JPH1167750A - 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 - Google Patents
外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法Info
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- JPH1167750A JPH1167750A JP24204697A JP24204697A JPH1167750A JP H1167750 A JPH1167750 A JP H1167750A JP 24204697 A JP24204697 A JP 24204697A JP 24204697 A JP24204697 A JP 24204697A JP H1167750 A JPH1167750 A JP H1167750A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】着火温度と独立して任意に導入ガス温度の制御
ができる外部燃焼装置、外部燃焼方法、処理装置、処理
方法を提供する。 【解決手段】縦型拡散炉１０と外部燃焼装置５０とを備
える。縦型拡散炉１０では、ヒータ１２内の反応管３０
の内部にボート１６を設け、ボート１６にウェーハ２０
を多段に収納する。外部燃焼装置５０は、燃焼管５２
と、接続管５４と、ガス導入管５６、５８と、燃焼管５
２の周囲を覆うヒータ６２、６４とを備える。ガス導入
管５６、５８から水素、酸素ガスを導入し外部燃焼装置
５０で燃焼させ水蒸気とし、その後接続管５４、ノズル
３２を経由し反応管３０内に導入する。燃焼管５２を履
っているヒータを、着火用ヒータ６２とガス温度制御用
ヒータ６４とに分離し、着火用ヒータ６２は水素、酸素
の着火温度以上に設定し、ガス温度制御用ヒータ６４は
プロセス条件に合わせて適宜設定する。
ができる外部燃焼装置、外部燃焼方法、処理装置、処理
方法を提供する。 【解決手段】縦型拡散炉１０と外部燃焼装置５０とを備
える。縦型拡散炉１０では、ヒータ１２内の反応管３０
の内部にボート１６を設け、ボート１６にウェーハ２０
を多段に収納する。外部燃焼装置５０は、燃焼管５２
と、接続管５４と、ガス導入管５６、５８と、燃焼管５
２の周囲を覆うヒータ６２、６４とを備える。ガス導入
管５６、５８から水素、酸素ガスを導入し外部燃焼装置
５０で燃焼させ水蒸気とし、その後接続管５４、ノズル
３２を経由し反応管３０内に導入する。燃焼管５２を履
っているヒータを、着火用ヒータ６２とガス温度制御用
ヒータ６４とに分離し、着火用ヒータ６２は水素、酸素
の着火温度以上に設定し、ガス温度制御用ヒータ６４は
プロセス条件に合わせて適宜設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部燃焼装置、外
部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部
燃焼装置を用いた処理方法に関し、特に、炉内に反応ガ
スを供給してウェーハ表面に酸化種を拡散させ酸化膜を
形成する拡散装置に好適に使用される外部燃焼装置、外
部燃焼方法、外部燃焼装置を備える拡散装置および外部
燃焼装置を用いた拡散方法に関する。
部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部
燃焼装置を用いた処理方法に関し、特に、炉内に反応ガ
スを供給してウェーハ表面に酸化種を拡散させ酸化膜を
形成する拡散装置に好適に使用される外部燃焼装置、外
部燃焼方法、外部燃焼装置を備える拡散装置および外部
燃焼装置を用いた拡散方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の外部燃焼装置を用いた拡散装置
としては、ボートによりウェーハを水平姿勢で多段に保
持して炉内に挿入し、該炉内に反応ガスを供給してウェ
ーハ表面に酸化種を拡散させ酸化膜を形成する縦型拡散
炉がある。
としては、ボートによりウェーハを水平姿勢で多段に保
持して炉内に挿入し、該炉内に反応ガスを供給してウェ
ーハ表面に酸化種を拡散させ酸化膜を形成する縦型拡散
炉がある。
【０００３】一般的な縦型拡散炉の構造を図５に示す。
ヒータ１２で囲まれた反応管３０の内部にはキャップ１
４に立設されたボート１６が、図示しないボートエレベ
ータによって挿入される様になっており、ボート１６に
は水平姿勢のウェーハ２０が所要のピッチで多段に収納
されている。ヒータ１２により、ウェーハ２０は加熱処
理を施される。
ヒータ１２で囲まれた反応管３０の内部にはキャップ１
４に立設されたボート１６が、図示しないボートエレベ
ータによって挿入される様になっており、ボート１６に
は水平姿勢のウェーハ２０が所要のピッチで多段に収納
されている。ヒータ１２により、ウェーハ２０は加熱処
理を施される。
【０００４】パイロ酸化の場合は、水素と酸素、もしく
は水素に酸素と塩素系ガスの混合ガスを外部燃焼装置２
５０で燃焼させ水蒸気としてノズル３２から反応管３０
