５および４６が、それ
ぞれ内部空間を塞ぐよう、かつ互いに上下方向に離間し
た状態に一体的に設けられており、下方の内部放熱板４
５には、その中央から一方（図の右方）の側に変位した
位置に貫通孔４８が形成されると共に、上方の内部放熱
板４６には中央から他方（図の左方）の側に変位した位
置に貫通孔４９が形成されている。

【００１８】更に、水蒸気排出部２５の外周壁には、こ
の例では２枚の石英製の外部放熱板５２が、互いに上下
方向に離間して、各々水平方向外方に鍔状に突出するよ
う一体的に形成されている。

【００１９】水蒸気排出部２５には、その上壁から突出
するよう水蒸気排出管２６が設けられており、この水蒸
気排出管２６の先端には水蒸気給送管路３０の一端が接
続されている。この水蒸気給送管路３０は、例えばテフ
ロンなどのフッ素樹脂により形成されたチューブ３５お
よびナット３６を含むコネクタによって構成され、その
他端は、図３に示すように、酸化処理炉６０の水蒸気導
入管６３に、同様の材質によって形成されたナット６４
を含むコネクタによって接続される。また、水蒸気給送
管路３０のチューブ３５の外周には、例えばシート状ヒ
ータ３８が設けられている。

【００２０】図示の例における酸化処理炉６０は石英よ
り成る円筒状の反応管６１により構成された縦型炉であ
り、反応管６１の上部の水蒸気導入ポート６２に水蒸気
導入管６３が設けられている。反応管６１の下端開口は
キャップ６５によって開閉自在に閉塞され、このキャッ
プ６５上に保温筒６６を介してウエハーボート６８が支
持され、このウエハーボート６８に多数の半導体ウエハ
ーＷが各々水平に延びる状態で互いに上下に離間して重
なるよう支持される。反応管６１の周囲には内部を加熱
するヒータ６９が配設され、また反応管６５の下部には
排気管７０が設けられている。

【００２１】一方、水蒸気発生装置２０の水素ガス導入
管２２には、図３に示すように、流量制御機構７３を介
して水素ガス源７４が接続されると共に、酸素ガス導入
管２３には、切替えバルブ７５および流量制御機構７６
を介して酸素ガス源７７が接続される。また、切替えバ
ルブ７５から分岐する窒素ガス導入管８１には流量制御
機構８３を介して窒素ガス源８０が設けられている。

【００２２】次に以上の構成の酸化処理装置の動作を説
明する。まず、酸素ガス導入管２３を利用して最初に窒
素ガスにより、次いで酸素ガスにより、初期パージが行
われる。すなわち、窒素ガス源８０から窒素ガス導入管
８１を介して酸素ガス導入管２３に窒素ガスが供給さ
れ、水蒸気発生装置２０、水蒸気給送管路３０および酸
化処理炉６０内が窒素ガスにより置換される。この窒素
ガスは、酸化処理炉６０の排気管７０によって排気され
る。

【００２３】このように窒素ガスによって置換された状
態において、酸化処理炉６０のキャップ６５が開かれ、
図示されていないエレベータにより保温筒６６に支持さ
れたウエハーボート６８が反応管６１内に装入され、こ
れによって酸化処理すべき半導体ウエハーＷが反応管６
１内の所定の位置に配置される。その後、切替えバルブ
７５が切替えられて酸素ガス源７７から酸素ガスが供給
され、これによって水蒸気発生装置２０、水蒸気給送管
路３０および酸化処理炉６０内が酸素ガスにより置換さ
れる。

【００２４】この状態において、ガス加熱用ヒータ３３
を例えば８５０℃程度の加熱状態に保ち、水素ガス源７
４から水素ガス導入管２２を介して所定の流量、例えば
毎分４．８リットルの流量で水素ガスを水蒸気発生装置
２０に供給すると共に、酸素ガスを所定の流量、例えば
毎分５．０リットルの流量で水蒸気発生装置２０に供給
すると、これらのガスは、ガス加熱用ヒータ３３によっ
て加熱されることにより、燃焼空間Ｓ内に放出されたと
きに着火して炎Ｆをあげて燃焼し、これにより水蒸気が
発生する。ガス加熱用ヒータ３３は、燃焼空間Ｓにおけ
る燃焼が開始された後も、その作動状態に維持される。

【００２５】水蒸気発生装置２０に供給される水素ガス
と酸素ガスとの量比は、化学量論に従って２：１である
必要はなく、酸素ガスが若干過剰に供給されるのが普通
である。ここに過剰の酸素ガスは、キャリアガスとして
作用し、また酸化処理炉６０内において酸化処理に寄与
することとなる。水素ガスを過剰に供給することは、爆
発の危険があるので避けるべきである。また、水素ガス
および酸素ガスの供給量は、目的とする酸化処理の程度
に応じて適宜選定され、流量制御機構７３および７６に
よって制御される。

