JP2521269B2 - 外部燃焼型バ−ニング装置 - Google Patents
外部燃焼型バ−ニング装置Info
- Publication number
- JP2521269B2 JP2521269B2 JP61239086A JP23908686A JP2521269B2 JP 2521269 B2 JP2521269 B2 JP 2521269B2 JP 61239086 A JP61239086 A JP 61239086A JP 23908686 A JP23908686 A JP 23908686A JP 2521269 B2 JP2521269 B2 JP 2521269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- burning device
- external combustion
- hydrogen
- container
- reaction
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体デバイスの製造工程のうち酸化工程に
於て、酸素ガスと水素ガスを導入し、化学燃焼させ水蒸
気を作り酸化炉に供給する所謂バーニングシステムに関
するものである。
於て、酸素ガスと水素ガスを導入し、化学燃焼させ水蒸
気を作り酸化炉に供給する所謂バーニングシステムに関
するものである。
［従来の技術］ 半導体デバイスの製造工程に於て、半導体基板（シリ
コンウェーファー）の熱酸化は従来ウェット方式又はド
ライ方式によって行われてきた。ウェット方式は純水を
加熱し窒素でバブリングして水蒸気を酸化炉反応管内に
送り込み、反応管内の加熱されたシリコンウェーファー
の表面を酸化させるものである。この場合は純水を強制
的にバブリングさせるため、酸化炉へ行く途中に特に低
温部分があると水滴が生成して酸化の制御性を悪くす
る。そのため途中配管にリボンヒーターを巻いて温める
等の工夫が必要となる。更に絶えず純水の補給をせねば
ならず、極めて作業性が悪い。
コンウェーファー）の熱酸化は従来ウェット方式又はド
ライ方式によって行われてきた。ウェット方式は純水を
加熱し窒素でバブリングして水蒸気を酸化炉反応管内に
送り込み、反応管内の加熱されたシリコンウェーファー
の表面を酸化させるものである。この場合は純水を強制
的にバブリングさせるため、酸化炉へ行く途中に特に低
温部分があると水滴が生成して酸化の制御性を悪くす
る。そのため途中配管にリボンヒーターを巻いて温める
等の工夫が必要となる。更に絶えず純水の補給をせねば
ならず、極めて作業性が悪い。
一方、ドライ方式は、酸素ガスと水素ガスを導入、化
学燃焼させ水蒸気を作り酸化に用いる方法であるが、従
来これらのガスを直接酸化炉反応管内に導入して化学燃
焼を起こしていた。この場合（内部燃焼型バーニング装
置という）、燃焼炎による半導体基板の損傷を避けるた
め、これらを適当な距離離さなけらばならず、その分反
応管が長くなる。更に酸化ガスと水素ガスの流量により
発生する炎の長さが変化するため、半導体基板と炎の位
置関係を絶えず調節しなければならないという欠点があ
る。
学燃焼させ水蒸気を作り酸化に用いる方法であるが、従
来これらのガスを直接酸化炉反応管内に導入して化学燃
焼を起こしていた。この場合（内部燃焼型バーニング装
置という）、燃焼炎による半導体基板の損傷を避けるた
め、これらを適当な距離離さなけらばならず、その分反
応管が長くなる。更に酸化ガスと水素ガスの流量により
発生する炎の長さが変化するため、半導体基板と炎の位
置関係を絶えず調節しなければならないという欠点があ
る。
また従来の別の外部燃焼型バーニング装置はバーニン
グ容器全体を加熱炉又はオーブンに入れているためバー
ニング装置全体が大きくなり従って消費電力や装置の値
段が高くなった。
グ容器全体を加熱炉又はオーブンに入れているためバー
ニング装置全体が大きくなり従って消費電力や装置の値
段が高くなった。
更にバーニング容器内に結露による水滴が溜まりやす
くドレイン孔を付ける必要があった。
くドレイン孔を付ける必要があった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は上述した従来の欠点を除去し、小型かつ安価
であり、しかも安全でありかつ酸化の制御が容易な外部
燃焼型バーニング装置を提供することを目的とする。
であり、しかも安全でありかつ酸化の制御が容易な外部
燃焼型バーニング装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段及びその効果］ 前記の目的を達成するために本発明の外部燃焼型バー
ニング装置は、下部は細く上部が膨らんだ形状をもつ反
応容器と、該反応容器の底部に、水素ガス導入ノズル及
び酸素ガス導入ノズルを、その延長線が交差するように
配置し、該交差点付近を加熱する点火炉と、前記反応容
器の上部に形成された発生ガス排出口とを設けたことを
特徴とする。すなわち、酸素ガスと水素ガスを導入する
一つ又は複数個のノズルをその延長線が交差するような
角度で、可能な限り細くしたバーニング容器の底部に設
置し、この交差点部分を加熱するように点火炉を設置す
る。このように交差点部分を加熱する点火炉は小型化で
きまた点火が確実となる。かつ自らの炎による容器の保
温効果と底部を加熱する点火炉とが相まって水滴の発生
を防ぐ効果がある。更、万一水滴が発生しても点火炉あ
るいは燃焼炎により蒸発せしめられるので安全性が高
い。
ニング装置は、下部は細く上部が膨らんだ形状をもつ反
応容器と、該反応容器の底部に、水素ガス導入ノズル及
び酸素ガス導入ノズルを、その延長線が交差するように
配置し、該交差点付近を加熱する点火炉と、前記反応容
器の上部に形成された発生ガス排出口とを設けたことを
特徴とする。すなわち、酸素ガスと水素ガスを導入する
一つ又は複数個のノズルをその延長線が交差するような
角度で、可能な限り細くしたバーニング容器の底部に設
置し、この交差点部分を加熱するように点火炉を設置す
る。このように交差点部分を加熱する点火炉は小型化で
きまた点火が確実となる。かつ自らの炎による容器の保
温効果と底部を加熱する点火炉とが相まって水滴の発生
を防ぐ効果がある。更、万一水滴が発生しても点火炉あ