上部にあるシャワー板３８を通って反応管３０内に導入
する。
は水素に酸素と塩素系ガスの混合ガスを外部燃焼装置２
５０で燃焼させ水蒸気としてノズル３２から反応管３０
上部にあるシャワー板３８を通って反応管３０内に導入
する。
【０００５】ドライ酸化の場合は、酸素のみもしくは酸
素と塩素系ガスを混合し、同経路を通して導入される。
素と塩素系ガスを混合し、同経路を通して導入される。
【０００６】ここで、従来の外部燃焼装置２５０におい
ては、燃焼管５２は接続管５４を介して反応管３０に接
続されており、その他端には水素、酸素などのガス導入
管５６、５８がある。燃焼管５２の周囲はヒータ２６０
及び、保温材８０で履われており、温度制御されてい
る。
ては、燃焼管５２は接続管５４を介して反応管３０に接
続されており、その他端には水素、酸素などのガス導入
管５６、５８がある。燃焼管５２の周囲はヒータ２６０
及び、保温材８０で履われており、温度制御されてい
る。
【０００７】この外部燃焼装置２５０を用いて燃焼させ
た場合、常にヒータ２６０が着火温度以上に一定に設定
されるため、反応管３０に導入されるガス温度は常に一
定である。ここで成膜条件によってガス導入温度を変化
させたい場合は外部燃焼装置２５０の設定温度を変更す
れば良いが、水素、酸素の着火条件も同時に変わってし
まうため、条件によっては着火、燃焼しないなど信頼性
に欠けるという問題がある。
た場合、常にヒータ２６０が着火温度以上に一定に設定
されるため、反応管３０に導入されるガス温度は常に一
定である。ここで成膜条件によってガス導入温度を変化
させたい場合は外部燃焼装置２５０の設定温度を変更す
れば良いが、水素、酸素の着火条件も同時に変わってし
まうため、条件によっては着火、燃焼しないなど信頼性
に欠けるという問題がある。
【０００８】また、着火用ヒータ２６０の設定が一定で
ある場合、導入されるガス温度が炉内温度に対して差が
有ったとすれば、ノズル３２の近傍にあるウェーハ２０
の面内温度に部分的な差が生じ、その結果、膜均一性に
も影響を及ぼしてしまう。
ある場合、導入されるガス温度が炉内温度に対して差が
有ったとすれば、ノズル３２の近傍にあるウェーハ２０
の面内温度に部分的な差が生じ、その結果、膜均一性に
も影響を及ぼしてしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点の導入ガス温度制御が出来ないという不具
合を解決し、任意に導入ガス温度を制御することの出来
る外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える
処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法を提供す
ることにある。
技術の問題点の導入ガス温度制御が出来ないという不具
合を解決し、任意に導入ガス温度を制御することの出来
る外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える
処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、導入ガス温
度を制御する為のヒータと着火する為のヒータとの二系
統以上に分離し、各々単独で任意の温度に制御出来る構
成とした。
度を制御する為のヒータと着火する為のヒータとの二系
統以上に分離し、各々単独で任意の温度に制御出来る構
成とした。
【００１１】従って、請求項１によれば、加熱手段によ
る加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を
燃焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する
外部燃焼装置において、前記加熱手段を、前記支燃性ガ
スと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用と、前記
反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用とに分離し
たことを特徴とする外部燃焼装置が提供される。
る加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を
燃焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する
外部燃焼装置において、前記加熱手段を、前記支燃性ガ
スと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用と、前記
反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用とに分離し
たことを特徴とする外部燃焼装置が提供される。
【００１２】また、請求項２によれば、加熱手段による
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼方法において、前記加熱手段を、前記支燃性ガス
と前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用と、前記反
