JP3154858B2 - 酸化処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，主に半導体ウエハ等の
被処理体の酸化処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工
程がある。この酸化処理の一つの方法として、酸化処理
炉内において半導体ウエハを高温下で水蒸気と接触させ
て酸化膜を形成する方式がある。この水蒸気を利用した
酸化処理装置としては、例えば特開昭５６−６２３２６
号公報に示されているように、酸化処理炉内に水素ガス
と酸素ガスを直接供給して、該酸化処理炉内で燃焼させ
て水蒸気を発生させる方式が知られている。

【０００３】しかしながら、この酸化処理炉内において
水素ガスと酸素ガスを燃焼させる方式においては、水素
ガスと酸素ガスの燃焼度合によって酸化処理炉内の温度
が大きく左右されるので、半導体ウエハの酸化処理温度
を十分に制御することが困難であることから、半導体ウ
エハに対する酸化処理の信頼性・安全性及び再現性が低
い。

【０００４】一方、例えば特公昭６３−６０５２８号や
特開昭６３−２１０５０１号公報などに示されているよ
うに、酸化処理炉の外部に独立させて水蒸気発生装置と
しての外部燃焼装置を独立させて設け、この外部燃焼装
置に水素ガスと酸素ガスを供給して燃焼させることによ
り水蒸気を発生させ、この水蒸気を配管を介して酸化処
理炉に供給する方式が知られている。

【０００５】この外部燃焼方式によれば、酸化処理炉に
おける加熱状態を、水蒸気発生装置としての外部燃焼装
置の動作状態と分離して制御することができるので、酸
化処理炉での半導体ウエハに対する酸化処理が高い信頼
性と安全性及び再現性を持って実施できるようになる。
従って、この外部燃焼方式の酸化処理装置が脚光を浴び
て来ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
酸化処理される半導体ウエハの直径が６インチ或いは８
インチと大きくなってきており、このような大径の半導
体ウエハに対して所要の酸化処理を効率良く行うために
は、酸化処理炉に大量の水蒸気を供給しなければならな
い。このために水蒸気発生装置としての外部燃焼装置で
多量の水蒸気を発生させることが必要となって来た。

【０００７】しかるに、外部燃焼装置で多量の水蒸気を
発生させるためには、その燃焼容器内に水素ガスを及び
酸素ガスを多量に供給して燃焼させる必要があるが、そ
の結果として、燃焼容器内でのガス燃焼温度が高くなっ
て各種の障害を招き、特に水素ガスの供給量を増やすの
に制約があった。

【０００８】つまり、現行のように、内外二重管構造と
された水素ガス導入管と酸素ガス導入管との互いに接近
した先端ノズルより、多量の水素ガスと酸素ガスを自然
着火温度に加熱しながら噴出して燃焼させると、その中
央の水素ガス噴出ノズルの先端位置から炎が出て、その
水素ガス噴出ノズルの先端が失透温度（約１２００℃）
を上回って加熱され、そのノズル先端の失透（透明な石
英が白っぽく変色してぼろぼろに剥離する現象）を招
き、パーティクル発生の原因になったり、ノズル形状の
変形・詰まりなどを招く。また、炎がバーナー状に細長
く伸びて燃焼容器内の上壁に届き、そこを異常高温度に
加熱してしまうなどの不具合が生ずる。こうしたことか
ら、水素ガスの燃焼量を増やして水蒸気発生量を増大し
たいが、高温化なりすぎてしまい、ガス供給量に制約が
あり、燃焼容器自体を大容量の大型なものとしなければ
ならず、装置のコスト高や設置スペースの増大を招く問
題があった。