【００２６】以上のようにして燃焼空間Ｓにおいて発生
した水蒸気は、内筒４０の下端の貫通孔４２を通過して
筒状空間４１による水蒸気通路を上昇するが、この筒状
空間４１を区画する燃焼容器２１の周囲には冷却機構３
２が設けられているため、高温の水蒸気は、先ず、この
筒状空間４１による水蒸気通路を流過する間に冷却され
る。

【００２７】筒状空間４１よりの水蒸気は次に水蒸気排
出部２５に到達し、この水蒸気排出部２５に設けられた
下方の内部放熱板４５の貫通孔４８を通過し、次いで上
方の内部放熱板４６の貫通孔４９を通過するが、放熱板
４５および４６により表面積の大きい水蒸気の通路が形
成されているため、高温の水蒸気は内部放熱板４５およ
び４６との間で高い効率で熱交換されることとなり、そ
の結果、水蒸気が冷却されて低温となる。

【００２８】このようにして低温となった水蒸気は水蒸
気排出管２６から水蒸気給送管路３０に流入し、この水
蒸気給送管路３０により、水蒸気導入管６３を介して酸
化処理炉６０に給送される。

【００２９】酸化処理炉６０において、水蒸気導入管６
３からの水蒸気は反応管６１内を下方に流過するが、反
応管６１内の半導体ウエハーＷはヒータ７０によって例
えば９００℃程度以上の高温に維持されており、その結
果、半導体ウエハーＷに対し所期の酸化処理がなされ
る。なお、水蒸気はその後排気管７０によって排気され
る。

【００３０】このようにして、酸化処理炉６０内の半導
体ウエハーＷについて所期の酸化処理がなされた後は、
水蒸気発生装置２０に対する水素ガスの導入が停止され
て酸素ガスのみの導入が継続され、これにより、水蒸気
発生装置２０、水蒸気給送管路３０および酸化処理炉６
０内が酸素ガスによって置換され、その後、更に窒素ガ
スによって置換された状態で半導体ウエハーＷが酸化処
理炉６０から取り出される。

【００３１】然るに本発明においては、燃焼空間Ｓより
の水蒸気は、筒状空間４１による水蒸気通路を流過する
ときに冷却され、次いで水蒸気排出部２５において、内
部放熱板４５および４６の貫通孔４８および４９によっ
て形成される通路を通過することにより、冷却される。
そして、水蒸気排出部２５に外部放熱板５２が設けられ
ている場合には、この冷却効率が一層高いものとなる。
従って、水蒸気発生装置２０において多量の水蒸気を発
生させる結果、燃焼温度が高温となった場合において
も、水蒸気排出管２６から水蒸気給送管路３０に流入す
る水蒸気を低温のものとすることができ、水蒸気給送管
路３０をテフロンなどのフッ素樹脂により構成したとき
にも、その変形などが生ずることがなく、リークが生ず
ることがない。このため、水蒸気発生装置２０において
多量の水蒸気を発生させ、これを安定に酸化処理炉６０
に給送することができる。

【００３２】なお、水蒸気給送管路３０内における水蒸
気が過冷却状態となった場合には、水蒸気給送管路３０
において結露が生じて酸化処理炉６０に給送される水蒸
気の量を十分に制御することが困難となるが、シート状
ヒータ３８によって給送管路３０内の水蒸気の温度を１
３０℃程度に維持させることにより、結露を防止するこ
とができる。

【００３３】図４は、本発明の水蒸気発生装置において
好適に利用することのできるガス導入ヘッド９０の断面
図である。このガス導入ヘッド９０は、水素ガス導入管
２２と酸素ガス導入管２３とによる二重間構造部分の上
端に設けられ、水素ガス導入管２２の開口２２Ａおよび
酸素ガス導入管２３の開口２３Ａは、ガス導入ヘッド９
０の外周において互いに上下に重なるよう、いずれも半
径方向外方に拡がりながら斜め上方に傾斜して伸びる水
素ガス通路２２Ｂおよび酸素ガス通路２３Ｂの先端に形
成されている。これらの水素ガス通路２２Ｂおよび酸素
ガス通路２３Ｂは、外方に拡開しながら螺旋状に伸びる
状態のものとしてもよい。

【００３４】このような構成のガス導入ヘッド９０を用
いると、水素ガス通路２２Ｂおよび酸素ガス通路２３Ｂ
の方向性により、燃焼空間Ｓに対して水素ガスが半径方
向外方に拡がる状態で供給されるため、多量の水蒸気を
発生させるために多量の水素ガスおよび酸素ガスを供給
したときにも、炎Ｆが半径方向に太るようになるが上方
に高く伸びることはなく、従って、燃焼容器２１および
内筒４０の高さ、ひいては水蒸気発生装置２０をそれ程
大きくすることなしに、燃焼容器２１の内面に炎Ｆが直
接に接触することを回避することができる利点がある。

