JPH01257334A - 酸化装置 - Google Patents
酸化装置Info
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- JPH01257334A JPH01257334A JP8575688A JP8575688A JPH01257334A JP H01257334 A JPH01257334 A JP H01257334A JP 8575688 A JP8575688 A JP 8575688A JP 8575688 A JP8575688 A JP 8575688A JP H01257334 A JPH01257334 A JP H01257334A
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- hydrogen
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水素と酸素の燃焼により生成する水蒸気を酸化
剤とし、半導体基板を熱酸化する酸化装置に関するもの
である。
剤とし、半導体基板を熱酸化する酸化装置に関するもの
である。
従来、半導体基板の酸化装置、特に水素と酸素との燃焼
で生成する水蒸気により酸化を行う酸化装置として以下
のようなものが知られている。即ち、第２図に示される
如く、石英炉芯管１の周囲にはヒータ２が巻かれており
、炉芯管内の温度を均一に保つ。また、炉芯管内へのガ
ス導入は、炉芯管一端のガス導入口から行なわれ、ガス
導入ロアからは窒素または水素が導入され、導入口８か
らは酸素が導入される。ここで、ガス導入ロアにおける
ガスの炉芯管内での出口Ａは、水素と酸素の爆発的反応
を防止するために、温度の高い半導体基板５の処理位置
即ち、均熱部近くに設けられている。
で生成する水蒸気により酸化を行う酸化装置として以下
のようなものが知られている。即ち、第２図に示される
如く、石英炉芯管１の周囲にはヒータ２が巻かれており
、炉芯管内の温度を均一に保つ。また、炉芯管内へのガ
ス導入は、炉芯管一端のガス導入口から行なわれ、ガス
導入ロアからは窒素または水素が導入され、導入口８か
らは酸素が導入される。ここで、ガス導入ロアにおける
ガスの炉芯管内での出口Ａは、水素と酸素の爆発的反応
を防止するために、温度の高い半導体基板５の処理位置
即ち、均熱部近くに設けられている。
本装置での水素の点火は次のように行なわれる。
まず、炉芯管内均熱部温度を所定の温度に安定させ、ガ
ス導入口８より炉芯管内へ酸素を導入する。
ス導入口８より炉芯管内へ酸素を導入する。
次いで、ガス導入ロアより水素を炉芯管内へ導入する。
この時、水素ガスの炉芯管内での出口は、ヒータ２によ
り水素の発火点以上になっており、水素の点火が行なわ
れる。
り水素の発火点以上になっており、水素の点火が行なわ
れる。
上述した従来の酸化装置は、均熱部の温度な制御するた
めのヒータによる熱を利用して水素の点火を行っている
ため、水素の燃焼は、半導体基板の処理位置である均熱
部の近くで行なわざるを得ない。しかしながら、水素の
燃焼を均熱部の近くで行うと、水素と酸素の反応熱によ
り均熱部の温度が急激に上昇しく例えば均熱部温度９０
０℃。
めのヒータによる熱を利用して水素の点火を行っている
ため、水素の燃焼は、半導体基板の処理位置である均熱
部の近くで行なわざるを得ない。しかしながら、水素の
燃焼を均熱部の近くで行うと、水素と酸素の反応熱によ
り均熱部の温度が急激に上昇しく例えば均熱部温度９０
０℃。
水素流量２０ｎ／ｍｉｎ、酸素流量１０１２７ｍ１ｎ、
点火位置と均熱部との距離５０σの場合３０℃上昇する
。）水素の点火後、均熱部の温度が安定するまで長時間
を要し、温度が不安定なまま酸化が進行することになる
。特に、８００℃以下の低温酸化の場合、反応熱により
、制御しようとする酸化温度以上に均熱部の温度が上昇
し、温度制御が不能になることさえもある。
点火位置と均熱部との距離５０σの場合３０℃上昇する
。）水素の点火後、均熱部の温度が安定するまで長時間
を要し、温度が不安定なまま酸化が進行することになる
。特に、８００℃以下の低温酸化の場合、反応熱により
、制御しようとする酸化温度以上に均熱部の温度が上昇
し、温度制御が不能になることさえもある。
このように従来の酸化装置は、水素の点火を均熱部の温
度制御用ヒータによる熱を利用し、均熱部の近くで水素
を燃焼させるために、酸化プロセスにおいて水素と酸素
の反応熱に依る均熱部の温度変動を避けられないという
欠点を有する。
度制御用ヒータによる熱を利用し、均熱部の近くで水素
を燃焼させるために、酸化プロセスにおいて水素と酸素
の反応熱に依る均熱部の温度変動を避けられないという
欠点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の酸化装置は、水素と酸素の燃焼により生成する
水蒸気を酸化剤として半導体基板を熱酸化する酸化装置
において、炉芯管内へガスを導入するためのガス導入口
近傍に、水素の点火用ヒータを具備することを特徴とす
る。
水蒸気を酸化剤として半導体基板を熱酸化する酸化装置
において、炉芯管内へガスを導入するためのガス導入口