【０００９】本発明は前記事情に鑑みなされ、その目的
とするところは，燃焼容器を大型化しなくても，ノズル
先端の失透や燃焼容器内の異常加熱などの不具合を招く
ことなく，多量の水素ガスを供給して燃焼させることが
できて，水蒸気の発生の増大が図れる酸化処理装置を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の酸化処理装置
は、前記目的を達成するために、水素ガスと酸素ガスと
を加熱しながら燃焼容器内に導入して燃焼させることに
より水蒸気を発生する燃焼装置を備えた酸化処理装置に
おいて、前記水素ガスを燃焼容器内に導入する水素ガス
噴出ノズルと、酸素ガスを燃焼容器内に導入する酸素ガ
ス噴出ノズルとを備え、且つその酸素ガス噴出ノズル
が、前記水素ガス噴出ノズルの先端よりも燃焼容器内方
に突出して周囲に広く分散する複数箇所に開口する構成
としたことを特徴とする。また、前記燃焼容器の底部中
央に一体に拡径凹部を設け，この拡径凹部に前記酸素ガ
ス導入管の端部を一体に連設するとともに、前記拡径凹
部の上部に拡径環状空間を存して環状の拡散板を設け，
この拡散板の内周縁に前記水素ガス導入管の端部を一体
に連設して水素ガス噴出ノズルを形成し，前記拡散板に
前記酸素ガス導入管と連通するとともに、該拡散板の径
方向及び周方向に離間して複数個の酸素ガス噴出ノズル
を設けたことを特徴とする。

【００１１】

【作用】前記構成の燃焼装置によれば、酸素ガス噴出ノ
ズルが中央の水素ガス噴出ノズルの先端から周囲に遠く
離れて分散し、かつその水素ガス噴出ノズルの先端より
も突出する位置に配するので、酸素ガスが酸素ガス噴出
ノズルより水素ガスの周囲の広い範囲に拡散して噴出す
るようになる。これで多量の水蒸気を発生させるために
水素ガス及び酸素ガスの供給量を増やしても、ガス着火
時の炎が前記水素ガス噴出ノズルの先端から出ずに周囲
の酸素ガス噴出ノズルから出るようになって、水素ガス
噴出ノズルの先端が異常に加熱されることがなくなると
共に、該炎が従来の炎より太く短い形状となり、燃焼容
器内の温度が異常に高くならない。これにて、燃焼容器
の容積を増やさなくても、ノズル先端の失透によるパー
ティクル発生や、ノズル形状の変形・詰まりや、燃焼容
器内の異常加熱などの不具合を招くことなく、多量の水
素ガスを供給して燃焼させることができて、水蒸気の発
生の増大が図れるようになる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図３によ
り説明する。なお、ここでは、半導体ウエハに酸化膜を
形成する外部燃焼方式の酸化処理装置における水蒸気発
生装置として本発明の燃焼装置を適用した一実施例を説
明する。

【００１３】まず、図４は外部燃焼方式の酸化処理装置
を示す概略構成図である。この酸化処理装置の主要構成
をなすものとして、酸化処理炉１と水蒸気発生装置とし
ての外部燃焼装置２とが互いに配管接続して設置されて
いる。

【００１４】その酸化処理炉１は縦型炉で、石英よりな
る下端開放した縦長円筒状の反応管１１を備えている。
この反応管１１の一側部に水蒸気導入管１２が一体に形
成され、この水蒸気導入管１２の上端が反応管１１内上
部の水蒸気導入ポート１３に開口されている。また、反
応管１１の他側部下端には排気管１４が一体に設けら
れ、この排気管１４の先端には工場排気ダクトへ繋がる
排気用接続管１５が、両者の球状接続部１４ａ，１５ａ
を接合してクランプ１６により締結することで接続され
ている。

【００１５】更に、反応管１１の下端開口部にはシャッ
タ１７が開閉可能に設けれている共に、このシャッタ１
７上に保温筒１８を介してウエハボート１９が支持さ
れ、このウエハボート１９に多数枚の半導体ウエハＷが
各々水平状態で上下に間隔を存して段状に支持される。
なお、このウエハボート１９は下部の保温筒１６と共に
図示しないボートエレベータにより反応管１１内にまっ
真っ直ぐ下方から挿脱されるようになっている。また、
前記反応管１１の周囲には内部を加熱するヒータ２０が
配設され、その更に外周には断熱材２１とアウターシエ
ル２２が被嵌されている。

【００１６】一方、前記水蒸気発生装置としての外部燃
焼装置２は、図２及び図４に示す如く、縦軸的に設置さ
れた燃焼容器３０を備えている。この燃焼容器３０は石
英よりなる縦長円筒状のものである。この燃焼容器３０
の下端底部から下方に一体に延出する状態に石英よりな
るガス導入管３１が形成されている。このガス導入管３
１は図１及び図２に示す如く内外二重管構造のもので、
中央の水素ガス導入管３２と、この外周に同心円的に配
する酸素ガス導入管３３とを一体に有している。その中
央の水素ガス導入管３２は外周の酸素ガス導入管３３の
下端より下方に突き抜けた接続口３２ａを有し、外周の
酸素ガス導入管３３は下端方より途中から一側外方に突
出した接続口３３ａを有している。