【００３５】すなわち、本発明においては、燃焼容器２
１、内筒４０、水蒸気排出部２５、水蒸気排出管２６、
内部放熱板４５および４６並びに外部放熱板５２は、そ
の全部を石英により一体的に形成することが好ましい
が、炎Ｆが直接に石英製の壁面に接触すると石英が結晶
化して脆弱化し、また水蒸気に対する不純物源となるお
それがある。然るに、多量の水素ガスと酸素ガスを燃焼
空間Ｓ内に単に直上方に向けて供給すると、形成される
炎Ｆの高さが大きくなり、燃焼空間Ｓの天井を形成する
壁面、例えば内筒４０の上壁などに接触するようにな
る。

【００３６】このような事態を回避するためには、勿
論、燃焼空間Ｓの高さを十分に大きくすればよいが、こ
の場合には水蒸気発生装置全体が大型のものとなる。然
るに、上記のようなガス導入ヘッド６０を用いれば、炎
Ｆの高さが大きくなることがないため、水蒸気発生装置
をそれ程大型化させることなしに炎Ｆが燃焼空間Ｓの内
壁面に接触することを回避することができる。

【００３７】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明においては、種々の変形を加えることが可能
である。例えば、水蒸気排出部においては、その内部放
熱板は必須であるが、外周壁における外部放熱板は必ず
しも必須のものではなく、内筒も除去することが可能で
ある。また、内部放熱板の形態、数は特に限定されるも
のではない。更に、水素ガス導入管および酸素ガス導入
管は、それらが二重管構造であることは必須のことでは
なく、ガス加熱ヒータは水素ガスおよび酸素ガスのいず
れか一方を加熱する構成であってもよい。酸化処理炉と
しては縦型炉が例示されているが、横型炉であってもよ
い。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明の酸化処理装置に
よれば、燃焼容器の上部における水蒸気排出部に放熱部
材が設けられているため、燃焼空間内の燃焼温度が高温
となった場合にも、水蒸気排出部を通過することによっ
て水蒸気が冷却され、その結果水蒸気排出部から水蒸気
給送管路に流入する水蒸気が低温となる。従って、水蒸
気給送管路がテフロンなどのフッ素樹脂により構成され
ているときにもリークを生ずることがなく、水蒸気発生
装置において多量の水蒸気を発生させてこれを安定に酸
化処理炉に給送することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る酸化処理装置における
水蒸気発生装置の構成を示す説明用縦断正面図である。

【図２】本発明の一実施例に係る水蒸気発生装置におけ
る水蒸気排出部の説明用横断平面図である。

【図３】本発明の一実施例に係る酸化処理装置の全体の
構成を概略的に示す説明図である。

【図４】本発明において好適に用いられるガス導入ヘッ
ドの構成の一例を示す説明用縦断面図である。

【符号の説明】

２０水蒸気発生装置２１燃焼容器２２水素ガス導入管２２Ａ水素ガ
ス導入管の開口２２Ｂ水素ガス通路２３Ａ酸素ガ
ス導入管の開口２３Ｂ酸素ガス通路２２Ｐ水素ガ
ス導入管の拡大径部２３酸素ガス導入管２３Ａ酸素ガ
ス導入管の開口２５水蒸気排出部２６水蒸気排
出管３０水蒸気給送管路３２冷却機構３３ガス加熱用ヒータ３５チューブ３６，６４ナット３８シート状
ヒータ４０内筒４１筒状空間４２貫通孔４５，４６内
部放熱板４８，４９貫通孔５２外部放熱
板６０酸化処理炉６１反応管６２水蒸気導入ポート６３水蒸気導
入管６５キャップ６６保温筒６８ウエハーボート６９ヒータ７０排気管７３，７６，８
３流量制御機構７４水素ガス源７５切替えバ
ルブ７７酸素ガス源８０窒素ガス
源８１窒素ガス導入管９０ガス導入
ヘッドＦ炎Ｓ燃焼空間Ｗ半導体ウエハー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化処理炉と、この酸化処理炉に水蒸気
給送管路を介して接続された水蒸気発生装置とを備えて
なり、前記水蒸気発生装置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下
部において容器内空間に開口する水素ガス導入管および
酸素ガス導入管と、前記燃焼容器内において水素ガスが
酸素ガスにより燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガス
の少なくとも一方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の
上部に設けられた、前記水蒸気給送管路が接続された水
蒸気排出部と、この水蒸気排出部に設けられた放熱部材
と、前記燃焼容器の周囲に設けられた冷却機構とを有し
てなることを特徴とする酸化処理装置。
【請求項２】前記燃焼容器内に、上部が閉塞された燃
焼空間を区画する内筒が設けられ、この内筒の外周面と
燃焼容器の内周面との間の筒状空間が、その下部におい
て前記内筒内の燃焼空間と連通すると共にその上部にお
いて水蒸気排出部の内部空間と連通して水蒸気通路を形
成することを特徴とする請求項１に記載の酸化処理装
置。