応室に供給する前記反応ガスの温度制御用とに分離し
て、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスを含む前記気体の
着火温度と前記反応室に供給する前記反応ガスの温度と
を独立して制御することを特徴とする外部燃焼方法が提
供される。
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼方法において、前記加熱手段を、前記支燃性ガス
と前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用と、前記反
応室に供給する前記反応ガスの温度制御用とに分離し
て、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスを含む前記気体の
着火温度と前記反応室に供給する前記反応ガスの温度と
を独立して制御することを特徴とする外部燃焼方法が提
供される。
【００１３】また、請求項３によれば、加熱手段による
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼装置を備え、前記外部燃焼装置から前記反応ガス
を前記反応室に供給して前記反応室内において被処理物
を処理する処理装置において、前記加熱手段を、前記支
燃性ガスと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用
と、前記反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用と
に分離したことを特徴とする処理装置が提供される。
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼装置を備え、前記外部燃焼装置から前記反応ガス
を前記反応室に供給して前記反応室内において被処理物
を処理する処理装置において、前記加熱手段を、前記支
燃性ガスと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用
と、前記反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用と
に分離したことを特徴とする処理装置が提供される。
【００１４】また、請求項４によれば、加熱手段による
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼装置を用いて前記外部燃焼装置から前記反応ガス
を前記反応室に供給して前記反応室内において被処理物
を処理する処理方法において、前記加熱手段を、前記支
燃性ガスと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用
と、前記反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用と
に分離して、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスを含む前
記気体の着火温度と前記反応室に供給する前記反応ガス
の温度とを独立して制御することを特徴とする処理方法
が提供される。
加熱によって支燃性ガスと可燃性ガスとを含む気体を燃
焼させ、その結果生じた反応ガスを反応室に供給する外
部燃焼装置を用いて前記外部燃焼装置から前記反応ガス
を前記反応室に供給して前記反応室内において被処理物
を処理する処理方法において、前記加熱手段を、前記支
燃性ガスと前記可燃性ガスとを含む前記気体の着火用
と、前記反応室に供給する前記反応ガスの温度制御用と
に分離して、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスを含む前
記気体の着火温度と前記反応室に供給する前記反応ガス
の温度とを独立して制御することを特徴とする処理方法
が提供される。
【００１５】このように、加熱手段を、支燃性ガスと可
燃性ガスとを含む気体の着火用と、反応室に供給する反
応ガスの温度制御用とに分離することによって、支燃性
ガスと可燃性ガスとを含む気体の着火温度と反応室に供
給する反応ガスの温度とを独立して制御することができ
るようになる。その結果、成膜プロセス温度等の成膜条
件等の処理条件に応じて反応室に供給されるガスの導入
温度を制御する一方で、支燃性ガスと可燃性ガスとを含
む気体の着火温度も好適なものに制御することができる
ようになる。また、このように、反応室に供給されるガ
スの導入温度を着火温度とは独立して制御することによ
って、反応室内に設けられる被処理物の面内温度分布等
も均一なものとすることができるようになる。
燃性ガスとを含む気体の着火用と、反応室に供給する反
応ガスの温度制御用とに分離することによって、支燃性
ガスと可燃性ガスとを含む気体の着火温度と反応室に供
給する反応ガスの温度とを独立して制御することができ
るようになる。その結果、成膜プロセス温度等の成膜条
件等の処理条件に応じて反応室に供給されるガスの導入