【００１７】その水素ガス導入管３２の接続口３２ａに
は図４に示す如く切替えバルブ３５と流量制御機構３６
を介し水素ガス源３７が配管接続されていると共に、該
切替えバルブ３５より分岐した配管及び流量制御機構３
８を介し窒素ガス源３９が接続されている。また、前記
酸素ガス導入管２３の接続口３３ａには流量制御機構４
０を介して酸素ガス源４１が接続される。

【００１８】ここで、図１に示す如く、前記内外二重管
構造のガス導入管３１上端部、即ち燃焼容器３０の下端
底部に対する該ガス導入管３１の付根部分には、それぞ
れ石英製の水素ガス噴出ノズル５０と酸素ガス噴出ノズ
ル５１とが一体に設けられている。この酸素ガス噴出ノ
ズル５１が、中央の水素ガス噴出ノズル５０の先端より
も燃焼容器３０内方に突出し且つ周囲に広く分散する複
数箇所に開口している構成である。

【００１９】更に具体的に詳述すると、前記燃焼容器３
０の下端底部中央に直径Ｍが４０mm程度で深さＨが１０
mm程度の拡径凹部５２が一体成形され、この拡径凹部５
２の底部に同心円的に前記酸素ガス導入管３３の上端が
連設されている。また、その拡径凹部５２の上下方向略
中間に水平状態で仕切壁の如く適当幅の環状をなす拡散
板５３が一体成形され、この拡張板５３の内周縁に前記
水素ガス導入管３２の上端が連設されている。

【００２０】そして、その水素ガス導入管３２の拡散板
５３より少し下方に下がった位置に小口径に絞ったＯ₂
ガス逆流防止兼用の水素ガス噴出ノズル５０が一体成形
されている。また、前拡径凹部５２内の拡散板５３下側
の拡径環状空間５４と前記酸素ガス導入管３３内が連通
し、その空間５４より酸素ガスが燃焼容器３０内方に拡
散して吹き出すように、拡張板５３に小口径な酸素ガス
噴出ノズル（孔）５１が複数個間隔を存して穿設されて
いる。つまり、拡散板５３の外周寄りの大径円周上とこ
れよりも少し内側の円周上とにそれぞれ４個ずつ合計８
個のの酸素ガス噴出ノズル（孔）５１が周方向に等間隔
を存して形成されている。その外側４個の酸素ガス噴出
ノズル（孔）５１と内側４３個の酸素ガス噴出ノズル
（孔）５１とは周方向に４５゜ずつ位相をずらして配置
されている。

【００２１】なお、前記二重管構造をなすガス導入管３
１の周囲にはガス加熱用ヒータ６０が配設されている。
このガス加熱用ヒータ６０により前記水素ガス導入管３
２と酸素ガス導入管３３内に導通される水素ガス及び酸
素ガスが自然着火温度以上に加熱され、この加熱された
水素ガスと酸素ガスとが水素ガス噴出ノズル５０と酸素
ガス噴出ノズル５１より燃焼容器３０内に噴出して混合
することで炎Ｆをあげて燃焼するようになっている。そ
のガス加熱用ヒータ６０と燃焼容器３０底部との間には
断熱材６１が介挿されている。また、図２に示す如く、
前記燃焼容器３０の周囲には、例えば水冷ジャケットよ
りなる冷却機構７４が配設されている。さらに、前記燃
焼容器３０の上端部には石英により該燃焼容器３０と一
体に水蒸気送出管８４が突出成形され、この水蒸気送出
管８４が前記酸化処理炉１の水蒸気導入管１２の下端
に、両者の球状接続部８４ａ、１２ａを接合してクラン
プ８５により締結することで接続されている。