近傍に、水素の点火用ヒータを具備することを特徴とす
る。
次に、本発明について図面を参照しつつ詳細に説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図で
ある。封止された炉芯管１の一端にガス導入口３，４が
設けられ、ガス導入口の出口の近傍の導入口３及び４で
かこまれた領域には点火ヒータ６が設けられている。
。第１図は本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図で
ある。封止された炉芯管１の一端にガス導入口３，４が
設けられ、ガス導入口の出口の近傍の導入口３及び４で
かこまれた領域には点火ヒータ６が設けられている。
本装置において、水素の点火は次のように行なわれる。
まず炉芯管内の均熱部温度８００℃から１０００℃の温
度に安定させ、ガス導入口４より酸素を５ｆｆ／ｍｉｎ
から２０ρ／ ｍ ｉ ｎの流量で炉芯管内へ導入する
。次いで点火ヒータにより、ガス導入口３の炉芯管内の
ガス出口の温度を水素の発火点以上の６００℃〜７００
℃に上昇せしめガス導入口３より水素を１０β／ ｍ
ｉ ｎから４０ｊ！／ｍｉｎの流量で炉芯管へ導入し、
水素の点火燃焼を行う。
度に安定させ、ガス導入口４より酸素を５ｆｆ／ｍｉｎ
から２０ρ／ ｍ ｉ ｎの流量で炉芯管内へ導入する
。次いで点火ヒータにより、ガス導入口３の炉芯管内の
ガス出口の温度を水素の発火点以上の６００℃〜７００
℃に上昇せしめガス導入口３より水素を１０β／ ｍ
ｉ ｎから４０ｊ！／ｍｉｎの流量で炉芯管へ導入し、
水素の点火燃焼を行う。
以上説明したように本発明は、水素の点火を炉芯管一端
のガス導入口近傍に設けた点火ヒータによって行うこと
により、水素の点火及び燃焼を半導体基板５の酸化を行
う均熱部から離れた場所で行うことが可能となり、水素
と酸素との反応熱は酸化プロセスに影響を与えることな
く、半導体基板の酸化中に酸化温度に変動のない酸化が
可能となり、酸化膜質、酸化膜厚及び半導体基板の熱履
歴のバラツキの小さい酸化を行うことのできる効果があ
る。
のガス導入口近傍に設けた点火ヒータによって行うこと
により、水素の点火及び燃焼を半導体基板５の酸化を行
う均熱部から離れた場所で行うことが可能となり、水素
と酸素との反応熱は酸化プロセスに影響を与えることな
く、半導体基板の酸化中に酸化温度に変動のない酸化が
可能となり、酸化膜質、酸化膜厚及び半導体基板の熱履
歴のバラツキの小さい酸化を行うことのできる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例の酸化装置の構成図、第２図
は従来の酸化装置の構成図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ヒータ、３，４
，７．８・・・・・・ガス導入口、５・・・・・・半導
体基板、６・・・・・・点火ヒータ、９・・・・・・電
源、１０・・・・・・半導体基板支持具。 代理人 弁理士 内 原 音 羊 １ 回 第 ２ Ｍ
は従来の酸化装置の構成図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ヒータ、３，４
，７．８・・・・・・ガス導入口、５・・・・・・半導
体基板、６・・・・・・点火ヒータ、９・・・・・・電
源、１０・・・・・・半導体基板支持具。 代理人 弁理士 内 原 音 羊 １ 回 第 ２ Ｍ
Claims (1)
- 水素と酸素の燃焼により生成する水蒸気を酸化剤とし
て半導体基板を熱酸化する酸化装置において、炉芯管内
へガスを導入するためのガス導入口近傍に、水素の点火
用ヒータを具備することを特徴とする酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575688A JPH01257334A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575688A JPH01257334A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 酸化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257334A true JPH01257334A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13867703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8575688A Pending JPH01257334A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257334A (ja) |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8575688A patent/JPH01257334A/ja active Pending
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