温度を制御する一方で、支燃性ガスと可燃性ガスとを含
む気体の着火温度も好適なものに制御することができる
ようになる。また、このように、反応室に供給されるガ
スの導入温度を着火温度とは独立して制御することによ
って、反応室内に設けられる被処理物の面内温度分布等
も均一なものとすることができるようになる。
【００１６】なお、加熱手段としては、好ましくはヒー
タが用いられる。
タが用いられる。
【００１７】また、支燃性ガスとしては、水素ガスが好
ましく用いられ、可燃性ガスとしては、酸素ガス、また
は酸素ガスと塩素系ガスとの混合ガスが好ましく用いら
れる。
ましく用いられ、可燃性ガスとしては、酸素ガス、また
は酸素ガスと塩素系ガスとの混合ガスが好ましく用いら
れる。
【００１８】また、上記外部燃焼装置、外部燃焼方法、
処理装置、処理方法は、半導体ウェーハの処理装置や処
理方法に好ましく適用され、半導体ウェーハに酸化膜を
形成する酸化膜形成装置や酸化膜形成方法にさらに好ま
しく適用される。
処理装置、処理方法は、半導体ウェーハの処理装置や処
理方法に好ましく適用され、半導体ウェーハに酸化膜を
形成する酸化膜形成装置や酸化膜形成方法にさらに好ま
しく適用される。
【００１９】また、さらに、ボートにより半導体ウェー
ハを水平姿勢で多段に保持して炉内に挿入し、該炉内に
反応ガスを供給してウェーハ表面に酸化種を拡散させ酸
化膜を形成する縦型拡散炉に特に好適に適用される。
ハを水平姿勢で多段に保持して炉内に挿入し、該炉内に
反応ガスを供給してウェーハ表面に酸化種を拡散させ酸
化膜を形成する縦型拡散炉に特に好適に適用される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００２１】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の酸化装置を説明するための概略断面図
である。
１の実施の形態の酸化装置を説明するための概略断面図
である。
【００２２】本実施の形態の酸化装置１００は、縦型拡
散炉１０と外部燃焼装置５０とを備えている。
散炉１０と外部燃焼装置５０とを備えている。
【００２３】縦型拡散炉１０においては、ヒータ１２で
囲まれた反応管３０の内部にはキャップ１４に立設され
たボート１６が、図示しないボートエレベータによって
挿入される様になっており、ボート１６には水平姿勢の
ウェーハ２０が所要のピッチで多段に収納されている。
ヒータ１２により、ウェーハ２０は加熱される。また、
反応管３０は、導入管３６と、ノズル３２と、排気管３
４とを備えている。
囲まれた反応管３０の内部にはキャップ１４に立設され
たボート１６が、図示しないボートエレベータによって
挿入される様になっており、ボート１６には水平姿勢の
ウェーハ２０が所要のピッチで多段に収納されている。
ヒータ１２により、ウェーハ２０は加熱される。また、
反応管３０は、導入管３６と、ノズル３２と、排気管３
４とを備えている。
【００２４】外部燃焼装置５０は、燃焼管５２と、燃焼
管５２からのガスを導出すると共に導入管３６と接続さ
れる接続管５４と、燃焼管５２に、接続管５４とは反対
側から、ガスを供給するガス導入管５６、５８と燃焼管
５２の周囲を覆うヒータ６２、６４と、保温材８０とを
備えている。ガス導入管５６から水素を導入し、ガス導
入管５８から酸素もしくは酸素と塩素系ガスの混合ガス
を導入し、外部燃焼装置５０で燃焼させ水蒸気とし、そ
の後接続管５４、導入管３６、ノズル３２を経由し、反
応管３０上部にあるシャワー板３８を通って反応管３０
内に導入する。
管５２からのガスを導出すると共に導入管３６と接続さ
れる接続管５４と、燃焼管５２に、接続管５４とは反対
側から、ガスを供給するガス導入管５６、５８と燃焼管
５２の周囲を覆うヒータ６２、６４と、保温材８０とを
備えている。ガス導入管５６から水素を導入し、ガス導
入管５８から酸素もしくは酸素と塩素系ガスの混合ガス
を導入し、外部燃焼装置５０で燃焼させ水蒸気とし、そ
の後接続管５４、導入管３６、ノズル３２を経由し、反
応管３０上部にあるシャワー板３８を通って反応管３０
内に導入する。
【００２５】本実施の形態においては、燃焼管５２を履
っているヒータを、着火用ヒータ６２の一系統とガス温
度制御用ヒータ６４の一系統とに分離し、着火用ヒータ
６２を燃焼管５２の後端から水素、酸素ガスを導入する
ガス導入管（ガス導入ノズル）５６、５８の出口から５
〜１０ｃｍ付近まで設け、ガス温度制御用ヒータ６４を
着火後のガスの下流側に設けている。着火用ヒータ６２
は水素、酸素の着火温度（約５５０℃）以上に設定し、
ガス温度制御用ヒータ６４はプロセス条件に合わせて任
意に設定すれば良く、特に着火温度以下にも設定でき
る。
っているヒータを、着火用ヒータ６２の一系統とガス温
度制御用ヒータ６４の一系統とに分離し、着火用ヒータ
６２を燃焼管５２の後端から水素、酸素ガスを導入する
ガス導入管（ガス導入ノズル）５６、５８の出口から５
〜１０ｃｍ付近まで設け、ガス温度制御用ヒータ６４を
着火後のガスの下流側に設けている。着火用ヒータ６２
は水素、酸素の着火温度（約５５０℃）以上に設定し、