【００２２】こうした構成の酸化処理装置の作用を述べ
ると、まず、窒素ガスにより初期パージを行う。即ち、
図４に示す如く、切り替えバルブ３５を切替え、窒素ガ
ス源３９から窒素ガスを流量制御機構３８により制御し
ながら、水素ガス導入管３２を利用して、燃焼容器３
０、水蒸気送出管８４、水蒸気導入管１２内を介し酸化
処理炉１の反応管１１内に導入する。これで燃焼容器３
０内や酸化処理炉１の反応管１１内やそれらの配管経路
内全域を窒素ガスにより置換する。なお、この窒素ガス
の置換は反応管１１内のガスを排気管１４及び接続管１
５を介し工場排気ダクトへ排気しながら行う。

【００２３】そして経路全域を窒素ガスによって置換し
たら、反応管１１下端のシャッタ１７が開き、多数枚の
半導体ウエハＷを支持したウエハボート１９を保温筒１
８と共に図示しないボートエレベータにより押し上げて
反応管１１内に挿入する。これによって酸化処理すべき
半導体ウエアＷが反応管１１内の所定位置に保持され
る。

【００２４】この状態で、窒素ガスの導入が止められ、
酸素ガス源４１から酸素ガスを流量制御機構４０により
制御しながら酸素ガス導入管３３に供給して前述したと
同じ経路を辿り反応管１１内に導入する。これによって
燃焼容器３０内や酸化処理炉１の反応管１１内やそれら
の配管経路内全域を酸素ガスにより置換する。

【００２５】この酸素ガス供給状態において、ガス加熱
用ヒータ７４を例えば８５０℃程度の加熱状態に保ち、
切り替えバルブ３５を切替えて、水素ガス源３７から水
素ガスを流量制御機構３６により制御しながら水素ガス
導入管３２に供給する。その水素ガスと酸素ガスとはそ
れぞれ所定の流量、例えば毎分３リットル程度の流量で
供給する。これら水素ガスと酸素ガスがガス導入管３１
内を流れてガス加熱用ヒータ６０により加熱される。

【００２６】そして、図１及び図２に示す如く、その加
熱さらた水素ガスと酸素ガスが中央の窒素ガス噴出ノズ
ル５０とこの周囲の酸素ガス噴出ノズル５１より燃焼容
器３０内に噴出されて混合しながら自然着火し、炎Ｆを
あげて燃焼する。これにより水蒸気が発生する。

【００２７】この際、酸素ガス噴出ノズル５１が中央の
水素ガス噴出ノズル５０の先端から周囲に遠く離れて分
散し、かつその水素ガス噴出ノズル５０の先端よりも突
出する位置に配するので、酸素ガスが酸素ガス噴出ノズ
ル５１より水素ガスの周囲の広い範囲に拡散して噴出す
るようになる。

【００２８】これで多量の水蒸気を発生させるために水
素ガス及び酸素ガスの供給量を増やしても、ガス着火時
の炎Ｆが前記水素ガス噴出ノズル５０の先端から出ずに
周囲の酸素ガス噴出ノズル５１から出るようになって、
水素ガス噴出ノズル５０の先端が異常に加熱されること
がなくなると共に、該炎Ｆが図２に想像線で示す従来の
炎Ｆ′のように上方に高く伸びることなく半径方向に太
く短い形状となり、その炎Ｆが燃焼容器３０に直接接触
することを回避できると共に、燃焼容器３０内の温度が
異常に高くならない。

【００２９】図３に、本発明の実施例装置の燃焼容器３
０の上下各ポジションＡ〜Ｄ（図２参照）における温度
分布を従来装置の場合と比較して示す。このグラフから
も解るように、本発明装置では燃焼容器３０内の温度分
布が約５００℃以下になり、特に燃焼容器３０の内筒７
１内の上端部のポジションＤにおいても、約５３０℃ほ
どに昇温する程度で、従来装置のように７００℃を越え
るようなことがなくなる。

【００３０】これにて、燃焼容器３０の内容積、特に高
さを増やさなくても、引いては外部燃焼装置２全体を大
型化しなくても、水素ガス噴出ノズル５０先端の失透に
よるパーティクル発生や、ノズル形状の変形・詰まり
や、燃焼容器３０内の異常加熱などの不具合を招くこと
なく、多量の水素ガスを供給して燃焼させることができ
て、水蒸気の発生の増大が図れるようになる。