るいは燃焼炎により蒸発せしめられるので安全性が高
い。
［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図及び第２図に本発明の実施例を示す。第１図に
於て複数のノズル２を通して反応ガスである酸素と水素
が別個にバーニング容器１内に導入される。これらのノ
ズル２中、2aは内側に傾けて配置された水素ガス導入ノ
ズル、2bはバーニング容器１の軸心と一致する位置・方
向で設けられた酸素ガス導入ノズルである。これらのノ
ズル2a,bからの噴出ガスは一点３で交差し、点火炉４の
加熱により点火され燃え続ける。反応ガスの着火温度は
500℃以下であるが確実に点火するために交差点の温度
が700℃程度になるように加熱する。バーニング容器の
底部1bを細くすることにより点火が確実になる。底部よ
り少し膨らんだ上部1aは斜めに上がる炎５によって100
℃以上に温められ水滴を結ばない。また万が一水滴がで
きて落下しても点火炉４の加熱により蒸発するので底部
1bにドレイン孔を設ける必要がなくまた保温のためにバ
ーニング容器をマントルヒーター等で覆う必要がないた
め、容器上部より点火の確認がしやすい。更に安全性を
高めるために、バーニング容器に防爆ネットを被せると
よい。
於て複数のノズル２を通して反応ガスである酸素と水素
が別個にバーニング容器１内に導入される。これらのノ
ズル２中、2aは内側に傾けて配置された水素ガス導入ノ
ズル、2bはバーニング容器１の軸心と一致する位置・方
向で設けられた酸素ガス導入ノズルである。これらのノ
ズル2a,bからの噴出ガスは一点３で交差し、点火炉４の
加熱により点火され燃え続ける。反応ガスの着火温度は
500℃以下であるが確実に点火するために交差点の温度
が700℃程度になるように加熱する。バーニング容器の
底部1bを細くすることにより点火が確実になる。底部よ
り少し膨らんだ上部1aは斜めに上がる炎５によって100
℃以上に温められ水滴を結ばない。また万が一水滴がで
きて落下しても点火炉４の加熱により蒸発するので底部
1bにドレイン孔を設ける必要がなくまた保温のためにバ
ーニング容器をマントルヒーター等で覆う必要がないた
め、容器上部より点火の確認がしやすい。更に安全性を
高めるために、バーニング容器に防爆ネットを被せると
よい。
第１図は本発明の一実施例の概要を示す縦断面図であ
る。第２図は反応ガス導入ノズル配置の一例を示す横断
面図である。 １……バーニング容器 1a…… 〃 の上部 1b…… 〃 の底部 ２……ノズル ３……ノズル延長線の交差点 ４……点火炉 ５……炎 ６……酸化炉反応管 ｇ……反応ガス
る。第２図は反応ガス導入ノズル配置の一例を示す横断
面図である。 １……バーニング容器 1a…… 〃 の上部 1b…… 〃 の底部 ２……ノズル ３……ノズル延長線の交差点 ４……点火炉 ５……炎 ６……酸化炉反応管 ｇ……反応ガス
Claims (1)
- 【請求項１】反応容器の底部に、水素ガス導入ノズル及
び酸素ガス導入ノズルを、その延長線が交差するように
配置し、前記水素が前記酸素により化学燃焼される温度
に反応容器内の前記交差位置を加熱するヒーターを備
え、かつ該反応容器で発生した水蒸気を、前記反応容器
の上部に形成された発生ガス排出口から、酸化炉に供給
する外部燃焼型バーニング装置において、 前記反応容器を下部は細く上部が膨らんだ形状とし、前
記交差の位置を前記反応容器の前記下部に定めるととも
に、前記ヒーターを前記下部のみに配置された点火炉と
したことを特徴とする外部燃焼型バーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239086A JP2521269B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 外部燃焼型バ−ニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239086A JP2521269B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 外部燃焼型バ−ニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394634A JPS6394634A (ja) | 1988-04-25 |
| JP2521269B2 true JP2521269B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=17039614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239086A Expired - Lifetime JP2521269B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 外部燃焼型バ−ニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521269B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228335A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Sony Corp | 水蒸気酸化装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186023A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 水蒸気処理装置 |
| JPH06101429B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | 熱処理装置 |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61239086A patent/JP2521269B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6394634A (ja) | 1988-04-25 |
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