ガス温度制御用ヒータ６４はプロセス条件に合わせて任
意に設定すれば良く、特に着火温度以下にも設定でき
る。
【００２６】従って、ヒータ６２によって水素、酸素の
着火条件を一定に保ったまま、反応管３０に導入される
ガス温度をヒータ６４によって成膜条件等応じて変化さ
せることができ、優れた特性の酸化膜等が得られる。ま
た、ノズル３２を通って反応管３０に導入されるガス温
度をヒータ６４によって制御することによって、ウェー
ハ２０に成膜される膜の膜厚等の面内均一性も向上させ
ることができる。
着火条件を一定に保ったまま、反応管３０に導入される
ガス温度をヒータ６４によって成膜条件等応じて変化さ
せることができ、優れた特性の酸化膜等が得られる。ま
た、ノズル３２を通って反応管３０に導入されるガス温
度をヒータ６４によって制御することによって、ウェー
ハ２０に成膜される膜の膜厚等の面内均一性も向上させ
ることができる。
【００２７】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態の酸化装置に使用される外部燃焼装置を
説明するための概略断面図である。
２の実施の形態の酸化装置に使用される外部燃焼装置を
説明するための概略断面図である。
【００２８】本実施の形態においては、燃焼管５２の周
囲のほぼ全面を履っているヒータ６６を着火用ヒータと
して一系統、燃焼管５２と反応管１との間の接続管６８
の周囲を覆って設けたヒータ６８をガス温度制御用ヒー
タとして一系統それぞれ設け、ヒータ６６、ヒータ６８
を互いに独立して制御可能としている点が、上述の第１
の実施の形態と異なるが、他の点は同様である。また、
温度設定は上述の第１の実施の形態と同じで良い。
囲のほぼ全面を履っているヒータ６６を着火用ヒータと
して一系統、燃焼管５２と反応管１との間の接続管６８
の周囲を覆って設けたヒータ６８をガス温度制御用ヒー
タとして一系統それぞれ設け、ヒータ６６、ヒータ６８
を互いに独立して制御可能としている点が、上述の第１
の実施の形態と異なるが、他の点は同様である。また、
温度設定は上述の第１の実施の形態と同じで良い。
【００２９】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態の酸化装置に使用される外部燃焼装置を
説明するための概略断面図である。
２の実施の形態の酸化装置に使用される外部燃焼装置を
説明するための概略断面図である。
【００３０】本実施の形態は、上述の第１の実施の形態
と、第２の実施の形態とを組み合わせたものである。
と、第２の実施の形態とを組み合わせたものである。
【００３１】本実施の形態においては、燃焼管５２を履
っているヒータを、着火用ヒータ７２の一系統とガス温
度制御用ヒータ７４の一系統とに分離すると共に、接続
管６８の周囲を覆ってヒータ７６をさらに一系統設け、
ヒータ７２、７４、７６を互いに独立して制御可能とし
ている。
っているヒータを、着火用ヒータ７２の一系統とガス温
度制御用ヒータ７４の一系統とに分離すると共に、接続
管６８の周囲を覆ってヒータ７６をさらに一系統設け、
ヒータ７２、７４、７６を互いに独立して制御可能とし
ている。
【００３２】次に、上記第１乃至第３の実施の形態の酸
化装置１００における酸化方法の一例を図４を参照して
説明する。
化装置１００における酸化方法の一例を図４を参照して
説明する。
【００３３】工程１） 反応管キャップ１４に連接され
たエレベータ（図中省略）によりボート１６が反応管３
０から下方に引き出された状態でウェーハ２０がウェー
ハ移載機（図中省略）によりボート１６へ装填される。
この時ヒータ温度は、炉内へ挿入、引き出しをするの
に、ウェーハ２０にストレスのかからない温度、例えば
７２０℃に設定され、次のボート挿入工程２）の準備を
行っておくのが効率的である。
たエレベータ（図中省略）によりボート１６が反応管３
０から下方に引き出された状態でウェーハ２０がウェー
ハ移載機（図中省略）によりボート１６へ装填される。
この時ヒータ温度は、炉内へ挿入、引き出しをするの
に、ウェーハ２０にストレスのかからない温度、例えば
７２０℃に設定され、次のボート挿入工程２）の準備を
行っておくのが効率的である。
【００３４】また、反応管３０内へは、清浄度を保つ目
的で、Ｎ2 又はＯ2 を流しておくと、製品の特性向上に
役立つ。
的で、Ｎ2 又はＯ2 を流しておくと、製品の特性向上に
役立つ。
【００３５】工程２） 例えば、ボート挿入温度（７２
０℃）、Ｏ2 （１０ＳＬＭ）の条件下で、ボート１６が
反応管３０内へ挿入される。
０℃）、Ｏ2 （１０ＳＬＭ）の条件下で、ボート１６が
反応管３０内へ挿入される。
【００３６】工程３） 次に昇温工程で炉内温度を例え
ば８２０℃へ上げ、酸化速度を上げることに寄与させ
る。
ば８２０℃へ上げ、酸化速度を上げることに寄与させ
る。
【００３７】工程４） 昇温直後は炉内温度が安定せ
ず、８２０℃から大きく上下するので、安定するまで一
定時間を保つのが一般的である。
ず、８２０℃から大きく上下するので、安定するまで一
定時間を保つのが一般的である。