【００３１】なお、燃焼容器３０内に供給された水素ガ
スと酸素ガスとは、化学量論に従って略２：１の割合で
燃焼する。従って、酸素ガスは少し過剰供給となるが、
この過剰の酸素ガスは水蒸気のキャリアガスとして作用
すると共に、酸化処理炉１内での酸化処理に寄与するこ
ととなる。水素ガスは過剰に供給すると爆発の危険があ
るので避ける。また、その水素ガス及び酸素ガスの供給
量は目的とする酸化処理の程度に応じ適宜選定され、流
量制御機構３６，４０によって制御される。

【００３２】こうして、燃焼容器３０内において水素ガ
スと酸素ガスとの燃焼により発生した大量の水蒸気は、
該燃焼容器３０内を上昇しながら周囲に配する冷却機構
７４により適度に冷却され、上端の水蒸気送出管８４か
ら水蒸気導入管１２を介して酸化処理炉１の反応管１１
内に供給される。

【００３３】その酸化処理炉１の反応管１１内に供給さ
れた多量の水蒸気がこの上端の水蒸気導入ポート１３か
ら流下する一方、その反応管１１内のウエハボート１９
に支持された半導体ウエハＷがヒータ２０によって所定
温度、例えば９００℃程度以上の高温に維持されてい
る。その結果、半導体ウエハＷに対し所要の酸化処理が
なされる。なお、反応管１１内下部に流下した水蒸気は
排気管１４から排気用接続管１５を介し工場排気ダクト
排出される。

【００３４】このようにして、酸化処理炉１内の半導体
ウエハＷに酸化処理した後は、水素ガス源３７からの水
素ガス供給が停止され、酸素ガスのみの導入が継続され
る。これに外部燃焼装置２及び配管並びに酸化処理炉１
内全域が酸素ガスによって置換され、その後、酸素ガス
供給を停止し、その変わりに前述したと同様に切り替え
バルブ３５を切り替えて窒素ガス源３９より窒素ガスを
供給して外部燃焼装置２及び配管並びに酸化処理炉１内
全域を窒素ガスに置換する。この状態で処理済み半導体
ウエハＷをウエハボート１９及び保温筒１８と共にボー
トエレベータにより下降させて酸化処理炉１内から下方
に取り出し、次の半導体ウエハの酸化処理に備える。

【００３５】図５は本発明の外部燃焼装置２の他の実施
例を示す断面図である。この実施例では、前述同様に底
部に水素ガス噴出ノズル５０と酸素ガス噴出ノズル５１
とを有した燃焼容器３０内に、燃焼空間７０を区画する
石英製の内筒７１が同心円的に設けられている。この内
筒７１は上端を閉塞した円筒キャップ状のもので、開放
下端を燃焼容器３０内底面に連設固定されている。この
内筒７１の外周面と燃焼容器３０の内周面との間に筒状
空間７２が構成されている。この筒状空間７２と前記燃
焼空間７０とを連通する連通口７３が内筒７１の周壁下
端部に複数周方向に間隔を存して形成されている。こう
した燃焼容器３０の周囲に前述同様の冷却機構７４が配
設されている。

【００３６】また、前記燃焼容器３０の上端部には水蒸
気送出部８０が石英により該燃焼容器３０と一体に成形
されている。この水蒸気送出部８０は燃焼容器３０より
も小径の筒型キャップ状をなしている。この水蒸気送出
部８０は、水蒸気を蛇行して冷却しながら上昇させるよ
うに、内部に上下に間隔を存して２枚の石英製の内部放
熱板８１，８２が水平に一体成形されていると共に、こ
の上下の内部放熱板８１，８２に貫通孔８１ａ，８２ａ
が互いに左右に位置ずれして形成されている。また、そ
の水蒸気送出部８０の外周に、２枚の石英製の外部放熱
板８３が互いに上下に離間して各々鍔状に突出する状態
に一体成形されている。そして、その水蒸気送出部８０
の上端部に水蒸気送出管８４が突設されて前記酸化処理
炉１の水蒸気導入管１２の下端と接続されるようになっ
ている。

【００３７】この図５に示した構成の外部燃焼装置２で
あれば、加熱さらた水素ガスと酸素ガスが、前述同様に
中央の窒素ガス噴出ノズル５０とこの周囲の酸素ガス噴
出ノズル５１より燃焼容器３０の内筒７１内の燃焼空間
７０に噴出されて混合しながら自然着火し、炎Ｆをあげ
て燃焼する。これにより水蒸気が発生する。