【００３８】工程５） 温度が安定したところで、Ｏ
2 、Ｈ2 ガスの燃焼を上述した第１乃至第３の実施の形
態のいずれかの外部燃焼装置５０で行い、ウェーハ２０
へ酸化処理を施す。
2 、Ｈ2 ガスの燃焼を上述した第１乃至第３の実施の形
態のいずれかの外部燃焼装置５０で行い、ウェーハ２０
へ酸化処理を施す。
【００３９】工程６） 後工程では、反応管３０内のＨ
2Ｏ をＮ2 により除去する。
2Ｏ をＮ2 により除去する。
【００４０】工程７） 炉内温度をボート引き出し温度
まで下げる。
まで下げる。
【００４１】工程８） ボート１６を反応管３０から引
き出す。
き出す。
【００４２】工程９） ウェーハ２０の温度を、移載機
やボート１６からのウェーハ２０を移し替えた先の保持
具が耐え得る温度まで下げる。
やボート１６からのウェーハ２０を移し替えた先の保持
具が耐え得る温度まで下げる。
【００４３】工程１０） ウェーハ２０の温度が下がっ
たところでボート１６からウェーハ２０を取り出す。
たところでボート１６からウェーハ２０を取り出す。
【００４４】このようにして半導体ウェーハ２０の酸化
処理がおこなわれるが、大別すると、ウェーハ２０を反
応管３０に出入れする温度とウェーハ２０に酸化膜を形
成する温度とが有る。
処理がおこなわれるが、大別すると、ウェーハ２０を反
応管３０に出入れする温度とウェーハ２０に酸化膜を形
成する温度とが有る。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、着火条件とは独立し
て、成膜条件等の処理条件に応じて反応室内に供給され
る反応ガス温度を任意に制御出来る為、処理条件を好適
に制御して優れた特性、性能の被処理物が得られ、ま
た、膜厚等の均一性に優れた被処理物を得ることもでき
るとともに、一方では安定に水素、酸素の着火を行うこ
とが出来る。
て、成膜条件等の処理条件に応じて反応室内に供給され
る反応ガス温度を任意に制御出来る為、処理条件を好適
に制御して優れた特性、性能の被処理物が得られ、ま
た、膜厚等の均一性に優れた被処理物を得ることもでき
るとともに、一方では安定に水素、酸素の着火を行うこ
とが出来る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の酸化装置を説明す
るための概略断面図である。
るための概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の酸化装置に使用さ
れる外部燃焼装置を説明するための概略断面図である。
れる外部燃焼装置を説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の酸化装置に使用さ
れる外部燃焼装置を説明するための概略断面図である。
れる外部燃焼装置を説明するための概略断面図である。
【図４】本発明の第１乃至第３の実施の形態の酸化装置
における酸化方法の一例を説明するための図である。
における酸化方法の一例を説明するための図である。
【図５】従来の酸化装置を説明するための概略断面図で
ある。
ある。
１０…縦型拡散炉 １２…ヒータ １６…ボート ２０…ウェーハ ３０…反応管 ３２…ノズル ３８…シャワー板 ５０、２５０…外部燃焼装置 ５２…燃焼管 ５４…接続管 ５６、５８…ガス導入管 ６２、６４、６６、６８、７２、７４、７６、２６０…
ヒータ １００、２００…酸化装置
ヒータ １００、２００…酸化装置
Claims (4)
- 【請求項１】加熱手段による加熱によって支燃性ガスと
可燃性ガスとを含む気体を燃焼させ、その結果生じた反
応ガスを反応室に供給する外部燃焼装置において、 前記加熱手段を、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスとを
含む前記気体の着火用と、前記反応室に供給する前記反
応ガスの温度制御用とに分離したことを特徴とする外部
燃焼装置。 - 【請求項２】加熱手段による加熱によって支燃性ガスと
可燃性ガスとを含む気体を燃焼させ、その結果生じた反
応ガスを反応室に供給する外部燃焼方法において、 前記加熱手段を、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスとを
含む前記気体の着火用と、前記反応室に供給する前記反
応ガスの温度制御用とに分離して、前記支燃性ガスと前
記可燃性ガスとを含む前記気体の着火温度と前記反応室
に供給する前記反応ガスの温度とを独立して制御するこ
とを特徴とする外部燃焼方法。 - 【請求項３】加熱手段による加熱によって支燃性ガスと
可燃性ガスとを含む気体を燃焼させ、その結果生じた反
応ガスを反応室に供給する外部燃焼装置を備え、前記外
部燃焼装置から前記反応ガスを前記反応室に供給して前
記反応室内において被処理物を処理する処理装置におい
て、 前記加熱手段を、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスとを
含む前記気体の着火用と、前記反応室に供給する前記反
応ガスの温度制御用とに分離したことを特徴とする処理
装置。 - 【請求項４】加熱手段による加熱によって支燃性ガスと
可燃性ガスとを含む気体を燃焼させ、その結果生じた反
応ガスを反応室に供給する外部燃焼装置を用いて前記外
部燃焼装置から前記反応ガスを前記反応室に供給して前
記反応室内において被処理物を処理する処理方法におい
て、 前記加熱手段を、前記支燃性ガスと前記可燃性ガスとを
含む前記気体の着火用と、前記反応室に供給する前記反
応ガスの温度制御用とに分離して、前記支燃性ガスと前
記可燃性ガスを含む前記気体の着火温度と前記反応室に
供給する前記反応ガスの温度とを独立して制御すること
を特徴とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24204697A JPH1167750A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24204697A JPH1167750A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167750A true JPH1167750A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=17083473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24204697A Withdrawn JPH1167750A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167750A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348397B2 (en) * | 1998-01-30 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Method for diffusion of an impurity into a semiconductor wafer with high in-plane diffusion uniformity |
| KR100576435B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-05-08 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 연소 시스템의 수소 가스 연소 장치 및 방법 |
| JP2008010727A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸気処理装置及び蒸気処理方法 |
| KR20180056388A (ko) | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반응관 구조 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20200115210A (ko) | 2019-03-26 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP24204697A patent/JPH1167750A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348397B2 (en) * | 1998-01-30 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Method for diffusion of an impurity into a semiconductor wafer with high in-plane diffusion uniformity |
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| JP2008010727A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸気処理装置及び蒸気処理方法 |
| KR20180056388A (ko) | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반응관 구조 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11359283B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-06-14 | Kokusai Electric Corporation | Reaction tube structure and substrate processing apparatus |
| KR20200115210A (ko) | 2019-03-26 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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