【００３８】この際、炎Ｆは前述の実施例で述べたよう
に、多量の水蒸気を発生させるために水素ガス及び酸素
ガスの供給量を増やしても、ガス着火時の炎Ｆが前記水
素ガス噴出ノズル５０の先端から出ずに周囲の酸素ガス
噴出ノズル５１から出るようになって、水素ガス噴出ノ
ズル５０の先端が異常に加熱されることがなくなると共
に、該炎Ｆが上方に高く伸びることなく半径方向に太く
短い形状となり、その炎Ｆが燃焼容器３０の内筒７１に
直接接触することを回避できると共に、燃焼容器３０内
の温度が異常に高くならない。

【００３９】こうして、燃焼容器３０の内筒７１内の燃
焼空間７０において水素ガスと酸素ガスとの燃焼により
発生した大量の水蒸気は、該内筒７１の下端の連通口７
３を介して筒状空間７２に流れて上昇する。この際に周
囲に配する冷却機構７４により高温の水蒸気が効率良く
適度に冷却される。

【００４０】更に、その水蒸気は筒状空間７２内から上
端の水蒸気送出部８０内の上下の内部放熱板８１，８２
の貫通孔８１ａ，８２ａを介して蛇行して上昇し、その
際、内部放熱板８１，８２及び外部放熱板８３により熱
交換されて更に効率良く冷却される。こうして冷却され
た水蒸気は上端の水蒸気送出管８４から前述同様に水蒸
気導入管１２を介して酸化処理炉１の反応管１１内に供
給されるようになる。

【００４１】なお、本発明の燃焼処理装置は前記実施例
のみに限定されることなく、例えば縦型酸化処理炉１に
水蒸気を供給する外部燃焼装置として適用したが、その
酸化処理炉は横型のものでも可である。また半導体ウエ
ハ以外の各種の被処理体の酸化膜形成やその他の処理装
置に適用しても良い。

【００４２】

【発明の効果】本発明の酸化処理装置は，前述の如く構
成したので，燃焼容器を大型化しなくても，ノズル先端
の失透や燃焼容器内の異常加熱などの不具合を招くこと
なく，多量の水素ガスを供給して燃焼させることができ
て，水蒸気の発生の増大が図れる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の燃焼装置の一実施例を示し、（ａ）は
燃焼容器内定底部のガス噴出ノズル部の平面図、（ｂ）
は同要部の縦断面図。

【図２】同上実施例の燃焼装置全体の縦断面図。

【図３】同上実施例の燃焼装置と従来装置との上下各ポ
ジションでの温度分布図。

【図４】本発明の燃焼装置を水蒸気発生装置として適用
した酸化処理装置全体の概略構成図。

【図５】本発明の燃焼装置の他の実施例を示す縦断面
図。

【符号の説明】

２…燃焼装置、３０…燃焼容器、５０…水素ガス噴出ノ
ズル、５１…酸素ガス噴出ノズル。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水素ガスと酸素ガスとを加熱しながら燃
   焼容器内に導入して燃焼させることにより水蒸気を発生
   する燃焼装置を備えた酸化処理装置において、前記水素
   ガスを燃焼容器内に導入する水素ガス噴出ノズルと、酸
   素ガスを燃焼容器内に導入する酸素ガス噴出ノズルとを
   備え、且つその酸素ガス噴出ノズルが、前記水素ガス噴
   出ノズルの先端よりも燃焼容器内方に突出して周囲に広
   く分散する複数箇所に開口する構成としたことを特徴と
   する酸化処理装置。
2. 【請求項２】 前記燃焼容器の底部中央に一体に拡径凹
   部を設け，この拡径凹部に前記酸素ガス導入管の端部を
   一体に連設するとともに、 前記拡径凹部の上部に拡径環状空間を存して環状の拡散
   板を設け，この拡散板の内周縁に前記水素ガス導入管の
   端部を一体に連設して水素ガス噴出ノズルを形成し， 前記拡散板に前記酸素ガス導入管と連通するとともに、
   該拡散板の径方向及び周方向に離間して複数個の酸素ガ
   ス噴出ノズルを設けたことを特徴とする請求項１記載の
   酸化処理装置。